一種原位光學(xué)檢測(cè)裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種原位光學(xué)檢測(cè)裝置，應(yīng)用于原子層沉積設(shè)備，包括光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)和光學(xué)鏡頭配套組件，光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)設(shè)置在原子層沉積設(shè)備的反應(yīng)腔室外部，光學(xué)鏡頭配套組件包括鏡頭腔和設(shè)置在鏡頭腔內(nèi)的光學(xué)鏡頭、轉(zhuǎn)角組件和光學(xué)鏡頭延長(zhǎng)管，轉(zhuǎn)角組件兩端分別連接光學(xué)鏡頭和光學(xué)鏡頭延長(zhǎng)管；光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)通過(guò)光學(xué)組件與光學(xué)鏡頭延長(zhǎng)管連接，形成測(cè)試光路；鏡頭腔通過(guò)第一法蘭組件固定在反應(yīng)腔室的側(cè)壁上。本發(fā)明可進(jìn)行光學(xué)無(wú)損檢測(cè)，并且可以在光學(xué)原位檢測(cè)的輔佐下控制薄膜初始生長(zhǎng)階段的模式。同時(shí)，在原子層沉積系統(tǒng)中，可進(jìn)一步的設(shè)計(jì)和開發(fā)新的人工改性半導(dǎo)體材料，為各種高質(zhì)量、具有特異性能的二維薄膜的制備，提供有力的理論及實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。
【專利說(shuō)明】一種原位光學(xué)檢測(cè)裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及原子層沉積【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種原位光學(xué)檢測(cè)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]高質(zhì)量薄膜材料的制備是研究物性和探索應(yīng)用的前提和基礎(chǔ)。原子層沉積(ALD)技術(shù)是目前最先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)之一，其獨(dú)特的沉積方式(單原子逐層沉積)使得制備的薄膜在均一性、粗糙度等性能方面有了很大的改進(jìn)，除生長(zhǎng)速率較低外，其余方面都優(yōu)于其他沉積方式。原子層沉積(ALD)可簡(jiǎn)單精確的實(shí)現(xiàn)原子層厚度控制，還能實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜缺陷、摻雜的精確控制，進(jìn)而控制薄膜的能帶。隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，對(duì)材料的需求降為納米量級(jí)，同時(shí)器件的深高寬比需求，使得ALD優(yōu)勢(shì)日益凸顯。
[0003]另一方面，檢測(cè)與控制是設(shè)備研發(fā)體系中的眼睛和雙手，已成為材料科學(xué)研究中必備的技術(shù)基礎(chǔ)和能力。然而ALD的反應(yīng)機(jī)理、特別是在成膜初期的薄膜與襯底及層間吸附反應(yīng)的作用機(jī)理及反應(yīng)動(dòng)力學(xué)，因缺乏合適的原位檢測(cè)技術(shù)一直存在未曾探索的空白。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種原位光學(xué)檢測(cè)裝置，可在ALD系統(tǒng)薄膜生長(zhǎng)進(jìn)程中實(shí)時(shí)進(jìn)行原位光學(xué)檢測(cè)。
[0005]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:
[0006]一種原位光學(xué)檢測(cè)裝置，應(yīng)用于原子層沉積設(shè)備，包括光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)和光學(xué)鏡頭配套組件，所述光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)設(shè)置在原子層沉積設(shè)備的反應(yīng)腔室外部，所述光學(xué)鏡頭配套組件包括鏡頭腔和設(shè)置在所述鏡頭腔內(nèi)的光學(xué)鏡頭、轉(zhuǎn)角組件和光學(xué)鏡頭延長(zhǎng)管，所述轉(zhuǎn)角組件兩端分別連接所述光學(xué)鏡頭和所述光學(xué)鏡頭延長(zhǎng)管；所述光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)通過(guò)光學(xué)組件與所述光學(xué)鏡頭延長(zhǎng)管連接，形成測(cè)試光路；所述鏡頭腔通過(guò)第一法蘭組件固定在所述反應(yīng)腔室的側(cè)壁上。
[0007]上述方案中，所述光學(xué)鏡頭為高精度長(zhǎng)焦鏡頭。
[0008]上述方案中，所述光學(xué)鏡頭配套組件還包括波紋管和伸縮組件，所述波紋管設(shè)置在所述鏡頭腔和所述第一法蘭組件之間，所述伸縮組件設(shè)置在所述光學(xué)鏡頭延長(zhǎng)管的外端，所述波紋管在所述伸縮組件進(jìn)行伸縮位移時(shí)對(duì)應(yīng)進(jìn)行同步伸縮。
[0009]上述方案中，所述光學(xué)鏡頭配套組件還包括鏡頭保護(hù)閥，所述鏡頭保護(hù)閥通過(guò)第二法蘭固定在所述鏡頭腔上。
[0010]上述方案中，所述光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)包括光源、收集系統(tǒng)、分光系統(tǒng)和檢測(cè)系統(tǒng)；所述光源，用于發(fā)出入射光信號(hào)；所述收集系統(tǒng)，用于將所述入射光信號(hào)入射至待測(cè)樣品表面，之后所述待測(cè)樣品表面發(fā)出散射信號(hào)、折射型號(hào)、反射信號(hào)等多種待測(cè)信號(hào)；所述分光系統(tǒng)，用于濾除所述待測(cè)信號(hào)中的干擾光學(xué)信息；所述檢測(cè)系統(tǒng)，用于對(duì)捕獲的待測(cè)信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)。
[0011 ] 上述方案中，所述原位光學(xué)檢測(cè)裝置還包括光學(xué)平臺(tái)，用于放置光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)。[0012]上述方案中，所述原位光學(xué)檢測(cè)裝置所用的檢測(cè)方法為拉曼、光致發(fā)光光譜、角分辨光電子能譜的檢測(cè)方法。
[0013]上述方案中,所述光學(xué)組件為光纖。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)方案相比，本發(fā)明采用的技術(shù)方案產(chǎn)生的有益效果如下:
[0015]使用本發(fā)明進(jìn)行原位光學(xué)檢測(cè)時(shí)，與待測(cè)樣品非直接接觸，可進(jìn)行光學(xué)無(wú)損檢測(cè)。并且通過(guò)本發(fā)明，可以在光學(xué)原位檢測(cè)的輔佐下控制薄膜生長(zhǎng)特別初始生長(zhǎng)階段的模式，以此明確ALD生長(zhǎng)過(guò)程中的物理化學(xué)過(guò)程和成膜機(jī)理。同時(shí)，在原子層沉積系統(tǒng)中，可進(jìn)一步的設(shè)計(jì)和開發(fā)新的人工改性半導(dǎo)體材料，為各種高質(zhì)量、具有特異性能的二維薄膜的制備，提供有力的理論及實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的原位光學(xué)檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2為本發(fā)明實(shí)施例中光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)的原位光學(xué)檢測(cè)的光路示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0019]如圖1所示，本實(shí)施例提供一種原位光學(xué)檢測(cè)裝置，應(yīng)用于原子層沉積設(shè)備，包括光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)12和光學(xué)鏡頭配套組件，光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)12設(shè)置在原子層沉積設(shè)備的反應(yīng)腔室2外部，光學(xué)鏡頭配套組件包括鏡頭腔7和設(shè)置在鏡頭腔的光學(xué)鏡頭8、轉(zhuǎn)角組件3和光學(xué)鏡頭延長(zhǎng)管10，轉(zhuǎn)角組件3兩端分別連接光學(xué)鏡頭8和光學(xué)鏡頭延長(zhǎng)管10 ;鏡頭腔7通過(guò)第一法蘭組件11固定在反應(yīng)腔室2的側(cè)壁上。光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)12通過(guò)光學(xué)組件與光學(xué)鏡頭延長(zhǎng)管10連接，形成測(cè)試光路；其中，光學(xué)鏡頭為高精度長(zhǎng)焦鏡頭，可在ALD反應(yīng)腔室內(nèi)為非接觸無(wú)損光學(xué)檢測(cè)留有足夠的工作空間；轉(zhuǎn)角組件3和光學(xué)鏡頭延長(zhǎng)管10，用于檢測(cè)光路深入反應(yīng)腔室內(nèi)部，對(duì)反應(yīng)腔室中央的待測(cè)樣品表面薄膜進(jìn)行光學(xué)檢測(cè)，并且并可避免信號(hào)干擾、光路改變?cè)斐傻谋砻婀鈱W(xué)信號(hào)收集效率的降低；光學(xué)組件為光纖等。
[0020]本實(shí)施例中，所述光學(xué)鏡頭配套組件還包括波紋管9和伸縮組件13，波紋管9設(shè)置在鏡頭腔7和第一法蘭組件11之間，伸縮組件13設(shè)置在光學(xué)鏡頭延長(zhǎng)管10的外端，波紋管9在伸縮組件13進(jìn)行伸縮位移時(shí)對(duì)應(yīng)進(jìn)行同步伸縮。波紋管9和伸縮組件13可在對(duì)待測(cè)樣品檢測(cè)時(shí)，沿圖1中的測(cè)試軌跡6進(jìn)行多點(diǎn)逐點(diǎn)檢測(cè)，用以獲得樣品周邊和中心的均勻性信息。
[0021]本實(shí)施例中，所述光學(xué)鏡頭配套組件還包括鏡頭保護(hù)閥4，鏡頭保護(hù)閥4通過(guò)第二法蘭15固定在鏡頭腔7上。鏡頭保護(hù)閥4為可開關(guān)光學(xué)鏡頭保護(hù)閥，用以保證光學(xué)鏡頭配套組件在與ALD反應(yīng)腔室2配套過(guò)程中反應(yīng)腔室的真空度，以及防止反應(yīng)腔室2內(nèi)的沉積殘余附加產(chǎn)物對(duì)光學(xué)鏡頭8的沾污和污染。
[0022]本實(shí)施例中，所述光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)12包括光源、收集系統(tǒng)、分光系統(tǒng)和檢測(cè)系統(tǒng)；所述光源，用于發(fā)出入射光信號(hào)；所述收集系統(tǒng)，用于將入射光信號(hào)入射至待測(cè)樣品5表面，之后所述待測(cè)樣品5表面發(fā)出散射信號(hào)、折射型號(hào)、反射信號(hào)等多種待測(cè)信號(hào)；所述分光系統(tǒng)，用于濾除所述待測(cè)信號(hào)中的干擾光學(xué)信息；所述檢測(cè)系統(tǒng)，用于對(duì)捕獲的待測(cè)信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)。其中檢測(cè)所用光源常用能量集中、功率密度高的激光；收集系統(tǒng)由透鏡組構(gòu)成；分光系統(tǒng)采用光柵或陷波濾光片結(jié)合光柵以濾除瑞利散射和雜散光等干擾光學(xué)信息，并包括以及分光功能；檢測(cè)系統(tǒng)采用光電倍增管檢測(cè)器、半導(dǎo)體陣列檢測(cè)器或多通道的電荷耦合器件(CCD)等光學(xué)檢測(cè)組件。光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)12的原位光學(xué)檢測(cè)的光路示意圖如圖2所示，其中光源121發(fā)出入射光信號(hào)122，經(jīng)過(guò)光學(xué)鏡頭延長(zhǎng)管10和轉(zhuǎn)角組件3中的濾光片123(即收集系統(tǒng)中的透鏡組)入射至待測(cè)樣品5表面，之后待測(cè)樣品5表面發(fā)出透射光、反射光、散射光等多種待測(cè)光路126，該待測(cè)光路126經(jīng)由原物理光路返回，經(jīng)過(guò)轉(zhuǎn)角組件3和光學(xué)鏡頭延長(zhǎng)管10中的濾光片123和光柵124等分光系統(tǒng)后，由電荷耦合器件127捕獲，獲得測(cè)試信號(hào)。
[0023]本實(shí)施例中，所述原位光學(xué)檢測(cè)裝置還包括光學(xué)平臺(tái)14，用于放置光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)12。光學(xué)平臺(tái)14具有氣浮臺(tái)等防抖功能，可保證光學(xué)測(cè)試中的振動(dòng)干擾。
[0024]本實(shí)施例中，所述原位光學(xué)檢測(cè)裝置所用的檢測(cè)方法為拉曼(Raman)、光致發(fā)光光譜(PD、角分辨光電子能譜(ARPES)的檢測(cè)方法。拉曼(Raman)光學(xué)檢測(cè)，研究成膜過(guò)程中的晶格及分子的振動(dòng)模式、旋轉(zhuǎn)模式和這一系統(tǒng)里的其他低頻模式，以此獲取ALD系統(tǒng)成膜機(jī)理信息。原位光致發(fā)光光譜(PL)是一種探測(cè)材料電子結(jié)構(gòu)的方法，用于ALD制備薄膜材料的帶隙檢測(cè)、雜質(zhì)等級(jí)和缺陷檢測(cè)、復(fù)合機(jī)制等性能的檢測(cè)。角分辨光電子能譜(ARPES)檢測(cè)費(fèi)米能級(jí)拓?fù)浔砻鎽B(tài)，對(duì)用ALD生長(zhǎng)人為設(shè)計(jì)晶格結(jié)構(gòu)薄膜的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行觀測(cè)和控制。
[0025]以拉曼(Raman)原位光學(xué)檢測(cè)為例,拉曼(Raman)原位光學(xué)檢測(cè)可在配備的系統(tǒng)中進(jìn)行如下原位檢測(cè):
[0026](I)由設(shè)置在光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)12中的光源121發(fā)出紅外、紫外、可見光等入射光信號(hào)122 ；
[0027](2)該入射光信號(hào)122經(jīng)由光纖及鏡頭腔7內(nèi)的光學(xué)鏡頭延長(zhǎng)管10、經(jīng)由轉(zhuǎn)角組件3進(jìn)行改變光路方向、再經(jīng)由光學(xué)鏡頭8等光路組件組成的光路系統(tǒng)，入射至待測(cè)樣品5表面；
[0028](3)之后待測(cè)樣品5表面發(fā)出散射光信號(hào)126，該散射光信號(hào)由鏡頭腔7內(nèi)的光學(xué)鏡頭8、轉(zhuǎn)角組件3和光學(xué)鏡頭延長(zhǎng)管10原光路返回部分，經(jīng)由光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)12中的光電倍增管檢測(cè)器、半導(dǎo)體陣列檢測(cè)器或多通道的電荷耦合器件127等光學(xué)檢測(cè)組件捕獲，獲得檢測(cè)信號(hào)。
[0029]本發(fā)明在原子層沉積系統(tǒng)中配備光學(xué)平臺(tái)，光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)，光學(xué)鏡頭配套組件等用于光學(xué)檢測(cè)的組件，可在ALD系統(tǒng)中進(jìn)行薄膜沉積時(shí)，進(jìn)行拉曼(Raman)等原位光學(xué)檢測(cè)，由此獲得ALD的反應(yīng)機(jī)理信息，特別是在成膜初期的薄膜與襯底及層間吸附反應(yīng)的作用機(jī)理及反應(yīng)動(dòng)力學(xué)信息，為各種高質(zhì)量、具有特異性能的ALD薄膜材料的制備，提供有力的理論及實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。將本發(fā)明實(shí)施例提供的檢測(cè)裝置應(yīng)用在原子層沉積系統(tǒng)時(shí)，制備薄膜的步驟如下:
[0030](I)將襯底進(jìn)行表面活化處理后放置入ALD反應(yīng)腔室加熱盤上并關(guān)閉反應(yīng)腔室2，調(diào)制ALD反應(yīng)真空及溫度條件之后開始薄膜沉積反應(yīng)；
[0031](2)將第一種前驅(qū)體源從進(jìn)氣口 I通入反應(yīng)腔室2，第一種前驅(qū)體源吸附于襯底后，開始第一次沉積；
[0032](3)吹掃反應(yīng)腔室至反應(yīng)腔室恢復(fù)本底真空；[0033](4)將第二種前驅(qū)體源通入反應(yīng)腔室，第二種前驅(qū)體源吸附于襯底后，開始第二次沉積；
[0034](5)吹掃反應(yīng)腔室至反應(yīng)腔室恢復(fù)本底真空；
[0035](6)進(jìn)行原位光學(xué)檢測(cè)；
[0036](7)調(diào)整沉積物表面反應(yīng)活性至第一次通入前驅(qū)體源之前；
[0037](8)循環(huán)重復(fù)步驟(2)至步驟(7)。
[0038]在循環(huán)次數(shù)達(dá)到預(yù)定光學(xué)測(cè)試檔期時(shí)，選取該步驟中的一個(gè)光學(xué)測(cè)試檔期進(jìn)行原位拉曼測(cè)試，其中達(dá)到的循環(huán)次數(shù)為I次至200次。其中，測(cè)試光源采用波長(zhǎng)IOOnm至700nm的激光光源，入射至待測(cè)樣品后，原光路獲取散射光學(xué)信號(hào)，通過(guò)檢測(cè)系統(tǒng)采集拉曼光譜信息，以此獲取ALD系統(tǒng)成膜機(jī)理信息。
[0039]本發(fā)明實(shí)施例提供的檢測(cè)裝置應(yīng)用在原子層沉積系統(tǒng)時(shí)，制備薄膜還可以采用如下步驟:
[0040](I)將襯底進(jìn)行表面活化處理后放置入ALD反應(yīng)腔室加熱盤上關(guān)閉反應(yīng)腔室2，調(diào)制ALD反應(yīng)真空及溫度條件之后開始薄膜沉積反應(yīng)；
[0041](2)將第一種前驅(qū)體源從進(jìn)氣口 I通入反應(yīng)腔室2，第一種前驅(qū)體源吸附于襯底后，開始第一次沉積；
[0042](3)吹掃反應(yīng)腔室至反應(yīng)腔室恢復(fù)本底真空；
[0043](4)進(jìn)行原位光學(xué)檢測(cè)；
[0044](5)將第二種前驅(qū)體源通入反應(yīng)腔室，第二種前驅(qū)體源吸附于襯底后，開始第二次沉積；
[0045](6)吹掃反應(yīng)腔室至反應(yīng)腔室恢復(fù)本底真空；
[0046](7)調(diào)整沉積物表面反應(yīng)活性至第一次通入前驅(qū)體源之前；
[0047](8)循環(huán)重復(fù)步驟(2)至步驟(7)。
[0048]在循環(huán)次數(shù)達(dá)到預(yù)定光學(xué)測(cè)試檔期時(shí)，選取該步驟中的一個(gè)光學(xué)測(cè)試檔期進(jìn)行原位拉曼測(cè)試，其中達(dá)到的循環(huán)次數(shù)為I次至200次。其中，測(cè)試光源采用波長(zhǎng)IOOnm至700nm的激光光源，入射至待測(cè)樣品后，原光路獲取散射光學(xué)信號(hào)，通過(guò)檢測(cè)系統(tǒng)采集拉曼光譜信息，以此獲取ALD系統(tǒng)成膜機(jī)理信息。
[0049]本發(fā)明能夠在ALD系統(tǒng)薄膜生長(zhǎng)進(jìn)程中，通過(guò)拉曼(Raman)、光致發(fā)光光譜(PL)、角分辨光電子能譜(ARPES)等光學(xué)檢測(cè)實(shí)時(shí)原位監(jiān)測(cè)。光學(xué)檢測(cè)與待測(cè)樣品非直接接觸，可進(jìn)行光學(xué)無(wú)損檢測(cè)。并且通過(guò)本發(fā)明可以在光學(xué)原位檢測(cè)的輔佐下控制薄膜生長(zhǎng)特別初始生長(zhǎng)階段的模式，以此明確ALD生長(zhǎng)過(guò)程中的物理化學(xué)過(guò)程和成膜機(jī)理。同時(shí)，在該原位光學(xué)檢測(cè)原子層沉積系統(tǒng)中，可進(jìn)一步的設(shè)計(jì)和開發(fā)新的人工改性半導(dǎo)體材料，為各種高質(zhì)量、具有特異性能的二維薄膜的制備，提供有力的理論及實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。
[0050]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種原位光學(xué)檢測(cè)裝置，應(yīng)用于原子層沉積設(shè)備，其特征在于:包括光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)和光學(xué)鏡頭配套組件，所述光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)設(shè)置在原子層沉積設(shè)備的反應(yīng)腔室外部，所述光學(xué)鏡頭配套組件包括鏡頭腔和設(shè)置在所述鏡頭腔內(nèi)的光學(xué)鏡頭、轉(zhuǎn)角組件和光學(xué)鏡頭延長(zhǎng)管，所述轉(zhuǎn)角組件兩端分別連接所述光學(xué)鏡頭和所述光學(xué)鏡頭延長(zhǎng)管；所述光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)通過(guò)光學(xué)組件與所述光學(xué)鏡頭延長(zhǎng)管連接，形成測(cè)試光路；所述鏡頭腔通過(guò)第一法蘭組件固定在所述反應(yīng)腔室的側(cè)壁上。
2.如權(quán)利要求1所述的原位光學(xué)檢測(cè)裝置，其特征在于:所述光學(xué)鏡頭為高精度長(zhǎng)焦鏡頭。
3.如權(quán)利要求1所述的原位光學(xué)檢測(cè)裝置，其特征在于:所述光學(xué)鏡頭配套組件還包括波紋管和伸縮組件，所述波紋管設(shè)置在所述鏡頭腔和所述第一法蘭組件之間，所述伸縮組件設(shè)置在所述光學(xué)鏡頭延長(zhǎng)管的外端，所述波紋管在所述伸縮組件進(jìn)行伸縮位移時(shí)對(duì)應(yīng)進(jìn)行同步伸縮。
4.如權(quán)利要求1所述的原位光學(xué)檢測(cè)裝置，其特征在于:所述光學(xué)鏡頭配套組件還包括鏡頭保護(hù)閥，所述鏡頭保護(hù)閥通過(guò)第二法蘭固定在所述鏡頭腔上。
5.如權(quán)利要求1所述的原位光學(xué)檢測(cè)裝置，其特征在于:所述光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)包括光源、收集系統(tǒng)、分光系統(tǒng)和檢測(cè)系統(tǒng)；所述光源，用于發(fā)出入射光信號(hào)；所述收集系統(tǒng)，用于將入射光信號(hào)入射至待測(cè)樣品表面，之后所述待測(cè)樣品表面發(fā)出多種待測(cè)信號(hào)；所述分光系統(tǒng)，用于濾除所述待測(cè)信號(hào)中的干擾光學(xué)信息；所述檢測(cè)系統(tǒng)，用于對(duì)捕獲的待測(cè)信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)。
6.如權(quán)利要求1所述的原位光學(xué)檢測(cè)裝置，其特征在于:所述原位光學(xué)檢測(cè)裝置還包括光學(xué)平臺(tái)，用于放置光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)。
7.如權(quán)利要求1所述的原位光學(xué)檢測(cè)裝置，其特征在于:所述原位光學(xué)檢測(cè)裝置所用的檢測(cè)方法為拉曼、光致發(fā)光光譜、角分辨光電子能譜的檢測(cè)方法。
8.如權(quán)利要求1所述的原位光學(xué)檢測(cè)裝置，其特征在于:所述光學(xué)組件為光纖。
【文檔編號(hào)】G01N21/63GK103868850SQ201210545135
【公開日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2012年12月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月14日
【發(fā)明者】解婧, 李超波, 夏洋 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所