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本發(fā)明涉及內(nèi)存調(diào)試，尤其涉及內(nèi)存參數(shù)優(yōu)化調(diào)試方法。、現(xiàn)有ddr每個產(chǎn)品的ddr的參數(shù)都是固定的，隨著環(huán)境的變化，電子產(chǎn)品的電阻.電容會發(fā)生微弱的變化，但如果參數(shù)不是最優(yōu)，這些微小的變化會影響到ddr的信號，隨著信號的干擾，會造成讀取的數(shù)據(jù)有些許偏差。技術(shù)實現(xiàn)思路、本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有...

本發(fā)明涉及移動硬盤防護，具體為一種帶斷電防護功能的移動硬盤。、移動硬盤是以硬盤為存儲介質(zhì)，計算機之間交換大容量數(shù)據(jù)，可以隨時插上或拔下，小巧而便于攜帶，可以較高的速度與系統(tǒng)進行數(shù)據(jù)傳輸，是一種強調(diào)便攜性的存儲產(chǎn)品。、根據(jù)申請?zhí)枮閏n.所公開的移動硬盤，其技術(shù)方案為“移動硬盤，包括：外殼，形...

本發(fā)明涉及微電子，特別是涉及一種相變存儲器自適位線鉗位高速數(shù)據(jù)讀出電路及方法。、相變存儲器，因其具有讀寫速度快，可擦寫耐久性高，保持信息時間長等特性，被業(yè)界認(rèn)為是解決存儲墻瓶頸的最有發(fā)展?jié)摿Φ脑O(shè)備之一。它以硫系化合物材料為存儲介質(zhì)，利用相變材料在晶態(tài)(相變材料呈低阻態(tài))和非晶態(tài)(相變材料呈...

本發(fā)明的多種實施例涉及半導(dǎo)體設(shè)計技術(shù)，更具體地，涉及包括執(zhí)行目標(biāo)刷新操作的存儲裝置的存儲系統(tǒng)。、近期，除了用于依次刷新多個字線的正常刷新操作外，還會對可能會因行錘擊而丟失數(shù)據(jù)的特定字線執(zhí)行額外的刷新操作(在下文，將被稱為“目標(biāo)刷新操作”)。行錘擊指與特定字線或者被設(shè)置為與特定字線相鄰的字線...

本發(fā)明涉及存儲器模塊的動作方法、存儲器模塊以及包含該存儲器模塊的存儲裝置。、存儲器裝置用于存儲數(shù)據(jù)，分為易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。作為非易失性存儲器裝置的一個例子，閃速存儲器裝置能夠用于移動電話、數(shù)碼照相機、移動式計算機裝置、固定式計算機裝置以及其它裝置。、存儲器模塊構(gòu)成為包含...

本發(fā)明涉及一種存儲器裝置及其增強式編程方法，尤其是涉及一種可提升數(shù)據(jù)可靠度的存儲器裝置及其增強式編程方法。、非易失性存儲器經(jīng)過長時間、溫度及電壓應(yīng)力的條件將加速縮短組件可靠度的壽命周期。其中，隨著存儲單元持續(xù)地重復(fù)寫入擦除，在存儲單元中的氧化層內(nèi)將有大量的陷阱(trap)。這些存儲單元中的...

本發(fā)明涉及存儲器，特別是涉及一種多次可編程非易失性存儲器，還涉及一種多次可編程非易失性存儲器的擦除電路，及一種多次可編程非易失性存儲器的擦除方法。、mtp(multi-times?program)全稱多次可編程非易失性存儲器，其編程次數(shù)介于otp(one-time?program)存儲器和...

各個方面涉及憶阻結(jié)構(gòu)、包括多個憶阻結(jié)構(gòu)的憶阻陣列及其方法，例如用于形成憶阻結(jié)構(gòu)的方法，例如用于形成憶阻結(jié)構(gòu)陣列的方法。、一般來說，各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用可能依賴于晶體管技術(shù)。然而，發(fā)現(xiàn)電阻陣列對于一些數(shù)據(jù)處理應(yīng)用也是有用的。這種基于電阻器的技術(shù)被進一步開發(fā)，以允許選擇性地重新配置電阻器的電阻。例...

本申請涉及固體硬盤生產(chǎn)設(shè)備，更具體地說，是涉及一種固態(tài)硬盤的測試板結(jié)構(gòu)。、固態(tài)硬盤(solid?state?drive，ssd)因其強大的隨機讀寫能力，被廣泛應(yīng)用于各領(lǐng)域。固態(tài)硬盤可以安裝于主機(host)上以作為主機的存儲介質(zhì)，主機向固態(tài)硬盤下發(fā)數(shù)據(jù)，以使得固態(tài)硬盤將下發(fā)的數(shù)據(jù)寫入固態(tài)硬...

本公開涉及基于使用的干擾計數(shù)器清除。、計算機、智能手機及其它電子裝置依賴處理器及存儲器。處理器基于數(shù)據(jù)執(zhí)行代碼以運行應(yīng)用程序且向用戶提供特征。處理器從存儲器獲得代碼及數(shù)據(jù)。電子裝置中的存儲器可包含易失性存儲器(例如隨機存取存儲器(ram))及非易失性存儲器(例如快閃存儲器)。與處理器的能力...

本公開涉及一種用于處理輸入變量的方法。本公開還涉及一種用于處理輸入變量的設(shè)備。技術(shù)實現(xiàn)思路、示例性實施方式涉及一種用于處理輸入變量的方法，例如計算機實現(xiàn)的方法，包括：將第一輸入變量加載到(beaufschlagenmit…)第一晶體管的控制電極，將第二輸入變量加載到電流導(dǎo)出裝置(strom...

本發(fā)明涉及一種包含nor型或nand型的存儲單元陣列的半導(dǎo)體裝置，特別涉及一種能夠用作神經(jīng)形態(tài)設(shè)備的半導(dǎo)體裝置及其運算方法。、作為在結(jié)構(gòu)上模擬突觸及神經(jīng)元的人工智能(artificial?intelligence，ai)硬件，使用可變電阻元件的交叉陣列正在實用化(例如，日本專利第號公報)。...

本公開涉及一種半導(dǎo)體器件，其中，內(nèi)部電壓在待機操作和激活操作開始之后通過共享放大器電路和驅(qū)動器來生成。、一般來說，半導(dǎo)體存儲器件通過從外部源接收電源電壓vdd和接地電壓vss來生成并使用內(nèi)部操作所需的內(nèi)部電壓。半導(dǎo)體存儲器件所需的內(nèi)部電壓包括供應(yīng)給存儲器核電路的核電壓vcore，用于驅(qū)動字...

本申請涉及tf卡測試的，尤其是涉及一種tf卡測試裝置。、存儲卡作為數(shù)據(jù)存儲的重要媒介，廣泛應(yīng)用于各類計算機設(shè)備中。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，存儲卡的種類與容量也在不斷增加，體積也不斷變小，其中tf卡更是以其小體積，大容量受到用戶的偏愛。tf卡在制備完成后，必須經(jīng)過測試裝置檢測，一般通過測試裝置將...

本申請涉及計算機存儲，特別是涉及一種存儲裝置的編程驗證方法和編程方法、電子設(shè)備及介質(zhì)。、nand閃存中存在的錯誤由多種效應(yīng)引起的噪聲所造成，主要包括編程/擦除噪聲、數(shù)據(jù)保留噪聲、讀干擾和編程干擾噪聲。其中，讀干擾和數(shù)據(jù)保留噪聲所引發(fā)的可靠性問題在nand閃存中廣泛存在，成為nand閃存錯誤...

本申請實施例涉及計算機領(lǐng)域，具體而言，涉及一種空間優(yōu)化能力的測試方法和裝置、存儲介質(zhì)及電子設(shè)備。、固態(tài)硬盤(solid?state?drive，簡稱ssd)的trim原理主要是基于一個技術(shù)指令，即trim指令。trim的主要作用是高速nand閃存固態(tài)存儲設(shè)備需要擦除哪些數(shù)據(jù)。、具體來說，當(dāng)...

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲，尤其是涉及一種dna存儲條帶的信息存儲方法及其應(yīng)用。、隨著當(dāng)代信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)信息的含量呈指數(shù)級增長，目前人們使用的存儲方式主要包括磁性存儲器(例如磁帶或硬盤驅(qū)動器)、光學(xué)存儲器(例如藍(lán)光存儲器)和固態(tài)存儲器(例如閃存)，然而這些存儲體系的弊端已逐漸暴露，如存儲...

與用于存儲器裝置中的多電平信令的反饋有關(guān)。、存儲器裝置廣泛用于將信息存儲在例如計算機、無線通信裝置、相機、數(shù)字顯示器等各種電子裝置中。通過將存儲器裝置內(nèi)的存儲器單元編程到各種狀態(tài)來存儲信息。例如，二進制存儲器單元可編程到兩種支持狀態(tài)中的一種，常常由邏輯或邏輯來表示。在一些實例中，單個存儲器...

本技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體電路，更具體地涉及一種緩沖電路、半導(dǎo)體器件和包括該半導(dǎo)體器件的信號處理系統(tǒng)。、半導(dǎo)體器件可以發(fā)送和接收時鐘信號和數(shù)據(jù)以與外部設(shè)備通信。半導(dǎo)體器件可各自包括通過放大和/或緩沖輸入信號來生成輸出信號的緩沖電路。隨著信號傳輸線的負(fù)荷的增加，特別是半導(dǎo)體器件中最長的全局信號線的...

本發(fā)明涉及一種數(shù)據(jù)讀取技術(shù)，尤其涉及一種數(shù)據(jù)存儲裝置及其讀取電壓的搜尋方法。、數(shù)據(jù)存儲裝置靜止時間過長或者使用壽命減少的時候，數(shù)據(jù)存儲裝置會出現(xiàn)電壓漂移的現(xiàn)象，導(dǎo)致錯誤率上升，數(shù)據(jù)穩(wěn)定性差。用原存儲器顆粒廠商的默認(rèn)讀取電壓讀數(shù)據(jù)存儲裝置，如果電壓漂移過大，將會導(dǎo)致讀取到的翻轉(zhuǎn)比特太多，超過...