本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光材料
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體涉及一種螺芴化合物及其發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
：根據(jù)電致發(fā)光機(jī)制，oled材料分為熒光oled材料和磷光oled。現(xiàn)有oled技術(shù)材料，磷光發(fā)光材料由于含有重金屬效應(yīng)，理論上可以達(dá)到100％的量子發(fā)光效率，尤其在紅光和綠光磷光材料方面已經(jīng)取得了長(zhǎng)足的發(fā)展。但由于磷光材料的三線態(tài)激子在高濃度下容易發(fā)生猝滅，因此，為提高性能，需要保持一定的主體客體摻雜比例。熒光oled材料是一種純粹的有機(jī)材料，不含有重金屬，因此，理論上只能達(dá)到25％的內(nèi)部量子效率，造成理論上熒光的外部量子效率最高5％的上限。目前紅光和綠光oled材料已經(jīng)取得了長(zhǎng)足的發(fā)展，熒光藍(lán)oled材料在性能上尚未能跟其它紅綠光材料進(jìn)行媲美。近期，熱激活延遲熒光(thermallyactivateddelayedfluorescence，tadf)材料得到廣泛關(guān)注，這種材料由于homo-lumo軌道分離，使得三線態(tài)激子可以通過熱的方式跳躍到單線態(tài)軌道上，因而可以獲得接近100％的內(nèi)部量子效率。然而，藍(lán)光tadf材料依然是目前的一個(gè)難點(diǎn)，這是由于要獲得色純度高的熒光藍(lán)，至少要求有機(jī)材料的三線態(tài)達(dá)到2.6ev以上，并保持較高性能。世界范圍內(nèi)，很多科研院所致力于開發(fā)這類材料，但成果不多。鑒于此，特提出本發(fā)明。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的第一目的在于提供一種作為熒光藍(lán)材料的螺二芴化合物。本發(fā)明的第二目的在于提供使用該螺二芴化合物的發(fā)光器件。為了完成本發(fā)明的目的，采用的技術(shù)方案為：為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的第一目的，本發(fā)明提出一種螺二芴化合物，選自如通式所示i的化合物：其中，y1、y2各自獨(dú)立的表示氫、吸電子基團(tuán)或供電子基團(tuán)；x1、x2中至少有一個(gè)取代基為式ii所示的取代基：m表示-s-、-p-、-so-、-so2-、-s(＝s)-、-s(＝s)(＝s)-、-po-、-po2-、-p(＝s)-、-p(＝s)(＝s)-、-c(＝o)-；n1、n2、n3、n4各自獨(dú)立的表示碳原子或氮原子；ra選自為氫、鹵素、c1～30烷基、羥基取代的c1～30烷基或c6～48烷基芳基；n為0～4的整數(shù)。為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的第二目的，所述發(fā)光器件包括陽極、陰極及設(shè)置于所述陽極和所述陰極之間的至少一個(gè)有機(jī)層，所述有機(jī)層包括本發(fā)明所述的螺芴化合物。本發(fā)明的技術(shù)方案至少具有以下有益的效果：本發(fā)明提出一種基于螺二芴結(jié)構(gòu)的熱激活延遲熒光材料，具有a-d-a化學(xué)結(jié)構(gòu)，其中，給電子d單元與吸電子a單元之間形成接近90°的空間二面角，有利于熱激活延遲熒光材料的homo-lumo軌道分離，以獲得理想的δest和其它光電性質(zhì)。同時(shí)，本發(fā)明的螺二芴化合物具有很寬的homo-lumo能帶，非常低的homo值，也非常適合于hbl或host材料。附圖說明圖1為本發(fā)明發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明螺二芴化合物的a-d-a空間構(gòu)型示意圖；圖3為本發(fā)明螺二芴化合物的又一a-d-a空間構(gòu)型示意圖；圖4為化合物sdf-dpso2的紫外吸收光譜；圖5為化合物sdf-dpso2的核磁共振碳譜；圖6為化合物sdf-dpso2的核磁共振氫譜；圖7為化合物sdf-dpso2的分子基態(tài)模擬圖；圖8為化合物sdf-dpyso2的核磁共振碳譜；圖9為化合物sdf-dpyso2的核磁共振氫譜；圖10為化合物sdf-dpsocl2的核磁共振碳譜；圖11為化合物sdf-dpsocl2的核磁共振氫譜；圖12為化合物sdf-4pysocl的核磁共振碳譜；圖13為化合物sdf-4pysocl的核磁共振氫譜。10-發(fā)光器件；11-陽極；12-空穴傳輸層；13-發(fā)光層；14-電子傳輸層；15-陰極。具體實(shí)施方式下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說明本申請(qǐng)而不用于限制本申請(qǐng)的范圍。本發(fā)明涉及一種螺二芴化合物，螺二芴化合物選自如通式所示i的化合物：其中，y1、y2各自獨(dú)立的表示氫、吸電子基團(tuán)或供電子基團(tuán)；x1、x2中至少有一個(gè)取代基為式ii所示的取代基：m表示-s-、-p-、-so-、-so2-、-s(＝s)-、-s(＝s)(＝s)-、-po-、-po2-、-p(＝s)-、-p(＝s)(＝s)-、-c(＝o)-；n1、n2、n3、n4各自獨(dú)立的表示碳原子或氮原子；ra選自為氫、鹵素、c1～30烷基、羥基取代的c1～30烷基或c6～48烷基芳基；n為0～4的整數(shù)。本發(fā)明提出的螺二芴化合物，具有a-d-a化學(xué)結(jié)構(gòu)，其空間構(gòu)型的示意圖如圖1和圖2所示。根據(jù)圖1和圖2中所示，給電子d單元與吸電子a單元之間形成接近90°的空間二面角，有利于熱激活延遲熒光材料的homo-lumo軌道分離。本發(fā)明的螺二芴化合物，通過給電子d-sp單元保持高三線態(tài)和單線態(tài)能級(jí)以得到純藍(lán)光光譜，本發(fā)明中電子d單元與吸電子a單元之間形成接近90°空間結(jié)構(gòu)，有利于防止給電子d和sp之間，以及給電子d和吸電子a之間形成共軛，以至于光譜紅移。作為本發(fā)明螺二芴化合物的一種改進(jìn)，螺二芴化合物選自如通式所示ia的化合物：在式ia中，x1、x2、y1、y2所在的取代位點(diǎn)是芴的2、7位取代基是芴發(fā)生化學(xué)活性最高的位點(diǎn)，因此式ia所表示的化合物結(jié)構(gòu)更易于合成。作為本發(fā)明螺二芴化合物的一種改進(jìn)，當(dāng)y1、y2為供電子基團(tuán)供電子基團(tuán)(稱為給電子基團(tuán))時(shí)，y1、y2各自獨(dú)立的選自取代或未取代的c1～30烷基、取代或未取代的二聯(lián)苯基、或以下結(jié)構(gòu)式表示的取代基：其中，r1、r2、r3、r4各自獨(dú)立的選自氫原子、氨基、鹵素、取代或未取代的c1～12烷基、取代或未取代的c1～12烷氧基、取代或未取代的c6～12芳基、取代或未取代的c6～12芳氧基；取代基為鹵素原子、c1～12的烷基、鹵素原子取代的c1～12的烷基、鹵素原子取代的c1～12的烷氧基；m為0～4的整數(shù)；式y(tǒng)-6、式y(tǒng)-7、式y(tǒng)-11、式y(tǒng)-12、式y(tǒng)-16和式y(tǒng)-17所示的基團(tuán)中苯環(huán)上的任意氫原子可被取代而形成取代基。作為本發(fā)明螺二芴化合物的一種改進(jìn)，當(dāng)y1、y2為吸電子基團(tuán)供電子基團(tuán)(稱為拉電子基團(tuán))時(shí)，y1、y2各自獨(dú)立的式ii所示的取代基。作為本發(fā)明螺二芴化合物的一種改進(jìn)，在式i中，x1選自氫或式iia所示的取代基，x2選自式iia所示的取代基；k表示碳原子或氮原子。作為本發(fā)明螺二芴化合物的一種改進(jìn)，在式iia中，m表示-so-、-so2-、-po-。作為本發(fā)明螺二芴化合物的一種改進(jìn)，當(dāng)y1、y2為供電子基團(tuán)時(shí)，螺二芴化合物選自如通式ia-1所示的化合物：在ia-1中，m1、m2各自獨(dú)立的表示-so-、-so2-、-po-；ra1、ra2各自獨(dú)立的選自氫、鹵素、c1～12烷基、c6～24芳基；k1、k2各自獨(dú)立的表示碳原子或氮原子。y1、y2各自獨(dú)立的選自本發(fā)明中的供電子基團(tuán)。進(jìn)一步優(yōu)選的，ra1、ra2各自獨(dú)立的選自氫原子或鹵素。更優(yōu)選的，m1、m2相同；ra1、ra2相同；k1、k2相同。如果y1、y2為供電子取代基，即在homo軌道的離域位置加上供電子取代基，屆時(shí)homo軌道的分布會(huì)更加分散到這些供電子取代基上，但不會(huì)影響到lomo，材料保持tadf特性。作為本發(fā)明螺二芴化合物的一種改進(jìn)，當(dāng)y1、y2為氫原子時(shí)，螺二芴化合物選自如通式ia-2所示的化合物：在ia-2中，m1、m2各自獨(dú)立的表示-so-、-so2-、-po-；ra1、ra2各自獨(dú)立的選自氫、鹵素、c1～12烷基、c6～24芳基；k1、k2各自獨(dú)立的表示碳原子或氮原子。進(jìn)一步優(yōu)選的，ra1、ra2各自獨(dú)立的選自氫原子或鹵素。更優(yōu)選的，m1、m2相同；ra1、ra2相同；k1、k2相同。作為本發(fā)明螺二芴化合物的一種改進(jìn)，當(dāng)y1、y2為吸電子基團(tuán)時(shí)，螺二芴化合物選自如通式ia-3所示的化合物：在ia-3中，m1、m2、m3、m4各自獨(dú)立的表示-so-、-so2-、-po-；ra1、ra2、ra3、ra4各自獨(dú)立的選自氫、鹵素、c1～12烷基、c6～24芳基；k1、k2、k3、k4各自獨(dú)立的表示碳原子或氮原子；n1、n2、n3、n4各自獨(dú)立的選自0～4的整數(shù)。進(jìn)一步優(yōu)選的，ra1、ra2、ra3、ra4各自獨(dú)立的選自氫原子或鹵素。更優(yōu)選的，m1、m2、m3、m4相同；ra1、ra2、ra3、ra4相同；k1、k2、k3、k4相同。如果y1、y2為吸電子取代基，lumo軌道更加離域，更加分散，與homo軌道的重疊成分更少。作為本發(fā)明螺二芴化合物的一種改進(jìn)，當(dāng)y1、y2為氫原子時(shí)，螺二芴化合物選自以下結(jié)構(gòu)式所示的化合物：作為本發(fā)明螺二芴化合物的一種改進(jìn)，當(dāng)y1、y2為供電子基團(tuán)時(shí)，螺二芴化合物選自以下結(jié)構(gòu)式所示的化合物：作為本發(fā)明螺二芴化合物的一種改進(jìn)，當(dāng)y1、y2為吸電子基團(tuán)時(shí)，螺二芴化合物選自以下結(jié)構(gòu)式所示的化合物：螺二芴化合物的合成路線為：具體工藝為：在裝有a的反應(yīng)瓶中滴加nbs(n-溴代琥珀酰亞胺)/thf的混合溶液，在氮?dú)獗Ｗo(hù)條件下加熱到40℃保溫1小時(shí)，進(jìn)行溴代反應(yīng)得到b。然后，加入雙取代的二硫化合物r-s-s-r，以n-buli/thf作為催化劑，在低溫干冰浴中充分?jǐn)嚢璋雮€(gè)小時(shí)，得到化合物c。最后，通入間位氯代苯甲酸mcpba/ch2cl2混合溶液，進(jìn)行充分?jǐn)嚢?小時(shí)，加入水，析出固體，依次使用正己烷洗滌，乙醇進(jìn)行重結(jié)晶，得到d。r可以是苯環(huán)，吡啶，對(duì)位氯苯，間位氯代吡啶。r’＝h或d＝r’＝h或d＝r’＝h或d＝r’＝h或d＝r’＝h或d＝r’＝h或d＝r’＝h或則d＝r’＝h或則d＝下面繼續(xù)舉例說明本發(fā)明材料的合成：合成實(shí)施例1：化合物sdf-dpso2的合成在裝有1mola的反應(yīng)瓶中滴加nbs(n-溴代琥珀酰亞胺)/thf的混合溶液，在氮?dú)獗Ｗo(hù)條件下加熱到40c保溫1小時(shí)，進(jìn)行溴代反應(yīng)得到b。然后，加入雙苯取代的二硫化合物ph-s-s-ph，以n-buli/thf作為催化劑，在低溫干冰浴中充分?jǐn)嚢璋雮€(gè)小時(shí)，得到化合物c。最后，通入間位氯代苯甲酸mcpba/ch2cl2混合溶液，進(jìn)行充分?jǐn)嚢?小時(shí)，加入水，析出固體，依次使用正己烷洗滌，乙醇進(jìn)行重結(jié)晶，得到sdf-dpso2，產(chǎn)率38％。其紫外吸收光譜(ch2cl2)如圖4所示，根據(jù)紫外吸收光譜可知，該化合物在250～400nm之間有比較強(qiáng)的吸收光譜，其中，360nm和310nm處的吸收強(qiáng)度最高。其光致發(fā)光光譜(pl光譜)的主峰在435.22nm，是一種藍(lán)光材料。其核磁共振碳譜如圖5所示、核磁氫譜如圖6所示。對(duì)采用gaussian03量化模擬軟件對(duì)sdf-dpso2分子基態(tài)結(jié)構(gòu)進(jìn)行模擬，其分子基態(tài)模擬圖如圖7所示，模擬圖如圖7所示；由圖7可知，homo分布在螺旋化合物上，lumo分布在兩側(cè)的苯基亞砜上，預(yù)期可以達(dá)到比較低的δest單線態(tài)與三線態(tài)分裂能，homo-lumo軌道分離比較徹底。采用tddft(含時(shí)密度泛函)方法，在b3lyp水平下進(jìn)行模擬材料基態(tài)時(shí)的分子構(gòu)型，計(jì)算其鍵長(zhǎng)和鍵角，具體如表1所示：表1鍵長(zhǎng)a鍵角二面角c7-c81.46943c1-c21.53385c1-c131.53336c1-c141.53053c1-c251.53053s1-c161.80379s1-c321.80352s2-c231.80379s2-c261.80352c2-c1-c13101.425c14-c1-c25101.086c32-s1-c16104.771c23-s2-c26104.770c13-c1-c2-c14122.506根據(jù)表1分子數(shù)據(jù)可以看出，sdf-dpso2化合物保持比較好的分子對(duì)稱性，二面角c13-c1-c2-c14＝122°，使得homo-lumo分離。合成實(shí)施例2：化合物sdf-dpyso2的合成在裝有1mola的反應(yīng)瓶中滴加br2/ch3cooh的混合溶液，在氮?dú)獗Ｗo(hù)條件下進(jìn)行溴代反應(yīng)得到b。然后，加入雙吡啶取代的二硫化合物py-s-s-py，以n-buli/thf作為催化劑，在低溫干冰浴中充分?jǐn)嚢璋雮€(gè)小時(shí)，得到化合物c。最后，通入間位氯代苯甲酸mcpba/ch2cl2混合溶液，進(jìn)行充分?jǐn)嚢?小時(shí)，加入水，析出固體，依次使用正己烷洗滌，乙醇進(jìn)行重結(jié)晶，得到sdf-dpyso2，產(chǎn)率46％。其核磁共振碳譜如圖8所示、核磁氫譜如圖9所示。合成實(shí)施例3：化合物sdf-dpysocl2的合成在裝有1mola的反應(yīng)瓶中滴加br2/ch3cooh的混合溶液，在氮?dú)獗Ｗo(hù)條件下進(jìn)行溴代反應(yīng)得到b。然后，加入雙吡啶取代的二硫化合物pycl-s-s-pycl，以n-buli/thf作為催化劑，在低溫干冰浴中充分?jǐn)嚢璋雮€(gè)小時(shí)，得到化合物c。最后，通入間位氯代苯甲酸mcpba/ch2cl2混合溶液，進(jìn)行充分?jǐn)嚢?小時(shí)，加入水，析出固體，依次使用正己烷洗滌，乙醇進(jìn)行重結(jié)晶，得到sdf-dpysocl2，產(chǎn)率43％。其核磁共振碳譜如圖10所示、核磁氫譜如圖11所示。合成實(shí)施例4：化合物sdf-4pysocl的合成在裝有a的反應(yīng)瓶中滴加br2/ch3cooh的混合溶液，在氮?dú)獗Ｗo(hù)條件下進(jìn)行溴代反應(yīng)得到b。然后，加入雙氯代吡啶取代的二硫化合物pycl-s-s-pycl，以n-buli/thf作為催化劑，在低溫干冰浴中充分?jǐn)嚢璋雮€(gè)小時(shí)，得到化合物c。最后，通入間位氯代苯甲酸mcpba/ch2cl2混合溶液，進(jìn)行充分?jǐn)嚢?小時(shí)，加入水，析出固體，依次使用正己烷洗滌，乙醇進(jìn)行重結(jié)晶，得到sdf-4pysocl，產(chǎn)率63％。其核磁共振碳譜如圖12所示、核磁氫譜如圖13所示。δest測(cè)試一般有機(jī)材料中，由于自旋度不同而造成s1激發(fā)態(tài)和t1激發(fā)態(tài)能量不同，且es1能量要比et1能量大0.5-1.0ev，這就造成純有機(jī)熒光材料發(fā)光效率低下。熱延遲熒光tadf材料，由于獨(dú)特分子設(shè)計(jì)，將homo-lumo軌道進(jìn)行分離，降低二者電子交換能，理論上可以實(shí)現(xiàn)δest∽0。為了有效評(píng)估本發(fā)明中材料的熱延遲熒光效果，進(jìn)行δest評(píng)估。將1wt％化合物摻雜到mcbp薄膜中，在77k條件下進(jìn)行熒光發(fā)射光譜和磷光發(fā)射光譜量測(cè)，通過波長(zhǎng)與能量關(guān)系進(jìn)行換算成s1和t1值(e＝1240/λem)。然后，δest＝es1-et1獲得單線體和三線態(tài)的分裂能。數(shù)據(jù)如表2所示：表2：測(cè)試項(xiàng)目sdf-dpso2sdf-dpyso2sdf-dpsocl2sdf-4pysocles1(ev)2.752.762.742.81et1(ev)2.612.642.632.72δest(ev)0.140.120.110.09從表2可知，本發(fā)明各個(gè)化合物都具有比較小的δest值，都小于0.2ev，因此，都具備熱延遲熒光效果。本發(fā)明還涉及一種發(fā)光器件，其發(fā)光器件為有機(jī)發(fā)光二極管(oled)。包括陽極、陰極及設(shè)置于陽極和陰極之間的至少一個(gè)有機(jī)層，有機(jī)層包括本發(fā)明的芳香族化合物。請(qǐng)參閱圖1，為本發(fā)明提供的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。發(fā)光器件10包括依次沉積形成的陽極11、空穴傳輸層12、發(fā)光層13、電子傳輸層14和陰極15。其中空穴傳輸層12、發(fā)光層13、電子傳輸層14均為有機(jī)層，陽極11與陰極15與電連接。ito基板是30mm×30mm尺寸的底發(fā)射玻璃，有四個(gè)發(fā)光區(qū)域，發(fā)光面積aa區(qū)為2mm×2mm，ito薄膜的透光率為90％@550nm，表面粗糙度ra<1nm，ito膜厚為1300a，方電阻為10歐姆每平方。ito基板的清洗方式是，首先放置在盛有丙酮溶液的容器中，將該容器放置于在超聲波清洗機(jī)進(jìn)行超聲清洗，清洗時(shí)間為30分鐘，主要是將附著在ito表面的有機(jī)物進(jìn)行溶解和祛除；然后將清洗完畢的ito基板取出放置在熱板上進(jìn)行高溫120烘烤半個(gè)小時(shí)，主要是移除ito基板表面的有機(jī)溶劑和水汽；然后將烘烤完畢的ito基板迅速轉(zhuǎn)移到uv-zone設(shè)備中進(jìn)行o3plasma處理，將ito表面難以除盡的有機(jī)物或異物進(jìn)一步使用等離子處理，處理時(shí)間為15分鐘，處理完畢的ito要迅速轉(zhuǎn)移到oled蒸鍍?cè)O(shè)備成膜室中。oled蒸鍍前準(zhǔn)備：首先對(duì)oled蒸鍍?cè)O(shè)備進(jìn)行潔凈處理，使用ipa進(jìn)行擦拭成膜室的腔體內(nèi)壁，保證整個(gè)成膜腔體沒有異物或粉塵。然后，將裝有oled有機(jī)材料的坩堝和裝有金屬鋁粒的坩堝依次放置在有機(jī)蒸發(fā)源和無機(jī)蒸發(fā)源位置上。關(guān)閉腔體，進(jìn)行初抽真空和抽高真空步驟，使得oled蒸鍍?cè)O(shè)備內(nèi)部蒸鍍度達(dá)到10-7torr。oled蒸鍍成膜：打開oled有機(jī)蒸發(fā)源，對(duì)oled有機(jī)材料進(jìn)行100c預(yù)熱，預(yù)熱時(shí)間為15分鐘，保證進(jìn)一步移除oled有機(jī)材料中的水汽。然后對(duì)需要蒸鍍的有機(jī)材料進(jìn)行快速升溫加熱處理，并打開蒸發(fā)源上方的擋板，直到該材料的蒸發(fā)源有有機(jī)材料跑出，同時(shí)晶振片檢測(cè)器檢測(cè)到蒸發(fā)速率時(shí)，然后進(jìn)行緩慢升溫，升溫幅度為1～5℃，直到蒸發(fā)速率穩(wěn)定在1a/秒時(shí)，打開掩膜板板正下方的擋板，進(jìn)行oled成膜，當(dāng)電腦端觀測(cè)到ito基板上的有機(jī)膜達(dá)到預(yù)設(shè)膜厚時(shí)，關(guān)閉掩膜板擋板和蒸發(fā)源正上方擋板，關(guān)閉該有機(jī)材料的蒸發(fā)源加熱器。其它有機(jī)材料和陰極金屬材料的蒸鍍工藝如上所述。oled封裝流程：20mm×20mm的封裝蓋的清潔處理方式如ito基板前處理方式。在清潔完畢的封裝蓋外延四周進(jìn)行uv膠材涂覆或點(diǎn)膠，然后，將點(diǎn)完uv膠材的封裝蓋轉(zhuǎn)移到真空貼合設(shè)備中，與成膜oled有機(jī)膜的ito基板進(jìn)行真空貼合，然后，轉(zhuǎn)移到uv固化腔體中，使用365nm波段的紫外光進(jìn)行光固化。光固化的ito器件，還需要進(jìn)行80℃半小時(shí)的后熱處理，使得uv膠材完全固化。(1)作為客體發(fā)光材料性能評(píng)估為了評(píng)估sdf-dpso2作為客體發(fā)光材料的電致發(fā)光性能，設(shè)計(jì)oled器件結(jié)構(gòu)ito/npb(30nm)/tcta(30nm)/ppf:sdf-dpso2(xwt％，30nm，x＝1-20)/ppf(10nm)/tpbi(30nm)/lif(0.8nm)/al(150nm)。封裝后的樣品進(jìn)行ivl性能測(cè)試，ivl設(shè)備采用mcsciencem6100進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試數(shù)據(jù)如表3所示：表3采用經(jīng)典的磷光藍(lán)firpic材料進(jìn)行性能對(duì)比(編號(hào)f)，設(shè)計(jì)了oled器件結(jié)構(gòu)ito/npb(30nm)/tcta(30nm)/ppf:sdf-dpso2(10wt％，30nm)/ppf(10nm)/tpbi(30nm)/lif(0.8nm)/al(150nm)。可以發(fā)現(xiàn)，基于sdf-dpso2的器件性能隨著摻雜比例提高而提高，摻雜比例繼續(xù)提高后，器件性能有下降的趨勢(shì)，其中，摻雜比例為10wt％的sdf-dpso2性能已經(jīng)非常接近磷光藍(lán)材料的性能。(2)作為主體材料的光電性能評(píng)估：器件制作過程如上所述。設(shè)計(jì)oled器件結(jié)構(gòu)(編號(hào)g)，oled器件結(jié)構(gòu)ito/npb/tcta/sdf-dpso2:firpic(10wt％/sdf-dpso2(10nm)/tpbi(30nm)/lif(0.8nm)/al，發(fā)現(xiàn)g的器件性能要遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于f，這是因?yàn)閟df-pso材料同時(shí)具有傳輸電子和空穴的能力，而且sdf-dpso2材料的homo-lumo大于firpic的homo-lumo，因此能量傳遞良好。本申請(qǐng)雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但并不是用來限定權(quán)利要求，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本申請(qǐng)構(gòu)思的前提下，都可以做出若干可能的變動(dòng)和修改，因此本申請(qǐng)的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本申請(qǐng)權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。當(dāng)前第1頁12