一種新型絕緣環(huán)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種新型絕緣環(huán)。
【背景技術(shù)】
[0002]國內(nèi)很多高溫真空燒結(jié)爐采用的絕緣環(huán)為不燒無錐度無凹凸面結(jié)合的絕緣環(huán)，這種絕緣環(huán)的最大缺陷就是絕緣環(huán)易被碳化，從而不絕緣造成電極打火，無法進一步升溫并且測量的溫度不準確，也造成了產(chǎn)品生燒或過燒。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對上述缺陷，本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單，不易被碳化，絕緣性能好的一種新型絕緣環(huán)。
[0004]為此本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:
包括絕緣環(huán)I和絕緣環(huán)II，所述絕緣環(huán)I上端設(shè)有錐面，絕緣環(huán)I下端面設(shè)有環(huán)形凹槽，所述絕緣環(huán)II上端面設(shè)有環(huán)形凸臺與環(huán)形凹槽相結(jié)合。
[0005]所述絕緣環(huán)I和絕緣環(huán)II采用熱等靜壓工藝制造而成。
[0006]本發(fā)明的優(yōu)點是:
本發(fā)明采用熱等靜壓工藝制造，致密度高，不易被碳化，保證了絕緣性能；絕緣環(huán)上端設(shè)有錐度面，不易殘留碳渣；兩環(huán)結(jié)合處采用凹凸面結(jié)合，碳氣氛不易浸蝕到界面里面，降低了碳化率，保證了絕緣性能。
【附圖說明】
[0007]圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008]圖中1是絕緣環(huán)1、2是絕緣環(huán)I1、3是錐面。
【具體實施方式】
[0009]一種新型絕緣環(huán)，包括絕緣環(huán)II和絕緣環(huán)112，所述絕緣環(huán)II上端設(shè)有錐面3，絕緣環(huán)II下端面設(shè)有環(huán)形凹槽，所述絕緣環(huán)112上端面設(shè)有環(huán)形凸臺與環(huán)形凹槽相結(jié)合。
[0010]本發(fā)明所述的絕緣環(huán)II和絕緣環(huán)112采用熱等靜壓工藝制造而成。
【主權(quán)項】
1.一種新型絕緣環(huán)，其特征在于，包括絕緣環(huán)I和絕緣環(huán)II，所述絕緣環(huán)I上端設(shè)有錐面，絕緣環(huán)I下端面設(shè)有環(huán)形凹槽，所述絕緣環(huán)II上端面設(shè)有環(huán)形凸臺與環(huán)形凹槽相結(jié)入口 ο2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型絕緣環(huán)，其特征在于，所述絕緣環(huán)I和絕緣環(huán)II采用熱等靜壓工藝制造而成。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種新型絕緣環(huán)，包括絕緣環(huán)I和絕緣環(huán)II，所述絕緣環(huán)I上端設(shè)有錐面，絕緣環(huán)I下端面設(shè)有環(huán)形凹槽，所述絕緣環(huán)II上端面設(shè)有環(huán)形凸臺與環(huán)形凹槽相結(jié)合。本發(fā)明絕緣環(huán)上端設(shè)有錐度面，不易殘留碳渣；兩環(huán)結(jié)合處采用凹凸面結(jié)合，碳氣氛不易浸蝕到界面里面，降低了碳化率，保證了絕緣性能。
【IPC分類】F27B21/08, H01B17/60, H01B17/66, H01B19/00
【公開號】CN105469913
【申請?zhí)枴緾N201410394178
【發(fā)明人】曹劍武, 徐正平, 徐乃安, 龍成勇
【申請人】揚州三山工業(yè)陶瓷有限公司
【公開日】2016年4月6日
【申請日】2014年8月12日