本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器，特別是涉及一種多次可編程非易失性存儲(chǔ)器，還涉及一種多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦除電路，及一種多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法。

背景技術(shù)：

1、mtp(multi-times?program)全稱多次可編程非易失性存儲(chǔ)器，其編程次數(shù)介于otp(one-time?program)存儲(chǔ)器和e-flash(嵌入式閃存)之間，可實(shí)現(xiàn)多達(dá)萬次的擦寫次數(shù)，成本亦介于otp和e-flash之間。因此mtp在數(shù)字電源、快速充電器、無線充電器以及mcu(microcontroller?unit，微控制單元)等市場有著廣泛的應(yīng)用。

2、示例性的mtp擦寫次數(shù)上限約為一萬次，但對于一些特定的應(yīng)用場合，我們希望mtp能夠具有更高的擦寫次數(shù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，有必要提供一種提升mtp的擦寫次數(shù)的多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦除電路。

2、一種多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦除電路，包括擦除調(diào)節(jié)模塊，所述擦除調(diào)節(jié)模塊用于記錄多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦寫次數(shù)，并根據(jù)所述擦寫次數(shù)調(diào)節(jié)擦除操作的擦除電壓和擦除時(shí)間，所述擦除電壓和/或擦除時(shí)間隨所述擦寫次數(shù)的增加而增加；其中，所述擦寫次數(shù)為擦除次數(shù)和/或編程次數(shù)，所述擦除電壓為存儲(chǔ)單元的公共端與所述存儲(chǔ)單元的控制柵端之間的電壓差的絕對值。

3、上述多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦除電路，在擦寫次數(shù)較少時(shí)采用較小的擦除電壓和/或擦除時(shí)間，能夠減小擦除操作對存儲(chǔ)單元的損傷，從而提升mtp的擦寫次數(shù)；在擦寫次數(shù)逐漸增多后將擦除電壓和/或擦除時(shí)間也相應(yīng)提升，以保證擦除的穩(wěn)定性。

4、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述擦除調(diào)節(jié)模塊包括：計(jì)數(shù)器，用于記錄所述擦寫次數(shù)；電壓調(diào)節(jié)信號生成電路，與所述計(jì)數(shù)器連接，用于根據(jù)所述擦寫次數(shù)輸出第一電壓調(diào)節(jié)信號和第二電壓調(diào)節(jié)信號；所述擦除電路還包括：第一電壓轉(zhuǎn)換單元，與所述電壓調(diào)節(jié)信號生成電路連接，用于根據(jù)所述第一電壓調(diào)節(jié)信號將來自第一電源的電壓調(diào)節(jié)至第一電壓值后輸出給所述存儲(chǔ)單元的公共端；第二電壓轉(zhuǎn)換單元，與所述電壓調(diào)節(jié)信號生成電路連接，用于根據(jù)所述第二電壓調(diào)節(jié)信號將來自所述第一電源的電壓調(diào)節(jié)至第二電壓值后輸出給所述存儲(chǔ)單元的控制柵端；其中，所述第一電壓值和第二電壓值的差的絕對值等于所述擦除電壓。

5、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一電壓轉(zhuǎn)換單元和第二電壓轉(zhuǎn)換單元均包括修整電阻。

6、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述計(jì)數(shù)器為二進(jìn)制計(jì)數(shù)器，所述電壓調(diào)節(jié)信號生成電路包括：i個(gè)比較器，所述計(jì)數(shù)器將其最高的i位分別輸出給所述i個(gè)比較器，每個(gè)比較器兩個(gè)輸入端中的一個(gè)接收一位、另一個(gè)接收基準(zhǔn)電壓；第一邏輯電路，與所述i個(gè)比較器的輸出端均連接，所述第一邏輯電路用于根據(jù)所述i個(gè)比較器的輸出生成所述第一電壓調(diào)節(jié)信號和第二電壓調(diào)節(jié)信號。

7、在其中一個(gè)實(shí)施例中，i＝4，所述計(jì)數(shù)器為13位的計(jì)數(shù)器。

8、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述擦寫次數(shù)小于1024次時(shí)，所述擦除電壓為9v，所述擦除時(shí)間為10微秒；所述擦寫次數(shù)為1024次至2047次時(shí)，所述擦除電壓為10v，所述擦除時(shí)間為30微秒；所述擦寫次數(shù)為2048次至4095次時(shí)，所述擦除電壓為11v，所述擦除時(shí)間為100微秒；所述擦寫次數(shù)為4096次至8191次時(shí)，所述擦除電壓為12v，所述擦除時(shí)間為1毫秒；所述擦寫次數(shù)大于8192次時(shí)，所述擦除電壓為12v，所述擦除時(shí)間為10毫秒。

9、還有必要提供一種多次可編程非易失性存儲(chǔ)器。

10、一種多次可編程非易失性存儲(chǔ)器，包括：存儲(chǔ)器陣列，包括多個(gè)存儲(chǔ)單元；擦除調(diào)節(jié)模塊，與所述存儲(chǔ)器陣列連接，所述擦除調(diào)節(jié)模塊用于記錄所述多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦寫次數(shù)，并根據(jù)所述擦寫次數(shù)調(diào)節(jié)擦除操作的擦除電壓和擦除時(shí)間，所述擦除電壓和/或擦除時(shí)間隨所述擦寫次數(shù)的增加而增加；第一電源，與所述擦除調(diào)節(jié)模塊和存儲(chǔ)器陣列連接，用于在所述擦除調(diào)節(jié)模塊的控制下為所述存儲(chǔ)器陣列提供所述擦除電壓；其中，所述擦寫次數(shù)為擦除次數(shù)和/或編程次數(shù)，所述擦除電壓為所述存儲(chǔ)器陣列中的第一存儲(chǔ)單元的公共端與所述第一存儲(chǔ)單元的控制柵端之間的電壓差的絕對值。

11、上述多次可編程非易失性存儲(chǔ)器，在擦寫次數(shù)較少時(shí)采用較小的擦除電壓和/或擦除時(shí)間，能夠減小擦除操作對存儲(chǔ)單元的損傷，從而提升mtp的擦寫次數(shù)；在擦寫次數(shù)逐漸增多后將擦除電壓和/或擦除時(shí)間也相應(yīng)提升，以保證擦除的穩(wěn)定性。

12、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器陣列還包括信息區(qū)，所述擦除調(diào)節(jié)模塊還用于將所述擦寫次數(shù)存儲(chǔ)進(jìn)所述信息區(qū)中。

13、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述擦除調(diào)節(jié)模塊還用于在掉電時(shí)從所述信息區(qū)中讀取所述擦寫次數(shù)。

14、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述擦除調(diào)節(jié)模塊包括：計(jì)數(shù)器，用于記錄所述擦寫次數(shù)；電壓調(diào)節(jié)信號生成電路，與所述計(jì)數(shù)器連接，用于根據(jù)所述擦寫次數(shù)輸出第一電壓調(diào)節(jié)信號和第二電壓調(diào)節(jié)信號；所述擦除電路還包括：第一電壓轉(zhuǎn)換單元，與所述電壓調(diào)節(jié)信號生成電路連接，用于根據(jù)所述第一電壓調(diào)節(jié)信號將來自第一電源的電壓調(diào)節(jié)至第一電壓值后輸出給所述存儲(chǔ)單元的公共端；第二電壓轉(zhuǎn)換單元，與所述電壓調(diào)節(jié)信號生成電路連接，用于根據(jù)所述第二電壓調(diào)節(jié)信號將來自所述第一電源的電壓調(diào)節(jié)至第二電壓值后輸出給所述存儲(chǔ)單元的控制柵端；其中，所述第一電壓值和第二電壓值的差的絕對值等于所述擦除電壓。

15、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一電壓轉(zhuǎn)換單元和第二電壓轉(zhuǎn)換單元均包括修整電阻。

16、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述計(jì)數(shù)器為二進(jìn)制計(jì)數(shù)器，所述電壓調(diào)節(jié)信號生成電路包括：i個(gè)比較器，所述計(jì)數(shù)器將其最高的i位分別輸出給所述i個(gè)比較器，每個(gè)比較器兩個(gè)輸入端中的一個(gè)接收一位、另一個(gè)接收基準(zhǔn)電壓；第一邏輯電路，與所述i個(gè)比較器的輸出端均連接，所述第一邏輯電路用于根據(jù)所述i個(gè)比較器的輸出生成所述第一電壓調(diào)節(jié)信號和第二電壓調(diào)節(jié)信號。

17、在其中一個(gè)實(shí)施例中，i＝4，所述計(jì)數(shù)器為13位的計(jì)數(shù)器。

18、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述擦寫次數(shù)小于1024次時(shí)，所述擦除電壓為9v，所述擦除時(shí)間為10微秒；所述擦寫次數(shù)為1024次至2047次時(shí)，所述擦除電壓為10v，所述擦除時(shí)間為30微秒；所述擦寫次數(shù)為2048次至4095次時(shí)，所述擦除電壓為11v，所述擦除時(shí)間為100微秒；所述擦寫次數(shù)為4096次至8191次時(shí)，所述擦除電壓為12v，所述擦除時(shí)間為1毫秒；所述擦寫次數(shù)大于8192次時(shí)，所述擦除電壓為12v，所述擦除時(shí)間為10毫秒。

19、還有必要提供一種多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法。

20、一種多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法，包括：記錄多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦寫次數(shù)；根據(jù)所述擦寫次數(shù)調(diào)節(jié)擦除電壓和擦除時(shí)間；隨著擦寫次數(shù)的增加，所述擦除電壓和/或擦除時(shí)間相應(yīng)增加；按照所述擦除電壓和擦除時(shí)間對存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作；其中，所述擦寫次數(shù)為擦除次數(shù)和/或編程次數(shù)，所述擦除電壓為所述存儲(chǔ)單元的公共端與所述存儲(chǔ)單元的控制柵端之間的電壓差的絕對值。

21、上述多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法，在擦寫次數(shù)較少時(shí)采用較小的擦除電壓和/或擦除時(shí)間，能夠減小擦除操作對存儲(chǔ)單元的損傷，從而提升mtp的擦寫次數(shù)；在擦寫次數(shù)逐漸增多后將擦除電壓和/或擦除時(shí)間也相應(yīng)提升，以保證擦除的穩(wěn)定性。

22、在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括將所述擦寫次數(shù)存儲(chǔ)至所述多次可編程非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器陣列中的信息區(qū)中的步驟。

23、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述擦寫次數(shù)小于1024次時(shí)，所述擦除電壓為9v，所述擦除時(shí)間為10微秒；所述擦寫次數(shù)為1024次至2047次時(shí)，所述擦除電壓為10v，所述擦除時(shí)間為30微秒；所述擦寫次數(shù)為2048次至4095次時(shí)，所述擦除電壓為11v，所述擦除時(shí)間為100微秒；所述擦寫次數(shù)為4096次至8191次時(shí)，所述擦除電壓為12v，所述擦除時(shí)間為1毫秒；所述擦寫次數(shù)大于8192次時(shí)，所述擦除電壓為12v，所述擦除時(shí)間為10毫秒。