組合印制電路板和印制電路板的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種組合印制電路板和印制電路板的制造方法。本發(fā)明實(shí)施例組合印制電路板的制造方法包括：在覆金屬板的第一導(dǎo)電層及介質(zhì)層上需要形成通孔的位置形成貫穿第一導(dǎo)電層及介質(zhì)層的第一開口，及在覆金屬板的第二導(dǎo)電層上的對應(yīng)位置形成貫穿第二導(dǎo)電層的第二開口，第一開口與位置對應(yīng)的第二開口形成一個(gè)疊合通孔；其中，第一開口的口徑與對應(yīng)的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同，且該第一開口的口徑大于位置對應(yīng)的第二開口的口徑；在疊合通孔內(nèi)填塞導(dǎo)電膏，得到組合印制電路板。采用本發(fā)明實(shí)施例方法制作的組合印制電路板中，由于第二開口的口徑小于第一開口的口徑，能夠有效減少殘留在第二開口外的導(dǎo)電膏，從而降低了制造成本。
【專利說明】組合印制電路板和印制電路板的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及印制電路板【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種組合印制電路板的制造方法，以及包含該組合印制電路板的多層印制電路板的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著電子設(shè)備的小型化、輕量化、高速化、多功能化及高可靠性的發(fā)展，使電子設(shè)備中的半導(dǎo)體部件等也朝著多引腳化和細(xì)間距化發(fā)展。面對這種發(fā)展趨勢，要求承載半導(dǎo)體部件的印制電路板(Printed Circuit Board，PCB)也朝著小型化、輕量化、高密度化和綠色環(huán)?；l(fā)展。
[0003]為了滿足這種要求，研制和開發(fā)了高密度互連(HDI:high densityinterconnection)電路板。目前,HDI電路板的生產(chǎn)采用傳統(tǒng)的增層技術(shù),也稱為積層法，但傳統(tǒng)的增層技術(shù)只適用于量產(chǎn)廣5階(階數(shù)為激光鉆孔的次數(shù))的HDI電路板，對于更高層的HDI電路板，則需要采用任意層互連技術(shù)。目前，較為常用的兩種任意層互連技術(shù)包括任意層內(nèi)互連孔技術(shù)(Any Layer Inner Via Hole, ALIVH)和埋凸塊互連技術(shù)(Buried Bumpinterconnection technology, B2it)。
[0004]ALIVH技術(shù)實(shí)現(xiàn)任意層間的互連的方式是:在需要進(jìn)行互連的層間設(shè)置通孔，并在通孔內(nèi)填塞導(dǎo)電膏，以實(shí)現(xiàn)任意導(dǎo)電層之間的電氣連接。由于在使用導(dǎo)電膏填塞通孔時(shí)，一般都是從通孔的一端進(jìn)行填塞，為了保證導(dǎo)電層之間的電氣連接性能，需要填滿該通孔，使得該通孔的另一端會殘留很多的導(dǎo)電膏，而造成導(dǎo)電膏的浪費(fèi)，從而增加了制造成本。
[0005]B2it技術(shù)實(shí)現(xiàn)任意層間的互連的方式是:制作疊板用的芯板過程中，在芯板的導(dǎo)電層表面的導(dǎo)通孔對應(yīng)的位置上印刷形成與導(dǎo)通孔內(nèi)的導(dǎo)電膏連通的導(dǎo)電膏凸塊，導(dǎo)電膏凸塊穿透與其連接的介質(zhì)層，從而實(shí)現(xiàn)任意導(dǎo)電層之間的電氣連接，但這種工藝對導(dǎo)電膏要求較高，即導(dǎo)電膏需具有高粘性和低觸變指數(shù)(Thixotropic Index, TI),在對導(dǎo)電膏進(jìn)行一次印刷之后，需要重復(fù)印刷導(dǎo)電膏，并對其進(jìn)行預(yù)烘，此過程需要重復(fù)4飛次才能形成所需的導(dǎo)電膏凸塊，因此，制造工藝復(fù)雜，加工時(shí)間較長，增加了電路板的制造成本。
[0006]綜上所述，采用現(xiàn)有的任意層互連技術(shù)制造多層HDI電路板的制造工藝復(fù)雜，且制造成本高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種組合印制電路板的制造方法，以及包含該組合印制電路板的多層印制電路板的制造方法，用于解決現(xiàn)有的任意層互連技術(shù)制造多層HDI電路板的制造工藝復(fù)雜及成本高的問題。
[0008]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種組合印制電路板的制造方法，該方法包括:
[0009]在覆金屬板的第一導(dǎo)電層及介質(zhì)層上需要形成通孔的位置形成貫穿所述第一導(dǎo)電層及所述介質(zhì)層的第一開口，及在所述覆金屬板的第二導(dǎo)電層上的對應(yīng)位置形成貫穿所述第二導(dǎo)電層的第二開口，所述第一開口與位置對應(yīng)的第二開口形成一個(gè)疊合通孔；其中，所述介質(zhì)層位于所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間，所述第一開口的口徑與對應(yīng)的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同，且所述第一開口的口徑大于位置對應(yīng)的第二開口的口徑；
[0010]在所述疊合通孔內(nèi)填塞導(dǎo)電膏，得到組合印制電路板。
[0011]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種印制電路板的制造方法，該方法包括:
[0012]疊板處理，將至少兩個(gè)組合印制電路板按照預(yù)設(shè)的排列順序進(jìn)行疊合，其中，至少一個(gè)組合印制電路板為由上述方法制造而成的組合印制電路板；
[0013]層壓處理，將疊板處理后的組合印制電路板進(jìn)行壓合，得到多層印制電路板。
[0014]采用本發(fā)明實(shí)施例方法制作的組合印制電路板的疊合通孔中，第一開口的口徑與需要形成的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同，且第一開口的口徑大于第二開口的口徑，在采用導(dǎo)電膏進(jìn)行塞孔時(shí)，從第一開口向第二開口填塞，這樣，導(dǎo)電膏會填滿該疊合通孔，而沒有空隙，并且，由于第二開口的口徑小于第一開口的口徑，使得在塞孔過程中，能夠有效減少殘留在第二開口外的導(dǎo)電膏，從而降低了制造成本，且制備工藝簡單。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1為本發(fā)明實(shí)施例組合印制電路板的制造方法流程圖；
[0016]圖2為本發(fā)明實(shí)施例采用開窗工藝形成疊合通孔的工藝流程圖；
[0017]圖3A?圖3B為本發(fā)明實(shí)施例采用開窗工藝形成疊合通孔過程中覆金屬板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖4為本發(fā)明實(shí)施例采用激光直接鉆孔方式形成疊合通孔的工藝流程圖；
[0019]圖5A?圖5B為本發(fā)明實(shí)施例采用激光直接鉆孔方式形成疊合通孔過程中覆金屬板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖6為本發(fā)明實(shí)施例第一種組合印制電路板的制造工藝流程圖；
[0021]圖7A?圖7D為本發(fā)明實(shí)施例第一種組合印制電路板在制造過程中覆金屬板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖8為本發(fā)明實(shí)施例第二種組合印制電路板的制造工藝流程圖；
[0023]圖9A?圖9G為本發(fā)明實(shí)施例第二種組合印制電路板在制造過程中覆金屬板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖10為本發(fā)明實(shí)施例第三種組合印制電路板的制造工藝流程圖；
[0025]圖1lA?圖1lG為本發(fā)明實(shí)施例第三種組合印制電路板在制造過程中覆金屬板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖12為本發(fā)明實(shí)施例第四種組合印制電路板的制造工藝流程圖；
[0027]圖13A?圖13F為本發(fā)明實(shí)施例第四種組合印制電路板在制造過程中覆金屬板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖14為本發(fā)明實(shí)施例第五種組合印制電路板的制造工藝流程圖；
[0029]圖15A?圖15F為本發(fā)明實(shí)施例第五種組合印制電路板在制造過程中覆金屬板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖16為本發(fā)明實(shí)施例印制電路板的制造工藝流程圖；
[0031]圖17為本發(fā)明實(shí)施例第一種印制電路板的制造工藝流程圖；
[0032]圖18A?圖18C為本發(fā)明實(shí)施例第一種印制電路板在制造過程中的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖19為本發(fā)明實(shí)施例第二種印制電路板的制造工藝流程圖；
[0034]圖20A?圖20C為本發(fā)明實(shí)施例第二種印制電路板在制造過程中的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖21為本發(fā)明實(shí)施例第三種印制電路板的制造工藝流程圖；
[0036]圖22A?圖22B為本發(fā)明實(shí)施例第三種印制電路板在制造過程中的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖23為本發(fā)明實(shí)施例第四種印制電路板的制造工藝流程圖；
[0038]圖24A?圖24B為本發(fā)明實(shí)施例第四種印制電路板在制造過程中的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖25為本發(fā)明實(shí)施例第五種印制電路板的制造工藝流程圖；
[0040]圖26A?圖26C為本發(fā)明實(shí)施例第五種印制電路板在制造過程中的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0041]采用本發(fā)明實(shí)施例制作的組合印制電路板的疊合通孔中，第一開口的口徑與需要形成的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同，且第一開口的口徑大于第二開口的口徑，在采用導(dǎo)電膏進(jìn)行塞孔的過程中，由于第二開口的口徑小于第一開口的口徑，能夠有效減少殘留在第二開口外的導(dǎo)電膏，從而降低了制造成本，且制備工藝簡單。
[0042]本發(fā)明實(shí)施例的覆金屬板是指在半固化片(半固化片中的樹脂處于B階段，即半固化狀態(tài))的兩面覆以金屬箔，并經(jīng)層壓處理而形成的一種板狀材料，其中，半固化片中的樹脂在層壓處理后轉(zhuǎn)化為C階段(即完全固化狀態(tài))而形成介質(zhì)層；
[0043]進(jìn)一步，覆金屬板可以為雙面覆金屬玻璃纖維增強(qiáng)環(huán)氧樹脂板、雙面覆金屬聚四氟乙烯板、雙面覆金屬聚酰亞胺板、雙面覆金屬聚酰胺板、雙面覆金屬氰酸鹽樹脂板或雙面覆金屬陶瓷板等。
[0044]對于印制電路板來說，通孔是指為了實(shí)現(xiàn)印制電路板層間的電氣連接而設(shè)置的貫穿印制電路板不同導(dǎo)電層之間的孔，一般需要在對印制電路板的各芯板進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移之前，根據(jù)印制電路板的電氣連接要求，預(yù)先設(shè)定芯板中用于實(shí)現(xiàn)層間電氣連接的通孔的位置及孔徑大小，進(jìn)而在各芯板的對應(yīng)位置進(jìn)行鉆孔處理，以形成所需的通孔；
[0045]在本發(fā)明實(shí)施例組合印制電路板的制作過程中，在覆金屬板上形成的第一開口與第二開口的位置與需要形成用于實(shí)現(xiàn)層間的電氣連接的通孔的位置對應(yīng)，且第一開口與第二開口的數(shù)量分別與預(yù)先設(shè)定需要在該覆金屬板上需要形成的通孔的數(shù)量相同，即每一組位置對應(yīng)的第一開口與第二開口形成的疊合通孔對應(yīng)一個(gè)需要形成的通孔。
[0046]本發(fā)明實(shí)施例制備的組合印制電路板可以為中間態(tài)(即半成品)，作為印制電路板的外層芯板或內(nèi)層芯板，將至少兩個(gè)組合印制電路板疊合在一起，經(jīng)層壓處理后得到所需的多個(gè)PCB (即成品)；本發(fā)明實(shí)施例的組合印制電路板也可以作為雙面印制電路板(即成品)使用。
[0047]下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0048]參見圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的組合印制電路板的制造方法，該方法包括以下步驟:
[0049]步驟11、在覆金屬板的第一導(dǎo)電層及介質(zhì)層上需要形成通孔的位置形成貫穿該第一導(dǎo)電層及介質(zhì)層的第一開口，及在該覆金屬板的第二導(dǎo)電層上的對應(yīng)位置(即與第一開口對應(yīng)的位置)形成貫穿該第二導(dǎo)電層的第二開口，第一開口與位置對應(yīng)的第二開口形成一個(gè)疊合通孔；
[0050]其中，第一開口的口徑與對應(yīng)的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同，且第一開口的口徑大于位置對應(yīng)的第二開口的口徑。
[0051]優(yōu)選的，第一開口的口徑至少比與該第一開口位置對應(yīng)的第二開口的口徑大20微米。
[0052]步驟12、在形成的疊合通孔內(nèi)填塞導(dǎo)電膏，得到組合印制電路板；
[0053]其中，在使用導(dǎo)電膏對疊合通孔進(jìn)行塞孔時(shí)，優(yōu)選從疊合通孔的第一開口處填塞導(dǎo)電膏，以使導(dǎo)電膏充滿這個(gè)疊合通孔。
[0054]進(jìn)一步，本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)電膏可以是導(dǎo)電銅膏、銀膏或?qū)щ娞几嗟龋?br> [0055]進(jìn)一步，在疊合通孔內(nèi)填塞導(dǎo)電膏可以采用手動塞孔方式、使用半自動印刷機(jī)進(jìn)行塞孔、或使用全自動印刷機(jī)進(jìn)行塞孔、或使用真空塞孔機(jī)進(jìn)行塞孔。
[0056]進(jìn)一步，步驟11中，在覆金屬板上需要形成通孔的位置形成疊合通孔，包括以下兩種方式:
[0057]方式一、開窗工藝(Conformal Mask),參見圖2所示，該方式進(jìn)一步包括以下步驟:
[0058]步驟111A、采用開窗工藝分別在第一導(dǎo)電層11上需要形成通孔的位置形成貫穿該第一導(dǎo)電層11的窗口 111，及在第二導(dǎo)電層12上的對應(yīng)位置形成第二開口 121，參見圖3A所示，由于需要形成三個(gè)通孔，因此，在第一導(dǎo)電層11上形成了三個(gè)窗口 111，及在第二導(dǎo)電層12上形成了三個(gè)第二開口 121 ；
[0059]具體的，開窗工藝可以通過蝕刻的方式實(shí)現(xiàn)。
[0060]步驟112A、在覆金屬板的介質(zhì)層13上與步驟IllA形成的窗口 111對應(yīng)的位置進(jìn)行鉆孔處理，形成與窗口的口徑相同且貫穿該介質(zhì)層13的穿孔131，窗口及與其位置對應(yīng)的穿孔形成第一開口，第一開口與位置對應(yīng)的第二開口形成一個(gè)疊合通孔，參見圖3B所示，其中，第二開口處形成有懸浮金屬M(fèi) (參見圖3B中虛線框內(nèi)的M)，該懸浮金屬M(fèi)的寬度至少為15微米，可以阻止過多的導(dǎo)電膏溢出該疊合通孔。
[0061]方式二、激光直接鉆孔(Laser Direct Drill)方式,參見圖4所示,該方式進(jìn)一步包括以下步驟:
[0062]步驟111B、在第一導(dǎo)電層11及介質(zhì)層13上需要形成通孔的位置進(jìn)行鉆孔處理，形成第一開口 14，參見圖5A所示；
[0063]步驟112B、在第二導(dǎo)電層12上的對應(yīng)位置進(jìn)行鉆孔處理，形成第二開口 121，第一開口 14與位置對應(yīng)的第二開口 121形成疊合通孔，參見圖5B所示，其中，第二開口 121處形成有懸浮金屬M(fèi)，該懸浮金屬M(fèi)的寬度至少為15微米，可以阻止過多的導(dǎo)電膏溢出該疊合通孔。
[0064]進(jìn)一步，鉆孔處理包括激光鉆孔、機(jī)械鉆孔等方式。
[0065]優(yōu)選的，本發(fā)明實(shí)施例中的鉆孔處理采用激光鉆孔，其中，激光鉆孔又包括紅外激光鉆孔和紫外激光鉆孔。
[0066]若步驟IllB中采用紅外激光鉆孔，則在步驟IllB之前，還包括:
[0067]對第一導(dǎo)電層表面進(jìn)行粗化處理，以增強(qiáng)第一導(dǎo)電層對紅外激光的吸收，利用紅外激光鉆穿該第一導(dǎo)電層；
[0068]若步驟112B中采用紅外激光鉆孔，則在步驟IllB之后且步驟112B之前，還包括:
[0069]對第二導(dǎo)電層表面進(jìn)行粗化處理，以增強(qiáng)第二導(dǎo)電層對紅外激光的吸收，利用紅外激光鉆穿該第二導(dǎo)電層。
[0070]進(jìn)一步，在步驟11之后，且在步驟12之前，本發(fā)明實(shí)施例的方法還包括:
[0071]對覆金屬板進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，以在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層上形成電路圖形。
[0072]為了提高疊合通孔的電氣連接性能，在對覆金屬板進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移之后，且在步驟12之前,本發(fā)明實(shí)施例的方法還包括:
[0073]對形成的疊合通孔的孔壁進(jìn)行金屬化處理，以在疊合通孔的內(nèi)壁形成金屬層，提高其電氣連接性能。
[0074]優(yōu)選的，金屬化處理為沉銅電鍍處理。
[0075]下面對本發(fā)明實(shí)施例組合印制電路板的不同結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0076]參見圖6所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的第一種組合印制電路板的制造方法，該方法包括以下步驟:
[0077]步驟61、在覆金屬板上需要形成通孔的位置形成貫穿該覆金屬板的第一導(dǎo)電層
11、第二導(dǎo)電層12及介質(zhì)層13的疊合通孔15，參見圖7A所示；其中，疊合通孔15中的第一開口的口徑與對應(yīng)的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同，且該第一開口的口徑大于該疊合通孔中的第二開口的口徑；
[0078]具體的，步驟11中形成疊合通孔的方法參見方式一和方式二，此處不再贅述。
[0079]步驟62、對形成的疊合通孔的孔壁進(jìn)行金屬化處理，以在疊合通孔的內(nèi)壁形成金屬層16，進(jìn)一步提高疊合通孔的電氣連接性能，參見圖7B所示。
[0080]步驟63、對覆金屬板進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，以在第一導(dǎo)電層11與第二導(dǎo)電層12上形成電路圖形，參見圖7C所示。
[0081]步驟64、在形成的疊合通孔內(nèi)填塞導(dǎo)電膏17，得到組合印制電路板，參見圖7D所
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[0082]優(yōu)選的，在步驟64之后，本實(shí)施例的方法還包括:
[0083]對覆金屬板進(jìn)行磨板處理，以去除第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層表面上殘余的導(dǎo)電膏。
[0084]進(jìn)一步，磨板處理可以采用不織布、磨刷、陶瓷刷輥等方式實(shí)現(xiàn)，或者采用上述三種方式的任意組合。
[0085]需要說明的是，本實(shí)施例組合印制電路板的制作過程中，也可以不執(zhí)行步驟61，在執(zhí)行步驟61之后直接執(zhí)行步驟63?步驟64，以形成本實(shí)施例的第一種組合印制電路板。
[0086]參見圖8所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的第二種組合印制電路板的制造方法，該方法包括以下步驟:
[0087]步驟81、在覆金屬板上需要形成通孔的位置形成一個(gè)貫穿該覆金屬板的第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層12及介質(zhì)層13的疊合通孔15，參見圖9A所示；其中，疊合通孔15中的第一開口的口徑與對應(yīng)的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同，且該第一開口的口徑大于該疊合通孔中的第二開口的口徑；
[0088]具體的，步驟11中形成疊合通孔的方法參見方式一和方式二，此處不再贅述。
[0089]步驟82、對形成的疊合通孔的孔壁進(jìn)行金屬化處理，以在疊合通孔的內(nèi)壁形成金屬層16，進(jìn)一步提高疊合通孔的電氣連接性能，參見圖9B所示。
[0090]步驟83、對覆金屬板進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，以在第一導(dǎo)電層11與第二導(dǎo)電層12上形成電路圖形，參見圖9C所示。
[0091]步驟84、在覆金屬板的第一導(dǎo)電層11或第二導(dǎo)電層12貼合保護(hù)膜18，參見圖9D所示，圖中是以在第一導(dǎo)電層11上貼合保護(hù)膜18為例進(jìn)行說明的；
[0092]進(jìn)一步，該保護(hù)膜18為聚酯保護(hù)膜、聚酰亞胺保護(hù)膜或干膜；其中，膜聚酯保護(hù)膜包含兩層，即保護(hù)層和粘結(jié)層，保護(hù)層優(yōu)選聚酯膜，粘結(jié)層優(yōu)選耐高溫粘結(jié)劑，在去除保護(hù)膜后，需要保證沒有粘結(jié)劑殘留在電路板上；聚酰亞胺膜也包含兩層，即保護(hù)層和粘結(jié)層，保護(hù)層優(yōu)選聚酰亞胺膜，粘結(jié)層優(yōu)選耐高溫粘結(jié)劑，在去除保護(hù)膜后，也需要保證沒有粘結(jié)劑殘留在電路板上。
[0093]優(yōu)選的，該保護(hù)膜18的厚度不小于30 μ m。
[0094]步驟85、在保護(hù)膜18上與疊合通孔的第一開口對應(yīng)的位置進(jìn)行鉆孔處理，得到與第一開口的口徑相同且貫穿該保護(hù)膜18的第三開口 181，疊合通孔包括位置對應(yīng)的第一開口、第二開口及第三開口，參見圖9E所示；
[0095]其中，鉆孔處理可以為激光鉆孔或機(jī)械鉆孔；
[0096]優(yōu)選的，本實(shí)施例中采用激光鉆孔；進(jìn)一步，激光鉆孔包括紅外激光鉆孔和紫外激光鉆孔。
[0097]步驟86、在形成的疊合通孔內(nèi)填塞導(dǎo)電膏17，參見圖9F所示；
[0098]步驟87、去除第一導(dǎo)電層11或第二導(dǎo)電層12表面的保護(hù)膜18，以在第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層上形成導(dǎo)電膏凸塊171，參見圖9G所示的虛線框內(nèi)的171，得到組合印制電路板。
[0099]進(jìn)一步，若保護(hù)膜為干膜，則可以通過堿性溶液去除該保護(hù)膜；若保護(hù)膜為聚酯保護(hù)膜或聚酰亞胺保護(hù)膜，則可以通過手動方式去除該保護(hù)膜。
[0100]需要說明的是，若本實(shí)施例的組合印制電路板用作多層印制電路板的內(nèi)層芯板與其他外層不具有絕緣性基材的芯板進(jìn)行壓合而形成該多層印制電路板，則在疊板時(shí)，在該印制電路板的制作過程中，在該印制電路板的第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層形成的導(dǎo)電膏凸塊的厚度應(yīng)不小于絕緣性基材的厚度，其差值不大于50 μ m。
[0101]本實(shí)施例組合印制電路板的制作過程中，也可以不執(zhí)行步驟82，在執(zhí)行步驟81之后直接執(zhí)行步驟83?步驟87，以形成本實(shí)施例的第二種組合印制電路板。
[0102]本實(shí)施例中，利用保護(hù)膜的覆形作用，可以通過一次塞孔處理去除保護(hù)膜的方式即可形成所需要的導(dǎo)電膏凸塊，而且導(dǎo)電膏凸塊與疊合通孔緊密相連，相比于現(xiàn)有的B2it技術(shù)中在導(dǎo)電層上網(wǎng)印凸塊，制備工藝簡單易行，且形成的導(dǎo)電膏凸塊的尺寸易于控制，還可以有效阻止保護(hù)膜去除時(shí)導(dǎo)電膏凸塊的剝離，提高了導(dǎo)電膏凸塊的連接可靠性。
[0103]參見圖10所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的第三種組合印制電路板的制造方法，該方法包括以下步驟:[0104]步驟101、在覆金屬板上需要形成通孔的位置形成一個(gè)貫穿該覆金屬板的第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層12及介質(zhì)層13的疊合通孔15，參見圖1lA所示；其中，疊合通孔15中的第一開口的口徑與對應(yīng)的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同，且該第一開口的口徑大于該疊合通孔中的第二開口的口徑；
[0105]具體的，步驟11中形成疊合通孔的方法參見方式一和方式二，此處不再贅述。
[0106]步驟102、對形成的疊合通孔的孔壁進(jìn)行金屬化處理，以在疊合通孔的內(nèi)壁形成金屬層16，進(jìn)一步提高疊合通孔的電氣連接性能，參見圖1lB所示。
[0107]步驟103、對覆金屬板進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，以在第一導(dǎo)電層11與第二導(dǎo)電層12上形成電路圖形，參見圖1lC所示。
[0108]步驟104、在覆金屬板的第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層12貼合保護(hù)膜18，參見圖1lD所示；
[0109]進(jìn)一步，該保護(hù)膜18為聚酯保護(hù)膜、聚酰亞胺保護(hù)膜或干膜；其中，膜聚酯保護(hù)膜包含兩層，即保護(hù)層和粘結(jié)層，保護(hù)層優(yōu)選聚酯膜，粘結(jié)層優(yōu)選耐高溫粘結(jié)劑，在去除保護(hù)膜后，需要保證沒有粘結(jié)劑殘留在電路板上；聚酰亞胺膜也包含兩層，即保護(hù)層和粘結(jié)層，保護(hù)層優(yōu)選聚酰亞胺膜，粘結(jié)層優(yōu)選耐高溫粘結(jié)劑，在去除保護(hù)膜后，也需要保證沒有粘結(jié)劑殘留在電路板上。
[0110]優(yōu)選的，該保護(hù)膜18的厚度不小于30 μ m。
[0111]步驟105、在保護(hù)膜18上與疊合通孔的第一開口對應(yīng)的位置進(jìn)行鉆孔處理，得到與第一開口的口徑相同且貫穿該保護(hù)膜18的第三開口 181，疊合通孔包括位置對應(yīng)的第一開口、第二開口及第三開口，參見圖1lE所示；
[0112]其中，鉆孔處理可以為激光鉆孔或機(jī)械鉆孔；
[0113]優(yōu)選的，本實(shí)施例中采用激光鉆孔；進(jìn)一步，激光鉆孔包括紅外激光鉆孔和紫外激光鉆孔。
[0114]步驟106、在形成的疊合通孔內(nèi)填塞導(dǎo)電膏17，參見圖1lF所示；
[0115]步驟107、去除第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層12表面的保護(hù)膜18，以在第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層上均形成導(dǎo)電膏凸塊171，參見圖1lG所示的虛線框內(nèi)的171，得到組合印制電路板。
[0116]進(jìn)一步，若保護(hù)膜為干膜，則可以通過堿性溶液去除該保護(hù)膜；若保護(hù)膜為聚酯保護(hù)膜或聚酰亞胺保護(hù)膜，則可以通過手動方式去除該保護(hù)膜。
[0117]需要說明的是，若本實(shí)施例的組合印制電路板用作多層印制電路板的內(nèi)層芯板與其他外層不具有絕緣性基材的芯板進(jìn)行壓合而形成該多層印制電路板，則在疊板時(shí)，在該印制電路板的制作過程中，在該印制電路板的第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層形成的導(dǎo)電膏凸塊的厚度應(yīng)不小于絕緣性基材的厚度，其差值不大于50 μ m。
[0118]本實(shí)施例組合印制電路板的制作過程中，也可以不執(zhí)行步驟102，在執(zhí)行步驟101之后直接執(zhí)行步驟103?步驟107，以形成本實(shí)施例的第三種組合印制電路板。
[0119]本實(shí)施例中，利用保護(hù)膜的覆形作用，可以通過一次塞孔處理去除保護(hù)膜的方式即可形成所需要的導(dǎo)電膏凸塊，而且導(dǎo)電膏凸塊與疊合通孔緊密相連，相比于現(xiàn)有的B2it技術(shù)中在導(dǎo)電層上網(wǎng)印凸塊，制備工藝簡單易行，且形成的導(dǎo)電膏凸塊的尺寸易于控制，還可以有效阻止保護(hù)膜去除時(shí)導(dǎo)電膏凸塊的剝離，提高了導(dǎo)電膏凸塊的連接可靠性。[0120]參見圖12所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的第四種組合印制電路板的制造方法，該方法包括以下步驟:
[0121]步驟121、在覆金屬板上需要形成通孔的位置形成一個(gè)貫穿該覆金屬板的第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層12及介質(zhì)層13的疊合通孔15，參見圖13A所示；其中，疊合通孔15中的第一開口的口徑與對應(yīng)的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同，且該第一開口的口徑大于該疊合通孔中的第二開口的口徑；
[0122]具體的，步驟11中形成疊合通孔的方法參見方式一和方式二，此處不再贅述。
[0123]步驟122、對形成的疊合通孔的孔壁進(jìn)行金屬化處理，以在疊合通孔的內(nèi)壁形成金屬層16，進(jìn)一步提高疊合通孔的電氣連接性能，參見圖13B所示。
[0124]步驟123、對覆金屬板進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，以在第一導(dǎo)電層11與第二導(dǎo)電層12上形成電路圖形，參見圖13C所示。
[0125]步驟124、在覆金屬板的第一導(dǎo)電層11或第二導(dǎo)電層12貼合絕緣性基材19，參見圖13D所示，圖中是以在第一導(dǎo)電層11上貼合絕緣性基材19為例進(jìn)行說明的；
[0126]進(jìn)一步，該絕緣性基材19可以是環(huán)氧樹脂玻纖布、純樹脂膠等材料；
[0127]優(yōu)選的，該絕緣性基材的厚度為5 μ m~200 μ m。
[0128]進(jìn)一步，本步驟中的貼合處理的溫度宜高于常溫，但低于絕緣性基材中的樹脂的玻璃化溫度(TG)，優(yōu)選的，貼合處理的溫度為60°C ~150°C，從而在貼合處理的過程中，絕緣性基材中的樹脂經(jīng)升溫軟化而更好地貼合在第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層(即金屬層)表面，并由于貼合處理的溫度低于玻璃化溫度，使其仍處于B階段，即不會發(fā)生固化，便于下一次層壓固化。
[0129]玻璃化溫度(TG)是材料的一個(gè)重要特性參數(shù)，材料的許多特性都在玻璃化轉(zhuǎn)變溫度附近發(fā)生急劇的變化。隨著溫度的升高，絕緣性基材先逐漸軟化，當(dāng)溫度升至玻璃化溫度時(shí)發(fā)生固化反應(yīng)并且該過程不可逆，即冷卻后再次加熱不會發(fā)生形狀的改變。按玻璃化溫度高低，可將樹脂分為普通TG樹脂和高TG樹脂，普通TG ^ 130度，高TG > 170度。所以本步驟中，貼合處理的溫度優(yōu)選高于60°C，而針對普通材料的樹脂，貼合處理的溫度應(yīng)低于 125℃。[0130]步驟125、在絕緣性基材19上進(jìn)行鉆孔處理,參見圖13E所示；
[0131]具體的，在第一導(dǎo)電層11表面貼合的絕緣性基材19上與疊合通孔的第一開口對應(yīng)的位置進(jìn)行鉆孔處理，得到孔徑與對應(yīng)的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同且貫穿該絕緣性基材19的孔191，則該疊合通孔還包括孔191，即位置對應(yīng)的第一開口、第二開口及鉆孔后得到的孔191組成該疊合通孔；
[0132]若步驟124中在第二導(dǎo)電層表面貼合絕緣性基材，相應(yīng)的，本步驟為，在第二導(dǎo)電層表面貼合的絕緣性基材上與疊合通孔的第二開口對應(yīng)的位置進(jìn)行鉆孔處理，得到孔徑與對應(yīng)的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同且貫穿該絕緣性基材的孔，則該疊合通孔還包括該孔，即位置對應(yīng)的第一開口、第二開口及鉆孔后得到的孔組成該疊合通孔。
[0133]其中，鉆孔處理可以為激光鉆孔或機(jī)械鉆孔；
[0134]優(yōu)選的，本實(shí)施例中采用激光鉆孔；進(jìn)一步，激光鉆孔包括紅外激光鉆孔和紫外激光鉆孔。
[0135]步驟126、在形成的疊合通孔內(nèi)填塞導(dǎo)電膏17，得到組合印制電路板，參見圖13F所示。
[0136]在疊合通孔內(nèi)填充導(dǎo)電膏時(shí)，導(dǎo)電膏不僅會填充在疊合通孔內(nèi)，還會溢出并殘留在組合印制電路板的外表面，溢出的導(dǎo)電膏若不及時(shí)清除，將會影響組合印制電路板后續(xù)的加工工序及使用性能，為了能及時(shí)清除溢出的導(dǎo)電膏，優(yōu)選的，在步驟124之后，且在步驟125之前，本實(shí)施例的方法還包括:
[0137]在絕緣基材表面貼合保護(hù)膜。
[0138]其中，保護(hù)膜為聚酯膜或聚酰亞胺膜，其厚度在5 μ ML1ΟΟ μ m。
[0139]相應(yīng)的,在絕緣性基材上進(jìn)行鉆孔處理,具體包括: [0140]在第一導(dǎo)電層表面貼合的絕緣性基材和保護(hù)膜上與第一開口對應(yīng)的位置進(jìn)行鉆孔處理，鉆孔后得到貫穿該絕緣基材及其表面貼合的保護(hù)膜的孔，則該疊合通孔還包括該孔，即該孔與位置對應(yīng)的第一開口及第二開口組成該疊合通孔，且該孔的孔徑與對應(yīng)的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同；或
[0141]在第二導(dǎo)電層表面貼合的絕緣性基材和保護(hù)膜上與第二開口對應(yīng)的位置進(jìn)行鉆孔處理，鉆孔后得到貫穿該絕緣基材及其表面貼合的保護(hù)膜的孔，則該疊合通孔還包括該孔，即該孔與位置對應(yīng)的第一開口及第二開口組成該疊合通孔，且該孔的孔徑與對應(yīng)的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同。
[0142]相應(yīng)的，步驟125中，鉆孔后得到的孔191還貫穿該保護(hù)膜。
[0143]相應(yīng)的，在步驟126之后，本實(shí)施例的方法還包括:
[0144]去除絕緣性基材表面的保護(hù)膜，從而不僅能夠清除溢出的導(dǎo)電膏，由于保護(hù)膜有一定的厚度，則在去除保護(hù)膜后，在絕緣性基材上還形成有與保護(hù)膜厚度相同的導(dǎo)電膏凸起，使得該組合印制電路板在與其他芯板進(jìn)行壓合處理時(shí)，能夠提高層間的電氣連接性能。
[0145]進(jìn)一步，本步驟中可以采用手動方式去除保護(hù)膜。
[0146]本實(shí)施例組合印制電路板的制作過程中，也可以不執(zhí)行步驟122，在執(zhí)行步驟121之后直接執(zhí)行步驟123~步驟126，以形成本實(shí)施例的第三種組合印制電路板。
[0147]參見圖14所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的第五種組合印制電路板的制造方法，該方法包括以下步驟:
[0148]步驟141、在覆金屬板上需要形成通孔的位置形成貫穿該覆金屬板的第一導(dǎo)電層
11、第二導(dǎo)電層12及介質(zhì)層13的疊合通孔15，參見圖15A所示；其中，疊合通孔15中的第一開口的口徑與對應(yīng)的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同，且該第一開口的口徑大于該疊合通孔中的第二開口的口徑；
[0149]具體的，步驟11中形成疊合通孔的方法參見方式一和方式二，此處不再贅述。
[0150]步驟142、對形成的疊合通孔的孔壁進(jìn)行金屬化處理，以在疊合通孔的內(nèi)壁形成金屬層16，進(jìn)一步提高疊合通孔的電氣連接性能，參見圖15B所示。
[0151]步驟143、對覆金屬板進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，以在第一導(dǎo)電層11與第二導(dǎo)電層12上形成電路圖形，參見圖15C所示。
[0152]步驟144、在覆金屬板的第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層12貼合絕緣性基材19，參見圖15D所示；
[0153]進(jìn)一步，該絕緣性基材19可以是環(huán)氧樹脂玻纖布、純樹脂膠等材料；
[0154]優(yōu)選的，該絕緣性基材的厚度為5 μML200 μ m。[0155]進(jìn)一步，本步驟中的貼合處理的溫度宜高于常溫，但低于絕緣性基材中的樹脂的玻璃化溫度(TG)，優(yōu)選的，貼合處理的溫度為60°C ~150°C，從而在貼合處理的過程中，絕緣性基材中的樹脂經(jīng)升溫軟化而更好地貼合在第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層(即金屬層)表面，并由于貼合處理的溫度低于玻璃化溫度，使其仍處于B階段，即不會發(fā)生固化，便于下一次層壓固化。
[0156]玻璃化溫度(TG)是材料的一個(gè)重要特性參數(shù)，材料的許多特性都在玻璃化轉(zhuǎn)變溫度附近發(fā)生急劇的變化。隨著溫度的升高，絕緣性基材先逐漸軟化，當(dāng)溫度升至玻璃化溫度時(shí)發(fā)生固化反應(yīng)并且該過程不可逆，即冷卻后再次加熱不會發(fā)生形狀的改變。按玻璃化溫度高低，可將樹脂分為普通TG樹脂和高TG樹脂，普通TG > 130度，高TGS 170度。所以本步驟中，貼合處理的溫度優(yōu)選高于60°C，而針對普通材料的樹脂，貼合處理的溫度應(yīng)低于125。。。
[0157]步驟145、在絕緣性基材19上進(jìn)行鉆孔處理,參見圖15E所示；
[0158]具體的，在第一導(dǎo)電層11表面貼合的絕緣性基材19上與疊合通孔的第一開口對應(yīng)的位置進(jìn)行鉆孔處理，得到孔徑與對應(yīng)的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同且貫穿該絕緣性基材19的孔191 ;及
[0159]在第二導(dǎo)電層12表面貼合的絕緣性基材19上與疊合通孔的第二開口對應(yīng)的位置進(jìn)行鉆孔處理，得到孔徑與對應(yīng)的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同且貫穿該絕緣性基材19的孔191，則疊合通孔包括位置對應(yīng)的第一開口、第二開口及鉆孔后得到的孔；
[0160]優(yōu)選的，鉆孔后得到的孔191的孔徑與對應(yīng)的第一開口的口徑之間的差值為10 μ m~50 μ m。
[0161]其中，鉆孔處理可以為激光鉆孔或機(jī)械鉆孔；
[0162]優(yōu)選的，本實(shí)施例中采用激光鉆孔；進(jìn)一步，激光鉆孔包括紅外激光鉆孔和紫外激光鉆孔。
[0163]步驟146、在形成的疊合通孔內(nèi)填塞導(dǎo)電膏17，得到組合印制電路板，參見圖15F所示。
[0164]在疊合通孔內(nèi)填充導(dǎo)電膏時(shí)，導(dǎo)電膏不僅會填充在疊合通孔內(nèi)，還會溢出并殘留在組合印制電路板的外表面，溢出的導(dǎo)電膏若不及時(shí)清除，將會影響組合印制電路板后續(xù)的加工工序及使用性能，為了能及時(shí)清除溢出的導(dǎo)電膏，優(yōu)選的，在步驟144之后，且在步驟145之前，本實(shí)施例的方法還包括:
[0165]在絕緣基材表面貼合保護(hù)膜。
[0166]其中，保護(hù)膜為聚酯膜或聚酰亞胺膜，其厚度在5 μ πm?ΟΟ μ m。
[0167]相應(yīng)的,在絕緣性基材上進(jìn)行鉆孔處理,具體包括:
[0168]在第一導(dǎo)電層表面貼合的絕緣性基材及保護(hù)膜上與第一開口對應(yīng)的位置進(jìn)行鉆孔，鉆孔后得到貫穿絕緣基材及其表面貼合的保護(hù)膜的孔，則該疊合通孔還包括該孔，即該孔與位置對應(yīng)的第一開口及第二開口組成疊合通孔，且該孔的孔徑與對應(yīng)的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同；及
[0169]在第二導(dǎo)電層表面貼合的絕緣性基材及保護(hù)膜上與第二開口對應(yīng)的位置進(jìn)行鉆孔，鉆孔后得到貫穿絕緣基材及其表面貼合的保護(hù)膜的孔，則該疊合通孔還包括該孔，即該孔與位置對應(yīng)的第一開口及第二開口組成疊合通孔，且該孔的孔徑與對應(yīng)的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同。
[0170]相應(yīng)的，步驟145中，鉆孔后得到的孔191還貫穿該保護(hù)膜。
[0171]相應(yīng)的，在步驟146之后，本實(shí)施例的方法還包括:
[0172]去除絕緣性基材表面的保護(hù)膜，從而不僅能夠清除溢出的導(dǎo)電膏，由于保護(hù)膜有一定的厚度，則在去除保護(hù)膜后，在絕緣性基材上還形成有與保護(hù)膜厚度相同的導(dǎo)電膏凸起，使得該組合印制電路板在與其他芯板進(jìn)行壓合處理時(shí)，能夠提高層間的電氣連接性能。
[0173]進(jìn)一步，本步驟中可以采用手動方式去除保護(hù)膜。
[0174]本實(shí)施例組合印制電路板的制作過程中，也可以不執(zhí)行步驟142，在執(zhí)行步驟141之后直接執(zhí)行步驟143?步驟146，以形成本實(shí)施例的第三種組合印制電路板。
[0175]本發(fā)明實(shí)施例提供了由上述方法制作的組合印制電路板，其結(jié)構(gòu)參見圖7D、圖9G、圖11G、圖13F及圖15F的實(shí)施例，具體制作方法請參見圖6、圖8、圖10、圖12及圖14的實(shí)施例，此處不再詳述。
[0176]本發(fā)明實(shí)施例還提供了包括至少兩個(gè)組合印制電路板的多層印制電路板，其中，該多層印制電路板至少包括一個(gè)采用本發(fā)明實(shí)施例制作的組合印制電路板。
[0177]其中，該印制電路板的外層芯板可以為上述第一種組合印制電路板或第二種組合印制電路板；
[0178]該印制電路板的內(nèi)層芯板可以為上述任一種組合印制電路板。
[0179]進(jìn)一步，若該印制電路板中相鄰的兩個(gè)組合印制電路板的相鄰的兩個(gè)導(dǎo)電層表面均不具有絕緣基材，且該兩個(gè)導(dǎo)電層中的任一導(dǎo)電層具有導(dǎo)電膏凸塊，在該兩個(gè)導(dǎo)電層表面疊合絕緣性基材，其中，該絕緣性基材的厚度不大于導(dǎo)電膏凸塊的厚度。
[0180]需要說明的是，在制作印制電路板時(shí)，也可以將現(xiàn)有的組合印制電路板與本發(fā)明實(shí)施例的組合印制電路板進(jìn)行疊板處理，并經(jīng)層壓處理后，得到所需的印制電路板。
[0181]參見圖16所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的印制電路板的制造方法，包括以下步驟:
[0182]步驟161、疊板處理；具體的:將至少兩個(gè)組合印制電路板按照預(yù)設(shè)的排列順序進(jìn)行疊合，其中，至少一個(gè)組合印制電路板的至少一個(gè)導(dǎo)電層具有導(dǎo)電膏凸塊，和/或至少一個(gè)組合印制電路板的至少一個(gè)導(dǎo)電層表面具有絕緣基材；
[0183]步驟162、層壓處理；具體的:將疊板處理后的組合印制電路板進(jìn)行壓合，得到多層印制電路板。
[0184]進(jìn)一步，疊板處理過程中，若相鄰的兩個(gè)組合印制電路板的相鄰的兩個(gè)導(dǎo)電層表面均不具有絕緣基材，且該兩個(gè)導(dǎo)電層中的任一導(dǎo)電層具有導(dǎo)電膏凸塊，在該兩個(gè)導(dǎo)電層表面疊合絕緣性基材，其中，絕緣性基材的厚度不大于對應(yīng)的導(dǎo)電膏凸塊的厚度。
[0185]進(jìn)一步，在疊合絕緣性基材之前，本發(fā)明實(shí)施例的方法還包括:
[0186]在絕緣性基材上與組合印制電路板的疊合通孔對應(yīng)的位置進(jìn)行鉆孔處理，得到貫穿絕緣性基材的透孔，透孔的孔徑大于對應(yīng)的導(dǎo)電膏凸塊的孔徑。
[0187]下面結(jié)合附圖對包括上述組合印制電路板的印制電路板進(jìn)行詳細(xì)說明，為了方便說明，以下均以6層印制電路板為例，需要說明的是，以下僅列舉了幾種包括上述組合印制電路板的印制電路板，并非限定印制電路板的結(jié)構(gòu)，不同的組合印制電路板形成的多層印制電路板具有多種結(jié)構(gòu)，此處不再一一舉例說明。
[0188]實(shí)施例一、該6層印制電路板包括一個(gè)第一種組合印制電路板B1、兩個(gè)第二種組合印制電路板B2及兩個(gè)絕緣性基材20，其制造方法參見圖17所示，包括以下步驟:
[0189]步驟171、在絕緣性基材20上與組合印制電路板的疊合通孔對應(yīng)的位置進(jìn)行鉆孔處理，得到貫穿該絕緣性基材的透孔200，且該透孔200的孔徑大于組合印制電路板的導(dǎo)電膏凸塊的孔徑，參見圖18A所示；
[0190]步驟172、將鉆孔處理后的絕緣性基材20及組合印制電路板B1、B2進(jìn)行疊板處理，參見圖18B所示；
[0191]步驟173、層壓處理，得到所需的印制電路板，參見圖18C所示。
[0192]實(shí)施例二、該6層印制電路板包括兩個(gè)第一種組合印制電路板B1、一個(gè)第三種組合印制電路板B3及兩個(gè)絕緣性基材20，其制造方法參見圖19所示，包括以下步驟:
[0193]步驟191、在絕緣性基材20上與印制電路板的疊合通孔對應(yīng)的位置進(jìn)行鉆孔處理，得到貫穿該絕緣性基材的透孔200，且該透孔200的孔徑大于組合印制電路板的導(dǎo)電膏凸塊的孔徑，參見圖20A所示；
[0194]步驟192、將鉆孔處理后的絕緣性基材20及組合印制電路板B1、B3進(jìn)行疊板處理，參見圖20B所示；
[0195]步驟193、層壓處理,得到所需的印制電路板,參見圖20C所示。
[0196]實(shí)施例三、該6層印制電路板包括兩個(gè)第一種組合印制電路板B1、一個(gè)第五種組合印制電路板B5，其制造方法參見圖21所示，包括以下步驟:
[0197]步驟211、將組合印制電路板B1、B5進(jìn)行疊板處理，參見圖22A所示；
[0198]步驟212、層壓處理,得到所需的印制電路板,參見圖22B所示。
[0199]實(shí)施例四、該6層印制電路板包括一個(gè)第一種組合印制電路板BI及兩個(gè)第四種組合印制電路板B4，其制造方法參見圖23所示，包括以下步驟:
[0200]步驟231、將組合印制電路板B1、B4進(jìn)行疊板處理，參見圖24A所示；
[0201]步驟232、層壓處理,得到所需的印制電路板,參見圖24B所示。
[0202]實(shí)施例五、該6層印制電路板包括一個(gè)第一種組合印制電路板B1、一個(gè)第二種組合印制電路板B2、一個(gè)第四種組合印制電路板B4及一個(gè)絕緣性基材20，其制造方法參見圖25所示,包括以下步驟:
[0203]步驟251、在絕緣性基材20上與印制電路板的疊合通孔對應(yīng)的位置進(jìn)行鉆孔處理，得到貫穿該絕緣性基材的透孔200，且該透孔200的孔徑大于組合印制電路板的導(dǎo)電膏凸塊的孔徑，參見圖26A所示；
[0204]步驟252、將鉆孔處理后的絕緣性基材20及組合印制電路板B1、B2、B4進(jìn)行疊板處理，參見圖26B所示；
[0205]步驟253、層壓處理,得到所需的印制電路板,參見圖26C所示。
[0206]采用本發(fā)明實(shí)施例組合印制電路板進(jìn)行疊板處理及層壓處理后，得到所需的印制電路板，通過各疊合通孔中的導(dǎo)電膏能夠?qū)崿F(xiàn)該印制電路板的任意導(dǎo)電層之間的電氣連接。
[0207]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0208]采用本發(fā)明實(shí)施例的方法制作的組合印制電路板的疊合通孔中，第一開口的口徑與需要形成的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同，且第一開口的口徑大于第二開口的口徑，在采用導(dǎo)電膏進(jìn)行塞孔時(shí)，從第一開口向第二開口填塞，這樣，導(dǎo)電膏會填滿該疊合通孔，而沒有空隙，并且，由于第二開口的口徑小于第一開口的口徑，使得在塞孔過程中，能夠有效減少殘留在第二開口外的導(dǎo)電膏，從而降低了制造成本，且制備工藝簡單。
[0209] 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種組合印制電路板的制造方法，其特征在于，該方法包括: 在覆金屬板的第一導(dǎo)電層及介質(zhì)層上需要形成通孔的位置形成貫穿所述第一導(dǎo)電層及所述介質(zhì)層的第一開口，及在所述覆金屬板的第二導(dǎo)電層上的對應(yīng)位置形成貫穿所述第二導(dǎo)電層的第二開口，所述第一開口與位置對應(yīng)的第二開口形成一個(gè)疊合通孔；其中，所述介質(zhì)層位于所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間，所述第一開口的口徑與對應(yīng)的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同，且所述第一開口的口徑大于位置對應(yīng)的第二開口的口徑； 在所述疊合通孔內(nèi)填塞導(dǎo)電膏，得到組合印制電路板。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述覆金屬板的第一導(dǎo)電層及介質(zhì)層上形成第一開口，及在所述覆金屬板的第二導(dǎo)電層上形成第二開口，包括: 采用開窗工藝分別在所述第一導(dǎo)電層上需要形成通孔的位置形成貫穿所述第一導(dǎo)電層的窗口及在所述第二導(dǎo)電層上的對應(yīng)位置形成所述第二開口； 在所述介質(zhì)層上與所述窗口對應(yīng)的位置進(jìn)行鉆孔處理，形成與該窗口的口徑相同且貫穿所述介質(zhì)層的穿孔，所述窗口及與其位置對應(yīng)的穿孔形成一個(gè)所述第一開口。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述覆金屬板的第一導(dǎo)電層及介質(zhì)層上形成第一開口，及在所述覆金屬板的第二導(dǎo)電層上形成第二開口，包括: 在所述第一導(dǎo)電層及所述介質(zhì)層上需要形成通孔的位置進(jìn)行鉆孔處理，形成所述第一開口 ； 在所述第二導(dǎo)電層上的位置進(jìn)行鉆孔處理，形成所述第二開口。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一開口的口徑及與其位置對應(yīng)的第二開口的口徑之間的差值不小于20微米。`
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所有疊合通孔之后，且在疊合通孔內(nèi)填塞導(dǎo)電膏之前，還包括: 對形成的疊合通孔的孔壁進(jìn)行金屬化處理。
6.如權(quán)利要求1、任一所述的方法，其特征在于，在疊合通孔內(nèi)填塞導(dǎo)電骨之前，還包括: 對所述覆金屬板進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，以在所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層上形成電路圖形。
7.如權(quán)利要求1飛任一所述的方法，其特征在于，在疊合通孔內(nèi)填塞導(dǎo)電膏之后，還包括: 對所述覆金屬板進(jìn)行磨板處理，以去除所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層表面上殘余的導(dǎo)電膏。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在對所述覆金屬板進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移之后，且在所述疊合通孔內(nèi)填塞導(dǎo)電膏之前，還包括: 在所述第一導(dǎo)電層和/或所述第二導(dǎo)電層表面貼合保護(hù)膜； 在所述保護(hù)膜上與所述第一開口對應(yīng)的位置進(jìn)行鉆孔處理，得到與所述第一開口的口徑相同且貫穿所述保護(hù)膜的第三開口，所述疊合通孔包含所述第三開口 ； 在疊合通孔內(nèi)填塞導(dǎo)電膏之后，還包括: 去除所述第一導(dǎo)電層和/或所述第二導(dǎo)電層表面的保護(hù)膜，以在所述第一導(dǎo)電層和/或所述第二導(dǎo)電層上形成導(dǎo)電膏凸塊。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在對所述覆金屬板進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移之后，且在所述疊合通孔內(nèi)填塞導(dǎo)電膏之前，還包括: 在所述第一導(dǎo)電層和/或所述第二導(dǎo)電層表面貼合絕緣性基材，其中，貼合處理的溫度低于所述絕緣性基材中的樹脂的玻璃化溫度； 在所述第一導(dǎo)電層表面貼合的絕緣性基材上與所述第一開口對應(yīng)的位置進(jìn)行鉆孔處理，其中，鉆孔后得到的孔的孔徑與對應(yīng)的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同；和/或 在所述第二導(dǎo)電層表面貼合的絕緣性基材上與所述第二開口對應(yīng)的位置進(jìn)行鉆孔處理，其中，鉆孔后得到的孔的孔徑與對應(yīng)的通孔的預(yù)設(shè)孔徑相同； 其中，所述疊合通孔包含所述鉆孔后得到的孔。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述貼合處理的溫度為60°C~150°C。
11.一種印制電路板的制造方法，其特征在于，該方法包括: 疊板處理，將至少兩個(gè)組合印制電路板按照預(yù)設(shè)的排列順序進(jìn)行疊合，其中，至少一個(gè)組合印制電路板為由權(quán)利要求廣10任一方法制造而成的組合印制電路板； 層壓處理，將疊板處理后的組合印制電路板進(jìn)行壓合，得到多層印制電路板。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，疊板處理過程中，若相鄰的兩個(gè)組合印制電路板的相鄰的兩個(gè)導(dǎo)電 層表面均不具有絕緣基材，且該兩個(gè)導(dǎo)電層中的任一導(dǎo)電層具有導(dǎo)電膏凸塊，在該兩個(gè)導(dǎo)電層表面疊合絕緣性基材，其中，所述絕緣性基材的厚度不大于所述導(dǎo)電膏凸塊的厚度。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，在疊合所述絕緣性基材之前，所述方法還包括: 在所述絕緣性基材上與所述組合印制電路板的疊合通孔對應(yīng)的位置進(jìn)行鉆孔處理，得到貫穿所述絕緣性基材的透孔，所述透孔的孔徑大于所述導(dǎo)電膏凸塊的孔徑。
【文檔編號】H05K3/42GK103796450SQ201210422334
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2012年10月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月29日
【發(fā)明者】黃勇, 吳會蘭, 陳正清, 蘇新虹 申請人:北大方正集團(tuán)有限公司, 珠海方正科技高密電子有限公司, 珠海方正印刷電路板發(fā)展有限公司, 方正信息產(chǎn)業(yè)控股有限公司