選正鈦酸四丁酯、異丙醇鈦、鈦酸異丙酯、鈦酸正丙酯、鈦酸乙酯等；Si02的前驅(qū)體為含氧有機(jī)硅化合物，優(yōu)選正硅酸乙酯、正硅酸丙酯、正硅酸甲酯、甲基三乙氧基硅烷或二甲基二乙氧基娃燒等；A1203的如驅(qū)體為含氧有機(jī)招化合物，優(yōu)選招酸二異丙酯、醇招等。
[0014]進(jìn)一步，所述氧化物紅外光反射材料的用量為炭氈或炭-炭復(fù)合材料重量的
0.5% ?25%。
[0015]進(jìn)一步，所述炭氈為軟炭氈或固化炭氈。
[0016]進(jìn)一步，步驟(I)中，為了提高金屬有機(jī)化合物浸漬燒結(jié)分解過程中金屬氧化物與炭纖維的結(jié)合強(qiáng)度，在溶液中加入5wt %?10 wt %的環(huán)氧樹脂或者酸醛樹脂；這樣，還可同時(shí)使粉末在浸漬過程中不發(fā)生沉淀和團(tuán)聚。
[0017]進(jìn)一步，步驟(2)中，所述炭租或炭-炭復(fù)合材料的密度為0.1?1.8g/cm3。
[0018]進(jìn)一步，步驟(2)中，為了提高浸漬效率，可以使用超聲波振蕩或壓力浸漬，將炭氈或炭-炭復(fù)合材料孔隙中的空氣排出，這樣，有助于具有一定粘度的溶液將快速均勻地覆蓋在炭氈或炭-炭復(fù)合材料的炭纖維基體上。
[0019]進(jìn)一步，步驟(4)中，煅燒后氧化物紅外光反射材料以微納米顆粒的形式包覆在炭租或炭-炭復(fù)合材料母體的炭纖維骨架上，粒徑為0.1?5 μπι。
[0020]本發(fā)明還包括所述氧化物紅外光反射保溫炭氈在保溫?zé)釄鎏貏e是工業(yè)爐中的應(yīng)用。所述工業(yè)爐包括晶體硅爐、冶金爐、燒結(jié)爐和化學(xué)氣相沉積爐等。
[0021]晶體硅爐，工作溫區(qū)在1000°C以上，爐內(nèi)熱場具有本發(fā)明浸漬燒結(jié)法制備的氧化物紅外光反射保溫炭氈。
[0022]冶金爐，工作溫區(qū)在500°C以上，爐內(nèi)熱場具有本發(fā)明浸漬燒結(jié)法制備的氧化物紅外光反射保溫炭氈。
[0023]燒結(jié)爐，工作溫區(qū)在500°C以上，爐內(nèi)熱場具有本發(fā)明浸漬燒結(jié)法制備的氧化物紅外光反射保溫炭氈。
[0024]化學(xué)氣相沉積爐，工作溫區(qū)在800°C以上，爐內(nèi)熱場具有本發(fā)明浸漬燒結(jié)法制備的氧化物紅外光反射保溫炭氈。
[0025]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):
(1)使用本發(fā)明浸漬燒結(jié)法制備的氧化物紅外光反射保溫炭氈，能夠?qū)⒏邷責(zé)釄霏h(huán)境中的紅外線輻射熱反射回?zé)釄鲋?，起到保溫降耗的作用，降低高溫?zé)釄龅哪芎?%-20% ;
(2)本發(fā)明浸漬燒結(jié)法制備的氧化物紅外光反射保溫炭氈，氧化物紅外光反射材料與基體結(jié)合力強(qiáng)，提尚熱場使用壽命；提尚廣品的質(zhì)量。
[0026](3)本發(fā)明浸漬燒結(jié)法制備的氧化物紅外光反射保溫炭氈，氧化物微納米顆粒直接包覆在炭纖維基體上，炭纖維在高溫過程中與氣氛接觸面積變少，可以減少碳對(duì)晶體硅生長過程的污染，提高炭氈使用壽命及產(chǎn)品的質(zhì)量。
【附圖說明】
[0027]圖1為本發(fā)明氧化物紅外光反射材料保溫炭氈的SEM圖；
圖2為現(xiàn)有技術(shù)方法制備的未有紅外光反射功能保溫炭氈的SEM圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。所用各原料均為常用公知原料，均從常規(guī)商業(yè)途徑得到。
[0029]實(shí)施例1
本實(shí)施例之浸漬燒結(jié)法制備的氧化物紅外光反射保溫炭氈，按照以下方法制成:
(1)配制混合溶液:選擇T12作為本實(shí)施例中用到的氧化物紅外光反射材料，1102的前驅(qū)體選用正鈦酸四丁酯，將正鈦酸四丁酯、環(huán)氧樹脂和有機(jī)溶劑工業(yè)酒精按照5:1:4的質(zhì)量比例混合，配制成三者的混合溶液(其中正鈦酸四丁酯占比為50%，環(huán)氧樹脂占比為10%)，攪拌30min，即形成T12前驅(qū)體的混合溶液；
(2)浸漬處理:將待處理的母體固化炭氈(固化炭氈的密度為0.2g/ cm3)置于步驟(I)配制好的打02前驅(qū)體的混合溶液中進(jìn)行浸漬；為了提高浸漬效率，選用超聲波振蕩，將固化炭氈孔隙中的空氣排出，1102前驅(qū)體溶液均勻地覆蓋在固化炭氈的炭纖維基體上，使母體的炭纖維與溶液充分接觸，浸潤后，溶液成分包覆在炭纖維骨架上；
(3)干燥處理:將經(jīng)步驟(2)浸漬處理后的母體固化炭氈取出，置于干燥爐內(nèi)，80°C保溫30min，充分干燥；
(4)燒結(jié)處理:將經(jīng)步驟(3)干燥處理后的母體進(jìn)行高溫煅燒，煅燒溫度為650°C，時(shí)間為60min，正鈦酸四丁酯受熱分解，部分分解成為熱解碳依附在炭纖維母體上，部分分解成無定型T12,然后晶化成微納米結(jié)構(gòu)的顆粒與薄膜而成微納米1102紅外光反射材料，也依附在炭纖維上，得氧化物紅外光反射材料保溫炭氈。對(duì)所得保溫炭氈進(jìn)行稱重，增重為20%。
[0030]本實(shí)施例保溫炭氈成品的SEM圖如圖1所示，煅燒后1102以微納米顆粒與薄膜的形式包覆在炭氈的炭纖維上，粒徑為0.1 μπι ;現(xiàn)有技術(shù)方法制備的保溫炭氈的SEM圖如圖2所示，圖1和圖2形成鮮明的對(duì)比。
[0031]應(yīng)用:將上述成品應(yīng)用于多晶硅鑄錠爐GT爐中。在GT鑄錠爐生產(chǎn)G6硅錠的過程中，其中硅料熔化的溫度在1420°C以上，原工藝過程為80h，其中高溫段(>500°C)時(shí)間約為65?70h，鑄錠重量為800kg，硅料熔化期間，平均功率在90kw，而長晶期間，功率保持為60-66kw ;使用本發(fā)明氧化物紅外光反射材料保溫炭氈后，平均功率下降10kw，結(jié)合以上的工藝時(shí)間80h，平均節(jié)約10kwX80h=800kw.1ι，則平均能耗下降I度/kg，折合節(jié)約電費(fèi)500元/錠。同時(shí)，提高保溫性能可以增加熱場中晶體生長所需要的溫度梯度，因此選用本發(fā)明氧化物紅外光反射保溫炭氈作為熱場所生長的硅晶體的質(zhì)量有提高，錠良率提高約1%，這樣可以多產(chǎn)硅片300片/錠，以目前多晶硅片價(jià)格6.5元/片計(jì)，每個(gè)錠則可增加收入=300X6.5=1950 元。
[0032]實(shí)施例2
本實(shí)施例之浸漬燒結(jié)法制備的氧化物紅外光反射保溫炭氈，按照以下方法制成:
(1)配制混合溶液:選擇S12作為本實(shí)施例中用到的氧化物紅外光反射材料，Si0d9前驅(qū)體選用正硅酸乙酯(TE0S)，將TE0S、酚醛樹脂、有機(jī)溶劑工業(yè)酒精按照9:0.5:0.5的質(zhì)量比例混合后作為混合溶液(正硅酸乙酯占質(zhì)量百分比為90%，酚醛樹脂占質(zhì)量百分比為5%)，均勻攪拌20min，即形成S12前驅(qū)體的混合溶液；
(2)浸漬處理:將待處理的軟炭氈母體(炭氈的密度為0.lg/ cm3)置于步驟(I)配制的S12前驅(qū)體混合溶液中進(jìn)行浸漬，為了提高浸漬效率，選用壓力浸漬，將炭氈孔隙中的空氣排出，正硅酸乙酯(TEOS)溶液均勻地覆蓋在軟炭氈的炭纖維基體上，使母體的炭纖維與原溶液充分接觸，浸潤后，正硅酸乙酯溶液成分包覆在炭纖維骨架上；
(3)干燥處理:將經(jīng)步驟(2)充分浸漬處理后的軟炭氈母體，置于離心設(shè)備中，將部分浸漬液甩出，再將離心處理后的軟炭氈母體進(jìn)行干燥處理，干燥溫度60°C，干燥時(shí)間40min ；
(4)燒結(jié)處理:將經(jīng)步驟(3)處理后的母體進(jìn)行高溫煅燒，煅燒溫度為750°C，時(shí)間為120min，其中正硅酸乙酯受熱分解，部分分解成為熱解炭依附在炭纖維母體上，部分分解成無定型S12，然后晶化成微納米結(jié)構(gòu)的顆粒及薄膜狀，依附在炭纖維上，該S12從無定型態(tài)轉(zhuǎn)變成為微納米結(jié)晶態(tài)而成微納米S12紅外光反射材料。對(duì)所得氧化物紅外光反射保溫炭氈進(jìn)行稱重，增重約25%。
[0033]本實(shí)施例保溫炭氈成品的SEM圖與圖1基本相同，煅燒后S12以微納米顆粒及薄膜形式包覆在炭氈的炭纖維上，粒徑為I μ m ;現(xiàn)有技術(shù)方法制備的保溫炭氈的SEM圖如圖2所示，圖1和圖2形成鮮明的對(duì)比。
[0034]應(yīng)用:將上述成品應(yīng)用于GaAs晶體生長爐中。在GaAs晶體定向凝固過程中，其中GaAs母