半導(dǎo)體裝置的制造裝置及制造方法
【專利摘要】本發(fā)明關(guān)于半導(dǎo)體裝置的制造裝置及制造方法。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置具有：平臺(tái)，保持與具有第一面及與所述第一面相反側(cè)的第二面的半導(dǎo)體晶片的所述第二面附著的帶；真空機(jī)構(gòu)，吸附在附著設(shè)置在所述第一面的襯底的上方；驅(qū)動(dòng)部，將所述真空機(jī)構(gòu)向遠(yuǎn)離所述襯底的方向驅(qū)動(dòng)；以及冷卻部，能夠冷卻所述帶。另外，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括：對(duì)具有第一面及與所述第一面對(duì)向的第二面的半導(dǎo)體晶片，將襯底粘貼在所述第一面的步驟；貫通所述半導(dǎo)體晶片，在所述第二面形成具有凸部的接點(diǎn)的步驟；將帶貼附在所述第二面的步驟；以及通過(guò)使所述帶的彈性模數(shù)增加，并拉開所述半導(dǎo)體晶片與所述襯底的距離，而將所述襯底剝離的剝離步驟。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體裝置的制造裝置及制造方法
[0001][相關(guān)申請(qǐng)案]
[0002]本申請(qǐng)案享有以日本專利申請(qǐng)案2015-86155號(hào)(申請(qǐng)日:2015年4月20日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)案通過(guò)參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)案而包含基礎(chǔ)申請(qǐng)案的全部?jī)?nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造裝置及制造方法。
【背景技術(shù)】
[0004]半導(dǎo)體晶片被單片化為半導(dǎo)體芯片。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種使半導(dǎo)體裝置的制造容易的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及制造方法。
[0006]本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置具有:平臺(tái)，保持與具有第一面及與所述第一面相反側(cè)的第二面的半導(dǎo)體晶片的所述第二面附著的帶;真空機(jī)構(gòu)，吸附在附著設(shè)置在所述第一面的襯底的上方;驅(qū)動(dòng)部，將所述真空機(jī)構(gòu)向遠(yuǎn)離所述襯底的方向驅(qū)動(dòng)；以及冷卻部，能夠冷卻所述帶。另外，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括:對(duì)具有第一面及與所述第一面對(duì)向的第二面的半導(dǎo)體晶片，將襯底粘貼在所述第一面的步驟;貫通所述半導(dǎo)體晶片，在所述第二面形成具有凸部的接點(diǎn)的步驟;將帶貼附在所述第二面的步驟;以及通過(guò)使所述帶的彈性模數(shù)增加，并拉開所述半導(dǎo)體晶片與所述襯底的距離，而將所述襯底剝離的剝離步驟。
【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1是說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及半導(dǎo)體制造方法的示意性的立體圖。
[0008]圖2是說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及半導(dǎo)體制造方法的示意性的剖視圖。
[0009]圖3是說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及半導(dǎo)體制造方法的示意性的立體圖。
[0010]圖4是說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及半導(dǎo)體制造方法的示意性的剖視圖。
[0011]圖5是將圖4的區(qū)域SI放大的示意性的剖視圖。
[0012]圖6是說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及半導(dǎo)體制造方法的示意性的立體圖。
[0013]圖7是說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及半導(dǎo)體制造方法的示意性的剖視圖。
[0014]圖8是說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及半導(dǎo)體制造方法的示意性的立體圖。
[0015]圖9是說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及半導(dǎo)體制造方法的示意性的剖視圖。
[0016]圖1O是將圖9的區(qū)域S2放大的示意性的剖視圖。
[0017]圖11是說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及半導(dǎo)體制造方法的示意性的立體圖。
[0018]圖12是說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及半導(dǎo)體制造方法的示意性的剖視圖。
[0019]圖13是說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及半導(dǎo)體制造方法的示意性的剖視圖。
[0020]圖14是將圖13的區(qū)域S3放大的示意性的剖視圖。
[0021]圖15是說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及半導(dǎo)體制造方法的示意性的立體圖。
[0022]圖16是說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及半導(dǎo)體制造方法的示意性的剖視圖。
[0023]圖17是說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及半導(dǎo)體制造方法的示意性的立體圖。
[0024]圖18是說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及半導(dǎo)體制造方法的示意性的剖視圖。
[0025]圖19是說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及半導(dǎo)體制造方法的示意性的剖視圖。
[0026]圖20是說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及半導(dǎo)體制造方法的示意性的剖視圖。
[0027]圖21是說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及半導(dǎo)體制造方法的示意性的剖視圖。
[0028]圖22是說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及半導(dǎo)體制造方法的示意性的剖視圖。
[0029]圖23是與第一帶相接的平臺(tái)的溫度與彈性模數(shù)的關(guān)系。
[0030]圖24是說(shuō)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及半導(dǎo)體制造方法的示意性的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]以下，參照附圖對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在以下的說(shuō)明中，對(duì)于大致相同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同符號(hào)。
[0032](第丨實(shí)施方式)
[0033]圖1?圖22是說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造裝置及制造方法的圖。
[0034]如圖1及圖2所示，在半導(dǎo)體晶片1的第一面IOa側(cè)，設(shè)置粘接材層30。在粘接材層30上設(shè)置襯底20。此外，如下所述，在半導(dǎo)體晶片10與粘接材層30之間配置絕緣層36，但在圖1及圖2中，省略了關(guān)于絕緣層36的圖示。
[0035]半導(dǎo)體晶片10具有第一面1a及第二面10b。第一面1a為形成有NAND元件、晶體管、配線等(未圖示)的元件面。第二面1b為第一面1a的相反側(cè)的面。
[0036]粘接材層30通過(guò)涂布或貼附在第一面1a側(cè)而形成。粘接材層30具有芳香族烴樹月旨、熱可塑樹脂、硅酮樹脂、熱硬化樹脂、或這些的積層膜等。粘接材層30的厚度例如為30?60um左右。襯底20使用半導(dǎo)體襯底或其以外的各種襯底。襯底20的厚度典型來(lái)說(shuō)為600um?800um左右。
[0037]如圖3及圖4所示，半導(dǎo)體晶片10、粘接材層30、及襯底20被上下反轉(zhuǎn)。然后，通過(guò)將第二面1b研削，而將半導(dǎo)體晶片10薄膜化。第二面10b’為將第二面1b薄膜化之后的面。薄膜化后的半導(dǎo)體晶片10’的厚度典型來(lái)說(shuō)為30?50um。進(jìn)而，從第二面10b’貫通至第一面1a形成接點(diǎn)33。
[0038]圖5是圖4的區(qū)域SI的放大圖，是接點(diǎn)33的放大圖。
[0039]接點(diǎn)33具有導(dǎo)電層32及焊接凸塊31。導(dǎo)電層32貫通半導(dǎo)體晶片10’而設(shè)置。導(dǎo)電層32與設(shè)置在半導(dǎo)體晶片10’的第一面1a的配線層35等連接，并且與設(shè)置在第二面10b’側(cè)的焊接凸塊31連接。導(dǎo)電層32包含多個(gè)例如銅、鎳、鈦、氮化鈦等導(dǎo)電體，也可為這些膜的積層膜。焊接凸塊31與導(dǎo)電層32連接而配置。而且，至少焊接凸塊31相對(duì)于第二面10b’朝向外側(cè)突出而配置。也就是說(shuō)，焊接凸塊31具有從第二面10b’突出的部分，且從第二面10b’配置為凸形狀。因此，接點(diǎn)33從半導(dǎo)體晶片10’的第二面10b’的表面突出而配置為凸形狀。
[0040]配線層35配置在半導(dǎo)體晶片10’的第一面1a側(cè)。配線層35也可具有多個(gè)配線及多個(gè)接點(diǎn)。絕緣層36配置在配線層35的周圍。電極37與配線層35連接，且配置在第一面1a的外側(cè)。
[0041 ]接點(diǎn)33的形成方法例如如下所述。
[0042]接觸孔38是利用例如光刻法的掩模圖案的形成、及RIE(Reactive 1n Etching，反應(yīng)離子刻蝕)，將半導(dǎo)體晶片10’及絕緣層36蝕刻加工而形成。接觸孔38例如到達(dá)配線層35而形成。配線層35中至少接觸孔38到達(dá)的部分例如使用鎢、銅或金屬硅化物。鎢或金屬硅化物容易相對(duì)于半導(dǎo)體晶片10使RIE的蝕刻的選擇比變低。因此，能夠精度良好地形成接觸孔38。接著，成膜硅氧化物等絕緣膜34。在覆蓋配線層35形成絕緣膜34的情況下，將覆蓋配線層35的絕緣膜34去除。
[0043]然后，利用金屬鍍敷法或?yàn)R鍍法形成導(dǎo)電層32。導(dǎo)電層32例如利用光刻與RIE而圖案化。接著，在導(dǎo)電層32上形成焊料層。通過(guò)將焊料層利用加熱回流焊，而形成焊接凸塊31。
[0044]此外，在圖3中，為方便起見省略了接點(diǎn)33，在以后的附圖中也只要未特別說(shuō)明的情況下，為方便起見省略接點(diǎn)33的記載。
[0045]如圖6及圖7所示，在半導(dǎo)體晶片10’形成槽40，而單片化為多個(gè)半導(dǎo)體芯片50及缺漏芯片55。此處，半導(dǎo)體芯片50是指作為半導(dǎo)體裝置的產(chǎn)品而出貨的芯片，缺漏芯片55是指不作為半導(dǎo)體裝置的產(chǎn)品而出貨的芯片。例如，通過(guò)將半導(dǎo)體晶片10’切割加工，而形成槽40。槽40到達(dá)粘接材層30而設(shè)置。半導(dǎo)體芯片50及缺漏芯片55由于利用粘接材層30貼附，所以不會(huì)離散。在以下的說(shuō)明中，為方便起見將多個(gè)半導(dǎo)體芯片50及缺漏芯片55的集合體繼續(xù)稱為半導(dǎo)體晶片10 ’。此外，未必將半導(dǎo)體晶片10 ’單片化為半導(dǎo)體芯片50及缺漏芯片55。在該情況下，只要在下述拾取的時(shí)間點(diǎn)之前單片化即可。
[0046]如圖8及圖9所示，在半導(dǎo)體晶片10’的周圍，配置第一支撐環(huán)90。然后，將第一帶80使用輥60粘接在半導(dǎo)體晶片10’的第二面10b’、第一支撐環(huán)90。
[0047]第一帶80例如使用聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚烯烴、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、丙烯酸樹月旨、硅酮樹脂的膜、或這些的積層膜等。第一帶80的厚度典型來(lái)說(shuō)為10um?300umo
[0048]圖10是圖9的區(qū)域S2的放大圖，是貼附第一帶80的中途的接點(diǎn)33附近的放大圖。
[0049]如上所述，半導(dǎo)體晶片10’具有接點(diǎn)33。如上所述，接點(diǎn)33在第二面10b’上具有凸形狀即突出的部分。另外，如果在貼附第一帶80時(shí)，在第一帶80與第二面10b’之間存在多數(shù)間隙，那么存在下述粘接材層30的去除時(shí)的藥液處理中在第一帶80與第二面1b的間隙殘留藥液或溶解在藥液中的粘接材層30的可能性。另外，如果在第一帶80與第二面1b之間存在間隙，那么存在第一帶80與半導(dǎo)體晶片10的粘接力變低，而在下述將襯底20剝離的步驟中半導(dǎo)體晶片10’從第一帶80剝離的可能性。因此，較理想的是在第一帶80與第二面10b’之間盡量無(wú)間隙地密接貼附。
[0050]在貼附時(shí)，一面對(duì)第一帶80施加張力一面貼附。而且，為了無(wú)間隙地貼附第一帶80，較理想的是變形較少。也就是說(shuō)，較理想的是第一帶80的彈性模數(shù)較小。
[0051]圖11及圖12是表示在貼附了第一帶80之后，上下反轉(zhuǎn)的狀態(tài)的示意性的圖。
[0052]如圖13及圖14所示，將第一帶80從半導(dǎo)體晶片10’剝離。圖14是圖13的區(qū)域S3的示意性的放大圖。
[0053]第一帶80及半導(dǎo)體晶片10’等配置在平臺(tái)91上。平臺(tái)91例如具有經(jīng)由配管95而連接在真空栗94的平臺(tái)槽96。真空栗94經(jīng)由配管95，從平臺(tái)槽96抽吸，由此保持平臺(tái)91上的第一帶80等。也就是說(shuō)，平臺(tái)91具有保持機(jī)構(gòu)。而且，平臺(tái)91經(jīng)由第一帶80，而保持半導(dǎo)體晶片10’、粘接材層30。
[0054]平臺(tái)91具有冷卻管92，且利用在冷卻管92中流通的冷媒而被冷卻。由此，第一帶80或平臺(tái)91例如被冷卻為-15度至5度或10度的范圍。通過(guò)被冷卻，如下所述，第一帶80變得不易變形。具體來(lái)說(shuō)，第一帶80的彈性模數(shù)成為0.1MPa以上。
[0055]冷卻管92例如配置在平臺(tái)91的內(nèi)部或下方。冷卻管92與冷卻機(jī)構(gòu)93連接。冷卻機(jī)構(gòu)93例如將氟氯碳化物等冷媒壓縮，使冷媒液化。然后，例如，通過(guò)在冷卻管92中使冷媒汽化，而產(chǎn)生潛熱，從而平臺(tái)91被冷卻。
[0056]此外，所述冷卻管92及冷卻機(jī)構(gòu)93為一例，能夠使用任意的冷卻機(jī)構(gòu)。例如，也可不設(shè)置冷卻管92而利用冷卻機(jī)構(gòu)93直接冷卻。也可在冷卻管92中流通與冷卻機(jī)構(gòu)93的內(nèi)部所使用的冷媒不同的冷媒。冷媒并不限定于氟氯碳化物，也可為任意的冷媒，例如也可為氫氟氯碳化物等。另外，也可為不使用冷媒而使用珀?duì)栙N元件等的冷卻方法。
[0057]在第一帶80被冷卻的狀態(tài)下，如下所述，將第一帶80剝離。
[0058]在襯底20的上表面，粘接具備吸附機(jī)構(gòu)97的剝離部100。吸附機(jī)構(gòu)97例如包含與真空裝置等真空栗連接的槽或孔。剝離部100例如利用包含電動(dòng)機(jī)等的第二驅(qū)動(dòng)部101能夠向特定的方向移動(dòng)。通過(guò)剝離部100將襯底20提拉，而將襯底20從粘接材層30剝離?；蛘?，粘接材層30在襯底20與半導(dǎo)體晶片10’之間伸展。換個(gè)說(shuō)法，剝離部100通過(guò)擴(kuò)大襯底20與平臺(tái)91之間的距離而將襯底20剝離。
[0059]進(jìn)而，在襯底20及粘接材層30的交界插入前端部較細(xì)地設(shè)置的輔具103。輔具103例如利用包含電動(dòng)機(jī)等的第一驅(qū)動(dòng)部104，能夠沿著粘接材層30而移動(dòng)。
[0060]通過(guò)插入輔具103，進(jìn)而，襯底20從粘接材層30剝離。也就是說(shuō)，輔具103的至少前端部對(duì)襯底20施加向上的力。襯底20從粘接材層30逐漸剝離。如果換個(gè)別的說(shuō)法，那么輔具103通過(guò)擴(kuò)大襯底20與平臺(tái)91之間的距離而將襯底20剝離。此外，輔具103也可將在襯底20與半導(dǎo)體晶片10’之間伸展的粘接材層30切斷。
[0061]另外，也可在襯底20的背面附著粘接材層30的一部分。進(jìn)而，第一驅(qū)動(dòng)部104、第二驅(qū)動(dòng)部101也可均具有多個(gè)電動(dòng)機(jī)。
[0062]圖15及圖16是表示剝離了第一帶80的狀態(tài)的示意性的圖。
[0063]如圖17及圖18所示，利用溶劑等而將粘接材層30剝離。粘接材層30例如利用藥液處理等而剝離。如上所述，存在該粘接材層30的去除時(shí)的藥液在與第二面1b的間隙殘留藥液或溶解在藥液中的粘接材層30的可能性。另外，如果在第一帶80與第二面1b存在間隙，那么存在第一帶與半導(dǎo)體晶片10的粘接力變低，而在下述的將襯底20剝離的步驟中半導(dǎo)體晶片10從第一帶剝離的可能性。因此，較理想的是在第一帶80與第二面10b’之間盡量不存在間隙。
[0064]如圖19所示，第一帶80在半導(dǎo)體晶片10’與第一支撐環(huán)90之間的區(qū)域被切斷。被切斷的第一帶的80的一部分與第一支撐環(huán)90被拆除。
[0065]如圖20所示，將半導(dǎo)體晶片10’等上下反轉(zhuǎn)。在半導(dǎo)體晶片10’的周圍配置第二支撐環(huán)110。而且，在半導(dǎo)體晶片10’、第二支撐環(huán)110的上表面粘接第二帶120。
[0066]如圖21所示，將半導(dǎo)體晶片10’等上下反轉(zhuǎn)。然后，將第一帶80剝離。半導(dǎo)體晶片10’隔著第二帶120貼附在第二支撐環(huán)110。因此，第一帶80能夠剝離。
[0067]如圖22所不，從半導(dǎo)體晶片10’，將半導(dǎo)體芯片50例如利用具備吸附吸嘴140的拾取機(jī)構(gòu)150拾取，并向?qū)σr底或其他半導(dǎo)體芯片安裝的步驟等半導(dǎo)體裝置的特定的制造步驟搬送。此外，在半導(dǎo)體晶片10’未被單片化為半導(dǎo)體芯片的情況下，只要在拾取之前，利用研磨、擴(kuò)張、切割等任意的方法單片化為半導(dǎo)體芯片即可。
[0068](關(guān)于本實(shí)施方式的效果)
[0069]根據(jù)本實(shí)施方式，在將至少第一帶80的至少剝離部位冷卻的平臺(tái)冷卻為-15度至5度或10度的范圍的狀態(tài)下，將襯底20剝離。如果尤其為平臺(tái)被冷卻為5度以下的狀態(tài)，那么更加理想。通過(guò)將第一帶80冷卻，能夠容易地將襯底20剝離。
[0070]以下，對(duì)該理由進(jìn)行說(shuō)明。如圖14中所說(shuō)明，襯底20被從剝離部100及輔具103施加向上的力。然后，該向上的力經(jīng)由與襯底20粘接的粘接材層30及半導(dǎo)體晶片10’，也施加至第一帶80。
[0071]假設(shè)，將第一帶80容易伸縮的情況作為比較例進(jìn)行研究。如果第一帶80因向上的力而伸展，那么施加至襯底20的向上的力因第一帶80伸展而削弱。也就是說(shuō)，施加至襯底20的力中施加至襯底20與粘接材層30之間的力變小。
[0072]相對(duì)于此，根據(jù)本實(shí)施方式，將第一帶80冷卻至例如10度以下或5度以下。而且，第一帶80通過(guò)冷卻難以伸縮。也就是說(shuō)，施加至襯底20的力充分施加至襯底20與粘接材層30之間。
[0073]尤其，相對(duì)于粘接材層30的厚度為30?50um，半導(dǎo)體晶片10’的厚度為30?50um，而第一帶80的厚度為100?200um。也就是說(shuō)，第一帶80比粘接材層30的厚度更厚，進(jìn)而比粘接材層30的厚度與半導(dǎo)體芯片50的厚度的和更厚。因此，在第一帶80伸展的情況下，從輔具103施加的力中被削弱的比例變大。也就是說(shuō)，通過(guò)提高所述彈性模數(shù)，而抑制伸縮的效果較大。
[0074]圖23是表示3種第一帶80的溫度與彈性模數(shù)的關(guān)系的曲線圖。圖23的橫軸為與第一帶80相接的平臺(tái)的溫度，縱軸表示第一帶80的彈性模數(shù)。如圖23所示，只要第一帶80為上文所述的材料，則在10度以下彈性模數(shù)變大。尤其，在5度以下彈性模數(shù)變大。第一帶80的彈性模數(shù)較大意味著第一帶80不易伸展。也就是說(shuō)，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠?qū)⒁r底20從粘接材層30容易地剝離。此外，第一帶80即便不為上文所述的材料，只要為在10度以下彈性模數(shù)變大的類似的材料即可。
[0075]進(jìn)而，根據(jù)本實(shí)施方式，在將第一帶80粘接時(shí)，由于彈性模數(shù)較低，所以與設(shè)置在半導(dǎo)體芯片50的接點(diǎn)33中所包含的焊接凸塊31的階差無(wú)關(guān)，容易使間隙變少地粘接。
[0076]如果在第一帶80與半導(dǎo)體晶片10’之間存在間隙，那么存在將粘接材層30剝離時(shí)的藥液進(jìn)入至間隙的可能性。也就是說(shuō)，存在第一帶80因?qū)⒄辰硬膶?0剝離的藥液而剝離的可能性。根據(jù)本實(shí)施方式，也能夠避免此種不良情況。
[0077](第二實(shí)施方式)
[0078]第二實(shí)施方式與第一實(shí)施方式在第一帶的彈性模數(shù)的上升的方法上不同。也就是說(shuō)，在第二實(shí)施方式中，通過(guò)對(duì)第一帶80照射紫外線(光)，而使彈性模數(shù)變大。
[0079]如圖24所示，第一帶80被從紫外線照射裝置200照射紫外線210。通過(guò)照射紫外線210，而第一帶80的彈性模數(shù)變大。
[0080]紫外線照射裝置200從第一帶80的下方即剝離部100的相反側(cè)照射。紫外線照射裝置200例如為鹵素?zé)艋蛩y燈等。
[0081]此外，在本實(shí)施方式中，以紫外線為例進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限定于此，只要第一帶80的彈性模數(shù)變大，也可為可見光或紅外光。
[0082]對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但本實(shí)施方式是作為示例而提出的，并不意圖限定發(fā)明的范圍。這些新穎的實(shí)施方式能夠以其他各種方式實(shí)施，在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行各種省略、替換、變更。本實(shí)施方式或其變化包含在發(fā)明的范圍或主旨中，并且包含在權(quán)利要求書所記載的發(fā)明與其均等的范圍中。
[0083][符號(hào)的說(shuō)明]
[0084]10 半導(dǎo)體晶片
[0085]1a 第一面
[0086]1b 第二面
[0087]20 襯底
[0088]30 粘接材層
[0089]31 焊接凸塊
[0090]32 導(dǎo)電層[0091 ] 33 接點(diǎn)
[0092]34 絕緣膜
[0093]35 配線層
[0094]36 絕緣層
[0095]37 電極
[0096]38接觸孔
[0097]40槽
[0098]50半導(dǎo)體芯片
[0099]55芯片
[0100]60輥
[0101]80第一帶
[0102]90第一支撐環(huán)
[0103]91平臺(tái)
[0104]92冷卻管
[0105]93冷卻機(jī)構(gòu)
[0106]94真空栗
[0107]95配管
[0108]96平臺(tái)槽
[0109]97吸附機(jī)構(gòu)
[0110]100剝離部
[0111]101第二驅(qū)動(dòng)部
[0112]103輔具
[0113]104第一驅(qū)動(dòng)部
[0114]HO第二支撐環(huán)
[0115]120第二帶
[0116]140吸附吸嘴
[0117]150拾取機(jī)構(gòu)
[0118]200紫外線照射裝置
[0119]210紫外線
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造裝置，其特征在于具有: 平臺(tái)，保持與具有第一面及與所述第一面相反側(cè)的第二面的半導(dǎo)體晶片的所述第二面附著的帶； 真空機(jī)構(gòu)，吸附在附著設(shè)置在所述第一面的襯底的上方； 驅(qū)動(dòng)部，將所述真空機(jī)構(gòu)向遠(yuǎn)離所述襯底的方向驅(qū)動(dòng)；以及 冷卻部，能夠冷卻所述帶。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造裝置，其特征在于: 所述冷卻部能夠?qū)⑺銎脚_(tái)冷卻至10度以下為止。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造裝置，其特征在于: 還具有通過(guò)在所述襯底與所述半導(dǎo)體晶片之間插入其前端部能夠?qū)⑺鲆r底剝離的輔具。4.一種半導(dǎo)體裝置的制造裝置，其特征在于具有: 平臺(tái)，保持與具有第一面及與所述第一面相反側(cè)的第二面的半導(dǎo)體晶片的所述第二面附著的帶； 真空機(jī)構(gòu)，吸附在附著設(shè)置在所述第一面的襯底的上方； 驅(qū)動(dòng)部，將所述真空機(jī)構(gòu)向遠(yuǎn)離所述襯底的方向驅(qū)動(dòng)；以及 光照射部，能夠?qū)λ鰩д丈涔狻?.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造裝置，其特征在于: 所述光照射部照射紫外線。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造裝置，其特征在于: 還具有通過(guò)在所述襯底與所述半導(dǎo)體晶片之間插入其前端部能夠?qū)⑺鲆r底剝離的輔具。7.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括: 對(duì)具有第一面及與所述第一面對(duì)向的第二面的半導(dǎo)體晶片，將襯底粘貼在所述第一面的步驟； 貫通所述半導(dǎo)體晶片，在所述第二面形成具有凸部的接點(diǎn)的步驟； 將帶貼附在所述第二面的步驟；以及 通過(guò)使所述帶的彈性模數(shù)增加，并拉開所述半導(dǎo)體晶片與所述襯底的距離，而將所述襯底剝離的剝離步驟。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于: 在粘貼所述襯底的步驟之前，還具備在所述半導(dǎo)體晶片的所述第一面?zhèn)刃纬膳渚€層及覆蓋所述配線層而配置的絕緣層的步驟， 所述接點(diǎn)與所述配線層連接。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于: 在粘貼所述襯底的步驟中，在所述半導(dǎo)體晶片與所述襯底之間設(shè)置粘著劑層。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于: 所述帶的膜厚大于所述半導(dǎo)體晶片的膜厚與所述粘著劑層的膜厚的和。11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于: 所述剝離步驟通過(guò)使保持所述帶的平臺(tái)冷卻而使所述帶的彈性模數(shù)增加。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于: 通過(guò)所述冷卻，而所述平臺(tái)被冷卻為-15度至10度的范圍。13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于: 所述剝離步驟通過(guò)對(duì)所述帶照射紫外線而使所述帶的彈性模數(shù)增加。14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于: 所述剝離步驟使所述帶的所述彈性模數(shù)增加為0.1MPa以上。15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于: 所述剝離步驟使用吸附在所述襯底的上方的真空裝置及能夠在所述襯底與所述半導(dǎo)體晶片之間插入其前端部的輔具。
【文檔編號(hào)】H01L21/67GK106067429SQ201610208276
【公開日】2016年11月2日
【申請(qǐng)日】2016年4月6日 公開號(hào)201610208276.8, CN 106067429 A, CN 106067429A, CN 201610208276, CN-A-106067429, CN106067429 A, CN106067429A, CN201610208276, CN201610208276.8
【發(fā)明人】田中潤(rùn), 志摩真也
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