專利名稱：帶驅(qū)動(dòng)器電路和至少一個(gè)功率開關(guān)的系統(tǒng)及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明描述一種帶驅(qū)動(dòng)器電路和至少一個(gè)功率開關(guān)的系統(tǒng)，功率 開關(guān)優(yōu)選是功率半導(dǎo)體模塊的構(gòu)件。已公知各式各樣的這種功率半導(dǎo) 體模塊，并且，這種功率半導(dǎo)體模塊通常具有半相或三相拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
因此，這里描述的功率開關(guān)形成了這種功率半導(dǎo)體模塊的基礎(chǔ)。此外，
本發(fā)明描述一種特別有利的方法，用來驅(qū)動(dòng)(Ansteuemng)根據(jù)本發(fā) 明的功率開關(guān)。
背景技術(shù)：
例如由EP 0 750 345 A2公知所述類型的功率半導(dǎo)體模塊。這里， 功率開關(guān)由帶反向并聯(lián)地聯(lián)接的功率二極管的功率晶體管組成。例如 由同一文獻(xiàn)同樣己知的是，這種功率開關(guān)能形成為更多相同的帶多個(gè) 相同功率二極管的功率晶體管的并聯(lián)電路。
由DE 100 10 957 Al公知由至少一個(gè)MOS-FET(金屬氧化物半導(dǎo) 體場效應(yīng)管)和至少一個(gè)IGBT (絕緣柵雙極型晶體管)的并聯(lián)電路組 成的功率開關(guān)。此功率開關(guān)在逆變器的使用中用于在高開關(guān)頻率時(shí)實(shí) 現(xiàn)大載流能力。然而，這種構(gòu)造方式局限于相對(duì)較低的供電電壓，在 供電電壓相對(duì)較低時(shí)MOS-FET能被使用，公知的是，MOS-FET相對(duì) 于IGBT而言具有較低的耐壓強(qiáng)度。在該構(gòu)造方式中，兩個(gè)分開關(guān)在接 通指令下同時(shí)接通，并且，在隨后的斷開指令下，MOS-FET相對(duì)于IGBT 又延時(shí)斷開。
在現(xiàn)代的功率半導(dǎo)體模塊中，功率開關(guān)以直至20kHz的開關(guān)頻率 來接通。在開關(guān)過程期間，在不同的構(gòu)造方式的功率晶體管中出現(xiàn)高 頻振蕩，高頻振蕩導(dǎo)致顯著的電磁波形式的輻射。最小化干擾輻射是在功率半導(dǎo)體模塊連同另外的結(jié)構(gòu)元件(例如驅(qū)動(dòng)器電路和電容器) 的系統(tǒng)使用時(shí)的任務(wù)。功率半導(dǎo)體模塊的在系統(tǒng)應(yīng)用中的所謂的EMV (電磁兼容)特性通過電流幅值、電壓幅值、驅(qū)動(dòng)的占空比、開關(guān)頻 率以及通過功率開關(guān)的開關(guān)時(shí)間來確定。
因此，在特別地由功率半導(dǎo)體模塊組成的系統(tǒng)中，EMV特性的改 善應(yīng)已經(jīng)在干擾有原因地產(chǎn)生的位置上實(shí)現(xiàn)。然而，在功率半導(dǎo)體模 塊層面上的影響可能性強(qiáng)烈地受到限制，因?yàn)楹芏嗨^的因素都通過 應(yīng)用被確定下來，進(jìn)而是不可改變的。
此外，單個(gè)功率半導(dǎo)體晶體管針對(duì)重要的參數(shù)，例如小的導(dǎo)通損 耗或小的開關(guān)損耗，得以被優(yōu)化，由此，通常各個(gè)其它的參數(shù)具有比 在針對(duì)這些參數(shù)優(yōu)化過的大功率晶體管中較差的數(shù)值。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明以下述任務(wù)為基礎(chǔ)，即介紹帶至少一個(gè)用于功率半導(dǎo)體模 塊的功率開關(guān)和驅(qū)動(dòng)器電路的系統(tǒng)以及介紹用于所述系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)方 法，其中，功率開關(guān)連同驅(qū)動(dòng)方法借助于驅(qū)動(dòng)器電路而具有改善的開
關(guān)特性。
此任務(wù)根據(jù)本發(fā)明通過具有權(quán)利要求1特征的物體以及通過根據(jù) 權(quán)利要求3的方法得以解決。優(yōu)選的實(shí)施方式在從屬權(quán)利要求中進(jìn)行 描述。
功率晶體管形式的功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件構(gòu)成本發(fā)明的出發(fā)點(diǎn)，其 中，本發(fā)明不限于下述類型的功率開關(guān)，關(guān)于這種類型的功率開關(guān)公 知第一構(gòu)造方式，該構(gòu)造方式在盡可能小的開關(guān)損耗方面得到優(yōu)化； 以及第二構(gòu)造方式，此構(gòu)造方式在盡可能小的導(dǎo)通損耗方面得到優(yōu)化。
此外，在廣義上，開關(guān)損耗應(yīng)理解為電能的下述損耗，該電能在
5功率開關(guān)接通期間例如幾百納秒的時(shí)間段內(nèi)在該功率開關(guān)上被消耗， 并且作為熱量散發(fā)。典型的數(shù)值處于幾毫焦的數(shù)量級(jí)。
此外，在廣義上，導(dǎo)通損耗應(yīng)理解為電能的下述損耗，所述電能 在功率開關(guān)導(dǎo)通階段在直至幾百毫秒的典型時(shí)間段內(nèi)在此功率開關(guān)上 被消耗，并且作為熱量散發(fā)。在此，典型的數(shù)值達(dá)到直至幾十毫焦。
因此，根據(jù)本發(fā)明的帶驅(qū)動(dòng)器電路和至少一個(gè)功率開關(guān)的系統(tǒng)具 有一個(gè)相應(yīng)的功率開關(guān)，該功率開關(guān)形成為至少一個(gè)第一可開關(guān)的功 率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件和至少一個(gè)第二可開關(guān)的功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件的并 聯(lián)電路。為了對(duì)相應(yīng)第一和第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件進(jìn)行個(gè)別驅(qū)動(dòng)， 第一和第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件分別具有一個(gè)到驅(qū)動(dòng)器電路的控制連 接。在此重要的是，至少一個(gè)第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件在開關(guān)時(shí)具有 比至少一個(gè)第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件更小的開關(guān)損耗和/或更小的振蕩 傾向，而至少一個(gè)第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件具有比至少一個(gè)第一功率 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件更小的導(dǎo)通損耗。
在根據(jù)本發(fā)明的用于驅(qū)動(dòng)這種系統(tǒng)的方法中，由可與驅(qū)動(dòng)器電路 連接的控制器生成開關(guān)指令，并且傳送給驅(qū)動(dòng)器電路。由此，驅(qū)動(dòng)器 電路將至少一個(gè)第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件接通持續(xù)限定的時(shí)段，并且 在此時(shí)段內(nèi)至少一個(gè)第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件同樣收到開關(guān)脈沖。因 此，此驅(qū)動(dòng)方法在開關(guān)過程中利用至少一個(gè)第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件 的小的開關(guān)損耗和/或小的振蕩傾向，并因此在第二種情況下生成比至 少一個(gè)第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件直接接通情況下更小的干擾輻射。在
第一種情況下，功率開關(guān)的由導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗構(gòu)成的總損耗顯著
地得以改善。優(yōu)選地，至少一個(gè)第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件同時(shí)具有更
小的開關(guān)損耗和更小的振蕩傾向兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)。然而，這種第一功率半導(dǎo) 體結(jié)構(gòu)元件則具有比在對(duì)此優(yōu)化過的第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件明顯更
高的傳導(dǎo)損耗。至少一個(gè)第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件也在下述時(shí)段內(nèi)被 接通，即在所述時(shí)段內(nèi)，第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件持續(xù)接通，由此第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件的開關(guān)損耗不產(chǎn)生影響。
因此，第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件總是只在當(dāng)?shù)诙β拾雽?dǎo)體結(jié)構(gòu) 元件應(yīng)該接收到開關(guān)脈沖時(shí)的時(shí)段內(nèi)是接通的，以便第一功率半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu)元件的較差的導(dǎo)通損耗不產(chǎn)生影響。因此，干擾輻射或者開關(guān)損 耗或者上述兩者在功率開關(guān)的開關(guān)階段被降低，而沒有負(fù)面地影響其 它的正面特性，例如在接通狀態(tài)下小的導(dǎo)通損耗，因?yàn)樵诖说谝还β?半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件不再是接通的。
因此，在用于功率開關(guān)的接通指令下，借助驅(qū)動(dòng)器電路，將至少 一個(gè)第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件接通持續(xù)第一時(shí)段，并且，在此時(shí)段期 間，至少一個(gè)第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件在限定時(shí)刻同樣被接通。
因此，在用于功率開關(guān)的斷開指令下，借助驅(qū)動(dòng)器電路，將至少 一個(gè)第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件接通持續(xù)第二時(shí)段，其中，在此時(shí)段內(nèi)， 至少一個(gè)第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件還是接通的，并且，在此時(shí)段期間， 至少一個(gè)第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件在限定時(shí)刻被斷開。
借助根據(jù)本發(fā)明的方法，至少一個(gè)第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件和至 少一個(gè)第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件如此地被驅(qū)動(dòng)，即開關(guān)過程的總損耗
比在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的功率開關(guān)的構(gòu)造方式中的明顯更小。在大多數(shù)公 知的功率半導(dǎo)體模塊中，每個(gè)功率開關(guān)構(gòu)成為多個(gè)相同的功率半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu)元件，它們總是針對(duì)某個(gè)參數(shù)，例如小的導(dǎo)通損耗或小的開關(guān)損 耗進(jìn)行優(yōu)化。所以，關(guān)于其散熱方面，必須將功率半導(dǎo)體模塊針對(duì)未 進(jìn)行優(yōu)化的參數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)，以便也能在此以熱量的形式散發(fā)損耗。因 此，功率開關(guān)的根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)造方式不是必然需要將每個(gè)開關(guān)的功
率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件加倍，因?yàn)樵诖嗣總€(gè)功率開關(guān)的對(duì)于設(shè)計(jì)功率半導(dǎo) 體模塊所要慮及的總損耗更小。


該電路系統(tǒng)的特別優(yōu)選的改進(jìn)構(gòu)造方案和它的驅(qū)動(dòng)方法在實(shí)施例 的相應(yīng)描述中被提及。此外，借助圖1和圖2的實(shí)施例對(duì)發(fā)明的解決 方案進(jìn)行詳盡說明。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的帶可連接的控制器的系統(tǒng)的構(gòu)造方式。 圖2示出根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)方法的構(gòu)造方式的脈沖曲線圖。
具體實(shí)施例方式
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的帶可連接的控制器10的系統(tǒng)的構(gòu)造方式。 在此，此系統(tǒng)具有驅(qū)動(dòng)器電路20，驅(qū)動(dòng)器電路20從上位的控制器10 通過數(shù)據(jù)通道12接收用于功率開關(guān)的控制指令120。
驅(qū)動(dòng)器電路20將此控制指令處理成用于功率開關(guān)30的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。 在此，根據(jù)本發(fā)明，功率開關(guān)30形成為至少一個(gè)第一可開關(guān)的功率半 導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件32和至少一個(gè)第二可開關(guān)的功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件34的 并聯(lián)電路。在此，第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件32的特征是，它具有比第 二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件34更小的開關(guān)損耗和更小的振蕩傾向。與此相 應(yīng)的是，第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件34的特征是，它具有比第一功率半 導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件32更小的導(dǎo)通損耗。
此處兩個(gè)功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件32、 34形成為以不同技術(shù)生產(chǎn)的 IGBT，用于續(xù)流情況(Freilauffall)的功率二極管36還相對(duì)于此兩個(gè) 功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件32、 34反向并聯(lián)地聯(lián)接。在此，涉及到根據(jù)本發(fā) 明的功率開關(guān)30的最簡單的構(gòu)造形式。當(dāng)然在另外的構(gòu)造方式中，第 一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件32和第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件34的數(shù)目是不 同的。至少一個(gè)反向并聯(lián)聯(lián)接的功率二極管36也能在適當(dāng)?shù)目砷_關(guān)功 率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件中，如反向阻斷IGBT和MOS-FET完全不被使用。
這兩個(gè)第一和第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件32、 34借助分別配屬于它 們的控制連接22、 24與驅(qū)動(dòng)器電路20相連。圖2示意示出根據(jù)本發(fā)明的控制過程的構(gòu)造方式的從驅(qū)動(dòng)控制器
到驅(qū)動(dòng)器電路的控制指令120的脈沖曲線圖，第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元 件32和第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件34的驅(qū)動(dòng)信號(hào)220、 240的脈沖曲線 圖。作為比較描述的是，依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于功率開關(guān)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)200 的脈沖曲線圖。
驅(qū)動(dòng)控制器10在時(shí)刻tl發(fā)送開關(guān)指令，這里是接通指令Sl。在 驅(qū)動(dòng)器電路20的反應(yīng)時(shí)間之后，該驅(qū)動(dòng)器電路20在時(shí)刻t2向第一功 率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件32發(fā)送接通指令，由此該第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件 32釋放電流通過功率開關(guān)30。
隨后，驅(qū)動(dòng)器電路20在時(shí)刻t3向第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件34發(fā) 送接通指令，由此第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件同樣被導(dǎo)電地接通。在此， 第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件34的開關(guān)損耗很微小，因?yàn)殡娏饕呀?jīng)流過功 率開關(guān)。
為了避免第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件32的導(dǎo)通損耗，第一功率半導(dǎo) 體結(jié)構(gòu)元件在時(shí)刻t4重又由驅(qū)動(dòng)器電路20斷開，此后總電流流經(jīng)第二 功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件34。因此，第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件32只對(duì)于時(shí) 段(t4-t2)是工作的。
驅(qū)動(dòng)控制器10在時(shí)刻t5發(fā)送另一個(gè)開關(guān)指令，即向驅(qū)動(dòng)器電路 20發(fā)送斷開指令S2。在驅(qū)動(dòng)器電路20的更新的反應(yīng)時(shí)間之后，在時(shí) 刻t6驅(qū)動(dòng)器電路20向第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件32發(fā)送接通指令，由 此這時(shí)兩個(gè)功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件32、 34再次導(dǎo)通電流。
隨后，第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件34在時(shí)刻t7由驅(qū)動(dòng)器電路20斷 開，其中此時(shí)，電流就只能流經(jīng)第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件32。
此第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件32就在時(shí)刻t8同樣被斷開，其中，
9該第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件只在第二時(shí)段(t8-t6)期間工作。功率開關(guān) 30像這樣通過斷開第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件32而被斷開。
對(duì)于功率開關(guān)30在10kHz范圍內(nèi)的開關(guān)頻率，第一和第二時(shí)段 (t4-t2,t8-t6)的典型數(shù)值在lps到5jus之間，第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元 件32在第一和第二時(shí)段(t4-t2,t8-t6)是接通的，而另一個(gè)時(shí)段(t7-t3) 達(dá)到直至50(His，在另一個(gè)時(shí)段(t7-t3)期間第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件 34是接通的。當(dāng)然，在功率開關(guān)30的實(shí)際運(yùn)行中，能如此給出較短的 接通時(shí)段，即在所述接通時(shí)段內(nèi)第二個(gè)開關(guān)不進(jìn)行開關(guān)。
權(quán)利要求
1.帶驅(qū)動(dòng)器電路(20)和至少一個(gè)功率開關(guān)(30)的系統(tǒng)，其中，所述功率開關(guān)(30)形成為至少一個(gè)第一能開關(guān)的功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(32)和至少一個(gè)第二能開關(guān)的功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(34)的并聯(lián)電路，各個(gè)所述第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(32)和所述第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(34)分別具有一個(gè)配屬于所述第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(32)和所述第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(34)的到所述驅(qū)動(dòng)器電路(20)的控制連接(22、24)，并且其中，所述至少一個(gè)第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(32)在開關(guān)時(shí)具有比所述至少一個(gè)第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(34)更小的開關(guān)損耗和/或更小的振蕩傾向，而所述至少一個(gè)第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(34)具有比所述至少一個(gè)第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(32)更小的導(dǎo)通損耗。
2. 按權(quán)利要求l所述的系統(tǒng)，其中，至少一個(gè)第三功率半導(dǎo)體結(jié) 構(gòu)元件(36)，即功率二極管相對(duì)于所述至少一個(gè)第一功率半導(dǎo)體結(jié) 構(gòu)元件(32)和所述至少一個(gè)第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(34)反向并 聯(lián)地聯(lián)接。
3. 用于對(duì)按權(quán)利要求1或者2之一所述的系統(tǒng)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的方法， 其中，在能夠與所述驅(qū)動(dòng)器電路(20)連接的控制器(10)的開關(guān)指 令(Sl、 S2)下，所述驅(qū)動(dòng)器電路(20)將所述至少一個(gè)第一功率半 導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(32)接通持續(xù)限定的時(shí)段(t4-t2， t8-t6)，并且在所述 時(shí)段期間，所述至少一個(gè)第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件在時(shí)刻(t3、 t6)同 樣收到開關(guān)脈沖。
4. 按權(quán)利要求3所述的方法，其中，在用于所述功率開關(guān)(30) 的在時(shí)刻(tl)的接通指令(Sl)下，借助所述驅(qū)動(dòng)器電路(20)，將 所述至少一個(gè)第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(32)接通持續(xù)第一時(shí)段(t4-t2)， 并且在所述時(shí)段(t4-t2)期間，所述至少一個(gè)第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(34)在時(shí)刻(t3)被接通。
5. 按權(quán)利要求3所述的方法，其中，在用于所述功率開關(guān)(30) 的在時(shí)刻(t5)的斷開指令(S2)下，借助所述驅(qū)動(dòng)器電路(20)，將 所述至少一個(gè)第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(32)接通持續(xù)第二時(shí)段(t8-t6)， 其中，這時(shí)所述至少一個(gè)第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(34)還是接通的， 并且在所述時(shí)段(t8-t6)期間，所述至少一個(gè)第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(34)在時(shí)刻(t7)被斷開。
6. 按權(quán)利要求3所述的方法，其中，在所述功率開關(guān)(30)的開 關(guān)頻率在10kHz范圍內(nèi)的情況下，其間所述至少一個(gè)第一功率半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu)元件(32)為接通的所述第一時(shí)段(t4-t2)和第二時(shí)段(t8-t6)在 lps到5iis之間，并且，其間所述至少一個(gè)第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件(34) 為接通的另一個(gè)時(shí)段(t7-t3)達(dá)到直至500ps。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種帶驅(qū)動(dòng)器電路和至少一個(gè)功率開關(guān)的系統(tǒng)及其驅(qū)動(dòng)方法。描述了一種帶驅(qū)動(dòng)器電路和功率開關(guān)的系統(tǒng)，其中，功率開關(guān)形成第一可開關(guān)的功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件和第二可開關(guān)的功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件的并聯(lián)電路。在此重要的是，第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件在開關(guān)時(shí)具有比第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件更小的開關(guān)損耗和/或更小的振蕩傾向，而第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件具有比至少一個(gè)第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件更小的導(dǎo)通損耗。所屬的方法在開關(guān)脈沖下將第一功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件接通持續(xù)確定的時(shí)段，而在此時(shí)段期間，第二功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)元件同樣收到開關(guān)脈沖。借助根據(jù)本發(fā)明的方法，開關(guān)過程的總損耗比在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的功率開關(guān)的構(gòu)造方式中的明顯更小。
文檔編號(hào)H02M1/08GK101651406SQ20091016672
公開日2010年2月17日 申請(qǐng)日期2009年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月16日
發(fā)明者斯特凡·施米特, 杰爾·多·納西門托 申請(qǐng)人:賽米控電子股份有限公司