1.一種多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦除電路，其特征在于，包括擦除調(diào)節(jié)模塊，所述擦除調(diào)節(jié)模塊用于記錄多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦寫次數(shù)，并根據(jù)所述擦寫次數(shù)調(diào)節(jié)擦除操作的擦除電壓和擦除時(shí)間，所述擦除電壓和/或擦除時(shí)間隨所述擦寫次數(shù)的增加而增加；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦除電路，其特征在于，所述擦除調(diào)節(jié)模塊包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦除電路，其特征在于，所述第一電壓轉(zhuǎn)換單元和第二電壓轉(zhuǎn)換單元均包括修整電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦除電路，其特征在于，所述計(jì)數(shù)器為二進(jìn)制計(jì)數(shù)器，所述電壓調(diào)節(jié)信號生成電路包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦除電路，其特征在于，i＝4，所述計(jì)數(shù)器為13位的計(jì)數(shù)器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦除電路，其特征在于，所述擦寫次數(shù)小于1024次時(shí)，所述擦除電壓為9v，所述擦除時(shí)間為10微秒；所述擦寫次數(shù)為1024次至2047次時(shí)，所述擦除電壓為10v，所述擦除時(shí)間為30微秒；所述擦寫次數(shù)為2048次至4095次時(shí)，所述擦除電壓為11v，所述擦除時(shí)間為100微秒；所述擦寫次數(shù)為4096次至8191次時(shí)，所述擦除電壓為12v，所述擦除時(shí)間為1毫秒；所述擦寫次數(shù)大于8192次時(shí)，所述擦除電壓為12v，所述擦除時(shí)間為10毫秒。
7.一種多次可編程非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多次可編程非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，所述存儲(chǔ)器陣列還包括信息區(qū)，所述擦除調(diào)節(jié)模塊還用于將所述擦寫次數(shù)存儲(chǔ)進(jìn)所述信息區(qū)中。
9.一種多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法，包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法，其特征在于，還包括將所述擦寫次數(shù)存儲(chǔ)至所述多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器陣列中的信息區(qū)中的步驟。