雙向可控硅過(guò)零觸發(fā)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及交流電路雙向可控硅觸發(fā)技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種雙向可控硅過(guò)零觸發(fā)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機(jī)控制系統(tǒng)中，可作為功率驅(qū)動(dòng)器件，由于雙向可控硅沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴}，控制電路簡(jiǎn)單，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強(qiáng)電網(wǎng)絡(luò)中，其觸發(fā)電路的抗干擾問(wèn)題很重要，通常都是通過(guò)光電耦合器將單片機(jī)控制系統(tǒng)中的觸發(fā)信號(hào)加載到可控硅的控制極。為減小驅(qū)動(dòng)功率和可控硅觸發(fā)時(shí)產(chǎn)生的干擾，交流電路雙向可控硅的觸發(fā)常采用過(guò)零觸發(fā)電路。過(guò)零觸發(fā)是指在電壓為零或零附近的瞬間接通。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是:基于上述問(wèn)題，提供一種雙向可控硅過(guò)零觸發(fā)電路。
[0004]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種雙向可控硅過(guò)零觸發(fā)電路，包括三極管T1、光電耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器、雙向可控硅BCR和RC阻容吸收電路，所述三極管T1的基極接入脈沖信號(hào)，且三極管T1的基極上連接有基極偏置電阻R1，三極管T1的發(fā)射極連接直流電平，三極管T1的集電極連接光電耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器的輸入端，且三極管T1的集電極上連接有集電極供電電阻R2，光電耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器的第一輸出端連接雙向可控硅BCR，其第二輸出端連接觸發(fā)限流電阻R3，雙向可控硅BCR的兩個(gè)主電極之間并聯(lián)RC阻容吸收電路，雙向可控硅BCR的門(mén)極連接有門(mén)極電阻R4。
[0005]進(jìn)一步地，所述RC阻容吸收電路由電容C1和電阻R5串聯(lián)組成。
[0006]本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型工作穩(wěn)定、安全、可靠性高，適用于單片機(jī)控制系統(tǒng)的交流負(fù)載控制電路，可以控制電爐、交流電機(jī)等大功率交流設(shè)備。
【附圖說(shuō)明】
[0007]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。
[0008]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖中:1.光電耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器，2.雙向可控硅BCR，3.RC阻容吸收電路。
【具體實(shí)施方式】
[0010]現(xiàn)在結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。這些附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖，僅以示意方式說(shuō)明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。
[0011]如圖1所示，一種雙向可控硅過(guò)零觸發(fā)電路，包括三極管T1、光電耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器1、雙向可控硅BCR2和RC阻容吸收電路3，三極管T1的基極接入脈沖信號(hào)，且三極管T1的基極上連接有基極偏置電阻R1，三極管ΤΙ的發(fā)射極連接直流電平，三極管Τ1的集電極連接光電耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器1的輸入端，且三極管Τ1的集電極上連接有集電極供電電阻R2，光電親合雙向可控娃驅(qū)動(dòng)器1的第一輸出端連接雙向可控娃BCR2，其第二輸出端連接觸發(fā)限流電阻R3，雙向可控硅BCR2的兩個(gè)主電極之間并聯(lián)RC阻容吸收電路3，雙向可控硅BCR3的門(mén)極連接有門(mén)極電阻R4。RC阻容吸收電路3由電容C1和電阻R5串聯(lián)組成。
[0012]光電親合雙向可控娃驅(qū)動(dòng)器1，也屬于光電親合器的一種，用來(lái)驅(qū)動(dòng)雙向可控娃BCR2并且起到隔離的作用，BCR門(mén)極電阻R4，防止誤觸發(fā)，提高抗干擾能力。
[0013]當(dāng)輸出負(fù)脈沖信號(hào)時(shí)，三極管Τ1導(dǎo)通，光電親合雙向可控娃驅(qū)動(dòng)器1導(dǎo)通，觸發(fā)雙向可控硅BCR2導(dǎo)通，接通交流負(fù)載。另外，若雙向可控硅接感性交流負(fù)載時(shí)，由于電源電壓超前負(fù)載電流一個(gè)相位角，因此，當(dāng)負(fù)載電流為零時(shí)，電源電壓為反向電壓，加上感性負(fù)載自感電動(dòng)勢(shì)作用，使得雙向可控硅BCR2承受的電壓值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)電源電壓。雖然雙向可控硅BCR2反向?qū)?，但容易擊穿，故必須使雙向可控硅BCR2能承受這種反向電壓。一般在雙向可控硅BCR2兩主電極間并聯(lián)一個(gè)RC阻容吸收電路3，實(shí)現(xiàn)雙向可控硅BCR2過(guò)電壓保護(hù)，電容C1和電阻R5組成RC阻容吸收電路3。
[0014]以上述依據(jù)本實(shí)用新型的理想實(shí)施例為啟示，通過(guò)上述的說(shuō)明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)實(shí)用新型技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)實(shí)用新型的技術(shù)性范圍并不局限于說(shuō)明書(shū)上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來(lái)確定其技術(shù)性范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種雙向可控硅過(guò)零觸發(fā)電路，其特征在于:包括三極管T1、光電耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器(1)、雙向可控硅BCR(2)和RC阻容吸收電路(3)，所述三極管T1的基極接入脈沖信號(hào)，且三極管T1的基極上連接有基極偏置電阻R1，三極管T1的發(fā)射極連接直流電平，三極管T1的集電極連接光電耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器(1)的輸入端，且三極管T1的集電極上連接有集電極供電電阻R2，光電耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器(1)的第一輸出端連接雙向可控硅BCR(2)，其第二輸出端連接觸發(fā)限流電阻R3，雙向可控硅BCR(2)的兩個(gè)主電極之間并聯(lián)RC阻容吸收電路(3)，雙向可控硅BCR(2)的門(mén)極連接有門(mén)極電阻R4。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向可控硅過(guò)零觸發(fā)電路，其特征在于:所述RC阻容吸收電路⑶由電容C1和電阻R5串聯(lián)組成。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種雙向可控硅過(guò)零觸發(fā)電路，包括三極管T1、光電耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器、雙向可控硅BCR和RC阻容吸收電路，所述三極管T1的基極接入脈沖信號(hào)，且三極管T1的基極上連接有基極偏置電阻R1，三極管T1的發(fā)射極連接直流電平，三極管T1的集電極連接光電耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器的輸入端，且三極管T1的集電極上連接有集電極供電電阻R2，光電耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器的第一輸出端連接雙向可控硅BCR，其第二輸出端連接觸發(fā)限流電阻R3，雙向可控硅BCR的兩個(gè)主電極之間并聯(lián)RC阻容吸收電路，雙向可控硅BCR的門(mén)極連接有門(mén)極電阻R4。本實(shí)用新型工作穩(wěn)定、安全、可靠性高，適用于單片機(jī)控制系統(tǒng)的交流負(fù)載控制電路，可以控制電爐、交流電機(jī)等大功率交流設(shè)備。
【IPC分類(lèi)】H03K17/72, H03K17/78
【公開(kāi)號(hào)】CN204967783
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520744505
【發(fā)明人】沈富德
【申請(qǐng)人】江蘇矽萊克電子科技有限公司
【公開(kāi)日】2016年1月13日
【申請(qǐng)日】2015年9月23日