本發(fā)明涉及一種存儲器管理技術(shù)，尤其涉及一種電性參數(shù)調(diào)整方法、存儲器存儲裝置及存儲器控制電路單元。
背景技術(shù)：
：：1、移動電話與筆記本計算機(jī)等可攜式電子裝置在這幾年來的成長十分迅速，使得消費者對存儲媒體的需求也急速增加。由于可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊(rewritable?non-volatile?memory?module)(例如，快閃存儲器)具有數(shù)據(jù)非易失性、省電、體積小，以及無機(jī)械結(jié)構(gòu)等特性，所以非常適合內(nèi)建于上述所舉例的各種可攜式電子裝置中。2、另一方面，隨著人工智能技術(shù)的發(fā)展，中央處理單元(central?processing?unit,cpu)、圖形處理單元(graphic?processing?unit,gpu)、圖像處理單元(video?processingunit,vpu)、神經(jīng)處理單元(neural?network?processing?unit,npu)及張量處理單元(tensor?processing?unit,tpu)等處理電路對于可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的存取頻率(特別是數(shù)據(jù)寫入頻率)也大為增加，從而導(dǎo)致可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的損耗速度也大幅提升。因此，如何因應(yīng)人工智能模型的運算過程中對可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊執(zhí)行的大量存取行為所導(dǎo)致的可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的加速損耗，實為本領(lǐng)域技術(shù)人員所致力研究的課題之一。技術(shù)實現(xiàn)思路1、本發(fā)明提供一種電性參數(shù)調(diào)整方法、存儲器存儲裝置及存儲器控制電路單元，可改善上述問題。2、本發(fā)明的范例實施例提供一種電性參數(shù)調(diào)整方法，其用于可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊，其中所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊包括多個實體單元，且所述電性參數(shù)調(diào)整方法包括：檢測所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的狀態(tài)；響應(yīng)于所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的所述狀態(tài)符合第一條件，發(fā)送單階讀取指令，其中所述單階讀取指令指示基于特定電壓來讀取所述多個實體單元中的第一實體單元，且所述特定電壓為對應(yīng)于所述第一實體單元的讀取導(dǎo)通電壓；以及根據(jù)所述單階讀取指令的讀取結(jié)果，調(diào)整所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的至少一電性參數(shù)。3、在本發(fā)明的范例實施例中，檢測所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的所述狀態(tài)的步驟包括：獲得損耗評估值，其中所述損耗評估值反映所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的損耗狀態(tài)；以及響應(yīng)于所述損耗評估值達(dá)到第一臨界值，判定所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的所述狀態(tài)符合所述第一條件。4、在本發(fā)明的范例實施例中，對應(yīng)于所述第一實體單元的所述讀取導(dǎo)通電壓用于在對所述多個實體單元中的第二實體單元執(zhí)行讀取操作的期間，施加至所述第一實體單元，以導(dǎo)通所述第一實體單元中的多個存儲單元。5、在本發(fā)明的范例實施例中，所述至少一電性參數(shù)包括對應(yīng)于所述第一實體單元的程序化電壓、對應(yīng)于所述第一實體單元的程序化導(dǎo)通電壓、對應(yīng)于所述第一實體單元的抹除電壓、對應(yīng)于所述第一實體單元的抹除驗證電壓及對應(yīng)于所述第一實體單元的所述讀取導(dǎo)通電壓的至少其中之一。6、在本發(fā)明的范例實施例中，調(diào)整所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的所述至少一電性參數(shù)的步驟包括：降低對應(yīng)于所述第一實體單元的所述程序化電壓、降低對應(yīng)于所述第一實體單元的所述程序化導(dǎo)通電壓、降低對應(yīng)于所述第一實體單元的所述抹除電壓、提高對應(yīng)于所述第一實體單元的所述抹除驗證電壓及提高對應(yīng)于所述第一實體單元的所述讀取導(dǎo)通電壓的至少其中之一。7、在本發(fā)明的范例實施例中，根據(jù)所述單階讀取指令的所述讀取結(jié)果，調(diào)整所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的所述至少一電性參數(shù)的步驟包括：響應(yīng)于通過所述單階讀取指令讀取到的多個目標(biāo)比特的總數(shù)達(dá)到第二臨界值，調(diào)整所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的所述至少一電性參數(shù)。8、在本發(fā)明的范例實施例中，所述多個目標(biāo)比特的總數(shù)反映所述第一實體單元中的至少一目標(biāo)存儲單元的總數(shù)，且每一個目標(biāo)存儲單元的臨界電壓皆大于所述特定電壓。9、本發(fā)明的范例實施例另提供一種存儲器存儲裝置，其包括連接接口單元、可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊及存儲器控制電路單元。所述連接接口單元用以連接至主機(jī)系統(tǒng)。所述存儲器控制電路單元連接至所述連接接口單元與所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊。所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊包括多個實體單元。所述存儲器控制電路單元用以：檢測所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的狀態(tài)；響應(yīng)于所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的所述狀態(tài)符合第一條件，發(fā)送單階讀取指令，其中所述單階讀取指令指示基于特定電壓來讀取所述多個實體單元中的第一實體單元，且所述特定電壓為對應(yīng)于所述第一實體單元的讀取導(dǎo)通電壓；以及根據(jù)所述單階讀取指令的讀取結(jié)果，調(diào)整所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的至少一電性參數(shù)。10、在本發(fā)明的范例實施例中，所述存儲器控制電路單元檢測所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的所述狀態(tài)的操作包括：獲得損耗評估值，其中所述損耗評估值反映所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的損耗狀態(tài)；以及響應(yīng)于所述損耗評估值達(dá)到第一臨界值，判定所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的所述狀態(tài)符合所述第一條件。11、在本發(fā)明的范例實施例中，所述存儲器控制電路單元調(diào)整所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的所述至少一電性參數(shù)的操作包括：降低對應(yīng)于所述第一實體單元的所述程序化電壓、降低對應(yīng)于所述第一實體單元的所述程序化導(dǎo)通電壓、降低對應(yīng)于所述第一實體單元的所述抹除電壓、提高對應(yīng)于所述第一實體單元的所述抹除驗證電壓及提高對應(yīng)于所述第一實體單元的所述讀取導(dǎo)通電壓的至少其中之一。12、在本發(fā)明的范例實施例中，所述存儲器控制電路單元根據(jù)所述單階讀取指令的所述讀取結(jié)果，調(diào)整所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的所述至少一電性參數(shù)的操作包括：響應(yīng)于通過所述單階讀取指令讀取到的多個目標(biāo)比特的總數(shù)達(dá)到第二臨界值，調(diào)整所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的所述至少一電性參數(shù)。13、本發(fā)明的范例實施例另提供一種存儲器控制電路單元，其用以控制可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊。所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊包括多個實體單元。所述存儲器控制電路單元包括主機(jī)接口、存儲器接口及存儲器管理電路。所述主機(jī)接口用以連接至主機(jī)系統(tǒng)。所述存儲器接口用以連接至所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊。所述存儲器管理電路連接至所述主機(jī)接口與所述存儲器接口。所述存儲器管理電路用以：檢測所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的狀態(tài)；響應(yīng)于所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的所述狀態(tài)符合第一條件，發(fā)送單階讀取指令，其中所述單階讀取指令指示基于特定電壓來讀取所述多個實體單元中的第一實體單元，且所述特定電壓為對應(yīng)于所述第一實體單元的讀取導(dǎo)通電壓；以及根據(jù)所述單階讀取指令的讀取結(jié)果，調(diào)整所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的至少一電性參數(shù)。14、在本發(fā)明的范例實施例中，所述存儲器管理電路檢測所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的所述狀態(tài)的操作包括：獲得損耗評估值，其中所述損耗評估值反映所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的損耗狀態(tài)；以及響應(yīng)于所述損耗評估值達(dá)到第一臨界值，判定所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的所述狀態(tài)符合所述第一條件。15、在本發(fā)明的范例實施例中，所述存儲器管理電路調(diào)整所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的所述至少一電性參數(shù)的操作包括：降低對應(yīng)于所述第一實體單元的所述程序化電壓、降低對應(yīng)于所述第一實體單元的所述程序化導(dǎo)通電壓、降低對應(yīng)于所述第一實體單元的所述抹除電壓、提高對應(yīng)于所述第一實體單元的所述抹除驗證電壓及提高對應(yīng)于所述第一實體單元的所述讀取導(dǎo)通電壓的至少其中之一。16、在本發(fā)明的范例實施例中，所述存儲器管理電路根據(jù)所述單階讀取指令的所述讀取結(jié)果，調(diào)整所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的所述至少一電性參數(shù)的操作包括：響應(yīng)于通過所述單階讀取指令讀取到的多個目標(biāo)比特的總數(shù)達(dá)到第二臨界值，調(diào)整所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的所述至少一電性參數(shù)。17、本發(fā)明的范例實施例另提供一種電性參數(shù)調(diào)整方法，其用于可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊。所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊包括多個實體單元。所述電性參數(shù)調(diào)整方法包括：檢測所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的狀態(tài)；響應(yīng)于所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的所述狀態(tài)符合第一條件，調(diào)整所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的至少一電性參數(shù)，其中調(diào)整所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的至少一電性參數(shù)包括：提高對應(yīng)于所述多個實體單元中的第一實體單元的讀取導(dǎo)通電壓及降低對應(yīng)于所述第一實體單元的程序化導(dǎo)通電壓的至少其中之一。18、本發(fā)明的范例實施例另提供一種存儲器存儲裝置，其包括連接接口單元、可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊及存儲器控制電路單元。所述連接接口單元用以連接至主機(jī)系統(tǒng)。所述存儲器控制電路單元連接至所述連接接口單元與所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊。所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊包括多個實體單元。所述存儲器控制電路單元用以：檢測所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的狀態(tài)；響應(yīng)于所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的所述狀態(tài)符合第一條件，調(diào)整所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的至少一電性參數(shù)，其中調(diào)整所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的至少一電性參數(shù)包括：提高對應(yīng)于所述多個實體單元中的第一實體單元的讀取導(dǎo)通電壓及降低對應(yīng)于所述第一實體單元的程序化導(dǎo)通電壓的至少其中之一。19、本發(fā)明的范例實施例另提供一種存儲器控制電路單元，其用以控制可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊。可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊包括多個實體單元。所述存儲器控制電路單元包括主機(jī)接口、存儲器接口及存儲器管理電路。所述主機(jī)接口用以連接至主機(jī)系統(tǒng)。所述存儲器接口用以連接至所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊。所述存儲器管理電路連接至所述主機(jī)接口與所述存儲器接口。所述存儲器管理電路用以：檢測所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的狀態(tài)；響應(yīng)于所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的所述狀態(tài)符合第一條件，調(diào)整所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的至少一電性參數(shù)，其中調(diào)整所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的至少一電性參數(shù)包括：提高對應(yīng)于所述多個實體單元中的第一實體單元的讀取導(dǎo)通電壓及降低對應(yīng)于所述第一實體單元的程序化導(dǎo)通電壓的至少其中之一。20、基于上述，在檢測可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的狀態(tài)后，響應(yīng)于可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的狀態(tài)符合第一條件，單階讀取指令可被發(fā)送，以指示基于特定電壓來讀取可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊中的第一實體單元。特別是，此特定電壓為對應(yīng)于所述第一實體單元的讀取導(dǎo)通電壓。爾后，可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的至少一電性參數(shù)可根據(jù)此單階讀取指令的讀取結(jié)果進(jìn)行動態(tài)調(diào)整。由此，即便可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊處于被大量存取的操作環(huán)境中，可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的可靠度可被有效提高和/或可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊的使用壽命延長可被有效延長。當(dāng)前第1頁12當(dāng)前第1頁12