本發(fā)明涉及探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種X射線探測(cè)器及其制造方法。

背景技術(shù)：

X射線探測(cè)器(英文：X-ray detector)是一種用于將肉眼看不到的X射線(英文：X-ray)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的裝置。

X射線探測(cè)器通常包括基板11以及設(shè)置在基板11上的多個(gè)探測(cè)單元以及設(shè)置在多個(gè)探測(cè)單元上的閃爍層14，每個(gè)探測(cè)單元包括薄膜晶體管(英文：Thin Film Transistor；簡(jiǎn)稱：TFT)12和感光結(jié)構(gòu)13，感光結(jié)構(gòu)13設(shè)置在TFT12的漏極上，且與TFT12電連接，閃爍層14用于將X射線轉(zhuǎn)化為可見(jiàn)光，感光結(jié)構(gòu)13用于將該可見(jiàn)光轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，TFT12用于作為讀取該電信號(hào)的開(kāi)關(guān)。在使用X射線探測(cè)器時(shí)，可以將X射線發(fā)射裝置和X射線探測(cè)器設(shè)置在被測(cè)體(例如人體)的兩側(cè)，X射線發(fā)射裝置發(fā)射的X射線在通過(guò)被測(cè)體時(shí)被調(diào)制，被調(diào)制的X射線照射在X射線探測(cè)器后，X射線探測(cè)器能夠?qū)⒄{(diào)制的X射線轉(zhuǎn)換為電信號(hào)并輸出。X射線探測(cè)器的信噪比(英文：signal-to-noise ratio；簡(jiǎn)稱：SNR)與感光結(jié)構(gòu)的感光面積(感光結(jié)構(gòu)接收X射線的一側(cè)的面積)正相關(guān)，通過(guò)增大感光結(jié)構(gòu)的感光面積能夠增大X射線探測(cè)器的信噪比。

在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問(wèn)題：增大設(shè)置于TFT的漏極上的感光結(jié)構(gòu)的感光面積時(shí)，探測(cè)單元也會(huì)增大，而探測(cè)單元的增大會(huì)使X射線探測(cè)器中探測(cè)單元的密度降低，進(jìn)而會(huì)降低X射線探測(cè)器的探測(cè)精度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中增大感光層時(shí)，X射線探測(cè)器的探測(cè)精度會(huì)降低的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種X射線探測(cè)器及其制造方法。所述技術(shù)方案如下：

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種X射線探測(cè)器，所述X射線探測(cè)器包括：

襯底基板；

所述襯底基板上設(shè)置有多個(gè)探測(cè)單元，所述多個(gè)探測(cè)單元中的任一探測(cè)單元包括依次設(shè)置的薄膜晶體管TFT、設(shè)置有過(guò)孔的絕緣層和感光結(jié)構(gòu)，所述TFT中的第一電極通過(guò)所述絕緣層上的過(guò)孔和所述感光結(jié)構(gòu)電連接，所述第一電極為所述TFT的源極或漏極；

設(shè)置有所述多個(gè)探測(cè)單元的襯底基板上設(shè)置有閃爍層。

可選的，所述感光結(jié)構(gòu)包括感光層、驅(qū)動(dòng)電極和感測(cè)電極，所述感測(cè)電極通過(guò)所述絕緣層上的過(guò)孔與所述第一電極電連接，

所述驅(qū)動(dòng)電極用于向所述感光層中施加電壓，所述感測(cè)電極用于接收所述感光層輸出的電流。

可選的，所述感光層包括輕摻雜的非晶硅感光層。

可選的，所述輕摻雜的非晶硅感光層為硼輕摻雜的非晶硅感光層，所述輕摻雜的非晶硅感光層中每平方厘米的硼原子個(gè)數(shù)為5×10¹¹至1×10¹³。

可選的，所述感光結(jié)構(gòu)還包括有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合介質(zhì)薄膜，

所述有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合介質(zhì)薄膜設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)電極與所述感光層之間；

所述有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合介質(zhì)薄膜還設(shè)置在所述感測(cè)電極與所述感光層之間。

可選的，所述有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合介質(zhì)薄膜的厚度為100納米至300納米。

可選的，所述感光結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影和所述TFT在所述襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域。

可選的，所述多個(gè)探測(cè)單元中的感光層為一體結(jié)構(gòu)。

可選的，所述多個(gè)探測(cè)單元中有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合介質(zhì)薄膜為一體結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種X射線探測(cè)器的制造方法，所述方法包括：

在襯底基板上形成多個(gè)探測(cè)單元，所述多個(gè)探測(cè)單元中的任一探測(cè)單元包括依次設(shè)置的薄膜晶體管TFT、包括過(guò)孔的絕緣層和感光結(jié)構(gòu)，所述TFT中的第一電極通過(guò)所述絕緣層上的過(guò)孔和所述感光結(jié)構(gòu)電連接，所述第一電極為所述TFT的源極或漏極；

在形成有所述多個(gè)探測(cè)單元的襯底基板上形成閃爍層。

可選的，所述在襯底基板上形成多個(gè)探測(cè)單元，包括：

在所述襯底基板上形成所述TFT；

在形成有所述TFT的襯底基板上形成所述包括過(guò)孔的絕緣層；

在形成有所述包括過(guò)孔的絕緣層的襯底基板上形成所述感光結(jié)構(gòu)。

可選的，所述在形成有所述包括過(guò)孔的絕緣層的襯底基板上形成所述感光結(jié)構(gòu)，包括：

在形成有所述包括過(guò)孔的絕緣層的襯底基板上形成驅(qū)動(dòng)電極和感測(cè)電極，所述感測(cè)電極通過(guò)所述絕緣層上的過(guò)孔與所述第一電極電連接；

在形成有所述驅(qū)動(dòng)電極和所述感測(cè)電極的襯底基板上形成感光層。

可選的，所述在形成有所述驅(qū)動(dòng)電極和所述感測(cè)電極的襯底基板上形成感光層之前，所述方法還包括：

在形成有所述驅(qū)動(dòng)電極和所述感測(cè)電極的襯底基板上形成有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合介質(zhì)薄膜；

所述在形成有所述驅(qū)動(dòng)電極和所述感測(cè)電極的襯底基板上形成感光層，包括：

在形成有所述有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合介質(zhì)薄膜的襯底基板上形成所述感光層。

可選的，所述在形成有所述驅(qū)動(dòng)電極和所述感測(cè)電極的襯底基板上形成感光層，包括：

在形成有所述驅(qū)動(dòng)電極和所述感測(cè)電極的襯底基板上形成非晶硅薄膜；

對(duì)所述非晶硅薄膜進(jìn)行硼離子注入；

對(duì)進(jìn)行硼離子注入后的所述非晶硅薄膜進(jìn)行低溫退火處理，使所述非晶硅薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)樗龈泄鈱印?/p>

可選的，所述低溫退火處理的溫度為150攝氏度至230攝氏度，時(shí)間為1小時(shí)至2小時(shí)。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是：

通過(guò)分層設(shè)置感光結(jié)構(gòu)和TFT，使得增大感光結(jié)構(gòu)的感光面積時(shí)，不會(huì)受到TFT的影響。解決現(xiàn)有技術(shù)中增大感光層時(shí)，X射線探測(cè)器的探測(cè)精度會(huì)降低的問(wèn)題。達(dá)到了能夠在不降低X射線探測(cè)器的探測(cè)精度的情況下，增大感光結(jié)構(gòu)的感光面積的效果。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是相關(guān)技術(shù)中的一種X射線探測(cè)器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2本發(fā)明實(shí)施例示出的一種X射線探測(cè)器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-1本發(fā)明實(shí)施例示出的另一種X射線探測(cè)器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-2是圖3-1所示實(shí)施例中硼輕摻雜的非晶硅感光層對(duì)于光線的波長(zhǎng)和光吸收系數(shù)的關(guān)系曲線圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種X射線探測(cè)器的制造方法的流程圖；

圖5-1是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種X射線探測(cè)器的制造方法的流程圖；

圖5-2是圖5-1所示實(shí)施例中一種形成感光層的流程圖。

通過(guò)上述附圖，已示出本發(fā)明明確的實(shí)施例，后文中將有更詳細(xì)的描述。這些附圖和文字描述并不是為了通過(guò)任何方式限制本發(fā)明構(gòu)思的范圍，而是通過(guò)參考特定實(shí)施例為本領(lǐng)域技術(shù)人員說(shuō)明本發(fā)明的概念。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例示出的一種X射線探測(cè)器的結(jié)構(gòu)示意圖。該X射線探測(cè)器可以包括：

襯底基板21。

襯底基板21上設(shè)置有多個(gè)探測(cè)單元22，多個(gè)探測(cè)單元22中的任一探測(cè)單元包括依次設(shè)置的TFT221、設(shè)置有過(guò)孔(圖2中未標(biāo)出)的絕緣層222和感光結(jié)構(gòu)223，TFT221中的第一電極E1通過(guò)絕緣層222上的過(guò)孔和感光結(jié)構(gòu)223電連接，第一電極E1為TFT221的源極或漏極。

設(shè)置有多個(gè)探測(cè)單元22的襯底基板21上設(shè)置有閃爍層23。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的X射線探測(cè)器，通過(guò)分層設(shè)置感光結(jié)構(gòu)和TFT，使得增大感光結(jié)構(gòu)的感光面積時(shí)，不會(huì)受到TFT的影響。解決現(xiàn)有技術(shù)中增大感光層時(shí)，X射線探測(cè)器的探測(cè)精度會(huì)降低的問(wèn)題。達(dá)到了能夠在不降低X射線探測(cè)器的探測(cè)精度的情況下，增大感光結(jié)構(gòu)的感光面積的效果。

進(jìn)一步的，請(qǐng)參考圖3-1，其示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種X射線探測(cè)器的結(jié)構(gòu)示意圖，該X射線探測(cè)器在圖2所示的X射線探測(cè)器的基礎(chǔ)上增加了更優(yōu)選的部件，從而使得本發(fā)明實(shí)施例提供的X射線探測(cè)器具有更好的性能。

可選的，感光結(jié)構(gòu)包括感光層223a、驅(qū)動(dòng)電極223b和感測(cè)電極223c，感測(cè)電極223c通過(guò)絕緣層222上的過(guò)孔(圖3-1中未標(biāo)出)與第一電極E1電連接，驅(qū)動(dòng)電極223b用于向感光層223a中施加電壓，感光層223a中的光生載流子(該光生載流子在閃爍層發(fā)出的光線的作用下產(chǎn)生的)會(huì)被電離，電子移動(dòng)形成電流并被感測(cè)電極223c接收，感測(cè)電極223c用于接收感光層223a輸出的電流。

驅(qū)動(dòng)電極223b和感測(cè)電極223c的材料可以包括鉬(英文：Molybdenum；簡(jiǎn)稱：Mo)，鋁，銀納米線和石墨烯等。驅(qū)動(dòng)電極223b和感測(cè)電極223c可以通過(guò)磁控濺射法或者溶液法制造，驅(qū)動(dòng)電極223b和感測(cè)電極223c的厚度可以為30nm(納米)至200nm。

可選的，感光層223a包括輕摻雜的非晶硅感光層。

可選的，輕摻雜的非晶硅感光層223a為硼輕摻雜的非晶硅感光層，輕摻雜的非晶硅感光層223a中每平方厘米的硼原子個(gè)數(shù)為5×10¹¹至1×10¹³。硼輕摻雜的非晶硅感光層的光吸收系數(shù)較高，而光吸收系數(shù)越高，感光層的性能就越高。如圖3-2所示，其為不同硼摻雜度的非晶硅感光層的光線的波長(zhǎng)和光吸收系數(shù)的關(guān)系曲線圖。其中橫軸表示光的波長(zhǎng)，單位為納米，縱軸表示光吸收系數(shù)，單位為10⁵每厘米(10⁵/cm)，曲線q1代表硼摻雜率為0.8％時(shí)的曲線，曲線q2代表硼摻雜率為0.6％時(shí)的曲線，曲線q1代表硼摻雜率為0.4％時(shí)的曲線，可以看出，硼的摻雜率升高時(shí)，光吸收系數(shù)也隨之升高。這是因?yàn)榕鹪犹钛a(bǔ)了非晶硅感光層中的懸掛鍵，使得非晶硅感光層中形成穩(wěn)定的硅-硼鍵，這減少了非晶硅薄膜內(nèi)的缺陷態(tài)和懸掛鍵，增強(qiáng)了非晶硅薄膜對(duì)光子的吸收并產(chǎn)生光電子的能力，保證了在使用較薄非晶硅薄膜作為感光層的同時(shí)提升了感光結(jié)構(gòu)的光電流，這能夠有效提升探測(cè)器的探測(cè)量子效率和成像質(zhì)量。

可選的，感光結(jié)構(gòu)還包括有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合介質(zhì)薄膜223d，有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合介質(zhì)薄膜223d設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電極223b與感光層223a之間；有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合介質(zhì)薄膜223d還設(shè)置在感測(cè)電極223c與感光層223a之間。有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合介質(zhì)薄膜223d可以包括無(wú)機(jī)介質(zhì)薄膜223d1和有機(jī)介質(zhì)薄膜223d2，無(wú)機(jī)介質(zhì)薄膜223d1的材料可以包括SiO2(二氧化硅)或SiNx(氮化硅)，有機(jī)介質(zhì)薄膜223d2的材料可以包括聚酰亞胺(英文：Polyimide；簡(jiǎn)稱：PI)。

光電流和暗電流是感光器件(如感光層)的一種參數(shù)，有光照時(shí)感光器件中通過(guò)的電流稱為光電流，無(wú)光照時(shí)感光器件在外加電壓的作用下通過(guò)的電流稱為暗電流，光暗電流比為光電流與暗電流的比值，該比值越高，感光器件的光電轉(zhuǎn)換效率就越高，由該感光器件制成的X射線探測(cè)器的信噪比也就越高。而在感光結(jié)構(gòu)中設(shè)置有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合介質(zhì)薄膜能夠降低暗電流，以提高光暗電流比。

可選的，有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合介質(zhì)薄膜223d的厚度為100納米至300納米。

可選的，感光結(jié)構(gòu)在襯底基板21上的正投影(該正投影的大小可以由感光結(jié)構(gòu)中的感光層223a來(lái)決定)和TFT221在襯底基板21上的正投影存在重疊區(qū)域，既感光結(jié)構(gòu)和TFT為重疊設(shè)置，這樣感光結(jié)構(gòu)就可以布滿整個(gè)探測(cè)單元的上表面(上表面可以為接受X射線照射的一面)，極大的提高了感光結(jié)構(gòu)的感光面積。

可選的，多個(gè)探測(cè)單元22中的感光層223a為一體結(jié)構(gòu)，即X射線探測(cè)器中多個(gè)探測(cè)單元22中的感光層223a可以是一整張膜層，這樣能夠簡(jiǎn)化感光層的形成過(guò)程。

可選的，多個(gè)探測(cè)單元22中有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合介質(zhì)薄膜223d為一體結(jié)構(gòu)，即X射線探測(cè)器中多個(gè)探測(cè)單元22中的有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合介質(zhì)薄膜223d可以是連在一起的整張膜層，這樣能夠簡(jiǎn)化感光層的形成過(guò)程。

可選的，感光結(jié)構(gòu)還可以包括金屬線223e，金屬線223e可以是驅(qū)動(dòng)電極223b以及其他一些電極的走線，用于與外部的電源連接，該外部電源能夠通過(guò)金屬線223e向驅(qū)動(dòng)電極223b施加電壓。金屬線223e上還可以設(shè)置有金屬線保護(hù)層，該金屬線保護(hù)層用于防止金屬線223e氧化，金屬線保護(hù)層可以由氧化銦錫(英文：Indium tin oxide；簡(jiǎn)稱：ITO)構(gòu)成。

可選的，閃爍層23的材料可以包括碘化銫(英文：Cesium iodide)，碘化銫是一種對(duì)光敏感的材料。閃爍層23可以包括柱狀排列的晶體陣列，厚度可以為400微米至1000微米。

可選的，閃爍層23和感光層223a之間還可以設(shè)置有鈍化層(英文：Passivation；簡(jiǎn)稱：PVX)24，該鈍化層24可以用于保護(hù)感光層223a。

可選的，TFT221還包括柵極G和第二電極E2，通過(guò)柵極G可以控制TFT221接通或關(guān)斷，第二電極E2可以與數(shù)據(jù)線D連接，而數(shù)據(jù)線D可以與外部的接收組件連接，該接收組件用于接收X射線探測(cè)器轉(zhuǎn)化的電荷。不同位置的TFT向外輸出的電荷量和不同位置的X射線的劑量是成正比的，這樣就能夠獲知不同位置的X射線的劑量，進(jìn)而可以得到X射線的數(shù)字圖像，獲得X射線的數(shù)字圖像的過(guò)程可以參考相關(guān)技術(shù)，在此不再贅述。

可選的，TFT221可以為非晶硅TFT或低溫多晶硅TFT等。

可選的，襯底基板21可以為玻璃基板，硅片或聚酰亞胺塑料基板等。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的X射線探測(cè)器，通過(guò)分層設(shè)置感光結(jié)構(gòu)和TFT，使得增大感光結(jié)構(gòu)的感光面積時(shí)，不會(huì)受到TFT的影響。解決現(xiàn)有技術(shù)中增大感光層時(shí)，X射線探測(cè)器的探測(cè)精度會(huì)降低的問(wèn)題。達(dá)到了能夠在不降低X射線探測(cè)器的探測(cè)精度的情況下，增大感光結(jié)構(gòu)的感光面積的效果。

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種X射線探測(cè)器的制造方法的流程圖，該方法可以用于制造如圖2所示的X射線探測(cè)器，該方法包括：

步驟401、在襯底基板上形成多個(gè)探測(cè)單元，多個(gè)探測(cè)單元中的任一探測(cè)單元包括依次設(shè)置的薄膜晶體管TFT、包括過(guò)孔的絕緣層和感光結(jié)構(gòu)，TFT中的第一電極通過(guò)絕緣層上的過(guò)孔和感光結(jié)構(gòu)電連接，第一電極為TFT的源極或漏極。

步驟402、在形成有多個(gè)探測(cè)單元的襯底基板上形成閃爍層。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的X射線探測(cè)器的制造方法，通過(guò)分層設(shè)置感光結(jié)構(gòu)和TFT，使得增大感光結(jié)構(gòu)的感光面積時(shí)，不會(huì)受到TFT的影響。解決現(xiàn)有技術(shù)中增大感光層時(shí)，X射線探測(cè)器的探測(cè)精度會(huì)降低的問(wèn)題。達(dá)到了能夠在不降低X射線探測(cè)器的探測(cè)精度的情況下，增大感光結(jié)構(gòu)的感光面積的效果。

圖5-1是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種X射線探測(cè)器的制造方法的流程圖，該方法可以用于制造如圖3-1所示的X射線探測(cè)器，該方法包括：

步驟501、在襯底基板上形成TFT。

首先可以在襯底基板上形成TFT，該TFT可以為TFT的陣列，可以為每個(gè)探測(cè)單元形成一個(gè)TFT。襯底基板上的TFT可以包括非晶硅TFT和低溫多晶硅TFT中的至少一種。TFT中可以包括第一電極、第二電極和柵極。

步驟502、在形成有TFT的襯底基板上形成包括過(guò)孔的絕緣層。

可以在形成有TFT的襯底基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括過(guò)孔的絕緣層，該過(guò)孔用于使絕緣層下方的電極能夠與絕緣層上方的感光結(jié)構(gòu)接觸。

步驟503、在形成有包括過(guò)孔的絕緣層的襯底基板上形成驅(qū)動(dòng)電極和感測(cè)電極，感測(cè)電極通過(guò)絕緣層上的過(guò)孔與第一電極電連接。

可以通過(guò)磁控濺射法或者溶液法在形成有包括過(guò)孔的絕緣層的襯底基板上形成驅(qū)動(dòng)電極和感測(cè)電極，感測(cè)電極通過(guò)絕緣層上的過(guò)孔與第一電極電連接。

步驟504、在形成有驅(qū)動(dòng)電極和感測(cè)電極的襯底基板上形成有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合介質(zhì)薄膜。

在形成驅(qū)動(dòng)電極和感測(cè)電極后，可以在形成有驅(qū)動(dòng)電極和感測(cè)電極的襯底基板上形成有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合介質(zhì)薄膜。該有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合介質(zhì)薄膜的厚度可以為100納米至300納米，用于降低感光結(jié)構(gòu)的暗電流。

該有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合介質(zhì)薄膜可以包括無(wú)機(jī)介質(zhì)薄膜和有機(jī)介質(zhì)薄膜，無(wú)機(jī)介質(zhì)薄膜的材料可以包括SiO2或SiNx，有機(jī)介質(zhì)薄膜的材料可以包括聚酰亞胺。

多個(gè)探測(cè)單元中的有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合介質(zhì)薄膜可以為一體結(jié)構(gòu)，該一體結(jié)構(gòu)可以通過(guò)步驟504一次形成。

步驟505、在形成有有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合介質(zhì)薄膜的襯底基板上形成感光層。

如圖5-2所示，本步驟可以包括下面3個(gè)子步驟：

子步驟5051、在形成有驅(qū)動(dòng)電極和感測(cè)電極的襯底基板上形成非晶硅薄膜。

在形成感光層時(shí)，首先可以在形成有驅(qū)動(dòng)電極和感測(cè)電極的襯底基板上形成非晶硅薄膜。

子步驟5052、對(duì)非晶硅薄膜進(jìn)行硼離子注入。

形成非晶硅薄膜后，可以對(duì)非晶硅薄膜進(jìn)行硼離子注入，注入時(shí)的加速電壓可以為20kv(千伏)至50kv。注入完成后，非晶硅薄膜中每平方厘米的硼原子個(gè)數(shù)可以為5×10¹¹至1×10¹³。

子步驟5053、對(duì)進(jìn)行硼離子注入后的非晶硅薄膜進(jìn)行低溫退火處理，使非晶硅薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)楦泄鈱印?/p>

之后可以對(duì)進(jìn)行硼離子注入后的非晶硅薄膜進(jìn)行低溫退火處理，使非晶硅薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)楦泄鈱?。低溫退火處理的溫度?50攝氏度至230攝氏度，時(shí)間為1小時(shí)至2小時(shí)。

多個(gè)探測(cè)單元中的感光層可以為一整張膜層，該一整張膜層可以通過(guò)子步驟5051至子步驟5052一次形成。

可以通過(guò)步驟503至步驟505在襯底基板上形成陣列排布的多個(gè)探測(cè)單元。

步驟506、在形成有多個(gè)探測(cè)單元的襯底基板上形成閃爍層。

通過(guò)步驟503至步驟505在襯底基板上形成了多個(gè)探測(cè)單元后，可以在形成有多個(gè)探測(cè)單元的襯底基板上形成閃爍層。閃爍層可以為柱狀排列的晶體陣列，材料可以包括碘化銫，厚度可以為400微米至1000微米。

可選的，在形成層前可以形成用于保護(hù)感光層的鈍化層和用于保護(hù)X射線探測(cè)器中電極走線的金屬線保護(hù)層。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的X射線探測(cè)器的制造方法，通過(guò)分層設(shè)置感光結(jié)構(gòu)和TFT，使得增大感光結(jié)構(gòu)的感光面積時(shí)，不會(huì)受到TFT的影響。解決現(xiàn)有技術(shù)中增大感光層時(shí)，X射線探測(cè)器的探測(cè)精度會(huì)降低的問(wèn)題。達(dá)到了能夠在不降低X射線探測(cè)器的探測(cè)精度的情況下，增大感光結(jié)構(gòu)的感光面積的效果。

本發(fā)明中術(shù)語(yǔ)“A和B的至少一種”，僅僅是一種描述關(guān)聯(lián)對(duì)象的關(guān)聯(lián)關(guān)系，表示可以存在三種關(guān)系，例如，A和B的至少一種，可以表示：?jiǎn)为?dú)存在A，同時(shí)存在A和B，單獨(dú)存在B這三種情況。同理，“A、B和C的至少一種”表示可以存在七種關(guān)系，可以表示：?jiǎn)为?dú)存在A，單獨(dú)存在B，單獨(dú)存在C，同時(shí)存在A和B，同時(shí)存在A和C，同時(shí)存在C和B，同時(shí)存在A、B和C這七種情況。同理，“A、B、C和D的至少一種”表示可以存在十五種關(guān)系，可以表示：?jiǎn)为?dú)存在A，單獨(dú)存在B，單獨(dú)存在C，單獨(dú)存在D，同時(shí)存在A和B，同時(shí)存在A和C，同時(shí)存在A和D，同時(shí)存在C和B，同時(shí)存在D和B，同時(shí)存在C和D，同時(shí)存在A、B和C，同時(shí)存在A、B和D，同時(shí)存在A、C和D，同時(shí)存在B、C和D，同時(shí)存在A、B、C和D，這十五種情況。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過(guò)硬件來(lái)完成，也可以通過(guò)程序來(lái)指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲(chǔ)于一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，上述提到的存儲(chǔ)介質(zhì)可以是只讀存儲(chǔ)器，磁盤或光盤等。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。