半導(dǎo)體裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。一種半導(dǎo)體裝置的制造方法包括以下步驟：提供一透光襯底；形成一柵極于透光襯底上；形成一柵極絕緣層覆蓋于柵極上；形成一氧化半導(dǎo)體層于柵極絕緣層上，并至少部分位于柵極上方；形成一蝕刻終止層于柵極上方，并至少覆蓋部分氧化半導(dǎo)體層；形成一電極層于部分氧化半導(dǎo)體層上；以及將氧化半導(dǎo)體層未被蝕刻終止層及電極層覆蓋的部分進(jìn)行低電阻化處理而形成一像素電極。
【專利說明】
半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明是關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。特別是指一種使用氧化半導(dǎo)體而形成的半導(dǎo)體裝置及其制造方法，尤其是關(guān)于一種液晶顯示裝置或有機(jī)EL顯示裝置的主動矩陣襯底及其制造方法。此處，半導(dǎo)體裝置包含主動矩陣襯底或具備其的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]光罩制程(Photo Engraving Process, PEP)是半導(dǎo)體制程中常使用的制程工藝，一道光罩制程通常包括沉積、顯影、及蝕刻等步驟?，F(xiàn)行薄膜晶體管襯底的制程中，柵極、漏極、源極、通道、蝕刻終止層、鈍化層或像素電極等結(jié)構(gòu)通常是透過光罩制程來形成，因此制程繁雜并且容易產(chǎn)生對位公差等問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]依據(jù)本發(fā)明的一種半導(dǎo)體裝置的制造方法包括以下步驟:提供一透光襯底；形成一柵極于透光襯底上；形成一柵極絕緣層覆蓋于柵極上；形成一氧化半導(dǎo)體層于柵極絕緣層上，并至少部分位于柵極上方；形成一蝕刻終止層于柵極上方，并至少覆蓋部分氧化半導(dǎo)體層；形成一電極層于部分氧化半導(dǎo)體層上；以及將氧化半導(dǎo)體層未被蝕刻終止層及電極層覆蓋的部分進(jìn)行低電阻化處理而形成一像素電極。
[0004]在一實(shí)施例中，在形成柵極絕緣層之前，進(jìn)一步包括以下步驟:形成一共用電極于透光襯底上，共用電極與柵極共平面且分隔設(shè)置，其中柵極絕緣層進(jìn)一步覆蓋于共用電極上。
[0005]在一實(shí)施例中，制造方法進(jìn)一步包括以下步驟:形成一鈍化層覆蓋像素電極、蝕刻終止層及電極層；及形成一共用電極于鈍化層上。
[0006]在一實(shí)施例中，低電阻化處理包括真空電漿處理或高溫退火處理。
[0007]依據(jù)本發(fā)明的一種半導(dǎo)體裝置包括一透光襯底、一柵極、一柵極絕緣層、一氧化半導(dǎo)體層、一蝕刻終止層以及一電極層。柵極設(shè)置于透光襯底上。柵極絕緣層覆蓋于柵極上。氧化半導(dǎo)體層設(shè)置于柵極絕緣層上，并至少部分位于柵極上方。蝕刻終止層設(shè)置于柵極上方，并至少覆蓋部分氧化半導(dǎo)體層。電極層設(shè)置于部分氧化半導(dǎo)體層上。氧化半導(dǎo)體層未被蝕刻終止層及電極層覆蓋的部分為一像素電極。
[0008]在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置進(jìn)一步包括一共用電極，其設(shè)置于透光襯底上。共用電極與柵極共平面且分隔設(shè)置。柵極絕緣層進(jìn)一步覆蓋于共用電極上。
[0009]在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置進(jìn)一步包括一鈍化層及一共用電極。鈍化層覆蓋像素電極、蝕刻終止層及電極層。共用電極設(shè)置于鈍化層上。
[0010]在一實(shí)施例中，共用電極的材料包括銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、摻氟氧化錫(FTO)、摻鋁氧化鋅(AZO)、摻鎵氧化鋅(GZO)、或銦鎵鋅氧化物(IGZO)。
[0011 ] 在一實(shí)施例中，當(dāng)共用電極的材料為銦鎵鋅氧化物(IGZO)，共用電極透過低電阻化處理而為一電極。
[0012]在一實(shí)施例中，氧化半導(dǎo)體層的材料包括銦鎵鋅氧化物(IGZO) O
[0013]在一實(shí)施例中，氧化半導(dǎo)體層包括第一氧化半導(dǎo)體層及第二氧化半導(dǎo)體層，其中第一氧化半導(dǎo)體層位于柵極絕緣層與第二氧化半導(dǎo)體層之間，且第二氧化半導(dǎo)體層摻雜P型雜質(zhì)或η型雜質(zhì)。
[0014]在一實(shí)施例中，像素電極進(jìn)一步包括第一氧化半導(dǎo)體層及第二氧化半導(dǎo)體層。
[0015]承上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制作方法，藉由將未被蝕刻終止層覆蓋的部分氧化半導(dǎo)體層進(jìn)行低電阻化處理，而形成像素電極，而不需另外設(shè)置一像素電極層，進(jìn)而減少使用光罩的制程工藝，并且免去形成像素電極層可能產(chǎn)生的公差。
【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體裝置的制造方法的步驟流程圖。
[0017]圖2至圖5為半導(dǎo)體裝置的制造流程示意圖。
[0018]圖6為本發(fā)明第一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
[0019]圖7為圖6的半導(dǎo)體裝置的上視圖。
[0020]圖8Α及圖8Β分別為半導(dǎo)體裝置的不同態(tài)樣的示意圖。
[0021]圖9為本發(fā)明第一實(shí)施例的另一種半導(dǎo)體裝置的制造方法的步驟流程圖。
[0022]圖1OA為本發(fā)明第二實(shí)施例的一種半導(dǎo)體裝置的制造方法流程圖。
[0023]圖1OB為本發(fā)明第二實(shí)施例的一種半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]以下將參照相關(guān)附圖，說明依本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，其中相同的組件將以相同的參照符號加以說明。
[0025]圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體裝置的制造方法的步驟流程圖，圖2至圖5為半導(dǎo)體裝置的制造流程示意圖，圖6為本發(fā)明第一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體裝置SI的剖面圖。請參照圖1并搭配圖2至圖6所示，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置SI及其制造方法可應(yīng)用于液晶顯示裝置或有機(jī)EL (Organic Electro-Luminescence)顯示裝置的主動矩陣襯底，例如是薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)數(shù)組襯底，特別是應(yīng)用于邊緣電場轉(zhuǎn)換(FringeField Switching, FFS)技術(shù)的液晶顯示裝置的主動矩陣襯底。于此，半導(dǎo)體裝置SI可包含主動矩陣襯底或具備其的顯示裝置。
[0026]半導(dǎo)體裝置SI的制造方法包括以下步驟:提供一透光襯底(SOl);形成一柵極于透光襯底上(S02);形成一共用電極于透光襯底上，共用電極與柵極共平面且分隔設(shè)置(S03);形成一柵極絕緣層覆蓋于柵極及共用電極上(S04);形成一氧化半導(dǎo)體層于柵極絕緣層上，并至少部分位于柵極上方(S05);形成一蝕刻終止層于柵極上方，并至少覆蓋部分氧化半導(dǎo)體層(S06);形成一電極層于部分氧化半導(dǎo)體層上(S07);以及將氧化半導(dǎo)體層未被蝕刻終止層及電極層覆蓋的部分進(jìn)行低電阻化處理而形成一像素電極(S08)。
[0027]于步驟SOl及步驟S02中，如圖2所示，提供一透光襯底I。透光襯底I可為玻璃襯底、塑料襯底、或藍(lán)寶石襯底。接著，形成一柵極2于透光襯底I上。具體而言，柵極2可透過濺鍍沉積一層金屬層于透光襯底I上，并于金屬層上覆蓋光刻膠，利用光罩對光刻膠進(jìn)行曝光、顯影、以及蝕刻等制程工藝而形成柵極2。其中金屬層(以及由金屬層形成的柵極2)的材料可包括鉭(Ta)、釹(Nd)、鉻(Cr)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、或其組合。
[0028]在步驟S03中，共用電極CE與柵極2共平面地設(shè)置于透光襯底I上，并且彼此分隔設(shè)置以電性隔離。共用電極CE的材料可包括導(dǎo)電層，例如銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(IZO)、摻氟氧化錫(FTO)、摻鋁氧化鋅(AZO)、或摻鎵氧化鋅(GZO)，其可藉由沉積、曝光、顯影、及蝕刻等制程工藝而形成。值得一提的是，共用電極CE的材料也可以是氧化半導(dǎo)體層，如銦鎵鋅氧化物(IGZ0)。其中，當(dāng)共用電極CE的材料為銦鎵鋅氧化物(IGZ0)，共用電極CE可透過低電阻化處理而為一導(dǎo)體。
[0029]具體而言，低電阻化處理可包括真空電漿處理或高溫退火處理。例如使用有化學(xué)氣相沈積(Chemical Vapor Deposit1n，簡稱CVD)裝置的氫電楽處理、使用有蝕刻裝置的氬電漿處理、及還原環(huán)境下的高溫退火處理等或氫電漿搭配高溫退火處理等多種方法搭配使用的低電阻化處理方法。或者，例如將使用銦鎵鋅氧化物(IGZO)的共用電極CE置于氫氣環(huán)境中經(jīng)由250°C至400°C的高溫處理I至2小時，使得共用電極CE的氧離子被還原而形成導(dǎo)體。
[0030]接著，請參照圖3所示，形成一柵極絕緣層3覆蓋于柵極2上。于步驟S04中，柵極絕緣層3可例如以化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposit1n, CVD)的方式形成于透光襯底I上，其中柵極絕緣層3的材料包括娃氧化物(S1x)、娃氮化物(SiNx)、娃氮氧化物(S1xNy)、氧化鋁(A1203)、氮化鋁(AlN)、或聚亞酰胺(Polyimide，PI)。此外，在本實(shí)施例中，柵極絕緣層3進(jìn)一步覆蓋共用電極CE。
[0031]請參照圖4所示，在步驟S05中，形成一氧化半導(dǎo)體層4于柵極絕緣層3上，并至少部分位于柵極2上方，其中氧化半導(dǎo)體層4可包括銦鎵鋅氧化物(IGZO)。具體而言，可透過濺鍍沉積一層銦鎵鋅氧化物于柵極絕緣層3上，并于銦鎵鋅氧化物上覆蓋光刻膠，利用光罩對光刻膠進(jìn)行曝光、顯影、以及蝕刻等制程工藝而形成銦鎵鋅氧化物(即氧化半導(dǎo)體層4)。此外，在本實(shí)施例中，氧化半導(dǎo)體層4進(jìn)一步延伸形成至共用電極CE的上方。
[0032]接著進(jìn)入步驟S06，請參照圖5所示，柵極2的上方形成一蝕刻終止層5，并至少覆蓋部分氧化半導(dǎo)體層4。另外，如圖6所示的步驟S07，形成一電極層6于部分氧化半導(dǎo)體層4上，使得電極層6可與氧化半導(dǎo)體層4電性連接，其中電極層6作為源極/漏極。于此，電極層6的材料可包括鉭(Ta)、釹(Nd)、鉻(Cr)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、或其組合。另外，電極層6可與上述金屬層(或門極2)使用相同或不同的材料。
[0033]最后進(jìn)行步驟S08，將氧化半導(dǎo)體層4未被蝕刻終止層5及電極層6覆蓋的部分進(jìn)行低電阻化處理而形成一像素電極P。請參照圖6及圖7所示，其中圖7為圖6的半導(dǎo)體裝置的上視圖，而圖6為圖7沿A-A線段的剖面圖。由于氧化半導(dǎo)體層4暴露的部分進(jìn)行低電阻化處理而成為導(dǎo)體，因此可作為像素電極P。此外，為使附圖簡潔，圖7未顯示柵極絕緣層3o
[0034]同樣地，低電阻化處理可包括真空電漿處理或高溫退火處理。例如使用有化學(xué)氣相沈積(Chemical Vapor Deposit1n，簡稱CVD)裝置的氫電楽處理、使用有蝕刻裝置的氬電漿處理、及還原環(huán)境下的高溫退火處理等或氫電漿搭配高溫退火處理等多種方法搭配使用的低電阻化處理方法。
[0035]或者，例如將暴露于蝕刻終止層5外的部分氧化半導(dǎo)體層4，在氫氣環(huán)境中經(jīng)由250°C至400°C的高溫處理I至2小時，使得氧化半導(dǎo)體層4的氧離子被還原而形成導(dǎo)體。于此，氧化半導(dǎo)體層4被蝕刻終止層5覆蓋而未經(jīng)低電阻化處理的部分，并且是自電極層6連通至像素電極P的部分為信道區(qū)C，其中信道區(qū)C的長度L可參照圖6所標(biāo)示。
[0036]如此一來，本實(shí)施例透過將部分氧化半導(dǎo)體層4進(jìn)行低電阻化處理而形成像素電極P，而不需另外設(shè)置一像素電極層，進(jìn)而減少使用光罩的制程工藝，并且免去形成像素電極層可能產(chǎn)生的公差。
[0037]是以，透過上述制作方法所制得的半導(dǎo)體裝置SI包括一透光襯底1、一柵極2、一共用電極CE、一柵極絕緣層3、一氧化半導(dǎo)體層4、一蝕刻終止層5以及一電極層6，其中部分氧化半導(dǎo)體層4透過低電阻化處理而為一像素電極P。
[0038]在本實(shí)施例中，共用電極CE呈多條分隔配置，像素電極P呈整片配置。在其它實(shí)施例中，像素電極P可呈多條分隔配置，而共用電極CE可呈整片配置。于此，藉由像素電極P與共用電極CE交錯配置，當(dāng)半導(dǎo)體裝置SI應(yīng)用于液晶顯示面板時，共用電極CE與像素電極P即可產(chǎn)生邊緣電場以控制液晶分子轉(zhuǎn)動。
[0039]此外，半導(dǎo)體裝置SI中各組件的說明已詳述于上，于此不再贅述。
[0040]另外，半導(dǎo)體裝置SI可進(jìn)一步包括一鈍化層(圖未示)，其設(shè)置于像素電極P及電極層6上，可避免外部導(dǎo)體接觸像素電極P或電極層6而產(chǎn)生電性干擾。
[0041]另外，氧化半導(dǎo)體層4可為多層結(jié)構(gòu)。請參照圖8A及圖SB所示，其分別為半導(dǎo)體裝置的不同態(tài)樣的示意圖。如圖8A所示，在本實(shí)施例中，氧化半導(dǎo)體層4包括第一氧化半導(dǎo)體層41及第二氧化半導(dǎo)體層42，其中第一氧化半導(dǎo)體層41位于柵極絕緣層3與第二氧化半導(dǎo)體層42之間。而圖SB所示的第二氧化半導(dǎo)體層42僅位于蝕刻終止層5的下方，以提高通道區(qū)C的截面積。在這些實(shí)施例中，第二氧化半導(dǎo)體層42可摻雜P型雜質(zhì)如硼(B)、或η型雜質(zhì)如磷⑵的摻雜，使得第二氧化半導(dǎo)體層42具有更佳的導(dǎo)電性。于此，制作方法可進(jìn)一步包括一步驟:將氧化半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜處理(S09)，即如圖9所示。摻雜η型雜質(zhì)為例可以使用硅烷(SiH4)與磷化氫(PH3)為反應(yīng)氣體，藉由電漿輔助化學(xué)氣相沈積(plasma-enhanced chemical vapor deposit1n, PECVD)法、氣相生長法、派射法進(jìn)行。另夕卜，也可以使用擴(kuò)散法或離子植入法將雜質(zhì)元素導(dǎo)入到所述非晶硅膜。較佳的是在使用離子植入法等導(dǎo)入雜質(zhì)元素之后進(jìn)行加熱等來使雜質(zhì)元素擴(kuò)散。摻雜P型雜質(zhì)為例可以使用硅烷(SiH4)與乙硼烷(B2H6)為反應(yīng)氣體，藉由電漿輔助化學(xué)氣相沈積法、氣相生長法、濺射法進(jìn)行。另外，也可以使用擴(kuò)散法或離子植入法將雜質(zhì)元素導(dǎo)入到所述非晶硅膜。較佳的是在使用離子植入法等導(dǎo)入雜質(zhì)元素之后進(jìn)行加熱等來使雜質(zhì)元素擴(kuò)散。
[0042]圖1OA為本發(fā)明第二實(shí)施例的一種半導(dǎo)體裝置的制造方法流程圖，圖1OB為本發(fā)明第二實(shí)施例的一種半導(dǎo)體裝置的剖面圖。請參照圖1OA及圖1OB所示，本實(shí)施例的制造方法包括:提供一透光襯底(Sll);形成一柵極于透光襯底上(S12);形成一柵極絕緣層覆蓋于柵極上(S13);形成一氧化半導(dǎo)體層于柵極絕緣層上，并至少部分位于柵極上方(S14);形成一蝕刻終止層于柵極上方，并至少覆蓋部分氧化半導(dǎo)體層(S15);形成一電極層于部分氧化半導(dǎo)體層上(S16);將氧化半導(dǎo)體層未被蝕刻終止層及電極層覆蓋的部分進(jìn)行低電阻化處理而形成一像素電極(S17);形成一鈍化層覆蓋像素電極、蝕刻終止層及電極層(S18);以及形成一共用電極于鈍化層上(S19)。簡單地說，本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置S2與上述實(shí)施例的差異在于，在本實(shí)施例中，共用電極CE是形成于像素電極P的上方，也就是共用電極CE與像素電極P的相對位置對調(diào)。
[0043]具體而言，在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置S2的共用電極CE是形成于像素電極P之后，也就是于步驟S17的低電阻化處理以后，再進(jìn)行步驟S18及步驟S19:設(shè)置一鈍化層(passivat1n) 7，以及設(shè)置共用電極CE于鈍化層7上。進(jìn)一步來說，鈍化層7可例如以化學(xué)氣相沉積(CVD)的方式形成，并覆蓋像素電極P、蝕刻終止層5以及電極層6，而作為保護(hù)層，以防止外部導(dǎo)體電性干擾像素電極P或電極層6。其中，鈍化層7的材料例如為硅氧化物(S1x)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(S1xNy)、氧化鋁(A1203)、氮化鋁(AlN)、或聚亞酰胺(Polyimide，PI)。于此，共用電極CE即形成于鈍化層7上，特別是位于像素電極P的上方，以當(dāng)半導(dǎo)體裝置S2應(yīng)用于液晶顯示面板時，共用電極CE與像素電極P可產(chǎn)生邊緣電場以控制液晶分子轉(zhuǎn)動。其中，共用電極CE的材料與上述實(shí)施例相同，而當(dāng)使用銦鎵鋅氧化物(IGZO)作為共用電極CE時，可經(jīng)由低電阻化處理而形成共用電極使用，其敘述已詳述于上，于此不作贅述。
[0044]另外，本實(shí)施例的步驟及組件也可參照上述實(shí)施例所述，不作贅述。
[0045]綜上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制作方法，藉由將未被蝕刻終止層覆蓋的部分氧化半導(dǎo)體層進(jìn)行低電阻化處理，而形成像素電極，而不需另外設(shè)置一像素電極層，進(jìn)而減少使用光罩的制程工藝，并且免去形成像素電極層可能產(chǎn)生的公差。
[0046]以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對其進(jìn)行的等效修改或變更，均應(yīng)包含于后附的權(quán)利要求中。
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括以下步驟: 提供一透光襯底； 形成一柵極于所述透光襯底上； 形成一柵極絕緣層覆蓋于所述柵極上； 形成一氧化半導(dǎo)體層于所述柵極絕緣層上，并至少部分位于所述柵極上方； 形成一蝕刻終止層于所述柵極上方，并至少覆蓋部分所述氧化半導(dǎo)體層； 形成一電極層于部分所述氧化半導(dǎo)體層上；以及 將所述氧化半導(dǎo)體層未被所述蝕刻終止層及所述電極層覆蓋的部分進(jìn)行低電阻化處理而形成一像素電極。2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中在形成所述柵極絕緣層之前，進(jìn)一步包括以下步驟: 形成一共用電極于所述透光襯底上，所述共用電極與所述柵極共平面且分隔設(shè)置，其中所述柵極絕緣層進(jìn)一步覆蓋于所述共用電極上。3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，進(jìn)一步包括以下步驟: 形成一鈍化層覆蓋所述像素電極、所述蝕刻終止層及所述電極層；及形成一共用電極于所述鈍化層上。4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中所述低電阻化處理包括真空電漿處理或高溫退火處理。5.一種半導(dǎo)體裝置，包括: 一透光襯底； 一柵極，設(shè)置于所述透光襯底上； 一柵極絕緣層，覆蓋于所述柵極上； 一氧化半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述柵極絕緣層上，并至少部分位于所述柵極上方； 一蝕刻終止層，設(shè)置于所述柵極上方，并至少覆蓋部分所述氧化半導(dǎo)體層；以及 一電極層，設(shè)置于部分所述氧化半導(dǎo)體層上； 其中所述氧化半導(dǎo)體層未被所述蝕刻終止層及所述電極層覆蓋的部分為一像素電極。6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，進(jìn)一步包括一共用電極，設(shè)置于所述透光襯底上，所述共用電極與所述柵極共平面且分隔設(shè)置，其中所述柵極絕緣層進(jìn)一步覆蓋于所述共用電極上。7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，進(jìn)一步包括: 一鈍化層，覆蓋所述像素電極、所述蝕刻終止層及所述電極層；及 一共用電極，設(shè)置于所述鈍化層上。8.如權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述共用電極的材料包括銦錫氧化物即ITO、銦鋅氧化物即IZO、摻氟氧化錫即FTO、摻鋁氧化鋅即AZO、摻鎵氧化鋅即GZO、或銦鎵鋅氧化物即IGZO。9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中當(dāng)所述共用電極的材料為銦鎵鋅氧化物即IGZ0，所述共用電極透過低電阻化處理而為一電極。10.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述氧化半導(dǎo)體層的材料包括銦鎵鋅氧化物即IGZO011.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述氧化半導(dǎo)體層包括第一氧化半導(dǎo)體層及第二氧化半導(dǎo)體層，其中第一氧化半導(dǎo)體層位于柵極絕緣層與第二氧化半導(dǎo)體層之間，且第二氧化半導(dǎo)體層摻雜P型雜質(zhì)或η型雜質(zhì)。12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述像素電極進(jìn)一步包括第一氧化半導(dǎo)體層及第二氧化半導(dǎo)體層。
【文檔編號】H01L21/336GK105845545SQ201510019360
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2015年1月14日
【發(fā)明人】吳健豪, 李懿庭, 胡憲堂
【申請人】南京瀚宇彩欣科技有限責(zé)任公司, 瀚宇彩晶股份有限公司