各個方面涉及憶阻結(jié)構(gòu)、包括多個憶阻結(jié)構(gòu)的憶阻陣列及其方法，例如用于形成憶阻結(jié)構(gòu)的方法，例如用于形成憶阻結(jié)構(gòu)陣列的方法。

背景技術(shù)：

1、一般來說，各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用可能依賴于晶體管技術(shù)。然而，發(fā)現(xiàn)電阻陣列對于一些數(shù)據(jù)處理應(yīng)用也是有用的。這種基于電阻器的技術(shù)被進一步開發(fā)，以允許選擇性地重新配置電阻器的電阻。例如，這種具有非易失性、可重新配置電阻的器件可以被稱為憶阻器件或憶阻器。開發(fā)憶阻器交叉陣列是為了在一些數(shù)據(jù)處理和數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用中取代晶體管和存儲單元。然而，基于憶阻器的交叉陣列中泄漏電流的出現(xiàn)會限制這種結(jié)構(gòu)的可擴展性。因此，已經(jīng)提出了幾種類型的具有非線性電阻行為的憶阻器，以減少在非選擇性憶阻器重新配置和讀取選擇性憶阻器時的泄漏電流。這些包括所謂的互補電阻開關(guān)，其包括串聯(lián)連接的兩個憶阻結(jié)構(gòu)，其中，這種技術(shù)的缺點可能是互補電阻的狀態(tài)只能破壞性地讀出，因此互補電阻開關(guān)在讀取后必須重寫?；パa電阻開關(guān)狀態(tài)的非破壞性讀取方法可以基于電容測量?；パa電阻開關(guān)可以包括具有強非線性電阻行為的雙層憶阻結(jié)構(gòu)和具有強非線性電阻行為的單層憶阻結(jié)構(gòu)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

技術(shù)特征：

1.一種憶阻交叉陣列(500)，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的憶阻交叉陣列(500)，進一步包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的憶阻交叉陣列(500)，

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的憶阻交叉陣列(500)，

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的憶阻交叉陣列(500)，

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的憶阻交叉陣列(500)，

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的憶阻交叉陣列(500)，

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的憶阻交叉陣列(500)，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的憶阻交叉陣列(500)，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的憶阻交叉陣列(500)，

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的憶阻交叉陣列(500)，

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的憶阻交叉陣列(500)，

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的憶阻交叉陣列(500)，

14.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的憶阻交叉陣列(500)，

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的憶阻交叉陣列(500)，

16.根據(jù)權(quán)利要求9至15中任一項所述的憶阻交叉陣列(500)，

17.根據(jù)權(quán)利要求9至16中任一項所述的憶阻交叉陣列(500)，

18.根據(jù)權(quán)利要求1至17中任一項所述的憶阻交叉陣列(500)，

19.一種用于形成憶阻結(jié)構(gòu)或包括多個憶阻結(jié)構(gòu)的憶阻陣列的方法，所述方法包括：

20.一種用于形成憶阻結(jié)構(gòu)或包括多個憶阻結(jié)構(gòu)的憶阻陣列的方法，所述方法包括：

技術(shù)總結(jié)
根據(jù)各個方面，提供了一種憶阻交叉陣列，包括：交叉配置中的第一控制線和第二控制線，其限定了多個交叉點區(qū)域，憶阻材料部分，其設(shè)置在第一控制線中的一個控制線和第二控制線中的一個控制線的相應(yīng)對之間的多個交叉點區(qū)域的每個交叉點區(qū)域中，以形成對應(yīng)的憶阻結(jié)構(gòu)。每個憶阻材料部分可以具有預(yù)定范圍的厚度，使得每個對應(yīng)憶阻結(jié)構(gòu)具有對稱的讀取特性和/或讀取特性中的至少一個曲率變化。

技術(shù)研發(fā)人員：海德馬里·施密特,杜楠,伊洛娜·斯科魯帕
受保護的技術(shù)使用者：泰奇法布有限責任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21