專利名稱：薄膜制造用剝離膜及其制造方法及電子部件用薄膜的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于制造陶瓷生坯薄片及鐵素體生坯膜片等電子部件用薄膜的薄膜制造用剝離膜的制造方法、使用該剝離膜的電子部件用薄膜的制造方法及薄膜制造用剝離膜。
背景技術(shù)：
在制造用作陶瓷電容器的電介質(zhì)的陶瓷薄膜(陶瓷生坯薄片)時(shí)，首先在薄膜制造用剝離膜(以下也稱為“剝離膜”)上涂布漿狀涂布液，該涂布液是陶瓷粉體和粘合劑分散于有機(jī)溶劑或水等中而形成的。然后，加熱處理已涂布了漿狀涂布液的剝離膜，使有機(jī)溶劑或水等揮發(fā)以除去。這樣，漿狀涂布液固化形成陶瓷生坯薄片。這種情況下，為便于從陶瓷生坯薄片上剝離，剝離膜采用在基底膜上形成有機(jī)硅樹脂制剝離層的這一類剝離膜。在制造這種剝離膜時(shí)，首先從送出滾筒送出基底膜，導(dǎo)向涂布裝置，在基底膜的表面涂布形成剝離層用的有機(jī)硅樹脂。接著，從涂布裝置輸出的薄膜送往干燥器內(nèi)，干燥有機(jī)硅樹脂。由此，基底膜上的有機(jī)硅樹脂固化形成剝離層，這樣剝離膜就制造完成了。這種情況下，制造后的剝離膜的尺寸很長(zhǎng)，例如，長(zhǎng)2000m～3000m左右。為了便于運(yùn)輸和保管，將剝離膜卷繞成直徑40cm左右的卷筒狀。還有，這時(shí)為防止卷筒狀的剝離膜散開，一邊對(duì)由卷繞滾筒卷繞的剝離膜施加足夠的張力(例如，對(duì)應(yīng)于基底膜的每100mm的寬度為50牛頓)一邊進(jìn)行卷繞。
發(fā)明的揭示本發(fā)明者對(duì)上述現(xiàn)有的薄膜制造用剝離膜的制造方法、電子部件用薄膜(陶瓷生坯薄片)的制造方法及薄膜制造用剝離膜進(jìn)行了研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)存在如下的問題。即，為便于運(yùn)輸、保管制造后的剝離膜，剝離膜卷繞成卷筒狀。這種情況下，在現(xiàn)有的剝離膜的制造方法中，為了防止卷筒狀的剝離膜散開，一邊對(duì)由卷繞滾筒卷繞的剝離膜施加足夠的張力一邊進(jìn)行卷繞。這樣，卷繞的剝離膜的剝離層的表面和卷繞在外圍的剝離膜上的基底膜的內(nèi)表面牢牢地貼在一起。因此，卷繞滾筒卷繞已涂布了有機(jī)硅樹脂的基底膜時(shí)，剝離層的一部分局部轉(zhuǎn)移到基底膜的內(nèi)表面，在這種情況下，如圖7所示，在剝離層的表面產(chǎn)生無數(shù)個(gè)寬(或者直徑)5μm以上30μm不到的凹孔H、H··。因此，在現(xiàn)有的剝離膜的制造方法中存在難以確保剝離層平整性的問題。
近年來，希望進(jìn)一步增大剝離膜的尺寸以提高電子部件用薄膜的生產(chǎn)率。這樣，為了制造既便于運(yùn)輸和保管尺寸又長(zhǎng)的剝離膜，傾向于采用較薄的基底膜。因此，對(duì)由卷繞滾筒卷繞的剝離膜施加的張力過大時(shí)，在剝離層的表面會(huì)因基底膜的拉長(zhǎng)產(chǎn)生微小的缺陷。另一方面，為防止剝離層對(duì)基底膜內(nèi)表面的局部轉(zhuǎn)移及基底膜的拉長(zhǎng)，在卷繞時(shí)施加的張力過小時(shí)，卷筒狀的剝離膜將呈松垮的卷繞狀態(tài)，這樣會(huì)產(chǎn)生不良后果，即在運(yùn)輸中散開，在后述的其后制造陶瓷生坯薄片的工序中，會(huì)引起剝離膜送出的不順暢。
而且，用無法保證剝離層表面的平整性的剝離膜制造陶瓷生坯薄片的情況下，在其表面涂布漿狀涂布液時(shí)，漿狀涂布液會(huì)因凹孔H、H··而彈出，產(chǎn)生直徑1mm左右的氣孔，并導(dǎo)致涂布層厚度不均一，從而出現(xiàn)不合格品。還有，用這些不合格的陶瓷生坯薄片制造陶瓷電容器等電子部件時(shí)，會(huì)發(fā)生制造出的電子部件耐電壓性低的問題。目前的電子部件用薄膜的厚度在5μm以下，非常薄，因此更易因在涂布漿狀涂布液時(shí)存在于剝離膜表面的凹孔H、H··而產(chǎn)生不合格品。這樣，用通過現(xiàn)有的剝離膜的制造方法制造出的剝離膜制造電子部件用薄膜的制造方法存在以下問題，即很難制造出適合用作電介質(zhì)的厚度均一且不存在氣孔的電子部件用薄膜。
本發(fā)明的目的是解決上述問題，其主要目的是提供一種能防止卷繞散開及基底膜拉長(zhǎng)，并且能夠確保剝離層表面的平整性的薄膜制造用剝離膜的制造方法。除此之外，另一目的是提供能夠制造厚度保持均一且不存在氣孔的電子部件用薄膜的方法，以及提供一種能夠制得厚度保持均一且不存在氣孔的電子部件用薄膜的卷繞不會(huì)散開的薄膜制造用剝離膜。
本發(fā)明所涉及的薄膜制造用剝離膜的制造方法是在基底膜上涂布含有機(jī)硅樹脂的涂布液之后，使該涂布液干燥，在上述基底膜上形成上述有機(jī)硅樹脂的剝離層，將該已形成了剝離層的基底膜卷繞成卷筒狀，制得用于制造電子部件用薄膜的剝離膜的方法，上述基底膜的厚度在5μm以上30μm不到時(shí)，一邊對(duì)上述已形成了剝離層的基底膜施加對(duì)應(yīng)于每100mm的寬度的3牛頓以上17牛頓以下的張力，一邊卷繞該基底膜。在本發(fā)明中，對(duì)已形成了剝離層的基底膜的每100mm的寬度施加的張力作了規(guī)定。用更寬或更窄的基底膜時(shí)，可以規(guī)定與寬度成比例的張力。
在這種薄膜制造用剝離膜的制造方法中，基底膜的厚度在5μm以上30μm不到時(shí)，通過一邊對(duì)上述已形成了剝離層的基底膜施加對(duì)應(yīng)于每100mm的寬度的3牛頓以上17牛頓以下的張力一邊卷繞該基底膜，能夠?qū)⒃谝烟幱诰砝@狀態(tài)的基底膜的內(nèi)表面和剝離層表面互相貼合時(shí)的作用力控制在限定的范圍內(nèi)，從而可以大大減少凹孔的產(chǎn)生數(shù)量。因此，能夠制造出可保證剝離層的平整性同時(shí)剝離性良好、且能夠防止卷繞散開及基底膜拉長(zhǎng)的薄膜制造用剝離膜。使用通過這種制造方法制造的薄膜制造用剝離膜，能夠制得基本沒有氣孔、且厚度均一的電子部件用薄膜。
本發(fā)明涉及的另一薄膜制造用剝離膜的制造方法是在基底膜上涂布含有機(jī)硅樹脂的涂布液之后，使該涂布液干燥，在上述基底膜上形成上述有機(jī)硅樹脂的剝離層，將該已形成了剝離層的基底膜卷繞成卷筒狀，制得用于制造電子部件用薄膜的剝離膜的方法，上述基底膜的厚度在30μm以上100μm以下時(shí)，一邊對(duì)上述已形成了剝離層的基底膜施加對(duì)應(yīng)于每100mm的寬度的4牛頓以上28牛頓以下的張力，一邊卷繞該基底膜。
在這種薄膜制造用剝離膜的制造方法中，基底膜的厚度在30μm以上100μm以下時(shí)，通過一邊對(duì)已形成了剝離層的基底膜施加對(duì)應(yīng)于每100mm的寬度的4牛頓以上28牛頓以下的張力，一邊卷繞該基底膜，能夠?qū)⒁烟幱诰砝@狀態(tài)的基底膜的內(nèi)表面和剝離層表面互相貼合時(shí)的作用力控制在限定的范圍內(nèi)，從而可以大大減少凹孔的產(chǎn)生數(shù)量。因此，能夠制造出可保證剝離層的平整性同時(shí)剝離性良好、且能夠防止卷繞散開及基底膜拉長(zhǎng)的薄膜制造用剝離膜。使用通過這種制造方法制造的薄膜制造用剝離膜，能夠制得基本沒有氣孔、且厚度均一的電子部件用薄膜。
本發(fā)明所涉及的電子部件用薄膜的制造方法是在上述薄膜制造用剝離膜的制造方法制得的用于制造電子部件用薄膜的剝離膜上涂布漿狀涂布液后，使該漿狀涂布液干燥，在上述薄膜制造用剝離膜上形成電子部件用薄膜。
在這種電子部件用薄膜的制造方法中，基底膜的厚度在5μm以上30μm不到時(shí)，一邊對(duì)基底膜施加對(duì)應(yīng)于每100mm的寬度的3牛頓以上17牛頓以下的張力，一邊卷繞該基底膜；基底膜的厚度在30μm以上100μm以下時(shí)，一邊對(duì)基底膜施加對(duì)應(yīng)于每100mm的寬度的4牛頓以上28牛頓以下的張力，一邊卷繞該基底膜，能夠制得不產(chǎn)生氣孔、且厚度保持均一的電子部件用薄膜。
本發(fā)明涉及的薄膜制造用剝離薄膜是將至少一面上已形成有機(jī)硅樹脂的剝離層的基底膜卷繞成卷筒狀而形成的從其卷筒芯的表面到表層的直徑為50mm以上的用于制造電子部件用薄膜的剝離膜，從上述卷筒芯的表面起50mm徑向的層的沿朝向該卷筒芯的該徑向的硬度在460以上700以下。
這種薄膜制造用剝離膜，由于是按從卷筒芯的表面起50mm徑向的層的沿朝向該卷筒芯的該徑向的硬度在460以上700以下的要求，將基底膜卷繞成卷筒狀而形成的，所以能夠?qū)⒕硗矤畹幕啄さ膬?nèi)表面和剝離層表面互相貼合時(shí)的作用力控制在限定的范圍內(nèi)，從而大大減少凹孔的產(chǎn)生數(shù)量，該剝離膜的剝離層的平整性和剝離性良好、且卷繞不散開。使用這種薄膜制造用剝離膜，能夠制得不產(chǎn)生氣孔、且厚度保持均一的電子部件用薄膜。
本發(fā)明與在2001年2月15日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)?zhí)卦?001-37948的主題相關(guān)，這些內(nèi)容的全部都作為參照事項(xiàng)穿插在這里。
對(duì)附圖的簡(jiǎn)單說明

圖1為本發(fā)明的實(shí)施方式中的剝離膜1的剖面圖。
圖2為制造后的剝離膜1卷繞成卷筒狀的外觀立體圖。
圖3為用于制造剝離膜1的剝離膜制造裝置11的結(jié)構(gòu)圖。
圖4為在剝離膜1上涂布了漿狀陶瓷4a的狀態(tài)下的剖面圖。
圖5為剝離了剝離膜1的陶瓷生坯薄片4的剖面圖。
圖6為用于說明實(shí)施例1～16、比較例1～6的各基底膜的厚度、張力、凹孔的產(chǎn)生個(gè)數(shù)、卷筒硬度、有無氣孔及有無層偏離的關(guān)系的圖。
圖7為在剝離層表面產(chǎn)生的凹孔H的平面圖。
實(shí)施發(fā)明的最佳方式以下參照附圖，說明本發(fā)明所涉及的薄膜制造用剝離膜的制造方法、電子部件用薄膜的制造方法及薄膜制造用剝離膜的最佳實(shí)施方式。
首先，說明本發(fā)明中的相當(dāng)于薄膜制造用剝離膜的剝離膜1的制造方法。
剝離膜1在制造陶瓷生坯薄片及鐵素體薄膜等電子部件用薄膜時(shí)作為涂布其原材料的承載體薄膜使用，如圖1所示，在基底膜2(PET薄膜)上形成剝離層3而獲得。此剝離膜1的尺寸較長(zhǎng)為2000m～3000m左右。這樣，如圖2所示，制造后的剝離膜1卷繞成直徑40cm左右的卷筒狀?；啄?是將芳族二元酸成分和二醇成分構(gòu)成的結(jié)晶性的線型飽和聚酯(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸丙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯、聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯)的未拉伸薄膜通過雙軸拉伸而形成的，具體的方法是，干燥聚酯原材料后用擠壓機(jī)熔融，再?gòu)腡型臺(tái)架推送到冷卻轉(zhuǎn)鼓上急冷，形成聚酯的未拉伸薄膜，接著用拉伸機(jī)沿雙軸方向拉伸未拉伸薄膜，根據(jù)需要進(jìn)行熱定型，由此制造出厚5μm～250μm左右的薄膜狀基底膜2。此剝離膜1采用厚5μm～100μm的基底膜效果較好，例如，采用38μm厚的基底膜2。
另一方面，剝離層3是賦予基底膜3以剝離特性的層，在基底膜2的一面上涂布含有固化性有機(jī)硅樹脂3a的涂布液，干燥后形成剝離層3。這里，對(duì)固化性有機(jī)硅樹脂3a沒有特別的限定，可以使用縮合反應(yīng)固化型、加成反應(yīng)固化型、紫外線固化型或陰極射線固化型等有機(jī)硅樹脂。作為含有固化性有機(jī)硅樹脂3a的涂布液，可以使用固化性有機(jī)硅(固體成分濃度30％)溶解于丁酮及甲苯的混合溶劑(MEK/甲苯＝50/50溶液)中而形成的固體成分濃度為3％的溶液。
制造這種剝離膜1時(shí)，可以使用如圖3所示的剝離膜制造裝置11。該剝離膜制造裝置11具有送出基底膜2的送出旋轉(zhuǎn)軸12、在基底膜2上涂布含有固化性有機(jī)硅樹脂3a的涂布液的有機(jī)硅樹脂涂布裝置13、干燥已涂布的涂布液的干燥器14、將制造出的剝離膜1卷繞成卷筒狀的卷繞旋轉(zhuǎn)軸15。還有，在干燥器14和卷繞旋轉(zhuǎn)軸15之間設(shè)置松緊調(diào)節(jié)器16，它是由導(dǎo)輥16a～16c構(gòu)成的，作用是對(duì)由卷繞旋轉(zhuǎn)軸15卷繞的剝離膜1施加規(guī)定的張力。再有，因?yàn)楸景l(fā)明比較容易理解，所以省略了剝離膜制造裝置11的詳細(xì)的結(jié)構(gòu)說明和圖示。
在制造剝離膜1時(shí)，首先以箭頭A1的方向旋轉(zhuǎn)送出旋轉(zhuǎn)軸12，送出基底膜2，導(dǎo)向有機(jī)硅樹脂涂布裝置13。這時(shí)，在有機(jī)硅樹脂涂布裝置內(nèi)，可采用反向滾涂法、凹板滾涂法或氣刀涂布法等公知的涂布方法在基底膜2的一面涂布涂布液。這時(shí)，將涂布液的涂布量控制在1g/m2以上25g/m2以下的范圍內(nèi)，這樣制造后的剝離膜1上的剝離層3的厚度就能夠限定在0.05μm以上1μm以下的范圍內(nèi)。這種情況下，若剝離層3的厚度小于0.05μm，則剝離膜1的剝離性能差，反之若剝離層3的厚度超過1μm，則涂層的固化不充分，剝離性能隨時(shí)間變化而劣化，易產(chǎn)生凹孔H、H··。
另一方面，在剝離層3的表面產(chǎn)生較多的凹孔H的情況下，在制造后述的陶瓷生坯薄片4時(shí)，涂布在剝離膜1上的漿狀陶瓷4a彈出。再具體的說就是，用SEM(掃描型電子顯微鏡)以約1000倍的倍率觀察剝離層3的表面，結(jié)果確認(rèn)了在剝離層3的表面的每0.1mm2存在超過50個(gè)的直徑5μm以上的凹孔H時(shí)，漿狀陶瓷4a易彈出。而且，還確認(rèn)了一般不產(chǎn)生直徑超過30μm的凹孔H。因此，直徑5μm以上30μm不到的凹孔H的產(chǎn)生數(shù)量如果在每0.1mm250個(gè)以下，則能夠防止在制造陶瓷生坯薄片4時(shí)的漿狀陶瓷4a的彈出。為此，涂布液的涂布量最好規(guī)定在1.5g/m2以上20g/m2以下的范圍內(nèi)，如果限定在此范圍內(nèi)，就能夠?qū)⒅圃旌蟮膭冸x膜1上的剝離層3的厚度控制在0.1μm以上0.5μm以下的范圍內(nèi)，從而可以提高剝離膜1的剝離性，并且可以充分抑制凹孔H、H··的產(chǎn)生。
接著，將已涂布了縮合反應(yīng)固化型或加成反應(yīng)固化型的固化性有機(jī)硅樹脂3a的基底膜2導(dǎo)向干燥器14。這時(shí)，固化性有機(jī)硅樹脂3a和基底膜2用干燥器14在50℃～180℃的范圍內(nèi)加熱處理5秒以上，使固化性有機(jī)硅樹脂3a干燥并且固化。此時(shí)，溶劑蒸發(fā)，涂層的厚度收縮至數(shù)分之一，由此在基底膜2上形成剝離層3。再有，最好將加熱溫度規(guī)定在80℃～160℃的范圍內(nèi)，并且持續(xù)加熱10秒以上。舉一個(gè)例子，在溫度110℃加熱40秒。這樣，剝離層3基本完全固化，從而能夠更加確保防止在后工序的卷繞處理時(shí)產(chǎn)生凹孔H、H··。
接著，剝離膜1由按箭頭A2的方向旋轉(zhuǎn)的卷繞旋轉(zhuǎn)軸15卷繞成卷筒狀。這時(shí)，卷繞的剝離膜1由松緊調(diào)節(jié)器16施加和卷繞軸15的旋轉(zhuǎn)方向相反(箭頭B的方向)的張力。具體的說就是，導(dǎo)輥(拉伸輥)16c在導(dǎo)輥16a，16b之間向下(箭頭C的方向)對(duì)剝離膜1施加張力。這種情況下，在干燥器14和導(dǎo)輥16a之間設(shè)置有張力切斷裝置(無圖示)，該裝置的作用是阻止導(dǎo)輥16c施加的作用力影響到干燥器14。利用導(dǎo)輥16c對(duì)剝離膜1施加的作用力，使剝離膜1在沿箭頭B的方向受到張力的狀態(tài)下卷繞在卷繞旋轉(zhuǎn)軸15的周圍。
這種情況下，為了防止卷繞后的剝離膜1的散開及基底膜2的拉長(zhǎng)，并且將剝離層3表面每0.1mm2的直徑5μm以上的凹孔數(shù)量控制在50個(gè)以下，將按箭頭B方向?qū)冸x膜1施加的張力限定為比按現(xiàn)有方法進(jìn)行卷繞處理時(shí)所施加的張力小的張力。舉一個(gè)例子，對(duì)本實(shí)施方式的約38μm厚的剝離膜1(相當(dāng)于本發(fā)明中的已形成了剝離層的基底膜)作如下限定，即對(duì)每100mm的寬度施加4牛頓以上28牛頓以下的張力，更好的是施加10牛頓以上28牛頓以下的張力。還有，一般在制造這種剝離膜時(shí)，使用厚度為5μm以上100μm以下的基底膜2，但本發(fā)明中，根據(jù)基底膜2的厚度在30μm以上或是30μm不到而分別設(shè)定上述張力的限定范圍。這是因?yàn)楹穸仍?μm以上30μm不到的范圍內(nèi)的基底膜2在用后述規(guī)定范圍內(nèi)的任意相同的張力卷繞時(shí)，都具有產(chǎn)生的凹孔H的個(gè)數(shù)基本相同的共同性質(zhì)。另一方面，厚度在30μm以上100μm以下的范圍內(nèi)的基底膜2在用后述規(guī)定范圍內(nèi)的任意相同的張力卷繞時(shí)，也都具有產(chǎn)生的凹孔H的個(gè)數(shù)基本相同的共同性質(zhì)。具體來說就是，如果基底膜的厚度在5μm以上30μm不到的范圍內(nèi)，則在剝離膜1的每100mm寬度上施加3牛頓以上17牛頓以下的張力，更好的是施加7牛頓以上17牛頓以下的張力。另一方面，如果基底膜2的厚度在30μm以上100μm以下的范圍內(nèi)，則在剝離膜1的每100mm寬度上施加4牛頓以上28牛頓以下的張力，更好的是施加10牛頓以上28牛頓以下的張力。通過這樣限定張力，就能夠?qū)⒁烟幱诰砝@狀態(tài)的基底膜的內(nèi)表面和剝離層表面互相貼合時(shí)的作用力控制在限定的范圍內(nèi)，從而可以大大減少凹孔的產(chǎn)生數(shù)量。還有，在厚度30μm不到的基底膜2中，厚度在10μm以上30μm不到的基底膜比較容易實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的效果。再有，從更容易達(dá)到本發(fā)明效果來衡量，15μm以上30μm不到的更佳。另一方面在厚度30μm以上的基底膜2中，30μm以上50μm以下的基底膜更容易達(dá)到本發(fā)明的效果。
在基底膜2的厚度為5μm以上30μm不到、剝離膜1受到的張力對(duì)應(yīng)于每100mm的寬度小于3N時(shí)，以及基底膜2的厚度為30μm以上100μm以下、剝離膜1受到的張力對(duì)應(yīng)于每100mm的寬度小于4N時(shí)，卷繞成卷筒狀的剝離膜1呈松跨的卷繞狀態(tài)，出現(xiàn)卷繞散開的現(xiàn)象。還有，在基底膜2的厚度為5μm以上30μm不到、剝離膜1受到的張力對(duì)應(yīng)于每100mm的寬度超過17N時(shí)，以及在基底膜2的厚度為30μm以上100μm以下、剝離膜1受到的張力對(duì)應(yīng)于每100mm的寬度超過28N時(shí)，在剝離層3的表面易產(chǎn)生較多的凹孔H、H··。另一方面，在卷繞剝離膜1時(shí)，應(yīng)在卷繞旋轉(zhuǎn)軸15開始卷繞至卷繞完成的卷繞過程中一直施加一定的張力，以防止部分施加強(qiáng)的張力。此外，只要是在上述張力的范圍內(nèi)，可以采用卷繞旋轉(zhuǎn)軸15上的剝離膜1的卷繞量越大對(duì)剝離膜1的張力就越小的錐形張力卷繞方式。這種方式能夠抑制凹孔H、H··的產(chǎn)生，并且防止剝離膜1的散開。如圖2所示，通過以上工序?qū)冸x膜1卷繞成卷筒狀。
采用上述剝離膜1的制造方法，在剝離膜1的卷繞時(shí)，當(dāng)基底膜2的厚度為5μm以上30μm不到時(shí)將作用于剝離膜1的張力限定在每100mm的寬度為3牛頓以上17牛頓以下的范圍內(nèi)。當(dāng)基底膜2的厚度為30μm以上100μm以下時(shí)，將作用于剝離膜1的張力限定在每100mm的寬度為4牛頓以上28牛頓以下的范圍內(nèi)，這樣就能夠防止卷繞成卷筒狀的剝離膜1的散開，并且能夠?qū)冸x層3上的凹孔H的產(chǎn)生數(shù)量控制在每0.1mm250個(gè)以下。由此，能夠在制造后述的陶瓷生坯薄片時(shí)防止氣孔的產(chǎn)生，且使厚度均一。
接著，以用作陶瓷電容器的電介質(zhì)的陶瓷生坯薄片4的制造方法為例，說明本發(fā)明的電子部件用薄膜的制造方法。
首先，分別燒結(jié)粒徑從0.1μm至1.0μm左右的鈦酸鋇、氧化鉻、氧化釔、碳酸錳、碳酸鋇、碳酸鈣及二氧化硅粉末。接著，按以BaTiO3為100摩爾％，換算成Cr2O3為0.3摩爾％、換算成MnO為0.4摩爾％、換算成BaO為2.4摩爾％、換算成CaO為1.6摩爾％、換算成SiO2為4摩爾％、換算成Y2O3為0.1摩爾％的組成混合。接著，用球磨機(jī)攪拌此混合粉體24小時(shí)左右后，使之干燥，制得電介質(zhì)原料。然后，在100重量份的電介質(zhì)原料中分別混合丙烯酸樹脂5重量份、二氯甲烷40重量份、丙酮25重量份和松香水6重量份。接著，用Φ10mm的氧化鋯磨球通過釜臺(tái)架混合約24小時(shí)，制得漿狀陶瓷4a(電介質(zhì)涂料)。
接著，如圖4所示，在由卷筒狀剝離膜1送出的剝離膜1的剝離層3上用刮刀涂布方式涂布漿狀陶瓷4a，并使干燥后的涂布厚度為5μm。這種情況下，在剝離膜1的剝離層3上產(chǎn)生的直徑5μm以上的凹孔H的數(shù)量為每0.1mm250個(gè)以下，由此，涂布的漿狀陶瓷4a不會(huì)彈出，能均勻地涂布。之后，在室溫下使?jié){狀陶瓷4a自然干燥，在剝離膜1上形成陶瓷生坯薄片4。其后，從陶瓷生坯薄片4上剝離剝離膜1，制造出圖5所示的陶瓷生坯薄片4。再有，在對(duì)應(yīng)陶瓷生坯薄片4的電極的制作完成之后，將剝離膜1從陶瓷生坯薄片4的內(nèi)表面剝離。這種情況下，由于在剝離膜1的表面形成有剝離層3，所以能夠很容易地從陶瓷生坯薄片4上剝離。
這樣，采用這種陶瓷生坯薄片4的制造方法，通過使用直徑5μm以上的凹孔H的數(shù)量為每0.1mm250個(gè)以下的剝離膜1，能夠在涂布漿狀陶瓷4a時(shí)防止氣孔的產(chǎn)生，且使厚度均一，由此可以大大減少不合格品數(shù)，從而提高陶瓷生坯薄片4的制造效率。還有，通過采用這種陶瓷生坯薄片4，能夠制造出高耐電壓、高可靠性的陶瓷電容器，而且還能提高陶瓷電容器的制造效率。
接著，說明卷繞成卷筒狀的剝離膜的硬度和用該玻璃膜制造的薄膜(陶瓷生坯薄片)的關(guān)系。
對(duì)存在制作薄膜時(shí)產(chǎn)生氣孔及卷繞出現(xiàn)散開等問題的剝離膜進(jìn)行了深入的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)卷繞狀態(tài)中的剝離膜的硬度和問題的產(chǎn)生存在因果關(guān)系。具體的說就是，卷繞成卷筒狀的剝離膜的硬度(以下也稱為“卷筒硬度”)達(dá)到700以上時(shí)，在剝離膜上涂布漿狀涂布液(漿狀陶瓷4a)的工序中，在由卷筒狀剝離膜送出的剝離膜的沒有剝離層的一面上，剝離層部分轉(zhuǎn)移，由此漿狀涂布液彈出，產(chǎn)生氣孔或是象桔皮一樣粗糙。另一方面，筒硬度小于460時(shí)，在保管中、運(yùn)輸中以及向送出滾筒裝卸時(shí)，卷筒狀的剝離膜會(huì)散開。因此，適當(dāng)調(diào)整剝離膜制造時(shí)的卷繞拉力，將其硬度控制在460以上700以下，就能夠防止薄膜制作時(shí)產(chǎn)生氣孔及卷繞散開。
這種情況下，為了排除卷筒芯的影響，關(guān)于卷筒硬度的測(cè)定，應(yīng)將從卷筒芯的表面起卷筒徑50mm以上的徑向上的剝離膜的表層作為測(cè)定對(duì)象。還有，確認(rèn)了在制造剝離膜時(shí)卷繞成卷筒狀時(shí)，特別是在卷筒芯附近剝離膜卷邊，有機(jī)硅膜(剝離層3)的一部分容易轉(zhuǎn)移到剝離膜的沒有剝離層的一面的現(xiàn)象。這種情況下，通過將從卷筒芯的表面起50mm徑向上的層(以下將此層稱為“L層”)的卷筒硬度調(diào)整到上述規(guī)定的范圍內(nèi)，從卷筒的最外周(表層)到卷筒芯的表面所有的剝離膜都不發(fā)生剝離層的轉(zhuǎn)移，因此能夠制造出不產(chǎn)生氣孔的電子部件制造用薄膜。
還有，為了將剝離膜的筒硬度保持在460以上700以下，在涂布含有有機(jī)硅樹脂的涂布液，使之干燥后卷繞成卷筒狀時(shí)，將作用于剝離膜的卷繞張力根據(jù)基底膜的厚度規(guī)定為對(duì)應(yīng)于基底膜的每100mm的寬度在3牛頓以上28牛頓以下的范圍內(nèi)。這種情況下，至少可以從開始卷繞到到達(dá)L層以一定的卷繞張力卷繞。還有，如果至少?gòu)拈_始卷繞到到達(dá)L層的張力在3牛頓以上28牛頓以下的范圍內(nèi)，則可以采用對(duì)卷繞開始到卷繞結(jié)束的張力作適當(dāng)調(diào)整的錐形張力控制(隨筒徑的增大，降低或提高卷繞張力)進(jìn)行卷繞。還有，卷繞張力的控制方法，可以采用拉拔控制、轉(zhuǎn)矩控制及松緊控制等公知的方法。
為了將剝離膜的卷筒硬度保持在460以上700以下，作為剝離層所用的剝離劑采用固化有機(jī)硅樹脂效果較好，固化有機(jī)硅樹脂涂層具有能使基底膜具備剝離特性的功能，通過涂布含有機(jī)硅樹脂的涂布液，再經(jīng)干燥和固化后形成。對(duì)固化型有機(jī)硅樹脂沒有特別的限制，例如可以使用縮合反應(yīng)固化型、加成反應(yīng)固化型、紫外線固化型及陰極射線固化型等中的任一種，涂布固化型有機(jī)硅樹脂的方法可以采用反向滾涂法、凹板滾涂法、氣刀涂布法等公知的涂布方法。還有，涂布的固化型有機(jī)硅樹脂涂料可采用加熱處理，使其干燥、固化而形成固化覆膜。這種情況下，加熱溫度應(yīng)在50℃～180℃的范圍內(nèi)，尤以80℃～160℃的范圍為佳，應(yīng)進(jìn)行5秒以上，最好是10秒以上的加熱處理。而且，固化型有機(jī)硅樹脂的涂布量應(yīng)在1g/m2以上25g/m2以下的范圍內(nèi)，尤以1.5g/m2以上20g/m2以下的范圍內(nèi)為佳。這樣，固化后的有機(jī)硅樹脂涂層的厚度可達(dá)到0.05μm以上1μm以下，甚至可以達(dá)到0.1μm以上0.5μm以下的理想厚度范圍。如果加熱處理后的厚度小于0.05μm，則剝離性能降低。如果超過1μm，則存在涂膜固化不充分的傾向，引起剝離性能隨時(shí)間變化而劣化以及卷筒硬度的改變。因此，按照上述剝離膜1的制造方法制造剝離膜1，將處于已卷繞成卷筒狀的L層的硬度控制在460以上700以下，能夠防止制作薄膜時(shí)產(chǎn)生氣孔以及卷繞開。
(實(shí)施例)接著，參照附圖，通過實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的薄膜制造用剝離膜及電子部件用薄膜作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
用以下方法測(cè)定了圖6所示的實(shí)施例1～16及比較例1～6的各剝離膜的特性。
1.用SEM(掃描型電子顯微鏡)觀察剝離層(固化性有機(jī)硅樹脂)表面的凹孔H的產(chǎn)生數(shù)量這種情況下加速電壓5.0KVWD16mm拍攝倍率1000倍TILT45°拍攝剝離層表面任意位置的照片，得到了每0.1mm2存在的直徑5μm以上30μm不到的凹孔H的數(shù)量。
2.卷筒狀態(tài)的剝離膜的硬度使用PROCEQ.S.A.公司制硬度測(cè)定儀2測(cè)定了卷繞成卷筒狀的剝離膜的硬度。這時(shí)，在從卷筒芯的表面起50mm徑向上的層的剝離膜的寬度方向測(cè)定5點(diǎn)，求其平均值。
3.薄膜(電介質(zhì)陶瓷、陶瓷生坯薄片)上有無氣孔產(chǎn)生按后述條件制作的電介質(zhì)涂料用刮刀法涂布在剝離膜的剝離層上，并使干燥后的涂層厚度為5μm，將此狀態(tài)下的剝離膜接近熒光燈的光源，用目測(cè)確認(rèn)有無氣孔產(chǎn)生以及涂布面是否象桔皮一樣粗糙。其確認(rèn)結(jié)果見圖6，沒有氣孔及不像桔皮一樣粗糙的為○，產(chǎn)生氣孔及象桔皮一樣粗糙的為×。
4.卷繞成卷筒狀的剝離膜(以下、也稱為“卷筒”)有無發(fā)生層偏離(卷繞散開)。
對(duì)已卷繞的卷筒按JIS-Z-200規(guī)定的試驗(yàn)方法進(jìn)行振動(dòng)試驗(yàn)。
這種狀況下激振方向Z軸方向激振時(shí)間20分鐘振動(dòng)頻率50～100Hz(起動(dòng)從5Hz開始)加速度0.75(GRMS)掃描方法對(duì)數(shù)掃描、單道10分鐘(0.432倍頻程/分)這項(xiàng)試驗(yàn)結(jié)果見圖6，確認(rèn)沒有層偏離的為◎，確認(rèn)有層偏離但偏離量在1cm以內(nèi)、在實(shí)際應(yīng)用上沒有問題的為○，發(fā)生超過1cm的層偏離的為×。
實(shí)施例1<有機(jī)硅樹脂溶液(含固化型有機(jī)硅樹脂3a的涂布液)>
在含有乙烯基的聚二甲基硅氧烷和二甲基氫化二烯硅烷(氫化二烯硅烷系化合物)的混合物中加入鉑類催化劑使之發(fā)生加成反應(yīng)而形成上述固化型有機(jī)硅樹脂(信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社制KS-847(H))，然后將該有機(jī)硅樹脂溶解在丁酮及甲苯的混合溶劑中，制得全部固體成分濃度為3.0重量％的溶液。
信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社制KS-847H 300g(固體成分濃度30重量％、樹脂90g)鉑類催化劑CAT-PL-50T(信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社制)3.0gMEK/甲苯＝50/50(重量比)溶液2700g<電介質(zhì)陶瓷涂料(漿狀陶瓷4a)>
分別燒結(jié)粒徑從0.1μm至1.0μm左右的鈦酸鋇、氧化鉻、氧化釔、碳酸錳、碳酸鋇、碳酸鈣及二氧化硅等的粉末后。按以BaTiO3為100摩爾％，換算成Cr2O3為0.3摩爾％、換算成MnO為0.4摩爾％、換算成BaO為2.4摩爾％、換算成CaO為1.6摩爾％、換算成SiO2為4摩爾％，換算成Y2O3為0.1摩爾％的組成混合。用球磨機(jī)混合24小時(shí)，干燥后得到電介質(zhì)原料。然后，將此電介質(zhì)原料100重量份和丙烯酸樹脂5重量份、二氯甲烷40重量份、丙酮25重量份及松香水6重量份混合。接著，用市場(chǎng)上有售的Φ10mm的氧化鋯磨球通過釜臺(tái)架混合約24小時(shí)，得到電介質(zhì)陶瓷涂料。
在寬100mm、厚25μm的雙軸拉伸聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜上，按干燥后的涂層厚度為0.1μm的要求，用刮刀法涂布有機(jī)硅樹脂溶液后，以加熱溫度110℃干燥及固化反應(yīng)40秒，制作了卷繞成卷筒狀的剝離膜(長(zhǎng)3000m)。卷繞時(shí)保持3N的卷繞張力(在卷繞時(shí)作用于剝離膜的張力)。在此剝離膜上，按干燥后的涂層厚度應(yīng)為5μm的要求，采用刮刀涂布方式涂布電介質(zhì)陶瓷涂料。
(實(shí)施例2)除在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為7N外，其他條件和實(shí)施例1相同，制作了剝離膜。
(實(shí)施例3)除在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為10N外，其他條件和實(shí)施例1相同，制作了剝離膜。
(實(shí)施例4)除在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為15N外，其他條件和實(shí)施例1相同，制作了剝離膜。
(實(shí)施例5)除在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為17N外，其他條件和實(shí)施例1相同，制作了剝離膜。
(比較例1)除在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為2.8N外，其他條件和實(shí)施例1相同，制作了剝離膜。
(比較例2)除在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為18N外，其他條件和實(shí)施例1相同，制作了剝離膜。
(實(shí)施例6)除采用寬100mm、厚38μm的基底膜，并且在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為4N外，其他條件和實(shí)施例1相同，制作了剝離膜。
(實(shí)施例7)
除采用寬100mm、厚38μm的基底膜，并且在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為10N外，其他條件和實(shí)施例1相同，制作了剝離膜。
(實(shí)施例8)除采用寬100mm、厚38μm的基底膜，并且在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為15N外，其他條件和實(shí)施例1相同，制作了剝離膜。
(實(shí)施例9)除采用寬100mm、厚38μm的基底膜，并且在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為17N外，其他條件和實(shí)施例1相同，制作了剝離膜。
(實(shí)施例10)除采用寬100mm、厚38μm的基底膜，并且在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為20N外，其他條件和實(shí)施例1相同，制作了剝離膜。
(實(shí)施例11)除采用寬100mm、厚38μm的基底膜，并且在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為28N外，其他條件和實(shí)施例1相同，制作了剝離膜。
(比較例3)除采用寬100mm、厚38μm的基底膜，并且在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為3.8N外，其他條件和實(shí)施例1相同，制作了剝離膜。
(比較例4)除采用寬100mm、厚38μm的基底膜，并且在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為31N外，其他條件和實(shí)施例1相同，制作了剝離膜。
(實(shí)施例12)除采用寬100mm、厚50μm的基底膜，并且在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為4N外，其他條件和實(shí)施例1相同，制作了剝離膜。
(實(shí)施例13)
除采用寬100mm、厚50μm的基底膜，并且在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為10N外，其他條件和實(shí)施例1相同，制作了剝離膜。
(實(shí)施例14)除采用寬100mm、厚50μm的基底膜，并且在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為14N外，其他條件和實(shí)施例1相同，制作了剝離膜。
(實(shí)施例15)除采用寬100mm、厚50μm的基底膜，并且在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為20N外，其他條件和實(shí)施例1相同，制作了剝離膜。
(實(shí)施例16)除采用寬100mm、厚50μm的基底膜，并且在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為28N外，其他條件和實(shí)施例1相同，制作了剝離膜。
(比較例5)除采用寬100mm、厚50μm的基底膜，并且在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為3.8N外，其他條件和實(shí)施例1相同，制作了剝離膜。
(比較例6)除采用寬100mm、厚50μm的基底膜，并且在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為30N外，其他條件和實(shí)施例1相同，制作了剝離膜。
上述實(shí)施例1～5及比較例1，2(基底膜的厚度為25μm)，如圖6所示，在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為17N以下時(shí)，其卷筒硬度在460以上700以下的范圍內(nèi)，在此狀態(tài)下，用這種剝離膜制作的薄膜上不產(chǎn)生氣孔。與此相反，在卷繞張力為18N時(shí)(比較例2)，其卷筒硬度為750，用這種剝離膜制作的薄膜上有氣孔產(chǎn)生。在卷繞張力為2.8N時(shí)(比較例1)，其卷筒硬度為456，卷繞成卷筒狀的剝離膜產(chǎn)生層偏離(卷繞散開)。與此相反，卷繞張力為3N以上時(shí)，能夠防止層偏離的發(fā)生。因此，基底膜的厚度在30μm不到，特別是25μm左右時(shí)，通過將作用于剝離膜的卷繞張力規(guī)定為3N以上17以下，可使卷筒硬度達(dá)到460以上700以下，能夠制造出薄膜上無氣孔產(chǎn)生、且卷繞不散開的剝離膜。
另一方面，上述實(shí)施例6～11及比較例3，4(基底膜的厚度為38μm)，在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力在28N以下時(shí)，其卷筒硬度在460以上700以下的范圍內(nèi)，在此狀態(tài)下，用這種剝離膜制作的薄膜上不產(chǎn)生氣孔。與此相反，在卷繞張力為31N時(shí)(比較例4)，其卷筒硬度為710，用這種剝離膜制作的薄膜上有氣孔產(chǎn)生。在卷繞張力為3.8N時(shí)(比較例3)，其卷筒硬度為450，卷繞成卷筒狀的剝離膜產(chǎn)生層偏離(卷繞散開)。與此相反，卷繞張力為4N以上時(shí)，能夠防止層偏離的發(fā)生。因此，基底膜的厚度為30μm以上，特別是38μm左右時(shí)，通過將作用于剝離膜的卷繞張力規(guī)定為4N以上28以下，可使卷筒硬度達(dá)到460以上700以下，能夠制造出薄膜上無氣孔產(chǎn)生、且卷繞不散開的剝離膜。
實(shí)施例12～16及比較例5，6(基底膜的厚度為50μm)和基底膜的厚度為38μm的實(shí)施例6～11及比較例3，4的結(jié)果基本相同，具體來說就是，在卷繞成卷筒狀時(shí)作用于剝離膜的卷繞張力為28N以下時(shí)，其卷筒硬度在460以上700以下的范圍內(nèi)，在此狀態(tài)下，用這種剝離膜制作的薄膜上不產(chǎn)生氣孔。與此相反，在卷繞張力為30N時(shí)(比較例6)，其卷筒硬度為710，用這種剝離膜制作的薄膜上有氣孔產(chǎn)生。在卷繞張力為3.8N時(shí)(比較例5)，其卷筒硬度為410，卷繞成卷筒狀的剝離膜產(chǎn)生層偏離(卷繞散開)。與此相反，卷繞張力為4N以上時(shí)，能夠防止層偏離的發(fā)生。因此，基底膜的厚度為50μm左右時(shí)和基底膜的厚度為38μm左右時(shí)一樣，通過將作用于剝離膜的卷繞張力規(guī)定為4N以上28以下，可使卷筒硬度達(dá)到460以上700以下，能夠制造出薄膜上無氣孔產(chǎn)生、且卷繞不散開的剝離膜。
本發(fā)明并不限于上述發(fā)明的實(shí)施方式，可以作適當(dāng)變更。例如，在本發(fā)明的實(shí)施方式中所說明的例子是用芳香族二元酸成分和二醇成分構(gòu)成的結(jié)晶性的線型飽和聚酯經(jīng)雙軸拉伸形成的聚酯膜作為基底膜2，但本發(fā)明的基底膜并不限于此。在要求基底膜2具備遮光性時(shí)，采用混合了TiO2和SiO2等無機(jī)顏料的雙軸拉伸聚酯膜效果較好。還有，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所說明的是由松緊調(diào)節(jié)器16以松緊控制方式對(duì)剝離膜施加張力的例子，但本發(fā)明并不限于此，也可以采用拉拔控制或轉(zhuǎn)矩控制等公知控制方法施加張力。再有，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，以在基底膜2的一面形成剝離層3的剝離膜1為例作說明。但本發(fā)明不限于此，也可以在基底膜2的內(nèi)外表面都分別形成剝離層3。還可以在基底膜2和剝離層3之間設(shè)置粘合層。如果采用這種結(jié)構(gòu)，在分離陶瓷生坯薄片4和剝離膜1時(shí)，能夠進(jìn)一步防止剝離層3從基底膜上剝離。
產(chǎn)業(yè)上的利用可能性如上所述，本發(fā)明的薄膜制造用剝離膜的制造方法，在基底膜的厚度為5μm以上30μm不到時(shí)，通過一邊對(duì)已形成了剝離層的基底膜施加對(duì)應(yīng)于每100mm的寬度3牛頓以上17牛頓以下的張力，一邊卷繞基底膜，能夠?qū)⒁烟幱诰砝@狀態(tài)的基底膜的內(nèi)表面和剝離層表面貼合時(shí)的作用力控制在限定的范圍內(nèi)，從而可以大大減少凹孔的產(chǎn)生數(shù)量。因此，能夠制造出可保證剝離層的平整性同時(shí)剝離性良好、且能夠防止卷繞散開及基底膜拉長(zhǎng)的薄膜制造用剝離膜。此外，采用這種制造方法制得的薄膜制造用剝離膜，能夠制造出基本沒有氣孔、且厚度均一的電子部件用薄膜。
本發(fā)明的薄膜制造用剝離膜的制造方法，在基底膜的厚度為30μm以上100μm以下時(shí)，通過一邊對(duì)已形成了剝離層的基底膜施加對(duì)應(yīng)于每100mm的寬度4牛頓以上28牛頓以下的張力，一邊卷繞基底膜，能夠?qū)⒁烟幱诰砝@狀態(tài)的基底膜的內(nèi)表面和剝離層表面貼合時(shí)的作用力控制在限定的范圍內(nèi)，從而可以大大減少凹孔的產(chǎn)生數(shù)量。因此，能夠制造出可保證剝離層的平整性同時(shí)剝離性良好、且能夠防止卷繞散開及基底膜拉長(zhǎng)的薄膜制造用剝離膜。此外，采用這種制造方法制得的薄膜制造用剝離膜，能夠制造出基本沒有氣孔、且厚度均一的電子部件用薄膜。
本發(fā)明的電子部件用薄膜的制造方法，在基底膜的厚度為5μm以上30μm不到時(shí)，一邊對(duì)基底膜施加對(duì)應(yīng)于每100mm的寬度3牛頓以上17牛頓以下的張力，一邊卷繞該基底膜；或在基底膜的厚度為30μm以上100μm以下時(shí)，一邊對(duì)基底膜施加對(duì)應(yīng)于每100mm的寬度4牛頓以上28牛頓以下的張力，一邊卷繞該基底膜，能夠制造出不產(chǎn)生氣孔、且厚度保持均一的電子部件用薄膜。
本發(fā)明的薄膜制造用剝離膜，由于是按從卷筒芯的表面起50mm徑向的層的沿朝向該卷筒芯的該徑向的硬度在460以上700以下的要求，將基底膜卷繞成卷筒狀而形成的，所以能夠?qū)⒕硗矤畹幕啄さ膬?nèi)表面和剝離層表面互相貼合時(shí)的作用力控制在限定的范圍內(nèi)，從而大大減少凹孔的產(chǎn)生數(shù)量，該剝離膜的剝離層的平整性和剝離性良好、且卷繞不散開。此外，使用這種薄膜制造用剝離膜，能夠制得不產(chǎn)生氣孔、且厚度保持均一的電子部件用薄膜。
權(quán)利要求
1.薄膜制造用剝離膜的制造方法，它是在基底膜上涂布含有機(jī)硅樹脂的涂布液之后，使該涂布液干燥，在上述基底膜上形成上述有機(jī)硅樹脂的剝離層，將該已形成了剝離層的基底膜卷繞成卷筒狀，制得用于制造電子部件用薄膜的剝離膜的方法，其特征在于，上述基底膜的厚度在5μm以上30μm不到時(shí)，一邊對(duì)上述已形成了剝離層的基底膜施加對(duì)應(yīng)于每100mm的寬度的3牛頓以上17牛頓以下的張力，一邊卷繞該基底膜。
2.薄膜制造用剝離膜的制造方法，它是在基底膜上涂布含有機(jī)硅樹脂的涂布液之后，使該涂布液干燥，在上述基底膜上形成上述有機(jī)硅樹脂的剝離層，將該已形成了剝離層的基底膜卷繞成卷筒狀，制得用于制造電子部件用薄膜的剝離膜的方法，其特征在于，上述基底膜的厚度在30μm以上100μm以下時(shí)，一邊對(duì)上述已形成了剝離層的基底膜施加對(duì)應(yīng)于每100mm的寬度的4牛頓以上28牛頓以下的張力，一邊卷繞該基底膜。
3.電子部件用薄膜的制造方法，其特征在于，在權(quán)利要求1或2所述的薄膜制造用剝離膜的制造方法制得的用于制造電子部件用薄膜的剝離膜上涂布漿狀涂布液后，使該漿狀涂布液干燥，在上述薄膜制造用剝離膜上形成電子部件用薄膜。
4.薄膜制造用剝離薄膜，它是將至少一面上已形成有機(jī)硅樹脂的剝離層的基底膜卷繞成卷筒狀而形成的從其卷筒芯的表面到表層的直徑為50mm以上的用于制造電子部件用薄膜的剝離膜，其特征在于，從上述卷筒芯的表面起50mm徑向的層的沿朝向該卷筒芯的該徑向的硬度在460以上700以下。
全文摘要
本發(fā)明涉及的薄膜制造用剝離膜的制造方法是，在基底膜(2)上涂布含有機(jī)硅樹脂的涂布液(3a)之后，使該涂布液(3a)干燥，在上述基底膜上形成上述有機(jī)硅樹脂的剝離層(3)，然后將該已形成了剝離層(3)的基底膜(2)卷繞成卷筒狀，制得用于制造電子部件用薄膜的剝離膜(1)的方法，基底膜(2)的厚度在5μm以上30μm不到時(shí)，一邊對(duì)上述已形成了剝離層的基底膜(2)施加對(duì)應(yīng)于每100mm的寬度3牛頓以上17牛頓以下的張力，一邊卷繞該基底膜(2)，這樣能夠防止卷繞散開及基底膜(2)的拉長(zhǎng)，同時(shí)能夠確保剝離層(3)的表面的平整性。
文檔編號(hào)B28B1/30GK1491148SQ02804825
公開日2004年4月21日 申請(qǐng)日期2002年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月15日
發(fā)明者飯?zhí)镄拗? 宮原裕之, 川崎薰, 之 申請(qǐng)人:Tdk股份有限公司