一種半導體制造設備的制造方法
【專利摘要】本實用新型提供了：一種半導體制造設備，包括：工作腔，至少具有一個開口；輸氣裝置，輸出高潔凈度氣體，并在所述工作腔的開口處形成氣簾，阻擋外界粉塵進入工作腔內(nèi)部，所述高潔凈度氣體的潔凈度高于或等于所述機設備正常工作時所要求的工作環(huán)境中氣體的潔凈度。
【專利說明】
一種半導體制造設備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及半導體制造領(lǐng)域，具體為一種具有高空氣潔凈度的半導體制造設備。
【背景技術(shù)】
[0002]在諸多電子類產(chǎn)品的生產(chǎn)中對于空氣潔凈度有著極高的要求，要求生產(chǎn)環(huán)境處于無塵的工作環(huán)境之下。特別地，在半導體生產(chǎn)過程中對工作環(huán)境的空氣潔凈度要求極高。
[0003]目前，半導體一般是在高凈潔度工作室內(nèi)制造，由于半導體制作設備的設計及使用原輔料原因，會造成大量粉塵顆粒存在于工作室，使其依然很難達到半導體制造設備對空氣潔凈度的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對上述問題，本實用新型提供了一種半導體制造設備，通過純潔空氣進行吹起形成氣簾阻擋，僅有純凈空氣可進入設備內(nèi)部，保證其設備內(nèi)部潔凈度。
[0005]本實用新型解決上述問題的技術(shù)方案為:一種半導體制造設備，包括:工作腔，至少具有一個開口 ；輸氣裝置，輸出高潔凈度氣體，并在所述工作腔的開口處形成氣簾，阻擋外界粉塵進入工作腔內(nèi)部，所述高潔凈度氣體的潔凈度高于或等于所述機設備正常工作時所要求的工作環(huán)境中氣體的潔凈度。
[0006]優(yōu)選的，所述半導體制造設備還包括一排氣裝置，使所述工作腔內(nèi)部氣體排出。
[0007]優(yōu)選的，所述排氣裝置位于工作腔的后壁。
[0008]優(yōu)選的，所述輸氣裝置包括輸氣管和過濾器。
[0009]優(yōu)選的，所述輸氣管直接連接一空調(diào)系統(tǒng)，從而實現(xiàn)氣體輸出。
[0010]優(yōu)選的，所述輸氣裝置包括一出風口，其寬度大于或等于所述工作腔的開口的寬度。
[0011]優(yōu)選的，所述出風口的高度為50?200mm。
[0012]優(yōu)選的，所述半導體制造設備還包括一蓋體，用于封閉所述工作腔的開口。
[0013]優(yōu)選的，所述輸氣裝置還包括一氣閥。
[0014]優(yōu)選的，所述設備為蒸鍍機、劃片機或上蠟機。
[0015]本實用新型至少具備以下有益效果:在所述半導體制造設備的工作腔開口處處增加氣簾結(jié)構(gòu)，氣簾采用高潔凈度氣體，使進入機臺內(nèi)部的空氣不含大顆粒粉塵，配合排風來提尚機臺內(nèi)部潔凈度，提尚廣品良率。
[0016]本實用新型的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。
【附圖說明】
[0017]附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。
[0018]圖1是本用新型提供的半導體制造設備一優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖2為圖1半導體制造設備的輸氣裝置輸出氣體形成氣簾的示意圖。
【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合示意圖對本實用新型的半導體制造設備進行詳細的描述，借此對本實用新型如何應用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達成技術(shù)效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0021]請參看圖1和圖2，半導體制造設備100，包括:工作腔110和輸氣裝置130，其中工作腔具有開口 120，輸氣裝置130輸出高潔凈度氣體，并在所述工作腔的開口 130處形成氣簾210，阻擋外界粉塵進入工作腔內(nèi)部，所述高潔凈度氣體的潔凈度高于或等于所述機設備正常工作時所要求的工作環(huán)境中氣體的潔凈度。
[0022]這里，所述半導體制造設備100指需要處于高潔凈度環(huán)境下工作的設備，如半導體制造業(yè)中的CVD設備或PVD設備。所述高潔凈度氣體的潔凈度高于或等于所述半導體制造設備正常工作時所要求的工作環(huán)境中氣體的潔凈度，諸如若所述設備I需要處于萬級精度的空氣環(huán)境下才能夠正常工作，高潔凈度氣體的潔凈度應該高于或等于萬級精度;若所述設備I需要處于百級精度的空氣環(huán)境下才能夠正常工作，高潔凈度氣體的潔凈度應該高于或等于百級精度，其他等級精度要求依此類推。其中，萬級精度是指每立方英尺的空氣中直徑大于3微米的微粒不高于10000個;百級精度是指每立方英尺的空氣中直徑大于3微米的微粒不高于100個。
[0023]在本實用新型的第一個較佳實施例中，輸氣裝置130由輸氣管131、空氣過濾器133和出風口 132構(gòu)成，其中輸氣管131直接連接一空調(diào)系統(tǒng)，實現(xiàn)氣體200輸入輸氣管，出風口132設置于工作腔開口部的上方，其寬度大于或等于工作腔的開口部的寬度，以保證形成的氣簾完全覆蓋開口部。具體的，輸氣管131采用鐵質(zhì)白色烤漆管材，具體尺寸根據(jù)半導體制造設備安放的位置及車間空調(diào)系統(tǒng)位置進行定制加工，在輸氣管131與空調(diào)系統(tǒng)出風口連接處添加高效空氣過濾器133，保證出風空氣潔凈度達標。出風口 132處采用大小均一的圓孔濾網(wǎng)設計，保證出風口流量均勻流出，從而保證設備內(nèi)部空氣潔凈度，較佳的，出風口的高度為50~200mm。
[0024]在本實用新型的第二個較佳實施例中，還可在工作腔110的開口處還設置一蓋體，用于封閉所述工作腔的開口。
[0025]在本實用新型的第三個較佳實施例中，還可設置一與工作腔連通的排氣裝置，通過輸氣裝置吹出均勻潔凈的空氣，在所述半導體制造設備前形成氣簾，阻擋外界粉塵進入設備內(nèi)部，并配合設備內(nèi)部排風，提高設備內(nèi)部氣體潔凈度。其中，排氣裝置可設置于工作腔中的開口部相對的后壁上。
[0026]在本實用新型的第四個較佳實施例中，輸氣裝置包括一氣壓設備，通過氣閥實現(xiàn)對輸氣裝置的輸氣控制。
[0027]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種半導體制造設備，包括:工作腔，其側(cè)壁至少具有一個開口 ；輸氣裝置，具有一出風口，該出風口設置于工作腔開口的上方并朝向開口下方出氣，所述輸氣裝置通過所述出風口輸出高潔凈度氣體，并在所述工作腔的開口處形成氣簾，阻擋外界粉塵進入工作腔內(nèi)部，所述高潔凈度氣體的潔凈度高于或等于所述機設備正常工作時所要求的工作環(huán)境中氣體的潔凈度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體制造設備，其特征在于:還包括一排氣裝置，使所述工作腔內(nèi)部氣體排出。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體制造設備，其特征在于:所述排氣裝置位于工作腔的后壁。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體制造設備，其特征在于:所述輸氣裝置包括輸氣管和過濾器。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體制造設備，其特征在于:所述輸氣管直接連接一空調(diào)系統(tǒng)，從而實現(xiàn)氣體輸出。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體制造設備，其特征在于:所述輸氣裝置包括一出風口，其寬度大于或等于所述工作腔的開口的寬度。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體制造設備，其特征在于:所述出風口的高度為50?200mmo8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體制造設備，其特征在于:還包括一蓋體，用于封閉所述工作腔的開口。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體制造設備，其特征在于:輸氣裝置還包括一氣閥。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體制造設備，其特征在于:所述設備為蒸鍍機、劃片機或上蠟機。
【文檔編號】H01L21/67GK205609481SQ201620203642
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年3月17日
【發(fā)明人】劉龍, 武超, 宋超, 谷辰忠, 潘冠甫, 馬志邦, 吳超瑜, 王篤祥
【申請人】天津三安光電有限公司