射線能量（X射線光譜）的 關(guān)系的圖（以往技術(shù)）。
[0031] 圖5A是表示使用了 CdTe的半導(dǎo)體膜的K殼層吸收端與照射X射線能量（X射線 光譜）的關(guān)系的圖，圖5B是表示使用了 TlBr的半導(dǎo)體膜的K殼層吸收端與照射X射線能 量（X射線光譜）的關(guān)系的圖。
[0032] 圖6A是表不使用CdTe作為半導(dǎo)體膜的情況下的檢測(cè)電荷分布的圖，圖6B是表不 使用TlBr作為半導(dǎo)體膜的情況下的檢測(cè)電荷分布的圖。
[0033] 圖7是沿圖6A和圖6B的紙面縱向進(jìn)行積分而得到的檢測(cè)電荷分布。
[0034] 圖8是表示實(shí)施例2所涉及的平板型X射線檢測(cè)器（FPD)的結(jié)構(gòu)的圖。
[0035] 圖9A是表示使用CdTe作為半導(dǎo)體膜且不存在閾值辨別的情況下的檢測(cè)電荷分布 的圖，圖9B是表示使用CdTe作為半導(dǎo)體膜且存在閾值辨別的情況下的檢測(cè)電荷分布的圖。
[0036] 圖IOA是表示使用TlBr作為半導(dǎo)體膜且不存在閾值辨別的情況下的檢測(cè)電荷分 布的圖，圖IOB是表示使用TlBr作為半導(dǎo)體膜且存在閾值辨別的情況下的檢測(cè)電荷分布的 圖。
[0037] 圖11是表示變形例所涉及的平板型X射線檢測(cè)器（FPD)的結(jié)構(gòu)的圖。
[0038] 附圖標(biāo)記說明
[0039] I :X射線攝影裝置；3 :X射線管；4、41、71 :平板型X射線檢測(cè)器（FPD) ;6 :X射線管 控制部；8 :主控制部；16 :半導(dǎo)體膜；18 :像素電極；27 :電荷電壓轉(zhuǎn)換器組；43 :電荷電壓 轉(zhuǎn)換器；45 :比較器；47 :計(jì)數(shù)器；51 :讀出基板；51a :布線；53 :IC芯片；53a :布線；55、61 : 凸塊；59 :娃貫通電極（TSV) ;73、74 :條狀電極；75 :入射位置確定電路；77 :數(shù)據(jù)收集部； UL :照射X射線的能散度的上限。
【具體實(shí)施方式】
[0040] 實(shí)施例1
[0041] 以下，參照附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施例1。圖1是實(shí)施例1所涉及的X射線攝影裝 置的概要結(jié)構(gòu)圖。
[0042] 〈X射線攝影裝置〉
[0043] 參照?qǐng)D1。首先，說明X射線攝影裝置1的結(jié)構(gòu)。X射線攝影裝置1具備：頂板2， 其載置被檢體M ;X射線管3,其向該被檢體M照射X射線；以及平板型X射線檢測(cè)器（FPD : 平板檢測(cè)器）4,其檢測(cè)透過被檢體M的X射線。此外，以下將平板型X射線檢測(cè)器適當(dāng)?shù)胤Q 為"FPD"。另外，平板型X射線檢測(cè)器（FPD)4相當(dāng)于本發(fā)明的X射線檢測(cè)器。
[0044]另外，X射線攝影裝置1具備：X射線管控制部6,其具有產(chǎn)生X射線管3的管電壓、 管電流的高電壓產(chǎn)生部5,用于控制X射線管3 ;以及圖像處理部7,其對(duì)從FPD 4輸出的圖 像進(jìn)行各種處理。此外，對(duì)X射線管控制部6的詳細(xì)內(nèi)容后文描述。
[0045] 另外，X射線攝影裝置1具備：主控制部8,其統(tǒng)一控制X射線管3、FPD4以及X射 線管控制部6等各結(jié)構(gòu)；存儲(chǔ)部9,其存儲(chǔ)利用圖像處理部7處理后的圖像等；輸入部10,其 用于操作者進(jìn)行輸入設(shè)定；以及顯示部11，其顯示利用圖像處理部7處理后的圖像等。
[0046] 主控制部8由中央演算處理裝置（CPU)等構(gòu)成。存儲(chǔ)部9由ROM(Read_on Iy Memory :只讀存儲(chǔ)器）、RAM (Random-Access Memory :隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）或者硬盤等包含可 拆卸的部件的存儲(chǔ)介質(zhì)構(gòu)成。輸入部10由操縱桿、鼠標(biāo)、觸摸面板等構(gòu)成。顯示部11由液 晶監(jiān)視器等構(gòu)成。
[0047] 〈平板型X射線檢測(cè)器（FPD) >
[0048] 接著，說明FPD 4的結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例的FPD 4以積分型構(gòu)成。圖2是表示FPD 4 的結(jié)構(gòu)的縱截面圖。在圖2中，XRl表示照射X射線或者入射X射線，XR2表示K殼層特征 X射線。
[0049] 如圖2那樣，F(xiàn)PD 4具備：半導(dǎo)體膜16,其感應(yīng)所入射的X射線而生成電荷；共用 電極17,其設(shè)置于半導(dǎo)體膜16的一個(gè)面，用于施加偏壓Vh ;以及像素電極18,其設(shè)置于半 導(dǎo)體膜16的另一個(gè)面，排列為二維矩陣狀。像素電極18的間距P大于0且為幾十μπι以 下（即小于100 μπι)。此外，像素電極18相當(dāng)于本發(fā)明的收集電極。
[0050] 半導(dǎo)體膜16由單個(gè)或者多個(gè)元素構(gòu)成。即，半導(dǎo)體膜16例如由Si、Se(硒）、CdTe、 CdZnTe、ZnTe (碲化鋅）、HgI2 (碘化汞）、PbI2、PbO (氧化鉛）、ΒΠ 3 (碘化鉍）、TlBr、GaAs (砷 化鎵）以及InP (磷化銦）等構(gòu)成。作為由單個(gè)元素構(gòu)成的半導(dǎo)體膜16,例如能夠列舉Si、 Se。作為由兩個(gè)元素構(gòu)成的半導(dǎo)體膜16,例如能夠列舉CdTe、ZnTe、Pbl2、PbO、Bil3、TIBr、 GaAs以及InP。另外，作為由三個(gè)元素構(gòu)成的半導(dǎo)體膜16,能夠列舉CdZnTe。此外，多個(gè)元 素也可以是四個(gè)元素以上。
[0051] 半導(dǎo)體膜16的膜厚構(gòu)成為幾百μπι以上。由此，能夠保持高檢測(cè)效率。另外，像 素電極18、半導(dǎo)體膜16以及共用電極17以該順序通過蒸鍍等形成在有源矩陣基板19上。 此外，半導(dǎo)體膜16相當(dāng)于本發(fā)明的轉(zhuǎn)換膜。
[0052] 有源矩陣基板19具備：電容器21，其存儲(chǔ)在半導(dǎo)體膜16生成的電荷；作為開關(guān)元 件的TFT 22,其進(jìn)行電容器21中存儲(chǔ)的電荷的讀出；以及絕緣基板23,其由玻璃等構(gòu)成。 在絕緣基板23形成電容器21、TFT 22、柵極線24以及數(shù)據(jù)線25等。
[0053] 如圖2的虛線所示，與一個(gè)像素對(duì)應(yīng)的X射線檢測(cè)元件DU由半導(dǎo)體膜16、共用電 極17、像素電極18、電容器21以及TFT 22等構(gòu)成。另外，圖3是表示FPD 4的結(jié)構(gòu)的俯視 圖。如圖3所示，二維矩陣狀地構(gòu)成多個(gè)X射線檢測(cè)元件DU。因此，按每個(gè)二維矩陣狀的像 素設(shè)置有電容器21和TFT 22等。另外，在圖3中，為了方便圖示，用3X3像素表示X射線 檢測(cè)元件DU，但X射線檢測(cè)元件DU例如由1024 X 1024像素構(gòu)成。
[0054] 有源矩陣基板19具備：柵極線24,其與沿圖3中的行方向（X方向）排成一列的 多個(gè)TFT 22的柵極相連接；以及數(shù)據(jù)線25,其與在圖3中沿列方向（Υ方向）排成一列的 多個(gè)TFT 22的源極相連接。此外，TFT 22的漏極連接有電容器21。
[0055] 另外，柵極線24的一端連接有柵極驅(qū)動(dòng)電路26。柵極驅(qū)動(dòng)電路26按每條柵極線 24(每條線）依次驅(qū)動(dòng)TFT 22。例如，柵極驅(qū)動(dòng)電路26通過從圖3中的上側(cè)起依次對(duì)柵極 線24施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)而使連接于柵極線24的TFT 22變?yōu)閷?dǎo)通（ON)狀態(tài)。由此，電容器21 中存儲(chǔ)的電荷通過ON狀態(tài)的TFT 22被發(fā)送到數(shù)據(jù)線25,并通過數(shù)據(jù)線25被讀出。
[0056] 在數(shù)據(jù)線25的輸出側(cè)依次連接有電荷電壓轉(zhuǎn)換器組27、多路復(fù)用器28、A/D轉(zhuǎn)換 器29。電荷電壓轉(zhuǎn)換器組27將電荷放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)。電荷電壓轉(zhuǎn)換器組27具有按 每條數(shù)據(jù)線25設(shè)置的放大器27a。多路復(fù)用器28從多個(gè)電壓信號(hào)選擇一個(gè)電壓信號(hào)并輸 出。A/D轉(zhuǎn)換器29將模擬的電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字的電壓信號(hào)。
[0057] 柵極驅(qū)動(dòng)電路26、電荷電壓轉(zhuǎn)換器組27、多路復(fù)用器28以及A/D轉(zhuǎn)換器29被FPD 控制部30控制。另外，F(xiàn)PD控制部30被主控制部8控制。
[0058] 〈半導(dǎo)體膜和X射線管控制部〉
[0059] 接著，說明本發(fā)明的特征部分之一。根據(jù)本發(fā)明所涉及的X射線攝影裝置1，能夠 抑制由K殼層特征X射線導(dǎo)致的圖像模糊。在本實(shí)施例中，通過X射線管控制部6根據(jù)半 導(dǎo)體膜16進(jìn)行控制來抑制由特征X射線導(dǎo)致的圖像模糊，即，根據(jù)半導(dǎo)體膜16的K殼層吸 收端的能量與由X射線管控制部6控制的照射X射線能量的對(duì)應(yīng)關(guān)系來抑制由特征X射線 導(dǎo)致的圖像模糊。
[0060] 圖4是表示以往的半導(dǎo)體膜的K殼層吸收端與照射X射線能量（X射線光譜）的 關(guān)系的圖。此外，在圖4、后述的圖5A以及圖5B中，橫軸表示單位keV的能量，縱軸表示X 射線光子數(shù)（相對(duì)數(shù)）。
[0061] 在圖4中，附圖標(biāo)記XSl表示將管電壓設(shè)定為IOOkV而從X射線管3照射的X射 線的X射線光譜，將照射X射線的能散度的上限UL設(shè)為lOOkeV。另外，設(shè)為此時(shí)的半導(dǎo)體 膜16使用了 CdTe。Cd的K殼層吸收端約為27keV，Te的K殼層吸收端約為32keV。如果照 射具有最大值（上限）為IOOkeV的照射X射線能散度的X射線，則在光電效應(yīng)時(shí)以用表1 的K殼層特征X射線產(chǎn)額表示的概率在Cd和Te中分別釋放K殼層特征X射線。例如，在 如圖4中的斜線那樣比Cd的K殼層吸收端、即約27keV大的能量的X射線中，Cd在光電效 應(yīng)時(shí)釋放K殼層特征X射線。因此，釋放出大量K殼層特征X射線。另外，Cd和Te的K殼 層特征X射線的大小分別約為30keV左右，約30keV左右的K殼層特征X射線的衰減長(zhǎng)度 在CdTe內(nèi)約為100 μπι。其結(jié)果，在寬范圍內(nèi)檢測(cè)到很多電荷，從而產(chǎn)生圖像模糊。
[0062]【表1】
[0064] 在此，如圖5Α那樣，本實(shí)施例的X射線管控制部6控制X射線管3,使得從X射線 管3照射的X射線的能散度的上限UL為構(gòu)成半導(dǎo)體膜16的各元素的K殼層吸收端中的與 對(duì)圖像模糊造成影響的能量的特征X射線對(duì)應(yīng)的K殼層吸收端附近。此外，以下，將與對(duì) 模糊造成影響的能量的特征X射線對(duì)應(yīng)的K殼層吸收端適當(dāng)?shù)胤Q為"模糊影響K殼層吸收 端"。具體地說，X射線管控制部6控制X射線管3,使得照射X射線的能散度的上限UL大 于構(gòu)成半導(dǎo)體膜16的各元素的K殼層吸收端中的模糊影響K殼層吸收端，且小于等于根據(jù) 該模糊影響K殼層吸收端而預(yù)先設(shè)定的值（參照附圖標(biāo)記RA1、RA2)。
[0065] 在此，對(duì)模糊影響K殼層吸收端進(jìn)行說明。關(guān)于模糊影響K殼層吸收端，在15keV 以上的所有吸收端中包含最大的K殼層吸收端，并且也可以包含最小的K殼層吸收端。即， 模糊影響K殼層吸收端包含單個(gè)或者多個(gè)元素各自的K殼層吸收端的全部或者一部分。例 如，在半導(dǎo)體膜16由CdTe構(gòu)成的情況下，如上所述，Cd和Te的K殼層特