本技術(shù)涉及固態(tài)硬盤，尤其涉及一種固態(tài)硬盤的測試方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、固態(tài)硬盤(solid?state?drive，簡稱ssd)相比傳統(tǒng)的機械硬盤(hard?diskdrive，簡稱hdd)在速度、耐用性和能耗上具有顯著優(yōu)勢。隨著固態(tài)硬盤生產(chǎn)工藝的完善和性能的進一步提升，固態(tài)硬盤正廣泛應(yīng)用于多個存儲場景中。

2、為了保證固態(tài)硬盤的質(zhì)量，在完成固態(tài)硬盤的生產(chǎn)后，需要對固態(tài)硬盤進行測試，避免存在故障的固態(tài)硬盤影響用戶的使用。

3、在相關(guān)技術(shù)中，對固態(tài)硬盤進行測試的測試項存在不全面的問題，導(dǎo)致測試結(jié)果不準確，進而導(dǎo)致未能充分評估固態(tài)硬盤是否合格。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本技術(shù)提供一種固態(tài)硬盤的測試方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)，用以提升測試的準確性。

2、第一方面，本技術(shù)提供一種固態(tài)硬盤的測試方法，包括：對測試系統(tǒng)的多個固態(tài)硬盤接口進行在位檢測，得到多個目標固態(tài)硬盤對應(yīng)的多個固態(tài)硬盤標識，所述多個目標固態(tài)硬盤與所述測試系統(tǒng)建立連接；對所述多個目標固態(tài)硬盤分別進行目標測試，得到所述多個目標固態(tài)硬盤對應(yīng)的多個測試結(jié)果；根據(jù)所述多個固態(tài)硬盤標識以及所述多個測試結(jié)果，生成測試報告。

3、在一種可能的實施方式中，對測試系統(tǒng)的多個固態(tài)硬盤接口進行在位檢測，得到多個目標固態(tài)硬盤對應(yīng)的多個固態(tài)硬盤標識，包括：通過集成電路間總線接收在位信號，所述在位信號為現(xiàn)場可編程邏輯門陣列對所述多個固態(tài)硬盤接口分別進行檢測得到；對所述在位信號進行識別處理，得到所述多個目標固態(tài)硬盤對應(yīng)的多個固態(tài)硬盤標識。

4、在一種可能的實施方式中，針對任意一個目標固態(tài)硬盤；對所述目標固態(tài)硬盤進行目標測試，得到所述目標固態(tài)硬盤對應(yīng)的測試結(jié)果，包括：確定所述目標固態(tài)硬盤的當前信息以及標準信息，并根據(jù)所述當前信息以及所述標準信息對所述目標固態(tài)硬盤進行第一連接測試，得到第一結(jié)果，所述第一結(jié)果包括通過或者未通過；若所述第一結(jié)果為通過，則對所述目標固態(tài)硬盤進行性能測試，得到第二結(jié)果，所述第二結(jié)果包括通過或者未通過；若所述第二結(jié)果為通過，則對所述目標固態(tài)硬盤進行ecc測試，得到第三結(jié)果，所述第三結(jié)果包括通過或者未通過；若所述第三結(jié)果為通過，則對所述目標固態(tài)硬盤進行熱插拔功能測試，得到第四結(jié)果，所述第四結(jié)果包括通過或者未通過；若所述第四結(jié)果為通過，則確定所述測試結(jié)果包括所述第一結(jié)果、所述第二結(jié)果、所述第三結(jié)果、以及所述第四結(jié)果。

5、在一種可能的實施方式中，對所述目標固態(tài)硬盤進行性能測試，得到第二結(jié)果，包括：根據(jù)所述在位信號，確定所述目標固態(tài)硬盤的路徑；根據(jù)所述路徑、預(yù)設(shè)單元塊信息、以及預(yù)設(shè)文件，對所述目標固態(tài)硬盤進行多次讀寫測試，得到多個目標寫入速率以及目標讀取速率，所述路徑用于指示讀寫測試的數(shù)據(jù)位置，所述預(yù)設(shè)單元塊信息用于指示讀寫測試的數(shù)據(jù)量，所述預(yù)設(shè)文件包含讀寫測試的測試數(shù)據(jù)；若連續(xù)預(yù)設(shè)次數(shù)的讀寫測試對應(yīng)的目標寫入速率以及目標讀取速率均大于或者等于標準速率，則確定所述第二結(jié)果為通過；若存在任意一次讀寫測試對應(yīng)的目標寫入速率和/或目標讀取速率小于標準速率，則確定所述第二結(jié)果為未通過。

6、在一種可能的實施方式中，對所述目標固態(tài)硬盤進行ecc測試，得到第三結(jié)果，包括：從所述目標固態(tài)硬盤的日志信息中獲取所述性能測試中第一次讀寫測試對應(yīng)的第一寫入ecc校驗碼以及第一讀取ecc校驗碼；若所述第一寫入ecc校驗碼與所述第一讀取ecc校驗碼相同，則確定所述第三結(jié)果為通過；若所述第一寫入ecc校驗碼與所述第一讀取ecc校驗碼不同，則對所述目標固態(tài)硬盤進行第二連接測試，得到第二連接測試結(jié)果，所述第二連接測試結(jié)果包括通過或者未通過；若所述第二連接測試結(jié)果為未通過，則確定所述第三結(jié)果為未通過；若所述第二連接測試結(jié)果為通過，則根據(jù)所述性能測試中第二次讀寫測試對應(yīng)的第二寫入ecc校驗碼以及第二讀取ecc校驗碼確定所述第三結(jié)果。

7、在一種可能的實施方式中，根據(jù)所述性能測試中第二次讀寫測試對應(yīng)的第二寫入ecc校驗碼以及第二讀取ecc校驗碼確定所述第三結(jié)果，包括：從所述目標固態(tài)硬盤的日志信息中獲取所述性能測試中第二次讀寫測試對應(yīng)的第二寫入ecc校驗碼以及第二讀取ecc校驗碼；若所述第二寫入ecc校驗碼與所述第二讀取ecc校驗碼相同，則確定所述第三結(jié)果為通過；若所述第二寫入ecc校驗碼與所述第二讀取ecc校驗碼不同，則確定所述第三結(jié)果為未通過。

8、在一種可能的實施方式中，對所述目標固態(tài)硬盤進行熱插拔功能測試，得到第四結(jié)果，包括：確定所述目標固態(tài)硬盤的熱插拔操作記錄以及熱插拔檢測記錄，所述熱插拔操作記錄包括操作熱插拔的多個第一時刻，所述熱插拔檢測記錄包括所述測試系統(tǒng)檢測到熱插拔的多個第二時刻；若所述多個第二時刻與所述多個第一時刻相同，則確定所述第四結(jié)果為通過；若所述多個第二時刻與所述多個第一時刻不同，則確定所述第四結(jié)果為未通過。

9、第二方面，本技術(shù)提供一種固態(tài)硬盤的測試裝置，包括：識別模塊，用于對測試系統(tǒng)的多個固態(tài)硬盤接口進行在位檢測，得到多個目標固態(tài)硬盤對應(yīng)的多個固態(tài)硬盤標識，所述多個目標固態(tài)硬盤與所述測試系統(tǒng)建立連接；測試模塊，用于對所述多個目標固態(tài)硬盤分別進行目標測試，得到所述多個目標固態(tài)硬盤對應(yīng)的多個測試結(jié)果；生成模塊，用于根據(jù)所述多個固態(tài)硬盤標識以及所述多個測試結(jié)果，生成測試報告。

10、在一種可能的實施方式中，所述識別模塊，具體用于通過集成電路間總線接收在位信號，所述在位信號為現(xiàn)場可編程邏輯門陣列對所述多個固態(tài)硬盤接口分別進行檢測得到；所述識別模塊，具體還用于對所述在位信號進行識別處理，得到所述多個目標固態(tài)硬盤對應(yīng)的多個固態(tài)硬盤標識。

11、在一種可能的實施方式中，針對任意一個目標固態(tài)硬盤；所述測試模塊，具體用于確定所述目標固態(tài)硬盤的當前信息以及標準信息，并根據(jù)所述當前信息以及所述標準信息對所述目標固態(tài)硬盤進行第一連接測試，得到第一結(jié)果，所述第一結(jié)果包括通過或者未通過；所述測試模塊，具體還用于若所述第一結(jié)果為通過，則對所述目標固態(tài)硬盤進行性能測試，得到第二結(jié)果，所述第二結(jié)果包括通過或者未通過；所述測試模塊，具體還用于若所述第二結(jié)果為通過，則對所述目標固態(tài)硬盤進行ecc測試，得到第三結(jié)果，所述第三結(jié)果包括通過或者未通過；所述測試模塊，具體還用于若所述第三結(jié)果為通過，則對所述目標固態(tài)硬盤進行熱插拔功能測試，得到第四結(jié)果，所述第四結(jié)果包括通過或者未通過；所述測試模塊，具體還用于若所述第四結(jié)果為通過，則確定所述測試結(jié)果包括所述第一結(jié)果、所述第二結(jié)果、所述第三結(jié)果、以及所述第四結(jié)果。

12、在一種可能的實施方式中，所述裝置還包括：執(zhí)行模塊，用于根據(jù)所述在位信號，確定所述目標固態(tài)硬盤的路徑；所述執(zhí)行模塊，還用于根據(jù)所述路徑、預(yù)設(shè)單元塊信息、以及預(yù)設(shè)文件，對所述目標固態(tài)硬盤進行多次讀寫測試，得到多個目標寫入速率以及目標讀取速率，所述路徑用于指示讀寫測試的數(shù)據(jù)位置，所述預(yù)設(shè)單元塊信息用于指示讀寫測試的數(shù)據(jù)量，所述預(yù)設(shè)文件包含讀寫測試的測試數(shù)據(jù)；所述執(zhí)行模塊，還用于若連續(xù)預(yù)設(shè)次數(shù)的讀寫測試對應(yīng)的目標寫入速率以及目標讀取速率均大于或者等于標準速率，則確定所述第二結(jié)果為通過；所述執(zhí)行模塊，還用于若存在任意一次讀寫測試對應(yīng)的目標寫入速率和/或目標讀取速率小于標準速率，則確定所述第二結(jié)果為未通過。

13、在一種可能的實施方式中，所述裝置還包括：處理模塊，用于從所述目標固態(tài)硬盤的日志信息中獲取所述性能測試中第一次讀寫測試對應(yīng)的第一寫入ecc校驗碼以及第一讀取ecc校驗碼；所述處理模塊，還用于若所述第一寫入ecc校驗碼與所述第一讀取ecc校驗碼相同，則確定所述第三結(jié)果為通過；所述處理模塊，還用于若所述第一寫入ecc校驗碼與所述第一讀取ecc校驗碼不同，則對所述目標固態(tài)硬盤進行第二連接測試，得到第二連接測試結(jié)果，所述第二連接測試結(jié)果包括通過或者未通過；所述處理模塊，還用于若所述第二連接測試結(jié)果為未通過，則確定所述第三結(jié)果為未通過；所述處理模塊，還用于若所述第二連接測試結(jié)果為通過，則根據(jù)所述性能測試中第二次讀寫測試對應(yīng)的第二寫入ecc校驗碼以及第二讀取ecc校驗碼確定所述第三結(jié)果。

14、在一種可能的實施方式中，所述處理模塊，具體用于從所述目標固態(tài)硬盤的日志信息中獲取所述性能測試中第二次讀寫測試對應(yīng)的第二寫入ecc校驗碼以及第二讀取ecc校驗碼；所述處理模塊，具體還用于若所述第二寫入ecc校驗碼與所述第二讀取ecc校驗碼相同，則確定所述第三結(jié)果為通過；所述處理模塊，具體還用于若所述第二寫入ecc校驗碼與所述第二讀取ecc校驗碼不同，則確定所述第三結(jié)果為未通過。

15、在一種可能的實施方式中，所述裝置還包括：判斷模塊，用于確定所述目標固態(tài)硬盤的熱插拔操作記錄以及熱插拔檢測記錄，所述熱插拔操作記錄包括操作熱插拔的多個第一時刻，所述熱插拔檢測記錄包括所述測試系統(tǒng)檢測到熱插拔的多個第二時刻；所述判斷模塊，還用于若所述多個第二時刻與所述多個第一時刻相同，則確定所述第四結(jié)果為通過；所述判斷模塊，還用于若所述多個第二時刻與所述多個第一時刻不同，則確定所述第四結(jié)果為未通過。

16、第三方面，本技術(shù)提供一種電子設(shè)備，包括：處理器，以及與所述處理器通信連接的存儲器；所述存儲器存儲計算機執(zhí)行指令；所述處理器執(zhí)行所述存儲器存儲的計算機執(zhí)行指令，以實現(xiàn)第一方面中任一項所述的方法。

17、第四方面，本技術(shù)提供一種計算機可讀存儲介質(zhì)，所述計算機可讀存儲介質(zhì)中存儲有計算機執(zhí)行指令，所述計算機執(zhí)行指令被處理器執(zhí)行如第一方面中任一項所述的方法。

18、第五方面，本技術(shù)提供一種計算機程序產(chǎn)品，包括計算機程序，所述計算機程序被處理器執(zhí)行如第一方面中任一項所述的方法。

19、本技術(shù)提供的固態(tài)硬盤的測試方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)，方法包括：對測試系統(tǒng)的多個固態(tài)硬盤接口進行在位檢測，得到多個目標固態(tài)硬盤對應(yīng)的多個固態(tài)硬盤標識，所述多個目標固態(tài)硬盤與所述測試系統(tǒng)建立連接；對所述多個目標固態(tài)硬盤分別進行目標測試，得到所述多個目標固態(tài)硬盤對應(yīng)的多個測試結(jié)果；根據(jù)所述多個固態(tài)硬盤標識以及所述多個測試結(jié)果，生成測試報告。以上方案，通過多個項目對目標固態(tài)硬盤進行測試，可以從多個維度評估目標固態(tài)硬盤，從而提升測試的準確性。