本發(fā)明涉及有機光電材料
技術領域：
，具體涉及一種以四苯基乙烯為母核的有機發(fā)光材料及其有機發(fā)光器件。
背景技術：
：在oled的研究中，有機材料的選擇起著決定性的作用。oled中用到的有機材料主要有空穴注入材料、空穴傳輸材料、發(fā)光材料、電子傳輸材料及電子注入材料等，而主體材料是發(fā)光層的主要材料。一般地說，所有的空穴或電子傳輸型主體材料摻雜客發(fā)光體形成發(fā)光層，激子復合區(qū)域會選擇性地偏上某一邊，從而導致器件效率與光色的改變，甚為嚴重的可能會引起三重態(tài)之間的能量淬滅，導致高亮度下發(fā)光效率滾降嚴重。此外，器件的驅動電壓較高，也不甚理想。四苯基乙烯合成簡單，可以進行結構修飾的位點有很多。利用四苯基乙烯作為母核，連接常見的發(fā)光基團，可以大幅度減緩分子之間由于過度聚集導致的熒光淬滅問題，在有機電致材料方面具有很好的應用前景。技術實現(xiàn)要素：有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種以四苯基乙烯為母核的有機發(fā)光材料及其有機發(fā)光器件，本發(fā)明化合物以四苯基乙烯為母核，得到一種電致發(fā)光材料。采用本發(fā)明所述基于以四苯基乙烯為母核的有機發(fā)光材料制備的有機發(fā)光器件，具有更高的發(fā)光效率，及更低的驅動電壓。本發(fā)明首先提供了一種基于以四苯基乙烯為母核的有機發(fā)光材料，其結構通式如i所示：其中，r1，r2獨立的選自取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c6-c50芳基、取代或未取代的c6-c50芳烷基、取代或未取代的c3-c50雜芳基中的任意一種。優(yōu)選的，所述r1，r2獨立的選自取代或未取代的c1-c10烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c6-c30芳烷基、取代或未取代的c3-c30雜芳基中的任意一種。優(yōu)選的，所述一種以四苯基乙烯為母核的有機電致發(fā)光材料，選自如下結構中的任意一種：本發(fā)明還提供一種有機發(fā)光器件，包括第一電極、第二電極和置于所述兩電極之間的一個或多個有機化合物層，至少一個有機化合物層包含至少一種所述的基于以四苯基乙烯為母核的有機電致發(fā)光材料。優(yōu)選的，所述有機化合物層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的至少一層。本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供一種基于以四苯基乙烯為母核的有機電致發(fā)光材料制備的發(fā)光器件，本發(fā)明以四苯基乙烯為母核，得到一種有機電致發(fā)光材料。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的基于以四苯基乙烯為母核的有機電致發(fā)光材料制備的發(fā)光器件，發(fā)光效率最高可達21.4cd/a，驅動電壓為3.5v，是一種優(yōu)異的oled材料。具體實施方式下面將結合本發(fā)明實施例的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。本發(fā)明首先提供一種基于以四苯基乙烯為母核的有機電致發(fā)光材料，結構通式如i所示：其中，r1，r2獨立的選自取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c6-c50芳基、取代或未取代的c6-c50芳烷基、取代或未取代的c3-c50雜芳基中的任意一種。優(yōu)選的，所述r1，r2獨立的選自取代或未取代的c1-c10烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c6-c30芳烷基、取代或未取代的c3-c30雜芳基中的任意一種。優(yōu)選的，所述一種以四苯基乙烯為母核的有機電致發(fā)光材料，選自如下結構中的任意一種：本發(fā)明所述基于以四苯基乙烯為母核的有機電致發(fā)光材料的制備方法，包括所示的原料通過如下路線反應生成式i所示的基于以四苯基乙烯為母核的有機電致發(fā)光材料：其中，r1，r2獨立的選自取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c6-c50芳基、取代或未取代的c6-c50芳烷基、取代或未取代的c3-c50雜芳基中的任意一種。優(yōu)選的，所述r1，r2獨立的選自取代或未取代的c1-c10烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c6-c30芳烷基、取代或未取代的c3-c30雜芳基中的任意一種。本發(fā)明對上述各類反應的反應條件沒有特殊要求，以本領域技術人員熟知的此類反應的常規(guī)條件即可。本發(fā)明對上述各類反應中所采用的原料的來源沒有特別的限制，可以為市售產品或采用本領域技術人員所熟知的制備方法制備得到。其中，所述r1，r2的選擇同上所述，在此不再贅述。本發(fā)明還提供一種基于以四苯基乙烯為母核的有機電致發(fā)光材料制備的有機器件，所述有機發(fā)光器件為本領域技術人員所熟知的有機發(fā)光器件即可。本發(fā)明所述有機發(fā)光器件包括第一電極、第二電極和置于兩電極之間的一個或多個有機化合物層，至少一個有機化合物層包含至少一種本發(fā)明所述的基于以四苯基乙烯為母核的有機電致發(fā)光材料。所述有機化合物層優(yōu)選包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層與電子注入層中的至少一層，優(yōu)選所述的發(fā)光層中含有本發(fā)明所述的基于以四苯基乙烯為母核的有機電致發(fā)光材料。實施例1：化合物1的制備step1，將100mmol9,10-二氫蒽溶解在無水thf中，降溫到-78攝氏度，緩慢滴加1.1當量正丁基鋰，反應2h，加入2當量的溴苯甲基酮的thf溶液。在緩慢升溫至室溫反應3h。反應完成后，加入大量水，有白色產品析出，過濾，濾餅經由柱層析得到產品91mmol1-1。step2，將91mmol1-1溶解在甲苯中，加入2當量的對甲基苯磺酸，回流反應2h。反應后將溶劑旋干，得到粗品經由柱層析，得到1-282mmol。step3，取1-2化合物82mmol，加入1當量的二苯胺，240mmol叔丁醇鉀，0.8mmolpd2(dba)3，甲苯，氬氣置換三次，加入1.6mmol三叔丁基膦，再次氬氣置換三次，回流溫度下反應10h，粗產品經由柱層析，得到產品68mmol化合物1。實施例2：化合物2的制備step1～step2同實施例1中step1～step2。step3，取1-2化合物82mmol，加入1當量的咔唑，240mmol叔丁醇鉀，0.8mmolpd2(dba)3，甲苯，氬氣置換三次，加入1.6mmol三叔丁基膦，再次氬氣置換三次，回流溫度下反應10h，粗產品經由柱層析，得到產品68mmol化合物2。實施例3：化合物9的合成step1～step2同實施例1中step1～step2。step3，取1-2化合物82mmol，加入1當量的二甲胺鹽酸鹽，240mmol叔丁醇鉀，0.8mmolpd2(dba)3，甲苯，氬氣置換三次，加入1.6mmol三叔丁基膦，再次氬氣置換三次，回流溫度下反應10h，粗產品經由柱層析，得到產品68mmol化合物9。實施例4：化合物12的合成step1～step2同實施例1中step1～step2。step3，取1-2化合物82mmol，加入1當量的哌啶，240mmol叔丁醇鉀，0.8mmolpd2(dba)3，甲苯，氬氣置換三次，加入1.6mmol三叔丁基膦，再次氬氣置換三次，回流溫度下反應10h，粗產品經由柱層析，得到產品68mmol化合物12。實施例5：化合物20的合成step1～step2同實施例1中step1～step2。step3，取1-2化合物82mmol，加入1當量n-甲基苯胺，240mmol叔丁醇鉀，0.8mmolpd2(dba)3，甲苯，氬氣置換三次，加入1.6mmol三叔丁基膦，再次氬氣置換三次，回流溫度下反應10h，粗產品經由柱層析，得到產品68mmol化合物20。實施例6：化合物26的合成step1，取150mmol二苯甲酮類似物，100mmol4-胺基二苯甲酮，4當量的活化鋅粉，加入三口瓶中，氮氣置換三次，在氮氣保護下加入thf溶劑，冷卻到-78℃，滴加2當量的ticl4，滴加完畢后，緩慢升溫至室溫，逐漸加熱到80℃，回流反應12h。反應完畢后，逐漸滴加飽和碳酸鈉水溶液，直到有大量白色固體析出。過濾，粗品經由柱層析得到白色產品50mmol26-1。step2，取白色產品50mmol26-1，加入1當量9-(4-溴苯基)-9h-咔唑，150mmol叔丁醇鉀，0.5mmolpd2(dba)3，甲苯，氬氣置換三次，加入1.0mmol三叔丁基膦，再次氬氣置換三次，回流溫度下反應10h，粗產品經由柱層析，得到產品38mmol化合物26-2。step3，取白色產品38mmol化合物26-2，加入1當量碘苯，40mmol叔丁醇鉀，0.4mmolpd2(dba)3，甲苯，氬氣置換三次，加入0.8mmol三叔丁基膦，再次氬氣置換三次，回流溫度下反應10h，粗產品經由柱層析，得到產品28mmol化合物26。實施例7：化合物27的合成將實施例6中的更換成合成方法同實施例6。實施例8：化合物30的合成將實施例6中的更換成合成方法同實施例6。實施例9：化合物34的合成將實施例6中的更換成合成方法同實施例6。實施例10：化合物38的合成將實施例6中的更換成合成方法同實施例6。實施例11：化合物46的合成將實施例6中的更換成將實施例6中的更換成合成方法同實施例6。實施例12：化合物50的合成step1，同實施例6中step1。step2，取白色產品50mmol26-1，加入2當量溴代噻吩，150mmol叔丁醇鉀，0.5mmolpd2(dba)3，甲苯，氬氣置換三次，加入1.0mmol三叔丁基膦，再次氬氣置換三次，回流溫度下反應10h，粗產品經由柱層析，得到產品38mmol化合物50。本發(fā)明實施例制備得到的以四苯基乙烯為母核的fd-bs值見表1所示。表1本發(fā)明實施例制備的化合物fd-ms值化合物fd-ms1m/z:511.52，c39h29n(511.23)2m/z:509.04，c39h27n(509.21)9m/z:387.35，c29h25n(387.20)12m/z:427.42，c32h29n(427.23)20m/z:449.63，c34h27n(449.21)26m/z:676.04，c51h36n2(676.29)27m/z:676.22，c51h36n2(676.29)30m/z:617.11，c45h31ns(617.22)34m/z:601.52，c45h31no(601.24)38m/z:614.67，c46h34n2(614.27)42m/z:749.35，c58h39n(749.31)46m/z:814.52，c57h38n2s2(814.25)50m/z:723.71，c51h33ns2(723.21)對比應用實施例1：取ito透明玻璃為陽極，超聲清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5pa，在上述陽極基板上真空蒸鍍npb作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為70nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍tapc/firpic作為發(fā)光層，摻雜濃度為10wt％，蒸鍍速率為0.005nm/s，蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍alq3作為電子傳輸層，蒸鍍速率為0.01nm/s，蒸鍍厚度為50nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍al層作為陰極，厚度為200nm。應用實例1：取ito透明玻璃為陽極，超聲清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5pa，在上述陽極基板上真空蒸鍍npb作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為70nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍化合物1/firpic作為發(fā)光層，摻雜濃度為10wt％，蒸鍍速率為0.005nm/s，蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍alq3作為電子傳輸層，蒸鍍速率為0.01nm/s，蒸鍍厚度為50nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍al層作為陰極，厚度為200nm。應用實例2：將應用實施例1中的化合物1換成化合物2。測量該器件的發(fā)光性能，結果見表2。應用實例3：將應用實施例1中的化合物1換成化合物9。測量該器件的發(fā)光性能，結果見表2。應用實例4：將應用實施例1中的化合物1換成化合物12。測量該器件的發(fā)光性能，結果見表2。應用實例5：將應用實施例1中的化合物1換成化合物20。測量該器件的發(fā)光性能，結果見表2。應用實例6：將應用實施例1中的化合物1換成化合物26。測量該器件的發(fā)光性能，結果見表2。應用實例7：將應用實施例1中的化合物1換成化合物27。測量該器件的發(fā)光性能，結果見表2。應用實例8：將應用實施例1中的化合物1換成化合物30。測量該器件的發(fā)光性能，結果見表2。應用實例9：將應用實施例1中的化合物1換成化合物34。測量該器件的發(fā)光性能，結果見表2。應用實例10：將應用實施例1中的化合物1換成化合物38。測量該器件的發(fā)光性能，結果見表2。應用實例11：將應用實施例1中的化合物1換成化合物42。測量該器件的發(fā)光性能，結果見表2。應用實例12：將應用實施例1中的化合物1換成化合物46。測量該器件的發(fā)光性能，結果見表2。應用實例13：將應用實施例1中的化合物1換成化合物50。測量該器件的發(fā)光性能，結果見表2。測量實施例1：對比樣品以及樣品的發(fā)光性能對比樣品以及樣品是采用keithleysmu235，pr650評價發(fā)光效率和驅動電壓，結果列于表2中：表2本發(fā)明實施例制備的發(fā)光器件的發(fā)光特性以上可以看出，本發(fā)明的一種以四苯基乙烯為母核的有機發(fā)光材料在電致發(fā)光器件中進行應用，發(fā)光效率最高可達21.4cd/a，驅動電壓最低為3.5v，較大的提高了器件的發(fā)光效率，是性能良好的有機發(fā)光材料。雖然本發(fā)明用示范性實施方案進行了特別的描述，但應該理解在不偏離權利要求所限定的本發(fā)明的精神與范圍的情況下，本領域普通技術人員可對其進行各種形式和細節(jié)上的改變。當前第1頁12