本發(fā)明涉及一種數(shù)據(jù)讀取技術(shù)，尤其涉及一種數(shù)據(jù)存儲裝置及其讀取電壓的搜尋方法。

背景技術(shù)：

1、數(shù)據(jù)存儲裝置靜止時間過長或者使用壽命減少的時候，數(shù)據(jù)存儲裝置會出現(xiàn)電壓漂移的現(xiàn)象，導(dǎo)致錯誤率上升，數(shù)據(jù)穩(wěn)定性差。用原存儲器顆粒廠商的默認(rèn)讀取電壓讀數(shù)據(jù)存儲裝置，如果電壓漂移過大，將會導(dǎo)致讀取到的翻轉(zhuǎn)比特太多，超過主控端或數(shù)據(jù)存儲裝置上面的糾錯單元(比如ldpc譯碼單元)的譯碼糾錯能力，則會出現(xiàn)數(shù)據(jù)丟失的情況。為了解決數(shù)據(jù)存儲裝置嚴(yán)重的電壓漂移現(xiàn)象，一般在用默認(rèn)讀取電壓讀取出錯無法通過譯碼糾錯更正之后，會用重讀電壓去讀取數(shù)據(jù)存儲裝置的數(shù)據(jù)，再送到糾錯單元進(jìn)行譯碼糾錯。這種過程可能需要嘗試多個重讀電壓才能成功，如果失敗，則進(jìn)入下一個階段。多次調(diào)整重讀電壓進(jìn)行重讀的方式可以提升譯碼的成功率。如果嘗試多次重讀依然失敗，則說明當(dāng)前默認(rèn)的重讀電壓表無法解決電壓漂移帶來的比特翻轉(zhuǎn)錯誤。所以一般會進(jìn)行下一個階段，通過設(shè)置不同于原廠的讀取電壓去尋找最佳的讀取電壓，通過最佳的讀取電壓讀取非易失性存儲器，并且配合lpdc的軟判決算法進(jìn)行譯碼。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種利用線性回歸模型搜尋最佳讀取電壓的數(shù)據(jù)存儲裝置及其讀取電壓的搜尋方法，可解決搜尋最佳讀取電壓的過程中由于數(shù)據(jù)不穩(wěn)定導(dǎo)致搜尋到錯誤的最佳電壓，可提高搜尋的精度，以及可提高后續(xù)軟解碼成功的概率。

2、本發(fā)明所提供的數(shù)據(jù)存儲裝置的讀取電壓的搜尋方法，其中數(shù)據(jù)存儲裝置包括計算電路與非易失性閃存，讀取電壓的搜尋方法執(zhí)行于計算電路并包括：通過多個讀取電壓分別讀取一存儲器區(qū)段以獲取多個采樣數(shù)據(jù)，其中多個讀取電壓兩兩相鄰，存儲器區(qū)段來自于非易失性閃存；統(tǒng)計每一采樣數(shù)據(jù)中第一比特的數(shù)目，每一第一比特數(shù)目對應(yīng)于每一讀取電壓；獲取每兩相鄰的讀取電壓所對應(yīng)的第一比特數(shù)目的差值；根據(jù)多個讀取電壓與多個第一比特數(shù)目差值計算系數(shù)矩陣；根據(jù)多個讀取電壓與系數(shù)矩陣計算多個擬合數(shù)值，每一擬合數(shù)值對應(yīng)每一讀取電壓；以及選擇多個擬合數(shù)值中的最小值所對應(yīng)的讀取電壓來讀取存儲器區(qū)段以進(jìn)行錯誤更正程序。

3、本發(fā)明所提供的數(shù)據(jù)存儲裝置包括非易失性閃存以及計算電路，其中計算電路耦接非易失性閃存，并且執(zhí)行讀取電壓的搜尋方法包括：通過多個讀取電壓分別讀取一存儲器區(qū)段以獲取多個采樣數(shù)據(jù)，其中多個讀取電壓兩兩相鄰，存儲器區(qū)段來自于非易失性閃存；統(tǒng)計每一采樣數(shù)據(jù)中第一比特的數(shù)目，每一第一比特數(shù)目對應(yīng)于每一讀取電壓；獲取每兩相鄰的讀取電壓所對應(yīng)的第一比特數(shù)目的差值；根據(jù)多個讀取電壓與多個第一比特數(shù)目差值計算系數(shù)矩陣；根據(jù)多個讀取電壓與系數(shù)矩陣計算多個擬合數(shù)值，每一擬合數(shù)值對應(yīng)每一讀取電壓；以及選擇多個擬合數(shù)值中的最小值所對應(yīng)的讀取電壓來讀取存儲器區(qū)段以進(jìn)行錯誤更正程序。

4、在本發(fā)明的一實施例中，上述之多個讀取電壓存儲于讀取電壓列表。

5、在本發(fā)明的一實施例中，上述之第一比特為比特1或比特0。

6、在本發(fā)明的一實施例中，上述之存儲器區(qū)段為一數(shù)據(jù)頁(page)或一數(shù)據(jù)區(qū)塊(block)或一大塊(chunk)。

7、在本發(fā)明的一實施例中，上述之系數(shù)矩陣為線性回歸系數(shù)矩陣a＝(xtx)-1xty，其中x為多個讀取電壓所組成的電壓向量，y為多個第一比特數(shù)目差值組成的差值向量。

8、本發(fā)明又提供一種讀取電壓的搜尋方法包含：根據(jù)一電壓向量中的多個讀取電壓分別讀取一存儲器區(qū)段以獲取多個第一比特的數(shù)目，每一第一比特數(shù)目分別對應(yīng)于每一讀取電壓；獲取每兩相鄰的讀取電壓所對應(yīng)的第一比特數(shù)目的差值，多個第一比特數(shù)目的差值組成一差值向量；根據(jù)電壓向量與差值向量計算一系數(shù)矩陣；根據(jù)電壓向量與系數(shù)矩陣計算出一第一讀取電壓；以及以第一讀取電壓來讀取存儲器區(qū)段以進(jìn)行一錯誤更正程序。

9、在本發(fā)明的一實施例中，上述之搜尋方法更包含：根據(jù)電壓向量與系數(shù)矩陣計算一擬合向量，擬合向量包含多個擬合數(shù)值，多個擬合數(shù)值對應(yīng)于多個讀取電壓。

10、在本發(fā)明的一實施例中，上述之第一讀取電壓對應(yīng)于擬合向量中的最小值。

11、在本發(fā)明的一實施例中，上述之系數(shù)矩陣為一線性回歸系數(shù)矩陣a＝(xtx)-1xty，其中x為電壓向量，y為差值向量。

12、在本發(fā)明的一實施例中，上述之第一比特為比特1或比特0。

13、在本發(fā)明的一實施例中，上述之存儲器區(qū)段為一數(shù)據(jù)頁(page)或一數(shù)據(jù)區(qū)塊(block)或一大塊(chunk)。

14、在本發(fā)明的一實施例中，上述之錯誤更正程序為一低密度奇偶檢查碼(low-density?parity-check?code，ldpc?code)的軟譯碼程序。

15、本發(fā)明因采用線性回歸模型來搜尋最佳讀取電壓，因此可解決搜尋最佳讀取電壓的過程中由于數(shù)據(jù)不穩(wěn)定導(dǎo)致搜尋到錯誤的最佳電壓，提高搜尋的精度，以及提高后續(xù)軟解碼成功的概率。

16、上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖,詳細(xì)說明如下。

技術(shù)特征：

1.一種數(shù)據(jù)存儲裝置的讀取電壓的搜尋方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)存儲裝置包括一計算電路與一非易失性閃存，所述讀取電壓的搜尋方法執(zhí)行于所述計算電路并包括：

2.如權(quán)利要求1所述的讀取電壓的搜尋方法，其特征在于，所述多個讀取電壓存儲于一讀取電壓列表。

3.如權(quán)利要求1所述的讀取電壓的搜尋方法，其特征在于，所述第一比特為比特1或比特0。

4.如權(quán)利要求1所述的讀取電壓的搜尋方法，其特征在于，所述存儲器區(qū)段為一數(shù)據(jù)頁(page)或一數(shù)據(jù)區(qū)塊(block)或一大塊(chunk)。

5.如權(quán)利要求1所述的讀取電壓的搜尋方法，其特征在于，所述系數(shù)矩陣為一線性回歸系數(shù)矩陣a＝(xtx)-1xty，其中x為所述多個讀取電壓所組成的一電壓向量，y為所述多個第一比特數(shù)目差值組成的一差值向量。

6.一種數(shù)據(jù)存儲裝置，其特征在于，所述數(shù)據(jù)存儲裝置包括：

7.如權(quán)利要求6所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其特征在于，所述第一比特為比特1或比特0。

8.如權(quán)利要求6所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其特征在于，所述存儲器區(qū)段為一數(shù)據(jù)頁(page)或一數(shù)據(jù)區(qū)塊(block)或一大塊(chunk)。

9.如權(quán)利要求6所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其特征在于，所述系數(shù)矩陣為一線性回歸系數(shù)矩陣a＝(xtx)-1xty，其中x為所述多個讀取電壓所組成的一電壓向量，y為所述多個第一比特數(shù)目差值組成的一差值向量。

10.一種讀取電壓的搜尋方法，其特征在于，所述讀取電壓的搜尋方法包含：

11.如權(quán)利要求10所述的搜尋方法，其特征在于，所述搜尋方法更包括：

12.如權(quán)利要求11所述的搜尋方法，其特征在于，所述第一讀取電壓對應(yīng)于所述擬合向量中的最小值。

13.如權(quán)利要求10所述的搜尋方法，其特征在于，所述系數(shù)矩陣為一線性回歸系數(shù)矩陣a＝(xtx)-1xty，其中x為所述電壓向量，y為所述差值向量。

14.如權(quán)利要求10所述的搜尋方法，其特征在于，所述第一比特為比特1或比特0。

15.如權(quán)利要求10所述的搜尋方法，其特征在于，所述存儲器區(qū)段為一數(shù)據(jù)頁(page)或一數(shù)據(jù)區(qū)塊(block)或一大塊(chunk)。

16.如權(quán)利要求10所述的搜尋方法，其特征在于，所述錯誤更正程序為一低密度奇偶檢查碼(low-density?parity-check?code，ldpc?code)的軟譯碼程序。

技術(shù)總結(jié)
一種數(shù)據(jù)存儲裝置及其讀取電壓的搜尋方法，包括通過多個讀取電壓分別讀取一存儲器區(qū)段以獲取多個采樣數(shù)據(jù)，其中多個讀取電壓兩兩相鄰，存儲器區(qū)段來自于非易失性閃存；統(tǒng)計每一采樣數(shù)據(jù)中第一比特的數(shù)目，每一第一比特數(shù)目對應(yīng)于每一讀取電壓；獲取每兩相鄰的讀取電壓所對應(yīng)的第一比特數(shù)目的差值；根據(jù)多個讀取電壓與多個第一比特數(shù)目差值計算系數(shù)矩陣；根據(jù)多個讀取電壓與系數(shù)矩陣計算多個擬合數(shù)值，每一擬合數(shù)值對應(yīng)每一讀取電壓；以及選擇多個擬合數(shù)值中的最小值所對應(yīng)的讀取電壓來讀取存儲器區(qū)段以進(jìn)行錯誤更正程序。

技術(shù)研發(fā)人員：李法豪
受保護(hù)的技術(shù)使用者：慧榮科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21