本發(fā)明涉及存儲(chǔ)設(shè)備，特別是涉及基于存儲(chǔ)設(shè)備的控制方法及裝置、設(shè)備、介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、隨著信息技術(shù)和大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展，存儲(chǔ)設(shè)備作為存儲(chǔ)系統(tǒng)中數(shù)據(jù)保存和訪問(wèn)的基本單元以及關(guān)鍵部分，其性能和穩(wěn)定性對(duì)于整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)至關(guān)重要。硬盤是存儲(chǔ)設(shè)備的主要部件，而硬盤上電過(guò)程中的浪涌電流問(wèn)題一直是影響存儲(chǔ)系統(tǒng)穩(wěn)定性和數(shù)據(jù)安全性的重要因素。

2、浪涌電流是指電子設(shè)備在開(kāi)機(jī)或電源接通瞬間，由于電容、電感等元件的充電或放電效應(yīng)，產(chǎn)生的瞬間大電流。存儲(chǔ)設(shè)備可能擁有幾十上百個(gè)硬盤，當(dāng)多個(gè)硬盤同時(shí)上電時(shí)，浪涌電流可能超過(guò)電源或電路板的承受極限，導(dǎo)致電源損壞、電路板燒毀，甚至引發(fā)火災(zāi)等安全事故。同時(shí)，浪涌電流還可能對(duì)硬盤內(nèi)部的電路和機(jī)械結(jié)構(gòu)造成沖擊，影響硬盤的壽命和性能。

3、在相關(guān)技術(shù)中，通過(guò)在存儲(chǔ)設(shè)備所在電路中設(shè)置熱敏電阻或電磁繼電器等元件，可以在一定程度上抑制浪涌電流。然而，這種方法受限于元件本身的性能和壽命，具有可靠性和穩(wěn)定性差、缺乏靈活性的問(wèn)題，無(wú)法滿足存儲(chǔ)系統(tǒng)多硬盤同時(shí)上電時(shí)對(duì)浪涌電流抑制的高要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于上述問(wèn)題，提出了以便提供克服上述問(wèn)題或者至少部分地解決上述問(wèn)題的存儲(chǔ)設(shè)備的控制方法及裝置、設(shè)備、介質(zhì)，包括：

2、一種基于存儲(chǔ)設(shè)備的控制方法，所述存儲(chǔ)設(shè)備與電源連接，所述存儲(chǔ)設(shè)備設(shè)置有多個(gè)硬盤，所述方法包括：

3、響應(yīng)于對(duì)所述多個(gè)硬盤上電的請(qǐng)求，將所述多個(gè)硬盤劃分為多個(gè)硬盤組，并確定所述多個(gè)硬盤組對(duì)應(yīng)的上電順序；

4、獲取所述存儲(chǔ)設(shè)備支持通過(guò)最大的第一電流值；

5、按照所述上電順序控制所述多個(gè)硬盤組進(jìn)行上電；

6、在控制所述多個(gè)硬盤組進(jìn)行上電的過(guò)程中，當(dāng)所述多個(gè)硬盤組中的第一目標(biāo)硬盤組完成上電后，檢測(cè)所述電源的第二電流值；

7、根據(jù)所述第一電流值和所述第二電流值的對(duì)比結(jié)果，調(diào)整所述第一目標(biāo)硬盤組中已上電硬盤的數(shù)量。

8、可選地，所述根據(jù)所述第一電流值和所述第二電流值的對(duì)比結(jié)果，調(diào)整所述第一目標(biāo)硬盤組中已上電硬盤的數(shù)量，包括：

9、確定所述第一電流值對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)區(qū)間；

10、若所述第二電流值小于或等于所述預(yù)設(shè)區(qū)間的最小值，則增加所述第一目標(biāo)硬盤組中已上電硬盤的數(shù)量；

11、若所述第二電流值大于或等于所述預(yù)設(shè)區(qū)間的最大值，則減少所述第一目標(biāo)硬盤組中已上電硬盤的數(shù)量。

12、可選地，所述方法還包括：

13、若所述第一目標(biāo)硬盤組不為在所述上電順序中排序在最末位的硬盤組，則在未上電的硬盤組中確定第二目標(biāo)硬盤組；

14、若所述第二電流值小于或等于所述預(yù)設(shè)區(qū)間的最小值，則增加所述第一目標(biāo)硬盤組中第一數(shù)量的已上電硬盤，并減少所述第二目標(biāo)硬盤組中與所述第一數(shù)量相等的待上電硬盤；

15、若所述第二電流值大于或等于所述預(yù)設(shè)區(qū)間的最大值，則減少所述第一目標(biāo)硬盤組中第二數(shù)量的已上電硬盤，并增加所述第二目標(biāo)硬盤組中與所述第二數(shù)量相等的待上電硬盤。

16、可選地，在所述響應(yīng)于對(duì)所述多個(gè)硬盤上電的請(qǐng)求，將所述多個(gè)硬盤劃分為多個(gè)硬盤組，并確定所述多個(gè)硬盤組對(duì)應(yīng)的上電順序之后，還包括：

17、將所述多個(gè)硬盤組對(duì)應(yīng)的第一分組信息，以及所述上電順序?qū)?yīng)的上電順序信息保存到目標(biāo)配置文件中；

18、在所述根據(jù)所述第一電流值和所述第二電流值的對(duì)比結(jié)果，調(diào)整所述第一目標(biāo)硬盤組中已上電硬盤的數(shù)量之后，還包括：

19、根據(jù)所述第一目標(biāo)硬盤組中已上電硬盤的數(shù)量的調(diào)整結(jié)果，確定所述多個(gè)硬盤組對(duì)應(yīng)的第二分組信息；

20、根據(jù)所述第二分組信息，更新所述目標(biāo)配置文件中的第一分組信息。

21、可選地，所述響應(yīng)于對(duì)所述多個(gè)硬盤上電的請(qǐng)求，將所述多個(gè)硬盤劃分為多個(gè)硬盤組，并確定所述多個(gè)硬盤組對(duì)應(yīng)的上電順序，包括：

22、響應(yīng)于對(duì)所述多個(gè)硬盤上電的請(qǐng)求，獲取所述目標(biāo)配置文件；

23、若所述目標(biāo)配置文件不為空，根據(jù)所述目標(biāo)配置文件將所述多個(gè)硬盤劃分為多個(gè)硬盤組，并確定所述多個(gè)硬盤組對(duì)應(yīng)的上電順序。

24、可選地，所述存儲(chǔ)設(shè)備還與復(fù)雜可編程邏輯器件連接，所述復(fù)雜可編程邏輯器件分別與所述存儲(chǔ)設(shè)備中每一個(gè)硬盤連接，并通過(guò)電流檢測(cè)電路與所述電源連接，所述復(fù)雜可編程邏輯器件還設(shè)有快閃存儲(chǔ)器，所述按照所述上電順序控制所述多個(gè)硬盤組進(jìn)行上電，包括：

25、按照所述上電順序，通過(guò)所述復(fù)雜可編程邏輯器件控制所述存儲(chǔ)設(shè)備中每一個(gè)硬盤的使能引腳，以控制所述多個(gè)硬盤組進(jìn)行上電；

26、所述在控制所述多個(gè)硬盤組進(jìn)行上電的過(guò)程中，當(dāng)所述多個(gè)硬盤組中的第一目標(biāo)硬盤組完成上電后，檢測(cè)所述電源的第二電流值，包括：

27、在控制所述多個(gè)硬盤組進(jìn)行上電的過(guò)程中，當(dāng)所述多個(gè)硬盤組中的第一目標(biāo)硬盤組完成上電后，通過(guò)所述電流檢測(cè)電路檢測(cè)所述電源的第二電流值；

28、在所述將所述多個(gè)硬盤組對(duì)應(yīng)的第一分組信息，以及所述上電順序?qū)?yīng)的上電順序信息保存到目標(biāo)配置文件中之后，還包括：

29、將所述目標(biāo)配置文件保存到所述快閃存儲(chǔ)器；

30、所述響應(yīng)于對(duì)所述多個(gè)硬盤上電的請(qǐng)求，獲取目標(biāo)配置文件，包括：

31、響應(yīng)于在同一個(gè)時(shí)刻所述多個(gè)硬盤上電的請(qǐng)求，從所述快閃存儲(chǔ)器中獲取所述目標(biāo)配置文件。

32、可選地，所述響應(yīng)于對(duì)所述多個(gè)硬盤上電的請(qǐng)求，將所述多個(gè)硬盤劃分為多個(gè)硬盤組，并確定所述多個(gè)硬盤組對(duì)應(yīng)的上電順序，還包括：

33、響應(yīng)于對(duì)所述多個(gè)硬盤上電的請(qǐng)求，獲取所述存儲(chǔ)設(shè)備支持的最大硬盤數(shù)量；

34、根據(jù)所述最大硬盤數(shù)量以及所述多個(gè)硬盤的總數(shù)量，將所述多個(gè)硬盤劃分為多個(gè)硬盤組，并確定所述多個(gè)硬盤組對(duì)應(yīng)的上電順序。

35、一種基于存儲(chǔ)設(shè)備的控制裝置，其特征在于，所述存儲(chǔ)設(shè)備與電源連接，所述存儲(chǔ)設(shè)備設(shè)置有多個(gè)硬盤，所述裝置包括：

36、硬盤分組模塊，用于響應(yīng)于在同一個(gè)時(shí)刻所述多個(gè)硬盤上電的請(qǐng)求，將所述多個(gè)硬盤劃分為多個(gè)硬盤組，并確定所述多個(gè)硬盤組對(duì)應(yīng)的上電順序；

37、第一電流值獲取模塊，用于獲取所述存儲(chǔ)設(shè)備支持通過(guò)最大的第一電流值；

38、控制上電模塊，用于按照所述上電順序控制所述多個(gè)硬盤組進(jìn)行上電；

39、第二電流值檢測(cè)模塊，用于當(dāng)所述多個(gè)硬盤組中的第一目標(biāo)硬盤組完成上電后，檢測(cè)所述電源的第二電流值；

40、硬盤數(shù)量調(diào)整模塊，用于根據(jù)所述第一電流值和所述第二電流值的對(duì)比結(jié)果，調(diào)整所述第一目標(biāo)硬盤組中硬盤的數(shù)量。

41、一種電子設(shè)備，其特征在于，包括處理器、存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器上并能夠在所述處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被所述處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如上所述的基于存儲(chǔ)設(shè)備的控制方法。

42、一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如上所述的基于存儲(chǔ)設(shè)備的控制方法。

43、本發(fā)明實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)：通過(guò)響應(yīng)于對(duì)多個(gè)硬盤上電的請(qǐng)求，將多個(gè)硬盤劃分為多個(gè)硬盤組，并確定多個(gè)硬盤組對(duì)應(yīng)的上電順序，獲取存儲(chǔ)設(shè)備支持通過(guò)最大的第一電流值，按照上電順序控制多個(gè)硬盤組進(jìn)行上電，在控制多個(gè)硬盤組進(jìn)行上電的過(guò)程中，當(dāng)多個(gè)硬盤組中的第一目標(biāo)硬盤組完成上電后，檢測(cè)電源的第二電流值，根據(jù)第一電流值和第二電流值的對(duì)比結(jié)果，調(diào)整第一目標(biāo)硬盤組中已上電硬盤的數(shù)量，實(shí)現(xiàn)了對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備中硬盤上電數(shù)量的動(dòng)態(tài)控制，有效減少浪涌電流的不良影響，確保了存儲(chǔ)設(shè)備高效、安全運(yùn)行。