1.一種在氯堿法中使用的多層陽離子交換膜，所述多層陽離子交換膜包括位于所述膜的一側上的包含含有羧酸根基團的氟化離聚物的羧酸鹽層、位于所述膜的與所述羧酸鹽層相對的側上的包含含有磺酸根基團的氟化離聚物的外部磺酸鹽層、以及位于所述羧酸鹽層與所述外部磺酸鹽層之間的包含含有磺酸根基團的氟化離聚物的內部磺酸鹽層，所述外部磺酸鹽層具有大于約68.1ohm-cm的電阻率，并且所述內部磺酸鹽層具有小于約60.3ohm-cm的電阻率。
2.根據(jù)權利要求1所述的膜，其中所述內部磺酸鹽層的電阻率比所述外部磺酸鹽層的電阻率小至少約15.5ohm-cm。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的膜，其中所述羧酸鹽層具有約13.8至約16的ixr。
4.根據(jù)權利要求1、2或3所述的膜，其中所述外部磺酸鹽層具有大于約73.2ohm-cm的電阻率。
5.根據(jù)權利要求1、2或3所述的膜，其中所述外部磺酸鹽層具有約68.1ohm-cm至約186.3ohm-cm的電阻率。
6.根據(jù)權利要求1、2或3所述的膜，其中所述外部磺酸鹽層具有約68.1ohm-cm至約155.4ohm-cm的電阻率。
7.根據(jù)權利要求1、2或3所述的膜，其中所述外部磺酸鹽層具有約68.1ohm-cm至約118.3ohm-cm的電阻率。
8.根據(jù)權利要求1、2或3所述的膜，其中所述外部磺酸鹽層具有約68.1ohm-cm至約78.1ohm-cm的電阻率。
9.根據(jù)權利要求1至8中任一項所述的膜，其中所述內部磺酸鹽層具有小于約57.7ohm-cm的電阻率。
10.根據(jù)權利要求1至8中任一項所述的膜，其中所述內部磺酸鹽層具有約10.7ohm-cm至約60.3ohm-cm的電阻率。
11.根據(jù)權利要求1至8中任一項所述的膜，其中所述內部磺酸鹽層具有約32.3ohm-cm至約60.3ohm-cm的電阻率。
12.根據(jù)權利要求1至8中任一項所述的膜，其中所述內部磺酸鹽層具有約32.3ohm-cm至約57.7ohm-cm的電阻率。
13.根據(jù)權利要求1至12中任一項所述的膜，所述膜還包括織造織物增強件。
14.根據(jù)權利要求13所述的膜，其中所述織造織物增強件至少部分地嵌入所述膜中。
15.根據(jù)權利要求13或14所述的膜，其中所述織造織物包含小于約100旦的含氟聚合物紗線。
16.根據(jù)權利要求1至15中任一項所述的膜，其中所述內部磺酸鹽層具有至少約40微米的厚度。
17.根據(jù)權利要求1至15中任一項所述的膜，其中所述內部磺酸鹽層具有約50微米至約200微米的厚度。
18.根據(jù)權利要求1至15中任一項所述的膜，其中所述內部磺酸鹽層具有約60微米至約100微米的厚度。
19.根據(jù)權利要求1至18中任一項所述的膜，其中所述外部磺酸鹽層具有小于約30微米的厚度。
20.根據(jù)權利要求1至18中任一項所述的膜，其中所述外部磺酸鹽層具有約5微米至約30微米的厚度。
21.根據(jù)權利要求1至18中任一項所述的膜，其中所述外部磺酸鹽層具有約7微米至約25微米的厚度。
22.一種在氯堿法中使用的多層陽離子交換膜，所述多層陽離子交換膜包括位于所述膜的一側上的包含含有羧酸根基團的氟化離聚物的羧酸鹽層、位于所述膜的與所述羧酸鹽層相對的側上的包含含有磺酸根基團的氟化離聚物的外部磺酸鹽層、以及位于所述羧酸鹽層與所述外部磺酸鹽層之間的包含含有磺酸根基團的氟化離聚物的第一內部磺酸鹽層和第二內部磺酸鹽層，所述第一內部磺酸鹽層位于所述羧酸鹽層與所述第二內部磺酸鹽層之間，并且所述第二內部磺酸鹽層位于所述第一內部磺酸鹽層與所述外部磺酸鹽層之間，所述外部磺酸鹽層具有大于約68.1ohm-cm的電阻率，所述第一內部磺酸鹽層具有大于約68.1ohm-cm的電阻率，并且所述第二內部磺酸鹽層具有小于約60.3ohm-cm的電阻率。
23.根據(jù)權利要求22所述的膜，其中所述第二內部磺酸鹽層的電阻率比所述外部磺酸鹽層的電阻率小至少約15.5ohm。
24.根據(jù)權利要求22或23所述的膜，其中所述第一內部磺酸鹽層的電阻率比所述第二內部磺酸鹽層的電阻率大至少約15.5ohm。
25.根據(jù)權利要求22至24中任一項所述的膜，其中所述羧酸鹽層具有約13.8至約16的ixr。
26.根據(jù)權利要求22至25中任一項所述的膜，其中所述第一內部磺酸鹽層的離子交換率與所述羧酸鹽層的離子交換率相差不超過約3.3。