一種電路板內(nèi)層電路的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電路板內(nèi)層電路的制造方法，包括如下步驟：在基板上進行機械鉆孔，形成雙面互連用的通孔；對機械鉆孔后的基板進行除膠渣處理；將基板雙面的銅箔去掉；在樹脂芯板的表面進行化學鍍銅，使樹脂芯板表面形成化學鍍銅層；在樹脂芯板表面通過光刻制作電鍍掩膜，使被光刻膠掩蔽住的區(qū)域不電鍍；在沒有被光刻膠掩蔽的區(qū)域電鍍銅；將用于電鍍掩膜的光刻膠去除，使整個電鍍的基板表面暴露出來；將被光刻膠掩蔽的化學鍍銅層腐蝕掉，形成內(nèi)層線路板。本發(fā)明在化學鍍銅的工藝中，對樹脂芯板表面只進行蓬松處理，不經(jīng)過除膠渣處理，蓬松后的樹脂表面有更大的比表面積，可以結(jié)合更多的鈀金屬，從而提高了化學鍍銅層的結(jié)合力。
【專利說明】—種電路板內(nèi)層電路的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及印刷線路板制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種電路板內(nèi)層電路的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展，線路越來越細，22nm技術(shù)已經(jīng)進入量產(chǎn)，線路的細化，導(dǎo)致對于設(shè)備和工藝提出了前所未有的挑戰(zhàn)。為提高單位面積上的芯片密度和信號處理能力，3D封裝應(yīng)運而生，人們提出三維封裝的概念，將芯片進行三維集成封裝，將在將芯片進行堆疊，形成三維封裝，以提高單位面積上的封裝密度。
[0003]當封裝載板的線寬線距大于50um時，封裝載板普遍采用減成法制作。當線寬線距小于50um，有兩種做法，一種是采用半加成工藝SAP制造50um以下的線路，一種是采用MSAP工藝，制造25um-50um或更寬的線路。
[0004]MSAP本身是在芯板表面銅箔減薄到l-2um，然后光刻形成電鍍掩膜圖形，經(jīng)過圖形電鍍后，將光刻膠去掉，再將光刻膠底層的超薄銅箔腐蝕掉。由于超薄銅箔為電解銅薄本身材質(zhì)比圖形電鍍的電鍍銅材質(zhì)致密,腐蝕速率相差很大,在將低銅腐蝕掉的過程中，由于是整版腐蝕，整個基板表面的銅都會被腐蝕，所以，電鍍的銅也會被腐蝕，因此，圖形電鍍的掩膜圖形設(shè)計，電鍍參數(shù)、超薄銅箔厚度，閃蝕超薄銅的參數(shù)將嚴重影響最后的線路精度，因此，MSAP工藝能有效控制線路與絕緣層的結(jié)合力。對于線寬較小的線路，閃蝕對于電鍍銅的蝕刻量較大，將嚴重影響尺寸精度，通常MASP無法加工線寬小于25un的線路。
[0005]對于SAP因為沒有底層的超薄銅箔，只有一層很薄的化學鍍銅層，化學鍍銅層的蝕刻速率遠遠大于電鍍銅和雙面覆銅板的表面的電解銅箔的蝕刻速率，從高精度控制線路尺寸來看，SAP工藝具有無可代替的圖形尺寸精度控制能力。但是現(xiàn)有的SAP方法制作內(nèi)層線路，存在的問題是線路結(jié)合力差，無法滿足電路板加工制造的技術(shù)要求。
[0006]綜上所述，內(nèi)層電路線寬小于50um線路，需要用MSAP或SAP方法實現(xiàn)，MSAP方法只能做到25um線寬，再小的線寬，已經(jīng)無法滿足線寬精度的控制要求。SAP方法可以做到更小的線寬，但是，目前的SAP方法，在芯板(core)層表面SAP工藝，得到的金屬線路圖形結(jié)合力非常小，無法滿足實際線路需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明實施例的目的在于提供一種電路板內(nèi)層電路的制造方法，能夠?qū)崿F(xiàn)線寬小于50um的精細線路的制造，線路結(jié)合力滿足電路板加工制造的技術(shù)要求。
[0008]為了達到上述目的，本發(fā)明實施例采用的技術(shù)方案如下:
[0009]一種電路板內(nèi)層電路的制造方法，包括如下步驟:
[0010]在基板上進行機械鉆孔，形成雙面互連用的通孔；
[0011]對機械鉆孔后的所述基板進行除膠渣處理；
[0012]將所述基板雙面的銅箔去掉；[0013]在所述樹脂芯板的表面進行化學鍍銅，使所述樹脂芯板表面形成化學鍍銅層，所述化學鍍銅的過程為:蓬松一酸浸一清潔一微蝕一預(yù)浸一活化一還原一化學鍍銅；
[0014]在所述樹脂芯板表面通過光刻制作電鍍掩膜，使被光刻膠掩蔽住的區(qū)域不電鍍；
[0015]在沒有被所述光刻膠掩蔽的區(qū)域電鍍銅；
[0016]將用于電鍍掩膜的所述光刻膠去除，使整個電鍍的基板表面暴露出來；
[0017]將被光刻膠掩蔽的化學鍍銅層腐蝕掉，形成內(nèi)層線路板。
[0018]進一步地，在所述樹脂芯板的表面進行化學鍍銅前，還包括:對所述樹脂芯板進行
等離子清洗活化。
[0019]進一步地，所述電鍍銅的厚度為15um以上。
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:
[0021]本發(fā)明在化學鍍銅的工藝中，對樹脂芯板表面只進行蓬松處理，不經(jīng)過除膠渣處理，蓬松后的樹脂表面有更大的比表面積，可以結(jié)合更多的鈀金屬，從而提高了化學鍍銅層的結(jié)合力。同時，本發(fā)明在化學鍍銅前對樹脂芯板進行等離子清洗活化，也進一步提高化學鍍銅層的結(jié)合力。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1為本發(fā)明實施例提供的一種電路板內(nèi)層電路的制造方法的工藝流程圖；
[0023]圖2-圖9為本發(fā)明實施例提供的一種電路板內(nèi)層電路的制造方法的步驟示意圖。
【具體實施方式】
[0024]為了更好的理解上述技術(shù)方案，下面將結(jié)合說明書附圖以及具體的實施方式對上述技術(shù)方案進行詳細的說明。
[0025]如圖1所示，本發(fā)明實施例提供一種電路板內(nèi)層電路的制造方法，包括如下步驟:
[0026]步驟110:在基板上進行機械鉆孔，形成雙面互連用的通孔；
[0027]具體地,如圖2所示,所述基板為雙面覆銅板,包括樹脂芯板I和包覆在樹脂芯板I兩面的銅箔2 ;基板經(jīng)過機械鉆孔后形成雙面互連用的通孔，如圖3所示。
[0028]步驟120:對機械鉆孔后的所述基板進行除膠渣處理；
[0029]具體地，將所述基板上在機械鉆孔過程中產(chǎn)生的樹脂和玻纖的殘渣去除；由于樹脂芯板I的表面被銅箔2保護起來，在除膠渣的過程中不被腐蝕。
[0030]步驟130:將所述基板雙面的銅箔2去掉；
[0031]具體地，如圖4所示，將所述基板雙面的銅箔2刻蝕掉，使所述基板的樹脂芯板I的表面裸露出來。
[0032]步驟140:在所述樹脂芯板I的表面進行化學鍍銅，使所述樹脂芯板I表面形成化學鍍銅層3，所述化學鍍銅的過程為:蓬松一酸浸一清潔一微蝕一預(yù)浸一活化一還原一化學鍍銅；
[0033]具體地，如圖5所示，在基板整板表面進行化學鍍銅，使樹脂芯板I表面均勻包裹一層銅，形成化學鍍銅層3 ;本實施例中，化學鍍銅的過程為:蓬松一酸浸一清潔一微蝕—預(yù)浸一活化一還原一化學鍍銅，與現(xiàn)有化學鍍銅工藝相比，做蓬松處理后，不做除膠渣處理，經(jīng)過蓬松后的樹脂芯片I表面有更大的比表面積，可以結(jié)合更多的鈀金屬。提高化學鍍銅的結(jié)合力。
[0034]步驟150:在所述樹脂芯板I表面通過光刻制作電鍍掩膜，使被光刻膠4掩蔽住的區(qū)域不電鍍，如圖6所示；
[0035]步驟160:在沒有被光刻膠4掩蔽的區(qū)域電鍍銅；
[0036]具體地，如圖7所示，通過電鍍加厚化學鍍銅層金屬銅的厚度，一般電鍍銅5厚度15um以上。
[0037]步驟170:將用于電鍍掩膜的光刻膠4去除，使整個電鍍的基板表面暴露出來，如圖8所示；
[0038]步驟180:將被光刻膠4掩蔽的化學鍍銅層腐蝕掉，形成內(nèi)層線路板，如圖9所示。
[0039]進一步地，在步驟140前，還包括步驟:對所述樹脂芯板I進行等離子清洗活化。等離子清洗活化的作用如下:(1)活化后，蓬松溶液更容易和基板表面的樹脂材料起作用；
(2)增加基板樹脂表面親水性，使得后續(xù)的化學鍍銅各步驟溶液更容易進入樹脂的空洞，提高化學鍍銅表面均勻性；(3)清潔表面，將表面的有機沾污去除，提高化學鍍銅層的結(jié)合力。
[0040]本發(fā)明制造線路需要的表面粗糙度來自于基板表面的銅箔。由于制造細線路需要低粗糙度，因此需要雙面覆銅板的銅箔采用低粗糙度的銅箔。銅箔的粗糙度要求根據(jù)需要加工的細線路的線寬要求來選擇，越細的線路就需要越低的銅箔粗糙度。
[0041]本發(fā)明實施例利用等離子清洗去除表面的污染物，活化表面、提高樹脂表面浸潤性，使得蓬松、中和、活化試劑能夠更好地和溶液接觸，使蓬松后，樹脂形成的更大的比表面積，提高活化效果和活化鈀的分布的均勻性和結(jié)合力，從而提高化學鍍銅的結(jié)合力。
[0042]以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電路板內(nèi)層電路的制造方法，其特征在于，包括如下步驟: 在基板上進行機械鉆孔，形成雙面互連用的通孔； 對機械鉆孔后的所述基板進行除膠渣處理； 將所述基板雙面的銅箔去掉； 在所述樹脂芯板的表面進行化學鍍銅，使所述樹脂芯板表面形成化學鍍銅層，所述化學鍍銅的過程為:蓬松一酸浸一清潔一微蝕一預(yù)浸一活化一還原一化學鍍銅； 在所述樹脂芯板表面通過光刻制作電鍍掩膜，使被光刻膠掩蔽住的區(qū)域不電鍍； 在沒有被所述光刻膠掩蔽的區(qū)域電鍍銅； 將用于電鍍掩膜的所述光刻膠去除，使整個電鍍的基板表面暴露出來； 將被光刻膠掩蔽的化學鍍銅層腐蝕掉，形成內(nèi)層線路板。
2.如權(quán)利要求1所述的電路板內(nèi)層電路的制造方法，其特征在于，在所述樹脂芯板的表面進行化學鍍銅前，還包括:對所述樹脂芯板進行等離子清洗活化。
3.如權(quán)利要求1所述的電路板內(nèi)層電路的制造方法，其特征在于，所述電鍍銅的厚度為15um以上。
【文檔編號】H05K3/02GK103929890SQ201310753292
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】于中堯, 崔志勇, 方志丹, 孫瑜 申請人:中國科學院微電子研究所, 華進半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司