1.一種至少包含硅納米線和銅的復(fù)合材料的制備方法，所述方法至少包括以下階段：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中步驟(a)包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中步驟(b)包括：
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述方法在固定床反應(yīng)器中、在通過(guò)旋轉(zhuǎn)和/或混合裝置運(yùn)動(dòng)的轉(zhuǎn)鼓反應(yīng)器的管狀腔中，或在垂直流化床反應(yīng)器中實(shí)施。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述生長(zhǎng)支持物選自碳基材料和碳質(zhì)聚合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述碳基材料選自炭黑納米顆粒、碳質(zhì)聚合物纖維、碳納米管、石墨烯和石墨。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述銅鹵化物選自氯化銅(i)cucl、氯化銅(ii)cucl2及其混合物。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述硅納米線的前體化合物為硅烷(sih4)或二苯基硅烷(si(c6h5)2h2)。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述熱處理在300℃至700℃、優(yōu)選300℃至650℃的溫度下進(jìn)行。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述熱處理時(shí)間為1分鐘至10小時(shí)。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述方法包括后處理步驟，以將從所述硅納米線的前體化合物產(chǎn)生的有機(jī)物轉(zhuǎn)化為碳材料。
12.一種制造包括集流體的電極的方法，所述方法包括(i)實(shí)施根據(jù)權(quán)利要求1至11所述的方法來(lái)制備復(fù)合材料，以及(ii)用包括所述硅銅復(fù)合材料的組合物作為電極活性材料覆蓋所述集流體的至少一個(gè)表面。
13.一種制造儲(chǔ)能裝置例如鋰二次電池的方法，所述儲(chǔ)能裝置包括負(fù)極、正極和設(shè)置在所述負(fù)極和所述正極之間的隔膜，其中所述方法包括實(shí)施根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法來(lái)制造至少一種電極，優(yōu)選所述正極。