金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜、其制備方法與電容式觸摸屏的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本申請涉及技術(shù)領(lǐng)域透明導(dǎo)電膜領(lǐng)域，具體而言，涉及一種金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜、 其制備方法與電容式觸摸屏。
【背景技術(shù)】
[0002] 作為n〇(Indium Tin Oxide，摻錫氧化銦）薄膜的替代改良產(chǎn)品，金屬網(wǎng)格透明導(dǎo) 電薄的開發(fā)逐漸興起。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)中金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜的制備方法有兩種：第一種是利用銀，銅等金屬 材料或者氧化物等易于得到且價(jià)格低廉的導(dǎo)電層的原料，在PET等塑膠薄膜上壓制形成的 金屬網(wǎng)格圖案，然后將導(dǎo)電層的原料填充到金屬網(wǎng)格圖案中，形成金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜；第 二種是制備導(dǎo)電層，然后刻蝕導(dǎo)電層（通常采用黃光刻蝕或者激光刻蝕），形成金屬網(wǎng)格式 透明導(dǎo)電薄膜。
[0004] 上述的兩種制備工藝很難做出金屬線的寬度具有數(shù)微米、甚至數(shù)百納米級別的金 屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜，做出的金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜的金屬線的寬度一般比較寬，在30 μπι以 上，有的甚至達(dá)到100 μπι，并且金屬線的寬度不均勻，金屬線的寬度越小，不均勻現(xiàn)象越嚴(yán) 重。
[0005] 造成上述結(jié)果的原因有很多，例如在第二種制備方法中，原因?yàn)椋簩?dǎo)電層主要成分 大多是不透明的金屬及其氧化物，或者透明的金屬及其氧化物的粒子、纖維，或者是有機(jī)導(dǎo) 電高分子等所構(gòu)成，如果刻蝕采用黃光蝕刻，會因?yàn)閷?dǎo)電層中成分的反射與散亂，或者蝕刻 藥劑濃度及蝕刻程度控制等因素的影響，造成蝕刻后金屬線的寬度不均勻，在金屬線的寬 度小于50 μπι微米以下的產(chǎn)品中，該現(xiàn)象尤其嚴(yán)重。在保持較高良率的情況下，金屬線的寬 度在微米數(shù)量級，并且產(chǎn)品具有高可視性的與高良品率這一目標(biāo)在傳統(tǒng)黃光蝕刻工藝中很 難實(shí)現(xiàn)。
[0006] 如果刻蝕采用的是激光蝕刻制程，則會因?yàn)樯y、吸收、熱傳導(dǎo)等影響因素，造成 金屬線的寬度小于5 0 μ m以下的產(chǎn)品的金屬線的寬度的不均勻，影響最終產(chǎn)品的觸控性 能。并且激光蝕刻的效率不高，提高了產(chǎn)品的制備成本。
[0007] 如果金屬線的寬度（越細(xì)，可視性越好）都在微米級別，個(gè)別情況下達(dá)到納米級 另IJ，則能夠大幅提升產(chǎn)品的可視性。但是，金屬線越細(xì)，使得產(chǎn)品加工變得越困難，經(jīng)常會出 現(xiàn)因?yàn)榻饘倬€路的印刷加工不良而出現(xiàn)的斷線或者是金屬線間的短路造成產(chǎn)品觸控不良， 降低產(chǎn)品的良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本申請旨在提供一種金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜、其制備方法與電容式觸摸屏，以解決 現(xiàn)有技術(shù)中不能量產(chǎn)得到線寬在微米級、數(shù)納米級且線寬較均勻的金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜的 問題。
[0009] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本申請的一個(gè)方面，提供了一種金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜，該 金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜的制備方法包括：步驟S1，在透明基材層的表面形成絕緣層；步驟S2， 對上述絕緣層進(jìn)行刻蝕，形成凹槽；以及步驟S3,在上述凹槽中設(shè)置導(dǎo)電層，形成金屬網(wǎng)格 透明導(dǎo)電膜。
[0010] 進(jìn)一步地，上述步驟Sl包括：步驟S11，在透明基材層的表面設(shè)置絕緣感光膠水 層；以及步驟S12,對上述絕緣感光膠水層進(jìn)行曝光，形成上述絕緣層。
[0011] 進(jìn)一步地，上述步驟Sll包括：步驟Slll，在上述絕緣感光膠水層的表面設(shè)置具 有預(yù)定圖案的遮光板；以及步驟S112,對設(shè)置有上述遮光板的上述絕緣感光膠水層進(jìn)行曝 光，形成上述絕緣層。
[0012] 進(jìn)一步地，上述遮光板為具有上述預(yù)定圖案的鏤空遮光板。
[0013] 進(jìn)一步地，上述鏤空遮光板中非鏤空部分的線寬在0. 1~100 μπι之間，優(yōu)選在 1~50 μ m之間；鏤空部分的線寬在2~5000 μ m，優(yōu)選在20~3000 μ m之間。
[0014] 進(jìn)一步地，上述步驟S3包括：步驟S31，在上述凹槽中設(shè)置導(dǎo)電層，上述導(dǎo)電層同 時(shí)延伸至上述絕緣層的表面；步驟S32,對上述導(dǎo)電層進(jìn)行表面平坦化，形成金屬網(wǎng)格透明 導(dǎo)電膜。
[0015] 進(jìn)一步地，在上述步驟Sl之前，上述制備方法還包括：對上述透明基材層進(jìn)行耐 熱低收縮處理。
[0016] 進(jìn)一步地，用于實(shí)施上述曝光的光波的波長小于380nm，且上述絕緣層的厚度在 1~100 μ m之間，優(yōu)選在5~30 μ m之間。
[0017] 進(jìn)一步地，上述導(dǎo)電層為透明的有機(jī)導(dǎo)電高分子化合物層、無機(jī)金屬氧化物層、不 透明有機(jī)導(dǎo)電化合物層、金屬層或金屬氧化物層。
[0018] 進(jìn)一步地，上述透明基材層包括透明基材原膜，上述透明基材原膜的全光透過率 大于85 %，上述透明基材原膜的厚度在10~500 μ m之間，優(yōu)選在20~200 μ m之間。
[0019] 進(jìn)一步地，上述金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜中導(dǎo)電層的厚度在1~120 μπι之間。
[0020] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本申請的另一個(gè)方面，提供了一種金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜， 該采用上述的制備方法形成。
[0021] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本申請的另一個(gè)方面，提供了一種電容式觸摸屏，上述電 容式觸摸屏包括金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜，上述金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜采用上述的制備方法形 成。
[0022] 應(yīng)用本申請的制備方法，首先在透明基材層的表面上設(shè)置絕緣層，然后對其進(jìn)行 刻蝕，形成凹槽，絕緣層的材料一般為感光膠水，相比于導(dǎo)電層的材料更容易形成細(xì)微的結(jié) 構(gòu)，所以對絕緣層刻蝕形成的凹槽的線寬在微米級、甚至可以到達(dá)數(shù)百納米級別。并且，由 于絕緣層的材料對刻蝕的影響較小，不存在散亂與反射等現(xiàn)象，刻蝕得到的凹槽的線寬較 均勻，進(jìn)而得到線寬較均勻的金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜。采用該方法制備得到的金屬網(wǎng)格透明 導(dǎo)電膜的可視性較好，能夠更好地應(yīng)用到觸摸屏中，并且該方法可以應(yīng)用到觸控產(chǎn)品的量 產(chǎn)中，進(jìn)而更好地推廣金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜的應(yīng)用。
【附圖說明】
[0023] 構(gòu)成本申請的一部分的說明書附圖用來提供對本申請的進(jìn)一步理解，本申請的示 意性實(shí)施例及其說明用于解釋本申請，并不構(gòu)成對本申請的不當(dāng)限定。在附圖中：
[0024] 圖1示出了本申請一種典型實(shí)施方式提出的金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜的制備方法的 流程示意圖；
[0025] 圖2示出了一種優(yōu)選實(shí)施例提供的在透明基材層的表面形成絕緣層后的剖面結(jié) 構(gòu)示意圖；
[0026] 圖3示出了對圖2所示的絕緣層進(jìn)行刻蝕后形成的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0027] 圖4a示出了在圖3所示的凹槽中設(shè)置導(dǎo)電層后形成的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0028] 圖4b示出了一種實(shí)施例中提供的金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；
[0029] 圖5示出了在絕緣感光膠水層的表面上設(shè)置遮光板后形成的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0030] 圖6示出了一種實(shí)施例提供的透明導(dǎo)電層的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0031] 圖7示出了另一種實(shí)施例提供的透明導(dǎo)電層的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032] 應(yīng)該指出，以下詳細(xì)說明都是例示性的，旨在對本申請?zhí)峁┻M(jìn)一步的說明。除非另 有指明，本文使用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語具有與本申請所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常 理解的相同含義。
[0033] 需要注意的是，這里所使用的術(shù)語僅是為了描述【具體實(shí)施方式】，而非意圖限制根 據(jù)本申請的示例性實(shí)施方式。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式 也意圖包括復(fù)數(shù)形式，此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語"包含"和/或"包 括"時(shí)，其指明存在特征、步驟、操作、器件、組件和/或它們的組合。
[0034] 正如【背景技術(shù)】所介紹的，現(xiàn)有技術(shù)中的制備金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜的方法難以制備 出金屬線寬度在微米與百納米級別的金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜，并且制備出金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電 膜的金屬線的均勻性較差，為了解決如上的技術(shù)問題，本申請?zhí)岢隽艘环N金屬網(wǎng)格透明導(dǎo) 電膜的制備方法。
[0035] 本申請一種典型的實(shí)施方式中，如圖1所示，提出了一種金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜的 制備方法，該方法包括：步驟S1，在透明基材層10的表面形成絕緣層30,如圖2所示；步驟 S2,對圖2中的絕緣層30進(jìn)行刻蝕，形成凹槽31，如圖3所示；以及步驟S3,在上述凹槽31 中設(shè)置導(dǎo)電層50,形成圖4b所示的金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜。
[0036] 該方法中，首先在透明基材層10的表面上設(shè)置絕緣層30,然后對其進(jìn)行刻蝕，形 成凹槽31，絕緣層30的材料一般為感光膠水，相比于導(dǎo)電層50的材料更容易形成細(xì)微的結(jié) 構(gòu)，所以對絕緣層30刻蝕形成的凹槽31的線寬在微米級、甚至可以到達(dá)數(shù)百納米級別。并 且，由于絕緣層30的材料對刻蝕的影響較小，不存在散亂與反射等現(xiàn)象，刻蝕得到的凹槽 31的線寬較均勻，進(jìn)而得到線寬較均勻的金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜。采用該方法制備得到的金 屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜的可視性較好，能夠更好地應(yīng)用到觸摸屏中，并且該方法可以應(yīng)用到觸 控產(chǎn)品的量產(chǎn)中，進(jìn)而更好地推廣金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜的應(yīng)用。
[0037] 為了進(jìn)一步降低絕緣層30本身材料對刻蝕的影響，進(jìn)而得到線寬較窄且線寬均 勻的金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜，本