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一種鋁還原制備納米硅的方法

文檔序號:9918906閱讀:1236來源:國知局
一種鋁還原制備納米硅的方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于納米硅的制備方法技術領域,具體涉及一種鋁還原制備納米硅的方法。
【背景技術】
[0002]硅作為硅電子器件的主要原料,具有其它半導體材料無法比擬的優(yōu)越性和良好的應用前景,在未來的幾年甚至十幾年的時間內,都仍然將占據(jù)主流位置,同時硅可以作為鋰離子電池的負極材料,傳統(tǒng)鋰離子電池一般都使用石墨負極,但是該材料的性能已經達到頂峰。研究發(fā)現(xiàn)納米硅可能成為石墨替代品,其理論比容量高達4000mAh/g,相當于在室溫下合成的Li15Si4,是下一代鋰離子電池用負極材料。各種各樣的硅納米結構作負極材料都展示出了優(yōu)良的電化學性能,但是目前的制造成本高而影響其規(guī)?;a應用。
[0003]目前制備納米硅采用的方法:(I)氣相法:等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)(曹茂盛.超微顆粒制備科學與技術,1995,30,94),激光誘導化學氣相沉積(UCVD)(肖義明.激光合成陶瓷,1992),激光燒蝕沉積(LICVD)(彭英才.硅基納米微粒的激光燒蝕沉積及可見光發(fā)射特性,激光與紅外,2000,30(2): 92-94);氣相法的硅源為硅烷,硅烷具有高毒性、昂貴和可燃等特點,并且用化學氣相沉積(CVD)法來制備納米硅,其所需的制造設備非常昂貴;(2)金屬輔助化學蝕刻(MACE)法,該方法處理晶體硅晶片的方法已經被廣泛研究,再利用模板和非模板方法就可用來制造高度可調硅納米材料。然而,電子級別的晶片的制造成本相對較高,而用MACE法制造的納米硅材料的量仍然局限在毫克水平;(3)脈沖激光液相沉積法。該方法在晶粒尺寸和密度分布的控制,最佳實驗參數(shù)的組合,以及如何與硅平面工藝相兼容等方面仍存在很多問題,這些問題的存在阻礙了硅納米材料的進一步實用化,而且該方法成本也非常高;(4)碳熱還原二氧化硅。該方法還原二氧化硅需要1500°C以上的溫度,但是硅的熔點為1410°C,制備的硅粉極易熔化結塊,所以采用碳熱還原可以制備大塊晶體硅,但制備納米硅不可行;(5)鎂熱還原二氧化硅。該方法是目前制備納米硅材料的主要方法,工藝相對簡單,由于鎂粉價格較昂貴,且在后處理中與鹽酸反應比較劇烈,會有爆炸危險,帶來安全隱患。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的目的為了克服現(xiàn)有技術的缺點,提供了一種工藝簡單、成本低、安全性能高和適用于工業(yè)大規(guī)模生產的一種鋁還原制備納米硅的方法。
[0005]為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術方案,該方法包括如下步驟:
[0006]步驟一:室溫下,將鋁粉和S12粉加入到球磨機中,研磨處理后,得到混合粉末,將上述混合粉末置于剛玉舟中;
[0007]步驟二:將步驟一中所述裝有混合粉末的剛玉舟放置于高溫爐中,抽真空至0.0lMPa后在氬氣的保護下,3?5小時內升溫到反應溫度,并保持反應溫度一定時間后,再自然冷卻至室溫,停止通氬氣,收集反應產物;
[0008]步驟三:向步驟二中所述的反應產物中加入稀鹽酸進行反應,除去未反應的鋁和副產物氧化鋁后進行離心分離,離心分離后將沉淀物用去離子水洗滌2?4次,經真空干燥,研細,收集產物;
[0009]步驟四:向步驟三中所述的產物內加入氫氟酸進行反應,除去未反應的S12粉末后進行離心分離,離心分離后將沉淀物用去離子水洗滌2?4次,再經真空干燥,研細,即制得納米娃粉廣物。
[0010]所述步驟一中的鋁粉的粒徑為50?500目,Si02粉的粒徑為10?lOOnm。所述步驟一中的鋁粉和S12粉的摩爾比為1:3?4:1。所述步驟二中的反應溫度700?1200°C,保持反應溫度一定時間為:0.5?12小時。所述步驟三中的稀鹽酸的體積為:10?500mL,濃度為:0.1?6mo I /L,反應時間為:0.5?24小時。所述步驟四中所述氫氟酸的體積為:1?500mL,濃度為:1?2511101/1,反應時間為:0.5?24小時。
[0011]本發(fā)明可規(guī)?;苽浼{米硅,優(yōu)點在于:(I)所用原料成本低;(2)操作簡單,無危險,可以大規(guī)模使用。采用掃描電子顯微鏡和X射線衍射表征了納米硅的形貌和結構。結果表明,本發(fā)明方法與傳統(tǒng)的制備方法相比,具有工藝簡單,成本低和安全性能高等優(yōu)點,對大規(guī)模制備納米硅提供了可行的方法。
【附圖說明】
[0012]圖1是制備納米硅粉的外觀形貌圖;
[0013]圖2是實施例1制備得到的納米硅粉的掃描電子顯微鏡照片;
[0014]圖3是實施例1制備得到的納米硅粉的X射線衍射照片。
【具體實施方式】
[0015]本發(fā)明為一種鋁還原制備納米硅的方法,該方法包括如下步驟:
[0016]步驟一:室溫下,將鋁粉和S12粉加入到球磨機中,研磨處理后,得到混合粉末,將上述混合粉末置于剛玉舟中;
[0017]步驟二:將步驟一中所述裝有混合粉末的剛玉舟放置于高溫爐中,抽真空至0.0lMPa后在氬氣的保護下,3?5小時內升溫到反應溫度,并保持反應溫度一定時間后,再自然冷卻至室溫,停止通氬氣,收集反應產物;
[0018]步驟三:向步驟二中所述的反應產物中加入稀鹽酸進行反應,除去未反應的鋁和副產物氧化鋁后進行離心分離,離心分離后將沉淀物用去離子水洗滌2?4次,經真空干燥,研細,收集產物;
[0019]步驟四:向步驟三中所述的產物內加入氫氟酸進行反應,除去未反應的S12粉末后進行離心分離,離心分離后將沉淀物用去離子水洗滌2?4次,再經真空干燥,研細,即制得納米娃粉廣物。
[0020]所述步驟一中的鋁粉的粒徑為50?500目,Si02粉的粒徑為10?lOOnm。所述步驟一中的鋁粉和S12粉的摩爾比為1:3?4:1。所述步驟二中的反應溫度700?1200°C,保持反應溫度一定時間為:0.5?12小時。所述步驟三中的稀鹽酸的體積為:10?500mL,濃度為:0.1?6mo I /L,反應時間為:0.5?24小時。所述步驟四中所述氫氟酸的體積為:1?500mL,濃度為:1?2511101/1,反應時間為:0.5?24小時。[0021 ]如圖1所示,通過本發(fā)明制備出納米硅粉產物為膨松狀黃色粉末。
[0022]為了更加詳細的解釋本發(fā)明,現(xiàn)結合實施例對本發(fā)明做進一步闡述。具體實施例如下:
[0023]實施例一
[0024]—種鋁還原制備納米硅的方法,該方法包括如下步驟:
[0025]步驟一:室溫下,將鋁粉和S12粉加入到球磨機中,研磨處理后,得到混合粉末,將上述混合粉末置于剛玉舟中;
[0026]步驟二:將步驟一中所述裝有混合粉末的剛玉舟放置于高溫爐中,抽真空至0.0lMPa后在氬氣的保護下,5小時內升溫到反應溫度,并保持反應溫度一定時間后,再自然冷卻至室溫,停止通氬氣,收集反應產物;
[0027]步驟三:向步驟二中所述的反應產物中加入稀鹽酸進行反應,除去未反應的鋁和副產物氧化鋁后進行離心分離,離心分離后將沉淀物用去離子水洗滌4次,經真空干燥,研細,收集產物;
[0028]步驟四:向步驟三中所述的產物內加入氫氟酸進行反應,除去未反應的Si02粉末后進行離心分離,離心分離后將沉淀物用去離子水洗滌4次,再經真空干燥,研細,即制得納米硅粉產物。
[0029]所述步驟一中的鋁粉的粒徑為200目,S12粉的粒徑為20nm。所述步驟一中的鋁粉和S12粉的摩爾比為5:3。所述步驟二中的反應溫度1000°C,保持反應溫度一定時間為:2小時。所述步驟三中的稀鹽酸的體積為:I OOmL,濃度為:0.5moI/L,反應時間為:24小時。所述步驟四中所述氫氟酸的體積為:50mL,濃度為:lmol/L,反應時間為:24小時。
[0030]圖2所示為實施例一制備得到的納米硅粉的掃描電子顯微鏡照片,由圖可以清楚的發(fā)現(xiàn)所制備的樣品為納米硅。圖3所示為實施例一制備得到的納米硅粉的X射線衍射照片,與納米硅的標準衍射圖相比,可知實施例一制備的產物為納米硅。
[0031]實施例二
[0032]—種鋁還原制備納米硅的方法,該方法包括如下步驟:
[0033]步驟一:室溫下,將鋁粉和S12粉加入到球磨機中,研磨處理后,得到混合粉末,將上述混合粉末置于剛玉舟中;
[0034]步驟二:將步驟一中所述裝有混合粉末的剛玉舟放置于高溫爐中,抽真空至0.0lMPa后在氬氣的保護下,3小時內升溫到反應溫度,并保持反應溫度一定時間后,再自然冷卻至室溫,停止通氬氣,收集反應產物;
[0035]步驟三:向步驟二中所述的反應產物中加入稀鹽酸進行反應,除去未反應的鋁和副產物氧化鋁后進行離心分離,離心分離后將沉淀物用去離子水洗滌2次,經真空干燥,研細,收集產物;
[0036]步驟四:向步驟三中所述的產物內加入氫氟酸進行反應,除去未反應的S12粉末后進行離心分離,離心分離后將沉淀物用去離子水洗滌2次,再經真空干燥,研細,即制得納米硅粉產物。
[0037]所述步驟一中的鋁粉的粒徑為200目,S12粉的粒徑為lOOnm。所述步驟一中的鋁粉和S12粉的摩爾比為1:1。所述步驟二中的反應溫度800°C,保持反應溫度一定時間為:4小時。所述步驟三中的稀鹽酸的體積為:10mL,濃度為:0.5moI/L,反應時間為:24小時。所述步驟四中所述氫氟酸的體積為:50mL,濃度為:lOmol/L,反應時間為:24小時。
[0038]實施例三
[0039]—種鋁還原制備納米硅的方法,該方法包括如下步驟:
[0040]步驟一:室溫下,將鋁粉和S12粉加入到球磨機中,研磨處理后,得到混合粉末,將上述混合粉末置于剛玉舟中;
[0041]步驟二:將步驟一中所述裝有混合粉末的剛玉舟放置于高溫爐中,抽真空至0.0lMPa后在氬氣的保護下,4小時內升溫到反應溫度,并保持反應溫度一定時間后,再自然冷卻至室溫,停止通氬氣,收集反應產物;
[0042]步驟三:向步驟二中所述的反應產物中加入稀鹽酸進行反應,除去未反應的鋁和副產物氧化鋁后進行離心分離,離心分離后將沉淀物用去離子水洗滌3次,經真空干燥,研細,收集產物;
[0043]步驟四:向步驟三中所述的產物內加入氫氟酸進行反應,除去未反應的S12粉末后進行離心分離,離心分離后將沉淀物用去離子水洗滌3次,再經真空干燥,研細,即制得納米硅粉產物。
[0044]所述步驟一中的鋁粉的粒徑為200目,S12粉的粒徑為20nm。所述步驟一中的鋁粉和S12粉的摩爾比為5:3
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