一種監(jiān)控金屬膜厚的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及液晶顯示器的陣列基板的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，尤其設(shè)計(jì)一種監(jiān)控陣列基板上的 金屬膜厚的方法。 技術(shù)背景
[0002] 薄膜的性質(zhì)和結(jié)構(gòu)主要決定于薄膜的成核與生長(zhǎng)過(guò)程，在氣相沉積技術(shù)中為了監(jiān) 控薄膜的性質(zhì)與生長(zhǎng)過(guò)程，必須對(duì)沉積參數(shù)進(jìn)行有效的測(cè)量與監(jiān)控。在所有沉積技術(shù)中，沉 積膜厚是最重要的薄膜沉積參數(shù)之一。目前，在實(shí)際的成膜過(guò)程中，在線監(jiān)控膜厚的操作都 比較繁瑣和復(fù)雜，生產(chǎn)成本都相對(duì)較高，比如:光學(xué)方法和機(jī)械類(lèi)方法都需要增加特定的測(cè) 量設(shè)備。
[0003] 現(xiàn)有液晶面板公司使用最多且結(jié)果更為準(zhǔn)確的膜厚監(jiān)控方法是：薄膜沉積完成 后，使用SEM(結(jié)構(gòu)方程模型，Shucturalequationmodeling)進(jìn)行直接測(cè)量，但是，使用 SEM測(cè)量膜厚有W下幾個(gè)缺點(diǎn)：
[0004] 1、SEM不能夠在線直接監(jiān)控膜厚，現(xiàn)慢結(jié)果不能及時(shí)反饋，數(shù)據(jù)處理滯后；
[0005] 2、SEM操作不能完全自動(dòng)化，測(cè)量效率較低，影響產(chǎn)能；
[0006] 3、SEM機(jī)臺(tái)一次測(cè)量樣品數(shù)量非常有限，且測(cè)量周期長(zhǎng)(2小時(shí)）；
[0007] 4、SEM測(cè)量膜厚需要切片制樣，提高了生產(chǎn)成本。
[000引陣列基板制成后，再使用測(cè)量金屬膜厚，其結(jié)果和單膜測(cè)量存在較大差別，因 為在完成金屬膜沉積之后，在大多情況下，后續(xù)還要再經(jīng)過(guò)幾道熱制程，在運(yùn)一系列過(guò)程完 成之后，金屬膜厚將會(huì)發(fā)生變化，就會(huì)導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果存在不確定性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 本發(fā)明的目的在于提供一種在線監(jiān)控金屬層膜厚、及時(shí)測(cè)量數(shù)據(jù)、實(shí)現(xiàn)對(duì)金屬膜 厚實(shí)時(shí)監(jiān)控的監(jiān)控金屬膜厚的方法。
[0010] 本發(fā)明提供一種監(jiān)控金屬膜厚的方法，其包括如下步驟：
[0011] 第一步:構(gòu)建一金屬薄膜的結(jié)構(gòu)單元，其包括被測(cè)金屬薄膜層和與測(cè)試相關(guān)聯(lián)的 必要膜層，該被測(cè)金屬薄膜層至少包括由同一金屬薄膜組成的線寬和阻抗均不相同的兩組 金屬薄膜層。
[0012] 第二步:將上述第一步構(gòu)建被測(cè)金屬薄膜層獨(dú)立放置在液晶顯示面板的陣列基板 內(nèi)的任一區(qū)域內(nèi)，所述被測(cè)金屬薄膜層與陣列基板內(nèi)的結(jié)構(gòu)之間沒(méi)有電學(xué)連接關(guān)系；
[0013] 第Ξ步：陣列基板在制造過(guò)程中或制造完陣列基板后，監(jiān)控該被測(cè)金屬薄膜層的 兩組金屬薄膜層的阻抗的變化。
[0014] 其中，被測(cè)金屬薄膜層包括之間沒(méi)有任何電學(xué)聯(lián)系的第一組、第二組線狀金屬薄 膜層，該第一組、第二組線狀金屬薄膜層實(shí)際為同一金屬膜層。
[0015] 其中，該第一金屬薄膜層端部設(shè)有第一端點(diǎn)和第二端點(diǎn)，第一金屬模板層在第一 端點(diǎn)和第二端點(diǎn)之間呈多組彎折狀的線性;第二金屬薄膜層端部設(shè)有第Ξ端點(diǎn)和第四端 點(diǎn)，第二金屬模板層在第Ξ端點(diǎn)和第四端點(diǎn)之間也呈多組彎折狀的線性，其中，第一金屬薄 膜層的第一端點(diǎn)和第二金屬薄膜層的第Ξ端點(diǎn)之間通過(guò)第一測(cè)試端連接，第一金屬薄膜層 的第二端點(diǎn)與第二測(cè)試端連接，第二金屬薄膜層的第四端點(diǎn)與第Ξ測(cè)試端連接。
[0016] 其中，被測(cè)金屬薄膜層置于液晶顯示面板的陣列基板內(nèi)距離顯示區(qū)最近的Dummy 區(qū)或TEG區(qū)。
[0017] 其中，被測(cè)金屬薄膜層置于液晶顯示面板的陣列基板的顯示區(qū)兩側(cè)。
[0018]其中，被測(cè)金屬膜層的標(biāo)準(zhǔn)阻抗Δ相錐和實(shí)際阻抗Δ晤掠的計(jì)算公式如下：
[0019]
[0020] 其中：R1標(biāo)準(zhǔn)為第一組金屬薄膜層的阻抗的設(shè)計(jì)值，R2標(biāo)準(zhǔn)為第二組金屬薄膜層的阻 抗的設(shè)計(jì)值，R1撕為第一組金屬薄膜層的阻抗測(cè)量值，R2娜為第二組金屬薄膜層的阻抗測(cè) 量值。
[0021 ]本發(fā)明通在線監(jiān)控金屬層膜厚，其可操作性強(qiáng)，可完全自動(dòng)化運(yùn)用，提高生產(chǎn)效 率;本發(fā)明直接在線測(cè)量金屬層膜厚，不需要拆片制樣，降低生產(chǎn)成本;且本發(fā)明可用于在 陣列基板在制造過(guò)程中或制造完陣列基板后的膜厚測(cè)量。
【附圖說(shuō)明】
[0022] 圖1所示為本發(fā)明金屬薄膜層的結(jié)構(gòu)單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2所示為一般方塊金屬電阻的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024] 眾所周知，TFT-LC的夜晶顯示面板中所使用的薄膜晶體管（TFT)，其電學(xué)特性都是 通過(guò)薄膜之間實(shí)現(xiàn)的，其中金屬薄膜的特性對(duì)TFT的電學(xué)性能影響很大。由于薄膜的尺寸效 應(yīng)，薄膜的厚度不同，其各種特性就會(huì)發(fā)生很大的變化。
[0025] 本發(fā)明掲示一種監(jiān)控TFT-LCD液晶顯示面板的金屬薄膜的方法，本發(fā)明通在線監(jiān) 控金屬層膜厚，及時(shí)反饋測(cè)量數(shù)據(jù)，對(duì)金屬膜厚達(dá)到實(shí)時(shí)監(jiān)控。
[0026]本發(fā)明監(jiān)控金屬膜厚的方法，包括如下步驟：
[0027]第一步：構(gòu)建一金屬薄膜的結(jié)構(gòu)單元，其包括被測(cè)金屬薄膜層和與測(cè)試相關(guān)聯(lián)的 必要膜層，該被測(cè)金屬薄膜層至少包括由同一金屬薄膜組成的線寬和阻抗均不相同的兩組 金屬薄膜層。
[0028]第二步:將上述第一步構(gòu)建被測(cè)金屬薄膜層獨(dú)立放置在液晶顯示面板的陣列基板 內(nèi)的任一區(qū)域內(nèi)，所述被測(cè)金屬薄膜層與陣列基板內(nèi)的結(jié)構(gòu)之間沒(méi)有電學(xué)連接關(guān)系；
[0029]第Ξ步：陣列基板在制造過(guò)程中或制造完陣列基板后，監(jiān)控該被測(cè)金屬薄膜層的 兩組金屬薄膜層的阻抗的變化。
[0030] 本發(fā)明通過(guò)構(gòu)建一個(gè)如圖1所示的金屬薄膜的結(jié)構(gòu)單元，該金屬薄膜的結(jié)構(gòu)單元 包括被測(cè)金屬薄膜層100和被測(cè)金屬薄膜層相關(guān)聯(lián)的其他膜層，在本實(shí)施例中，被測(cè)金屬薄 膜層100包括之間沒(méi)有任何電學(xué)聯(lián)系的第一組、第二組線狀金屬薄膜層1〇、20,該第一組、第 二組線狀金屬薄膜層10、20實(shí)際為同一金屬膜層，由于制成上，造成該第一組、第二組線狀 金屬薄膜層10、20的線寬和阻抗均不相同。
[0031 ]其中，第一金屬薄膜層10為的線寬為W1、阻抗為R1，該第一金屬薄膜層10端部設(shè)有 第一端點(diǎn)11和第二端點(diǎn)12,第一金屬模板層10在第一端點(diǎn)11和第二端點(diǎn)12之間呈多組彎折 狀的線性;第二金屬薄膜層20的線寬為W2、阻抗為R2,該第二金屬薄膜層20端部設(shè)有第Ξ 端點(diǎn)21和第四端點(diǎn)22,第二金屬模板層20在第Ξ端點(diǎn)21和第四端點(diǎn)22之間也呈多組彎