本申請實施例涉及芯片檢測領(lǐng)域，特別涉及一種efuse存儲器編程電流曲線的測量方法。

背景技術(shù)：

1、efuse存儲器是一種一次性可編程存儲器，efuse存儲器以熔絲的方式存儲信息，當熔絲沒有被熔斷時，存儲的信息表示為“0”，當熔絲被熔斷后，存儲的信息表示為“1”。給efuse存儲器io端口信號激勵，使efuse存儲器處于編程模式，選擇相應(yīng)的地址，即可將該地址的熔絲熔斷，從而一次性的改變該地址存儲的信息。采用efuse存儲器i/o電路的片上電壓，一個持續(xù)4us的15ma直流脈沖就足以編程單根熔絲。因此，efuse存儲器編程時(熔斷熔絲)的電流曲線測量方法尤為重要，反映了efuse存儲器編程時熔斷電流的變化情況。

2、相關(guān)技術(shù)中，測量efuse存儲器的編程電流曲線的方法通常有兩種，第一種是利用ate(集成電路自動測試機)的io板卡，給efuse存儲器io端口信號激勵，同時利用ate(集成電路自動測試機)的電源板卡，給efuse存儲器提供電源。在編程的同時，電源板卡不斷的采集電流值，將采集到的電流值繪制成編程電流曲線。第二種是利用ate(集成電路自動測試機)的io板卡，給efuse存儲器io端口信號激勵，同時利用ate(集成電路自動測試機)的電源板卡，給efuse存儲器提供電源，使用示波器的電流探頭，監(jiān)控efuse存儲器的工作電流。在編程的同時，利用示波器抓取efuse存儲器的編程電流曲線。

3、上述兩種方案中，第一種方案中efuse存儲器在編程時，熔斷時間僅在4us左右，如果想測量電流曲線，起碼要在4us中采樣10個點以上，普通的ate最小采樣周期為5us，無法滿足測量電流曲線的條件。第二種示波器的采樣率非可以滿足采樣點數(shù)的要求，但efuse存儲器在編程時，熔斷電流峰值在15ma左右，需要電流測量精度在ua級別，然而市面上的示波器的最小分辨率進位1ma并不能滿足精度要求，導致測繪的電流曲線不精準。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┮环Nefuse存儲器編程電流曲線的測量方法，解決相關(guān)技術(shù)中使用ate和示波器無法達到采樣進度和檢測進度的問題。所述方法包括：

2、啟動集成電路自動測試機ate，并將io板卡設(shè)置為空跑循環(huán)運行模式；

3、控制半導體參數(shù)分析儀向ate發(fā)送觸發(fā)信號，并對待編程efuse存儲器進行供電和電流采集；

4、所述ate基于接收到的觸發(fā)信號觸發(fā)編程操作，根據(jù)目標程序及編寫地址生成對efuse存儲器的激勵信號；efuse存儲器目標地址的熔絲根據(jù)程序信息編程熔斷；

5、從半導體參數(shù)分析儀中提取目標檢測時間內(nèi)采集到的電流信息，按照時間順序繪制成編程電流曲線。

6、具體的，所述半導體參數(shù)分析儀設(shè)置有超快速脈沖測量單元pmu板卡；所述pmu板卡分別連接到ate的io板卡與efuse存儲器的電源端口上，分別向ate發(fā)送觸發(fā)信號，以及向efuse存儲器供電和采集電流值。

7、具體的，所述ate通過io板卡連接到efuse存儲器的io端口，根據(jù)半導體參數(shù)分析儀的觸發(fā)指令生成激勵信號，并將激勵信號發(fā)送到io端口。

8、具體的，當ate的io板卡未接收到觸發(fā)信號時，處于空跑循環(huán)運行模式，當io板卡接收到觸發(fā)信號時，確定程序信息和編程地址，生成并發(fā)送激勵信號至io端口。

9、具體的，所述ate裝配至少8張io板卡，單張io板卡為128通道傳輸。

10、具體的，所述pmu板卡的采樣率為200msa/s，電流分辨率為75na。

11、具體的，當所述pmu板卡向ate發(fā)送觸發(fā)指令時，同步向efuse存儲器供電，并提前采集電流值。

12、具體的，所述pmu板卡的采樣周期為400ns，逐步采集30000個采樣點，供電電壓持續(xù)時間為12ms。

13、具體的，當所述ate接收到半導體參數(shù)分析儀的結(jié)束信號時，停止編程操作，將io板卡重新設(shè)置為空跑循環(huán)運行模式。

14、具體的，將電流曲線中對應(yīng)時刻的電流值與目標地址和目標程序進行關(guān)聯(lián)，當目標地址對應(yīng)的電流值超過設(shè)定值閾值范圍時，指示熔絲熔斷異常。

15、本申請實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果至少包括：本申請利用ate的io板卡和半導體參數(shù)分析儀的pmu板卡聯(lián)動，充分發(fā)揮了ate的io板卡的多通道激勵特性和pmu板卡的高采樣率和高電流分辨率的特性，測量efuse存儲器編程電流曲線。利用ate的io板卡空跑循環(huán)，等待半導體參數(shù)分析儀給出的觸發(fā)信號，從而達到兩種設(shè)備聯(lián)動的效果，而pmu的采樣頻率和精度完全滿足電流分析要求，從而實現(xiàn)精準測量的目的。

技術(shù)特征：

1.一種efuse存儲器編程電流曲線的測量方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體參數(shù)分析儀設(shè)置有超快速脈沖測量單元pmu板卡；所述pmu板卡分別連接到ate的io板卡與efuse存儲器的電源端口上，分別向ate發(fā)送觸發(fā)信號，以及向efuse存儲器供電和采集電流值。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述ate通過io板卡連接到efuse存儲器的io端口，根據(jù)半導體參數(shù)分析儀的觸發(fā)指令生成激勵信號，并將激勵信號發(fā)送到io端口。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，當ate的io板卡未接收到觸發(fā)信號時，處于空跑循環(huán)運行模式，當io板卡接收到觸發(fā)信號時，確定程序信息和編程地址，生成并發(fā)送激勵信號至io端口。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，所述ate裝配至少8張io板卡，單張io板卡為128通道傳輸。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述pmu板卡的采樣率為200msa/s，電流分辨率為75na。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，當所述pmu板卡向ate發(fā)送觸發(fā)指令時，同步向efuse存儲器供電，并提前采集電流值。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述pmu板卡的采樣周期為400ns，逐步采集30000個采樣點，供電電壓持續(xù)時間為12ms。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，當所述ate接收到半導體參數(shù)分析儀的結(jié)束信號時，停止編程操作，將io板卡重新設(shè)置為空跑循環(huán)運行模式。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，將電流曲線中對應(yīng)時刻的電流值與目標地址和目標程序進行關(guān)聯(lián)，當目標地址對應(yīng)的電流值超過設(shè)定值閾值范圍時，指示熔絲熔斷異常。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開一種eFuse存儲器編程電流曲線的測量方法，芯片檢測領(lǐng)域，包括啟動集成電路自動測試機ATE，并將IO板卡設(shè)置為空跑循環(huán)運行模式；控制半導體參數(shù)分析儀向ATE發(fā)送觸發(fā)信號，并對待編程eFuse存儲器進行供電和電流采集；ATE基于接收到的觸發(fā)信號觸發(fā)編程操作，根據(jù)目標程序及編寫地址生成對eFuse存儲器的激勵信號；從半導體參數(shù)分析儀中提取目標檢測時間內(nèi)采集到的電流信息，按照時間順序繪制成編程電流曲線。利用ATE的IO板卡和半導體參數(shù)分析儀的PMU板卡聯(lián)動，充分發(fā)揮了ATE的IO板卡的多通道激勵特性和PMU板卡的高采樣率和高電流分辨率的特性，獲取高精度的eFuse存儲器編程電流曲線。

技術(shù)研發(fā)人員：楊書才,謝斌,潘成昊,孫位
受保護的技術(shù)使用者：長三角集成電路工業(yè)應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21