本發(fā)明涉及內(nèi)存接口領(lǐng)域，具體涉及一種驅(qū)動器。

背景技術(shù)：

1、內(nèi)存接口中的雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（double?data?ratesynchronous?dynamic?random?access?memory,?ddr?sdram）對于高速動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（dynamic?random?access?memory，dram）系統(tǒng)至關(guān)重要。

2、內(nèi)存接口發(fā)送的數(shù)據(jù)、時鐘、地址和指令等高速信號需通過信道傳輸?shù)絛ram顆粒。在雙倍數(shù)據(jù)率（double?data?rate，ddr）高速鏈路中，信號的完整性直接決定了系統(tǒng)的整體性能。信道的高頻衰減可能導(dǎo)致信號擺率（slew?rate,?sr）過小，進(jìn)而引發(fā)嚴(yán)重的碼間干擾，影響眼圖的質(zhì)量。反之，如果信號的信號擺率過大，則可能因芯片封裝中的寄生電感產(chǎn)生感應(yīng)噪聲，并增加ddr信號間的串?dāng)_。因此，內(nèi)存接口必須控制輸出信號的擺率以優(yōu)化信號完整性。

3、為了實(shí)現(xiàn)良好的信號完整性，ddr高速鏈路需要內(nèi)存接口發(fā)射端支持輸出具有不同信號擺率的高速信號來適應(yīng)各種信道條件。

4、圖1是目前的發(fā)射端驅(qū)動器輸出擺率調(diào)節(jié)方案示意圖，主要包括速率控制器和輸出驅(qū)動器模塊。速率控制器將輸入信號分為多組具有不同延遲的信號。通過擺率調(diào)節(jié)信號實(shí)現(xiàn)信號之間的不同時延。這些不同時延的信號經(jīng)預(yù)驅(qū)動器驅(qū)動后送入分組的輸出驅(qū)動器。由于各路信號的時延不同，各組輸出驅(qū)動器的開關(guān)導(dǎo)通時間也不一致。將這些驅(qū)動器輸出疊加即可獲得所需的輸出擺率。通過調(diào)整擺率調(diào)節(jié)信號，可進(jìn)一步調(diào)節(jié)各路信號的時延差，從而達(dá)到精確控制輸出擺率的目的。

5、然而，這種方案實(shí)現(xiàn)較為復(fù)雜，為了適應(yīng)工藝、電壓和溫度變化，需要較多的延時控制單元和更精細(xì)的延時控制步長，這會增加系統(tǒng)的整體面積和功耗。

6、本發(fā)明提出了一種用于調(diào)節(jié)內(nèi)存接口發(fā)射端輸出信號擺率的方案，該方案可通過編碼配置不同的信號擺率值。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了緩解或部分緩解上述技術(shù)問題，本發(fā)明的解決方案如下所述：

2、一種驅(qū)動器，包括第一驅(qū)動器、第二驅(qū)動器和輸出驅(qū)動器；其中，屬于反相器結(jié)構(gòu)的第一預(yù)驅(qū)動器輸出正端數(shù)據(jù)信號，以控制輸出驅(qū)動器中的第五pmos管的柵極；屬于反相器結(jié)構(gòu)的第二預(yù)驅(qū)動器輸出負(fù)端數(shù)據(jù)信號，以控制輸出驅(qū)動器中的第五nmos管的柵極；第六pmos管的源極接入vdd，第六pmos管的柵極連接第六pmos管的漏極、第一pmos管的柵極以及第一參考電流源的輸入端，第三參考電流源的輸出端連接第六nmos管的漏極和第六nmos管的柵極以及第二nmos管的柵極，第六nmos管n6的源極接入vss，其中第一預(yù)驅(qū)動器包括第一pmos管和第二nmos管；第七pmos管的源極接入vdd，第七pmos管的柵極連接第七pmos管的漏極、第三pmos管的柵極以及第二參考電流源的輸入端，第四參考電流源的輸出端連接第七nmos管的漏極和第七nmos管的柵極以及第四nmos管的柵極，第七nmos管的源極接入vss，其中第二預(yù)驅(qū)動器包括第三pmos管和第四nmos管。

3、進(jìn)一步地，所述第一預(yù)驅(qū)動器包括第一pmos管、第二pmos管、第一nmos管和第二nmos管，且具有如下連接關(guān)系：第一pmos管的源極接入vdd，第一pmos管的漏極連接第二pmos管的源極；第二pmos管的漏極連接第一nmos管的漏極；第一nmos管的源極連接第二nmos管的漏極，第二nmos管的源極接入vss；此外，第二pmos管的柵極和第一nmos管的柵極，均連接輸入信號；第二pmos管的漏極引出正端數(shù)據(jù)信號。

4、進(jìn)一步地，第二預(yù)驅(qū)動器包括第三pmos管、第四pmos管、第三nmos管和第四nmos管，且具有如下連接關(guān)系：第三pmos管的源極接入vdd，第三pmos管的漏極連接第四pmos管的源極；第四pmos管的漏極連接第三nmos管的漏極；第三nmos管的源極連接第四nmos管的漏極，第四nmos管的源極接入vss；此外，第四pmos管的柵極和第三nmos管的柵極，均連接輸入信號；第四pmos管的漏極引出負(fù)端數(shù)據(jù)信號。

5、進(jìn)一步地，所述輸出驅(qū)動器包括pmos管、nmos管、第一電阻和第二電阻；第五pmos管的源極接入vdd，第五pmos管的漏極連接第一電阻的第一端，第一電阻的第二端連接第二電阻的第一端，且作為輸出端子引出輸出信號，第二電阻的第二端連接第五nmos管的漏極，第五nmos管的源極接入vss。

6、進(jìn)一步地，通過調(diào)節(jié)第一參考電流源輸出電流的大小、第二參考電流源輸出電流的大小、第三參考電流源輸出電流的大小和第四參考電流源輸出電流的大小，調(diào)節(jié)正端數(shù)據(jù)信號的跳變速度和負(fù)端數(shù)據(jù)信號的跳變速度。

7、進(jìn)一步地，在第一配置中，第一參考電流源輸出電流的調(diào)控配置、第二參考電流源輸出電流的調(diào)控配置、第三參考電流源輸出電流的調(diào)控配置和第四參考電流源輸出電流的調(diào)控配置，均相同。

8、進(jìn)一步地，在第二配置中，第一參考電流源輸出電流和第四參考電流源輸出電流均小于第二參考電流源輸出電流和第三參考電流源輸出電流；通過改變第二參考電流源輸出電流的大小和第三參考電流源輸出電流的大小，改變正端數(shù)據(jù)信號的下降速度和負(fù)端數(shù)據(jù)信號的上升速度。

9、進(jìn)一步地，在第三配置中，第一參考電流源輸出電流和第四參考電流源輸出電流均大于第二參考電流源輸出電流和第三參考電流源輸出電流；通過改變第二參考電流源輸出電流的大小和第三參考電流源輸出電流的大小，改變正端數(shù)據(jù)信號的下降速度和負(fù)端數(shù)據(jù)信號的上升速度。

10、進(jìn)一步地，第一參考電流源輸出電流、第二參考電流源輸出電流、第三參考電流源輸出電流和第四參考電流源輸出電流均是由帶隙電壓生成的。

11、本發(fā)明技術(shù)方案，具有如下有益的技術(shù)效果之一或多個：

12、（1）基于電流控制輸出信號擺率，電路結(jié)構(gòu)簡單降低了芯片硅成本，可以通過各參考電流的獨(dú)立調(diào)節(jié)，靈活實(shí)現(xiàn)輸出信號擺率的調(diào)節(jié)。

13、（2）通過加大電流增加正端數(shù)據(jù)信號上升速度、負(fù)端數(shù)據(jù)信號下降速度，減小同時導(dǎo)通時間，減小驅(qū)動器在輸出擺率較小時的短路電流，減小功耗。

14、（3）參考電流均是帶隙參考電壓生產(chǎn)，輸出信號擺率受工藝、溫度、電壓變化影響較小。

15、此外，本發(fā)明還具有的其它有益效果將在具體實(shí)施例中提及。

技術(shù)特征：

1.一種驅(qū)動器，其特征在于：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動器，其特征在于：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動器，其特征在于：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的驅(qū)動器，其特征在于：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的驅(qū)動器，其特征在于：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的驅(qū)動器，其特征在于：

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的驅(qū)動器，其特征在于：

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的驅(qū)動器，其特征在于：

9.根據(jù)權(quán)利要求6或7或8所述的驅(qū)動器，其特征在于：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種驅(qū)動器。為降低硅成本和功耗，本發(fā)明的驅(qū)動器包括第一驅(qū)動器、第二驅(qū)動器和輸出驅(qū)動器；屬于反相器結(jié)構(gòu)的第一預(yù)驅(qū)動器輸出正端數(shù)據(jù)信號，以控制輸出驅(qū)動器中的第五PMOS管的柵極；屬于反相器結(jié)構(gòu)的第二預(yù)驅(qū)動器輸出負(fù)端數(shù)據(jù)信號，以控制輸出驅(qū)動器中的第五NMOS管的柵極。此外，本發(fā)明的驅(qū)動器通過四個參考電流源來調(diào)節(jié)負(fù)端數(shù)據(jù)信號和正端數(shù)據(jù)信號的跳變速度，由此獨(dú)立且靈活地調(diào)節(jié)驅(qū)動器輸出信號擺率。本發(fā)明具有低功耗、低成本的優(yōu)勢。

技術(shù)研發(fā)人員：請求不公布姓名,請求不公布姓名,請求不公布姓名,請求不公布姓名,請求不公布姓名
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都電科星拓科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21