電子元件及其制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種電子元件及其制法。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前軟性電子（flexibleelectronics)裝置或軟性顯示器為業(yè)界的發(fā)展重點(diǎn)之 一，為了提升電子裝置的挽曲特性，而提出W有機(jī)材料（例如有機(jī)半導(dǎo)體、有機(jī)介電層或有 機(jī)導(dǎo)電膜）構(gòu)成電子元件的作法，然而，現(xiàn)今使用有機(jī)材料的電子元件的電性并無法與使 用無機(jī)材料的電子元件相比，不易達(dá)到產(chǎn)品所需的規(guī)格，因此軟性電子裝置仍需要使用無 機(jī)材料來制作電子元件，但是卻犧牲了電子元件的挽曲特性，而不符合現(xiàn)今軟性電子的發(fā) 展趨勢(shì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[000引本發(fā)明的目的為提供一種電子元件及其制法，具有較佳的挽曲特性與電性，并可 節(jié)省制作成本及時(shí)間。
[0004] 本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種電子元件，包括：承載板；第一金屬層，其配置于承載 板上；介電層，其配置于第一金屬層上，且第一金屬層與介電層的圖案一致；半導(dǎo)體層，其 配置于介電層上；軟質(zhì)層，其配置于承載板上，W包覆第一金屬層、介電層與半導(dǎo)體層，軟質(zhì) 層的楊氏模數(shù)（Young'smo化Ius)小于40十億帕斯卡（GPa);至少一第一開孔，其貫穿軟 質(zhì)層；W及至少一第二金屬層，其配置于軟質(zhì)層上與第一開孔中，W電性連接半導(dǎo)體層。
[0005] 本發(fā)明的一實(shí)施例提供另一種電子元件，包括：承載板；第一金屬層，其配置于承 載板上；介電層，其配置于第一金屬層上，且第一金屬層與介電層的外緣圖案一致，第一金 屬層與介電層配置成多個(gè)不相連的圖案化區(qū)塊；軟質(zhì)層，其配置于承載板上，W包覆第一金 屬層與介電層，且軟質(zhì)層的楊氏模數(shù)小于40十億帕斯卡；至少一第一開孔，其貫穿軟質(zhì)層 與介電層；W及至少一第二金屬層，其配置于軟質(zhì)層上與第一開孔中，W電性連接第一金屬 層，且不同圖案化區(qū)塊的第二金屬層彼此相連。
[0006] 本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一種電子元件的制法，包括：于承載板上形成第一金屬 層；于第一金屬層上形成介電層；于介電層上形成半導(dǎo)體層；進(jìn)行圖案化制程，W令第一金 屬層與介電層的圖案一致；于承載板上形成軟質(zhì)層，W包覆第一金屬層、介電層與半導(dǎo)體 層，軟質(zhì)層的楊氏模數(shù)小于40十億帕斯卡；形成貫穿軟質(zhì)層的至少一第一開孔，W外露部 分半導(dǎo)體層；W及于軟質(zhì)層上與第一開孔中形成至少一第二金屬層，W電性連接半導(dǎo)體層。
【附圖說明】
[0007] 圖IA至圖IE所示者為本發(fā)明的電子元件制法的第一實(shí)施例的剖視圖，其中，圖 1E-1、圖1E-2與圖1E-3為圖IE的不同實(shí)施例；
[0008] 圖2所示者為本發(fā)明的電子元件的第二實(shí)施例的剖視圖；
[0009]圖3A至圖3C與圖3D所示者分別為本發(fā)明的電子元件的第H實(shí)施例的剖視圖與 電路圖；
[0010] 圖4A至圖4C與圖4D所示者分別為本發(fā)明的電子元件的第四實(shí)施例的剖視圖與 電路圖；
[0011] 圖5A至圖5C與圖5D所示者分別為本發(fā)明的電子元件的第五實(shí)施例的剖視圖與 電路圖；
[0012] 圖6A至圖6D所示者分別為本發(fā)明的電子元件的第六實(shí)施例的剖視圖；
[0013] 圖7A與圖7B所示者分別為現(xiàn)有的電子元件與本發(fā)明的電子元件的第走實(shí)施例的 剖視圖；
[0014] 圖8A、圖8B與圖8C所示者分別為本發(fā)明的電子元件的第八實(shí)施例的剖視圖、現(xiàn)有 的電子元件的特性圖與本發(fā)明的電子元件的特性圖；
[001引圖9A至圖9C所示者為本發(fā)明的電子元件制法的第九實(shí)施例的剖視圖，其中，圖 9C-1為圖9C的不同實(shí)施例；
[001引圖IOA與圖IOB所示者為本發(fā)明的電子元件的第十實(shí)施例的剖視圖，其中，圖IOA為圖IOB的不同實(shí)施例；
[0017] 圖IlA與圖IlB所示者為本發(fā)明的電子元件的第十一實(shí)施例的剖視圖，其中，圖 IlA為圖IlB的不同實(shí)施例。
[0018] 其中，附圖標(biāo)記：
[001引 10 承載板
[0020] 11 第一金屬層
[002U 12 介電層
[0022] 13、13'半導(dǎo)體層
[002引 14 絕緣保護(hù)層
[0024] 15 軟質(zhì)層
[002引 16 第一開孔
[002引 17 第二金屬層
[0027] 18 第二開孔
[0028] 19 半導(dǎo)體保護(hù)層
【具體實(shí)施方式】
[0029] W下藉由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，熟悉此技藝的人±可由本說 明書所掲示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0030] 須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用于配合說明書所掲 示的內(nèi)容，W供熟悉此技藝的人±的了解與閱讀，并非用于限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件， 故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā) 明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所掲示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的 范圍內(nèi)。同時(shí)，本說明書中所引用的用語，也僅為便于敘述的明了，而非用于限定本發(fā)明可 實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施 的范疇。
[0031] 第一實(shí)施例
[0032]圖IA至圖IE所示者，為本發(fā)明的電子元件制法的第一實(shí)施例的剖視圖，其中，圖 IE-I、圖1E-2與圖1E-3為圖IE的不同實(shí)施例，本實(shí)施例可經(jīng)四次圖案化制程。
[0033] 如圖IA所不，于一承載板10上形成第一金屬層11，并于第一金屬層11上形成介 電層12,再于介電層12上形成半導(dǎo)體層13,形成第一金屬層11的材質(zhì)可例如為鋼（Mo)、 鉛（Al)、鐵（Ti)、銅（Cu)導(dǎo)電材料或其合金材料、亦或是上述材料所構(gòu)成的多層堆疊結(jié) 構(gòu)，形成介電層12的材質(zhì)可例如為氧化娃（SiOx)、氮化娃（Si化）、氮氧化娃（SiON)或其 他適合的絕緣材料、亦或是上述材料的多層堆疊結(jié)構(gòu)，形成半導(dǎo)體層13的材質(zhì)可例如為W 娃材料為主的非晶娃（amo巧hous-Si)、多晶娃（polyc巧StallineSilicon)或是氧化物半 導(dǎo)體（如鋼嫁鋒氧化物（InGaZnO,IGZO)系統(tǒng)、鋼錫氧化物（InSnO, 口0)系統(tǒng)、鋼鋒氧化物 (In化0,IZ0)系統(tǒng)或鋼錫鋒氧化物（InSnZnO,ITZO)系統(tǒng)）及其他具氧成分半導(dǎo)體系統(tǒng)、或 是有機(jī)半導(dǎo)體（如并五苯（pentacene)、并五苯衍生物、聚（3-己基喔吩）（poly(3-he巧1 thiophene),P3HT)或聚喔吩衍生物）等等。
[0034] 如圖IB所示，將半導(dǎo)體層13圖案化成為半導(dǎo)體層13'。
[0035] 如圖IC所示，于介電層12上形成包覆半導(dǎo)體層13'的絕緣保護(hù)層14,并進(jìn)行 圖案化制程，W令第一金屬層11、介電層12與絕緣保護(hù)層14的外緣圖案一致，半導(dǎo)體層 13'的范圍可小于第一金屬層11的范圍，絕緣保護(hù)層14用于防止后續(xù)的制程損傷半導(dǎo)體 層13'，但絕緣保護(hù)層14并非必要之物，舉例來說，若后續(xù)使用背通道蝕刻度ack化annel 化ching，BCE)，則可不形成絕緣保護(hù)層14;若產(chǎn)品為通道保護(hù)煙iannelProtect,CHP)層 結(jié)構(gòu)，可形成絕緣保護(hù)層14,形成絕緣保護(hù)層14的材質(zhì)可例如為具絕緣特性的氧化物、氮 化物或碳化物材料系統(tǒng)（例如SiOx、Si化、SiCO、Al化、Ti化等）或是上述材料所構(gòu)成的多 層堆疊結(jié)構(gòu)。
[0036] 如圖ID所示，于承載板10與絕緣保護(hù)層14上形成軟質(zhì)層15,W包覆第一金屬層 11、介電層12與半導(dǎo)體層13'，軟質(zhì)層15的楊氏模數(shù)（Young'Smo化Ius)小于40十億帕 斯卡（GPa)，并形成貫穿軟質(zhì)層15與絕緣保護(hù)層14的至少一第一開孔16,W外露部份半導(dǎo) 體層13'，形成軟質(zhì)層15的材質(zhì)可例如為有機(jī)材料系統(tǒng)，如聚醜亞胺（pol^mide,PI)或其 衍生物，或旋涂式玻璃材料（Spin-〇n-Glass，S0G)系統(tǒng)等等。在一實(shí)施例中，可還包括形成 貫穿軟質(zhì)層15、絕緣保護(hù)層14與介電層12的至少一第二開孔18,W外露部份第一金屬層 11。
[0037] 如圖IE所示，于軟質(zhì)層15上、第一開孔16或/及第二開孔18中形成至少一第二 金屬層17,W電性連接半導(dǎo)體層13'或/及第一金屬層11，其中，左邊為一電容結(jié)構(gòu)，中間 為一底柵極化ottom-gate)型式薄膜晶體管，右邊為一接觸孔，形成第二金屬層17的材質(zhì) 可例如為鋼（Mo)、鉛（Al)、鐵（Ti)、銅（化）導(dǎo)電材料或其合金材料、亦或是上述材料所構(gòu)成 的多層堆疊結(jié)構(gòu)。
[0038] 或者，如圖IE-I所示，若后續(xù)制程不會(huì)影響半導(dǎo)體層13'，也可不形成絕緣保護(hù)層 14,其中第一金屬層11與介電層12的圖案一致。
[0039] 或者，也可于軟質(zhì)層的圖案化制程，而使半導(dǎo)體層13'上的絕緣保護(hù)層14外露，女口 圖1E-2所不。
[0040] 或者，在一圖案化區(qū)塊可W包含一個(gè)W上