專利名稱：用于熱加工塑料片,特別是成型晶片的方法和設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于熱加工塑料片，特別是成型晶片的方法和設備，所述成型晶片還稱為模制晶片、合成晶片或環(huán)氧樹脂晶片，本文全文稱為成型晶片。
背景技術：
雖然下面基于成型晶片說明本發(fā)明和本發(fā)明所解決的問題，但是本發(fā)明不限于此，而是可一般地應用于薄塑料片。在半導體技術中，近年來所謂的成型晶片的使用與日俱增，在所述成型晶片中，各個硅芯片彼此以一定距離嵌在成型復合物中，成型復合物本身具有晶片的形狀，并且硅芯片例如在成型復合物表面上安放在位。在制備成型晶片過程中，需要對成型晶片組件進行熱加工，成型晶片組件包括可熱分離膜，和由所述模附接到成型晶片的載體基底。為了通過溶解和粘合粘結(jié)劑取下載體基底和膜，在該熱加工過程中，通過夾持裝置(卡盤)從一側(cè)加熱成型晶片，隨后冷卻，這在下面詳細說明。圖9顯示了成型晶片的塑料成型復合物的抗拉強度Z關于溫度T的相關性的實例。圖9中，附圖標記RT表示室溫，例如20°C，Th表示硬化溫度，Tw表示軟化溫度，UB表示硬-軟過渡區(qū)，Tl表示在室溫RT和硬化溫度Th之間的預加熱溫度，T2表示高于硬化溫度Th 并且低于軟化溫度 Tw 的溫度。例如，Th = 140°C, Tl = IlO0C, T2 = 180°CJPTW= 1900C0為了分離，例如，預加熱到T1，進一步加熱到T2，在T2下進行分離，并且冷卻到RT。 但是，由于用于成型晶片的塑料的差的導熱性，以及與具有不同熱膨脹系數(shù)的嵌入的硅芯片的相互作用，該冷卻在過渡區(qū)UB導致凍結(jié)應力，產(chǎn)生成型晶片的彎曲(翹曲)，這使得更難或不可能進行成型晶片后面的處理和加工。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種用于熱加工塑料片，特別是成型晶片的方法和設備，其能夠熱加工塑料片，特別是成型晶片，通過所述方法和設備，在熱加工之后，減少或沒有彎曲出現(xiàn)，或出現(xiàn)可控制的有目的的彎曲。根據(jù)本發(fā)明的具有權利要求1的特征的方法和根據(jù)權利要求12的相應設備具有這樣的優(yōu)點其使得薄塑料片的熱加工沒有彎曲(翹曲)的問題。該第一發(fā)明所基于的概念是，例如通過氣墊進行所述加熱的塑料片的從所述第一夾持裝置到所述第二夾持裝置的基本上無接觸的輸送，以基本上避免熱交換。然后在冷卻過程中進行受控的加工，以使得沒有出現(xiàn)不可控的彎曲。本發(fā)明相關的本主題的有利的成果和改進可見于從屬權利要求中。根據(jù)優(yōu)選的成果，所述加熱的塑料片的無接觸輸送通過氣墊式輸送裝置進行。根據(jù)又一個優(yōu)選的成果，所述第一夾持裝置、所述第二夾持裝置和所述氣墊式輸送裝置形成共面表面。
根據(jù)又一個優(yōu)選的成果，所述加熱的塑料片的無接觸輸送通過伯努利夾持裝置進行。根據(jù)又一個優(yōu)選的元素，所述第一夾持裝置具有沿所述輸送方向定向的噴射噴嘴，所述輸送通過所述噴射噴嘴引發(fā)。根據(jù)又一個優(yōu)選的成果，所述第一夾持裝置、所述第二夾持裝置和所述氣墊式輸送裝置一起沿所述輸送方向傾斜，以引發(fā)所述輸送。根據(jù)又一個優(yōu)選的成果，所述塑料片為成型晶片，其在所述第一溫度下通過可熱分離膜粘合到載體基底，所述載體基底和所述可熱分離膜在所述第二溫度下從所述成型晶片取下。根據(jù)又一個優(yōu)選成果，所述塑料片通過第三夾持裝置放置在所述第一夾持裝置上，在第二溫度下在所述膜的熱分離之后，所述載體基底的取下通過所述第三夾持裝置進行的移走而進行。根據(jù)又一個優(yōu)選成果，在所述第一夾持裝置和/或所述第二夾持裝置上的所述夾持通過真空噴嘴抽吸吸附進行。根據(jù)又一個優(yōu)選成果，所述塑料片到達所述第二夾持裝置上的預定終止位置通過傳感器裝置感測，所述加熱的塑料片夾持在所述第二夾持裝置上通過所述傳感器裝置的相應輸出信號被觸發(fā)。根據(jù)又一個優(yōu)選成果，所述塑料片連接到輸送板，所述塑料片通過所述輸送板被夾持在所述第一夾持裝置和所述第二夾持裝置上，并且所述塑料片通過所述輸送板從所述第一夾持裝置被輸送到所述第二夾持裝置。根據(jù)又一個優(yōu)選成果，所述傳感器裝置具有無接觸光學傳感器。


本發(fā)明的示例性實施例在下面的描述中詳細說明，并且圖示在附圖中，附圖中圖la，b顯示了作為本發(fā)明第一實施例的用于成型晶片的熱分層的設備的示意圖，具體地，圖Ia是側(cè)視圖，圖Ib是上側(cè)的平面視圖；圖2顯示了作為本發(fā)明第二實施例的說明用于通過根據(jù)圖1的設備的熱分層成型晶片的方法的流程圖；圖3顯示了作為本發(fā)明第三實施例的用于熱分層成型晶片的設備的示意性側(cè)視圖；圖4顯示了用于本發(fā)明第四實施例的情況下的第二夾持裝置；圖5顯示了用于本發(fā)明第五實施例的情況下的第一夾持裝置；圖6顯示了作為本發(fā)明第六實施例的用于熱分層成型晶片的設備的示意性側(cè)視圖；圖7顯示了作為本發(fā)明第七實施例的用于熱分層成型晶片的設備的示意性側(cè)視圖；圖8顯示了作為本發(fā)明第八實施例的用于熱分層成型晶片的設備的示意性側(cè)視圖；以及圖9顯示了成型晶片的塑料成型復合物的抗拉強度Z關于溫度T的相關性的實例。附圖中，相同的附圖標記表示相同的或功能相同的組成部件。
具體實施例方式圖la，b顯示了作為本發(fā)明第一實施例的用于成型晶片的熱分層的設備的示意圖，具體地，圖Ia是側(cè)視圖，圖Ib是上側(cè)平面視圖。圖la，b中，附圖標記1表示底部平臺，其由例如鋁制成。具有上表面0’的展示平臺3通過支座3a附接在平臺1上。展示平臺3可加熱，并且在本示例的情況下，與圖9的示例一致，在溫度Tl = 100°C下加熱。附圖標記15表示成型晶片，硅芯片1 通過已知方法嵌入其中，硅芯片1 的一個表面與成型晶片15的上側(cè)平齊。載體基底17，例如鋼，通過可熱分離膜16粘合到成型晶片，這是成型晶片的制備工藝的最終結(jié)果，其中，硅芯片1 放置在可熱分離膜16上，隨后通過塑料復合物進行封裝，從而形成相應形狀的成型晶片15。附圖標記20表示夾持裝置(卡盤)，其具有真空噴嘴20a，用于夾持成型晶片15， 成型晶片15為與可熱分離膜和載體基底17 —起形成的組件的一部分。夾持裝置20可制成通過機械手21進行三維移動。根據(jù)圖la，b的設備中還設置有可加熱的夾持裝置5，其附接到支座50a上，支座 50a高度可調(diào)節(jié)。支座50a附接在橫支撐桿8上，橫支撐桿8反之通過支座80安放在底部平臺1上。夾持裝置5處于溫度T2，對應于圖9的示例，該溫度為180攝氏度，并且都高于成型晶片15的塑料硬化溫度Th = 140°C，并且約處于或高于可熱分離膜16的粘合劑的分解溫度。附圖標記fe表示夾持裝置5的真空噴嘴，附圖標記恥表示夾持裝置5的噴射噴嘴，其沿輸送方向TR定向，將在后面詳細說明。氣墊式輸送裝置7和又一個可冷卻的夾持裝置9與夾持裝置5直接相鄰，并且形成共面表面0。氣墊式輸送裝置7具有噴射噴嘴7a，其適用于在T3 = 180°C的溫度下在成型晶片15下面形成氣墊，以從夾持裝置5無接觸輸送到夾持裝置9?？衫鋮s的夾持裝置9同樣具有真空噴嘴9a，并且調(diào)節(jié)到溫度T4 = 20°C (室溫RT， 對應于圖9的示例)，在工藝順序結(jié)束時，成型晶片15冷卻到該溫度，這在下面描述。夾持裝置9的支座90a同樣高度可調(diào)節(jié)。在絕熱支座10，12上，氣墊式輸送裝置7附接到橫支撐柱8上。該類結(jié)構(gòu)使得很可能使裝置5，7，9的不同熱膨脹影響抵消或消除。也就是說，裝置5和9可相互獨立調(diào)節(jié)高度，以允許調(diào)節(jié)共面表面0。如從圖Ib所看到的，側(cè)向?qū)驐U70a，70b附接到氣墊式輸送裝置7的側(cè)部，所述側(cè)向?qū)驐U70a，70b用于避免在所述裝置上無接觸輸送的成型晶片15從旁邊滑落。與成型晶片15的下和上表面相比較，由于成型晶片15的側(cè)邊緣總是更小，因此這種導向不影響成型晶片15的由于由氣墊式輸送裝置7的噴射噴嘴7a產(chǎn)生的熱氣墊的無接觸輸送。為了總體清楚，僅一個噴射噴嘴7a圖示在圖Ib中。最后，圖Ia中的附圖標記30表示光學傳感器，其向控制裝置C發(fā)送信號SIG，控制裝置C控制整個裝置，特別是成型晶片15的輸送和夾持裝置5，9上的熱步驟。在本發(fā)明中，傳感器裝置30光學地感測是否通過氣墊傳送裝置7從夾持裝置5被輸送到夾持裝置9 的成型晶片15完全放置在夾持裝置9上在其端部位置中，響應于此，引發(fā)通過夾持裝置9 的真空噴嘴9a產(chǎn)生的抽吸吸附。圖2為作為本發(fā)明第二實施例的用于說明通過根據(jù)圖1的設備的熱分層成型晶片的方法的流程圖。這里假設成型晶片15的塑料具有圖9中以舉例的方式示出的抗拉強度的溫度相關性。在步驟Sl中，作為與可熱分離膜16和載體基底17 —起形成的組件的一部分的成型晶片15通過夾持裝置20從料筒(未顯示)取來，并且以成型晶片15與展示平臺3的上表面0’接觸的方式放置在展示平臺3上。在步驟S2中，進行將成型晶片15預加熱到溫度 Tl = 110 。在接下來的步驟S3中，在約110°C的預加熱狀態(tài)下，夾持裝置20將作為與可熱分離膜16和載體基底17 —起形成的組件的一部分的成型晶片移開展示平臺3，并且將其輸送到可加熱的夾持裝置5，所述可加熱的夾持裝置5處于溫度T2 = 180°C下。隨后通過夾持裝置5的真空噴嘴如將該組件中的成型晶片15夾持在夾持裝置5上。同時，將夾持裝置 20同樣加熱到ISO0C0只要可熱分離膜16的粘結(jié)劑已經(jīng)達到其分層溫度180°C，就使夾持裝置20向上移動，并且因此將載體基底17從成型晶片取下，這發(fā)生在步驟S4中。在步驟S5中，通過合適的裝置(未顯示)將可熱分離膜16從成型晶片15的上表面取下。在下面的步驟S6中，置于夾持裝置5上的成型晶片15的抽吸吸附中斷，壓力波動施加到噴射噴嘴5b，以使成型晶片15經(jīng)受沿輸送方向TR的初始移動脈沖。然后將成型晶片15通過氣墊式輸送裝置7的空氣氣墊無接觸地導向到夾持裝置9，由于被預加熱到溫度 T3 = 180°C的氣墊式輸送裝置7的氣流防止了任何熱損失，因此不損失任何顯著量的熱能來到達夾持裝置9。在步驟S6結(jié)束時，當傳感器裝置30感測到成型晶片15完全在夾持裝置9上時， 那里抽吸吸附通過真空噴嘴9a自動引發(fā)，以使成型晶片15牢固地夾持在夾持裝置9上。隨后在步驟S7中將成型晶片15從溫度T2 = 180°C冷卻到溫度T4 = 20°C。由于在夾持狀態(tài)下的受控的冷卻工藝，因此可能避免在該熱加工過程中在對應于圖9的示例的過渡區(qū)UB中成型晶片15的彎曲。在成型晶片15已經(jīng)在夾持裝置9上完全冷卻之后，其由夾持裝置20輸送到料筒 (未示出)中，夾持裝置20同時已經(jīng)將隨后的成型晶片15作為組件的一部分放置在展示平臺3上，從而以這種方式節(jié)約時間。圖3顯示了作為本發(fā)明第三實施例的用于熱分層成型晶片的設備的示意性側(cè)視圖。在根據(jù)圖3的第三實施例的情況下，可加熱的夾持裝置5沒有定向的噴射噴嘴5b， 而是僅具有真空噴嘴如。為了通過氣墊式輸送裝置7引發(fā)成型晶片15從夾持裝置5輸送到夾持裝置9，包括夾持裝置5、氣墊式輸送裝置7和夾持裝置9的組件可沿由箭頭K標示的輸送方向圍繞旋轉(zhuǎn)軸D傾斜。出于該目的設置又一個支撐桿800，其可圍繞旋轉(zhuǎn)軸D旋轉(zhuǎn)，該旋轉(zhuǎn)軸設置在底部平臺1上的支架Ia處。橫支撐桿8的支座800在該示例中放置在該又一個支撐桿800上。在控制裝置C的控制下，傾斜運動通過線性致動器4進行，線性致動器4通過推力操作桿40連接到該又一個支撐桿800。圖4顯示了用于本發(fā)明第四實施例的情況下的第二夾持裝置。用于第四實施例情況下的可冷卻的夾持裝置90(對應于第一到第三實施例的情況下的夾持裝置9)具有多種抽吸附著回路90a、90b和90c，壓力P、P，、P”可相互獨立地施加到所述多種抽吸附著回路。這具有這樣的優(yōu)點在通過氣墊式輸送裝置7輸送之后成型晶片輕微彎曲的情況下，由夾持裝置90施加的夾持和抽吸吸附可布置成使該輕微彎曲在固化過程中抵消的方式。圖5顯示了用于本發(fā)明第五實施例的情況下的第一夾持裝置。在第五實施例的情況下，夾持裝置50(對應于第一到第四實施例的情況下的夾持裝置幻具有三種不同的加熱回路，所述加熱回路將區(qū)域50a、50b和50c加熱到相應的溫度 T2、T2’、T2”。該帶狀加熱也可用于在冷卻過程中抵消成型晶片15的輕微彎曲的目的。圖6顯示了作為本發(fā)明第六實施例的用于成型晶片熱分層的設備的示意性側(cè)視圖。在根據(jù)圖6的第六實施例的情況下，沒有提供用于將加熱的成型晶片15從可加熱的夾持裝置5基本上無接觸地輸送到可冷卻的夾持裝置9的氣墊式輸送裝置7，而是替代地，提供伯努利夾持裝置20’，其固定到三維可動的機械手21’。伯努利夾持裝置20’具有噴射噴嘴20a’，通過所述噴射噴嘴20a’可在成型晶片15及其表面之間產(chǎn)生設置到180°C 溫度的向下定向流ST。該向下定向流在中心區(qū)域中產(chǎn)生吸引力κ，這具有使成型晶片15 可無接觸地由伯努利夾持裝置20’輸送的效果。圖7顯示了作為本發(fā)明第七實施例的用于熱分層成型晶片的設備的示意性側(cè)視圖。在根據(jù)圖7的第七實施例的情況下，為了確保成型晶片15從夾持裝置5輸送到夾持裝置9上的端部位置而沒有任何熱損失，在氣墊式輸送裝置7和夾持裝置9上方提供在溫度T3 = 180°C的附加紅外加熱裝置100。只要夾持裝置9上的冷卻操作開始，則由紅外加熱裝置100產(chǎn)生的紅外輻射在工藝控制下關閉或減小。圖8顯示了作為本發(fā)明第八實施例的用于成型晶片的熱分層的設備的示意性側(cè)視圖。在根據(jù)圖8的第八實施例的情況下，在夾持裝置9上方僅提供具有對應于溫度T3 =180°C和T3’= 185°C的分開的輻射區(qū)域的紅外加熱裝置100’。成型晶片15上側(cè)的該類輻射，其細分為不同部分區(qū)域，同樣使其可能抵消那里存在的任何可能的輕微彎曲。而且，在根據(jù)圖8的實施例的情況下，輸送板14例如以又一個薄金屬板的形式設置在成型晶片15的下面，在成型晶片面向夾持裝置5，9的一側(cè)，所述薄金屬板形式在薄成型晶片的情況下特別有利。在該情況下，在夾持裝置5或9上的夾持通過輸送板14進行， 并且通過氣墊式輸送裝置從夾持裝置5到夾持裝置9的輸送也通過輸送板14進行，輸送之后，在運輸板14上進行冷卻。雖然本發(fā)明已經(jīng)基于優(yōu)選示例性實施例在上面進行了描述，但是本發(fā)明不限于所述實施例，而是可以多種方式進行修改。雖然本發(fā)明在上面基于成型晶片進行說明，但是本發(fā)明不限于成型晶片，而是可一般地應用到薄塑料片，所述薄塑料片通常厚度在50 μ m和3mm之間，并且直徑在IOOmm和 500mm之間。具體地，本發(fā)明也不限于塑料片的圓形幾何形狀，而是可應用于任何所需幾何形狀。塑料片也可以是均勻的或不均勻的結(jié)構(gòu)。雖然在上述實施例的情況下使用了氣墊式輸送裝置或伯努利夾持裝置，但是無需說，任何無接觸輸送裝置適用于本發(fā)明的情況。該類無接觸輸送裝置的又一個示例是超聲輸送裝置。重要的是，可在成型晶片或塑料片沒有任何明顯的熱損失的情況下實現(xiàn)基本上無接觸輸送。雖然上面的示例中已經(jīng)描述了具體的溫度相關性，但是本發(fā)明不限于此，而是可應用到具有任何抗拉強度溫度相關性的塑料片。雖然上面的實施例旨在很大程度上地避免成型晶片彎曲，但是本發(fā)明也可用于在工藝控制下帶來故意的彎曲的目的，例如在幾度范圍內(nèi)。無需說，所有實施例的特征也可相互組合。在上面的實施例中，已經(jīng)描述了一組兩個夾持裝置。對于這樣的組，同樣可能具有多于兩個的夾持裝置，所述多于兩個的夾持裝置具有其他的中間溫度。
權利要求
1.用于熱加工塑料片(15)，特別是成型晶片的方法，具有以下步驟在第一溫度(Tl)下將塑料片(1 夾持在第一夾持裝置(5，50)上；將夾持在所述第一夾持裝置(5，50)上的所述塑料片(1 加熱到第二溫度(T2)，所述第二溫度0 高于所述第一溫度(Tl)；結(jié)束在所述第一夾持裝置(5，50)上的夾持，并且將加熱到所述第二溫度(1 的所述塑料片(1 從所述第一夾持裝置(5，50)基本上無接觸地輸送到第二夾持裝置(9，90)；將所述加熱的塑料片(1 夾持在所述第二夾持裝置(9，90)上；將夾持在所述第二夾持裝置(9，90)上的所述塑料片(1 冷卻到第三溫度(T4)，所述第三溫度(T4)低于所述第二溫度(T2)；結(jié)束在所述第二夾持裝置(9，90)上的夾持。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，所述加熱的塑料片(1 的所述無接觸輸送通過氣墊式輸送裝置(7)進行。
3.根據(jù)權利要求2所述的方法，所述第一夾持裝置(5，50)、所述第二夾持裝置(9，90) 和所述氣墊式輸送裝置(7)形成共面表面(0)。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，所述加熱的塑料片(1 的所述無接觸輸送通過伯努利夾持裝置00’ )進行。
5.根據(jù)權利要求1到3中任一項所述的方法，所述第一夾持裝置(5，50)具有沿所述輸送方向(TR)定向的噴射噴嘴( )，通過所述噴射噴嘴(5b)引發(fā)所述輸送。
6.根據(jù)權利要求2所述的方法，所述第一夾持裝置(5，50)、所述第二夾持裝置(9，90) 和所述氣墊式輸送裝置(7)沿所述輸送方向(TR) —起傾斜，以引發(fā)所述輸送。
7.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，所述塑料片為成型晶片(15)，其在所述第一溫度(Tl)下通過可熱分離膜(16)結(jié)合到載體基底(17)，所述載體基底(17)和所述可熱分離膜(16)在所述第二溫度(1 下從所述成型晶片(1 取下。
8.根據(jù)權利要求7所述的方法，所述塑料片(1 通過第三夾持裝置00)放置在所述第一夾持裝置(5，50)上，以及在所述第二溫度(1 下將所述膜(16)熱分離之后，所述載體基底(17)的取下通過所述第三夾持裝置00)的移走進行。
9.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，在所述第一夾持裝置(5，50)和/或所述第二夾持裝置(9，90)上的夾持通過真空噴嘴(5a，9a)產(chǎn)生的抽吸吸附進行。
10.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，所述第二夾持裝置(9，90)上的所述塑料片(1 的預定端部位置的到達通過傳感器裝置(30)感測，并且在所述第二夾持裝置(9， 90)上的所述加熱的塑料片(1 的夾持通過所述傳感器裝置(30)的相應輸出信號(SIG) 觸發(fā)。
11.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，所述塑料片(1 被連接到輸送板(14)， 所述成型晶片(1 通過所述輸送板(14)被夾持在所述第一夾持裝置(5，50)和所述第二夾持裝置(9，90)上，并且所述塑料片(1 通過所述輸送板(14)從所述第一夾持裝置(5， 50)輸送到所述第二夾持裝置(9，90)。
12.用于熱加工塑料片(15)，特別是成型晶片的設備，具有可加熱的第一夾持裝置(5，50)，其用于夾持，并且用于加熱所述塑料片(15)；可冷卻的第二夾持裝置(9，90)，其用于夾持，并且用于冷卻所述塑料片(15)；輸送裝置(7，20’)，其用于所述加熱的塑料片(1 從所述第一夾持裝置(5，50)到所述第二夾持裝置(9，90)的無接觸輸送。
13.根據(jù)權利要求12所述的設備，所述輸送裝置(7，20)具有氣墊式輸送裝置(7)。
14.根據(jù)權利要求13所述的設備，所述第一夾持裝置(5，50)、所述第二夾持裝置(9， 90)和所述氣墊式輸送裝置(7)形成共面表面(0)。
15.根據(jù)權利要求12所述的設備，所述輸送裝置(7，20)具有伯努利夾持裝置00’)。
16.根據(jù)權利要求12到14中任一項所述的設備，所述第一夾持裝置(5，50)具有沿所述輸送方向(TR)定向的噴射噴嘴(5b)。
17.根據(jù)權利要求14所述的設備，所述第一夾持裝置(5，50)、所述第二夾持裝置(9， 90)和所述氣墊式輸送裝置(7)能夠沿所述輸送方向(TR) —起傾斜，以引發(fā)所述輸送。
18.根據(jù)權利要求12到17中任一項所述的設備，所述第一夾持裝置(5，50)和/或所述第二夾持裝置(9，90)具有真空噴嘴(5a ;9a)，其用于所述塑料片(15)的抽吸吸附。
19.根據(jù)權利要求12到18中任一項所述的設備，傳感器裝置(30)被設置用于感測在所述第二夾持裝置(9，90)上的所述塑料片(1 的預定端部位置的到達，并且用于發(fā)出相應的輸出信號(SIG)，以開始所述第二夾持裝置(9，90)的夾持。
20.根據(jù)權利要求12到19中任一項所述的設備，所述塑料片(1 連接到輸送板(14)， 所述塑料片(1 能夠通過所述輸送板(14)夾持在所述第一夾持裝置(5，50)和所述第二夾持裝置(9，90)上，并且所述塑料片(1 能夠通過所述輸送板(14)從所述第一夾持裝置 (5，50)輸送到所述第二夾持裝置(9，90)。
21.根據(jù)權利要求10所述的設備，所述傳感器裝置(30)具有無接觸光學傳感器。
全文摘要
本發(fā)明提供用于熱加工塑料片，特別是成型晶片的方法和設備。所述方法包括以下步驟在第一溫度(T1)下將塑料片(15)夾持在第一夾持裝置(5，50)上；將夾持在所述第一夾持裝置(5，50)上的所述塑料片(15)加熱到第二溫度(T2)，所述第二溫度(T2)高于所述第一溫度(T1)；結(jié)束在所述第一夾持裝置(5，50)上的夾持，并且將加熱的所述塑料片(15)從所述第一夾持裝置(5，50)基本上無接觸地輸送到第二夾持裝置(9，90)；將所述加熱的塑料片(15)夾持在所述第二夾持裝置(9，90)上；將夾持在所述第二夾持裝置(9，90)上的所述塑料片(15)冷卻到第三溫度(T3)，所述第三溫度低于所述第二溫度(T2)；和結(jié)束在所述第二夾持裝置(9，90)上的夾持。
文檔編號H01L21/677GK102171807SQ200980138775
公開日2011年8月31日 申請日期2009年8月6日 優(yōu)先權日2008年8月13日
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