電子裝置及其電子封裝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電子裝置及其電子封裝，電子封裝包括一基板以及一半導(dǎo)體芯片?；寰哂卸鄠€基板電極。半導(dǎo)體芯片設(shè)于該基板之上，其中，該半導(dǎo)體芯片包括多個芯片電極，各自電性連接該基板的多個所述基板電極。多個所述基板電極以及多個所述芯片電極均為梯形。本發(fā)明的電子封裝，芯片電極充分接觸基板電極。該半導(dǎo)體芯片的熱量被傳導(dǎo)至該基板，沿一散熱路徑而傳導(dǎo)，且該散熱的主要路徑為一直線。因此散熱路徑被簡化，且電子封裝的散熱效率被改善。
【專利說明】
電子裝置及其電子封裝
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種電子封裝，尤其涉及一種具有半導(dǎo)體芯片的電子封裝。本發(fā)明還涉及一種電子裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有的電子封裝中，半導(dǎo)體芯片具有多個小尺寸的芯片電極。在現(xiàn)有概念中，半導(dǎo)體芯片必須連接至集成電路承載架之上，該集成電路承載架的底面被連接至印刷電路板。半導(dǎo)體芯片所產(chǎn)生的熱量，從該半導(dǎo)體芯片經(jīng)過該集成電路承載架至該印刷電路板。現(xiàn)有電子封裝中的散熱路徑十分迂回，因此現(xiàn)有電子封裝中的散熱效率不佳。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的一個目的是為了欲解決現(xiàn)有技術(shù)的問題而提供的一種散熱效率高的電子封裝。
[0004]本發(fā)明的另一目的在于提供一種具有該電子封裝的電子裝置。
[0005]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的電子封裝包括一基板以及一半導(dǎo)體芯片?；寰哂卸鄠€基板電極。半導(dǎo)體芯片設(shè)于該基板之上，其中，該半導(dǎo)體芯片包括多個芯片電極，各自電性連接該基板的多個所述基板電極。
[0006]在一實施例中，多個所述基板電極以及多個所述芯片電極均為梯形。
[0007]在一實施例中，該半導(dǎo)體芯片還包括多個主動元件，電性連接多個所述芯片電極。
[0008]在一實施例中，該主動元件包括多個功率轉(zhuǎn)換器、多個走線以及通道。
[0009]在一實施例中，該基板還包括多個熱介層孔，連接多個所述基板電極。
[0010]在一實施例中，每一個該基板電極連接有至少一個該熱介層孔。
[0011]在一實施例中，每一個該基板電極包括一寬邊以及一窄邊，該窄邊相對于該寬邊。
[0012]在一實施例中，多個所述基板電極中至少一者具有一寬邊鄰接多個所述基板電極中另一者的窄邊。
[0013]在一實施例中，該熱介層孔鄰接該基板電極于一位置，其鄰近該寬邊。
[0014]在一實施例中，該半導(dǎo)體芯片的熱量經(jīng)由該芯片電極、該基板電極以及該熱介層孔，沿一散熱路徑被傳導(dǎo)至該基板，且主散熱路徑為一直線。
[0015]在一實施例中，該基板包括多個走線，多個所述走線垂直于多個所述熱介層孔。
[0016]在一實施例中，該半導(dǎo)體芯片包括一底面，多個所述芯片電極突出于該底面。
[0017]在一實施例中，該底面包括絕緣材料。
[0018]在一實施例中，該底面包括二氧化硅或氮化硅。
[0019]在一實施例中，該基板電極的形狀相同于相對應(yīng)的芯片電極的形狀。
[0020]在一實施例中，該基板電極的尺寸相似于相對應(yīng)的芯片電極的尺寸。
[0021]在一實施例中，該基板包括一印刷電路板或一中介層。
[0022]在一實施例中，多個所述芯片電極的厚度大于5 μ m。
[0023]在一實施例中，該半導(dǎo)體芯片于一上側(cè)以及一下側(cè)的多個所述電極的熱量，被傳遞至多個所述基板電極，以由多個熱介層孔進(jìn)行散熱。
[0024]本發(fā)明的電子裝置，包括一基板，具有多個基板電極，其中，該基板包括一印刷電路板；以及一半導(dǎo)體芯片，設(shè)于該基板之上，其中，該半導(dǎo)體芯片包括多個芯片電極，各自電性連接該基板的多個所述基板電極，多個所述基板電極以及多個所述芯片電極均為梯形。
[0025]在一實施例中，該半導(dǎo)體芯片還包括多個主動元件，電性連接多個所述芯片電極。
[0026]在一實施例中，該主動元件包括多個功率轉(zhuǎn)換器。
[0027]在一實施例中，該基板還包括多個熱介層孔，連接多個所述基板電極。
[0028]在一實施例中，每一個該基板電極連接有至少一個該熱介層孔。
[0029]在一實施例中，每一個該基板電極包括一寬邊以及一窄邊，該窄邊相對于該寬邊。
[0030]在一實施例中，多個所述基板電極中至少一者具有一寬邊鄰接多個所述基板電極中另一者的窄邊。
[0031]在一實施例中，該熱介層孔鄰接該基板電極于一位置，其鄰近該寬邊。
[0032]在一實施例中，該半導(dǎo)體芯片的熱量經(jīng)由該芯片電極、該基板電極以及該熱介層孔，沿一散熱路徑被傳導(dǎo)至該基板，且主散熱路徑為一直線。
[0033]在一實施例中，該基板包括多個走線，多個所述走線垂直于多個所述熱介層孔。
[0034]在一實施例中，該半導(dǎo)體芯片包括一底面，多個所述芯片電極突出于該底面。
[0035]在一實施例中，該底面包括絕緣材料。
[0036]在一實施例中，該底面包括二氧化硅或氮化硅。
[0037]在一實施例中，該基板電極的形狀相同于相對應(yīng)的芯片電極的形狀。
[0038]在一實施例中，該基板電極的尺寸相似于相對應(yīng)的芯片電極的尺寸。
[0039]在一實施例中，多個所述芯片電極的厚度大于5 μ m。
[0040]本發(fā)明具有至少如下有益效果:
[0041]本發(fā)明的電子封裝，芯片電極充分接觸基板電極。該半導(dǎo)體芯片的熱量被傳導(dǎo)至該基板，沿一散熱路徑而傳導(dǎo)，且該散熱的主要路徑為一直線。因此散熱路徑被簡化，且電子封裝的散熱效率被改善。
【附圖說明】
[0042]圖1為顯示本發(fā)明第一實施例的電子封裝。
[0043]圖2為顯示本發(fā)明第一實施例的基板的細(xì)部結(jié)構(gòu)。
[0044]圖3為顯示本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體芯片的細(xì)部結(jié)構(gòu)。
[0045]圖4為顯示本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體芯片組成示意圖。
[0046]圖5為顯示本發(fā)明第二實施例的電子封裝
[0047]圖6為顯示本發(fā)明第二實施例的基板的細(xì)部結(jié)構(gòu)。
[0048]圖7為顯示本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體芯片的細(xì)部結(jié)構(gòu)。
[0049]圖8為顯示本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體芯片組成示意圖。
[0050]圖9為顯示本發(fā)明實施例半導(dǎo)體芯片的源極走線和汲極走線示意圖。
[0051]圖10為顯示圖9所示的實施例的俯視平面圖。
[0052]圖11是圖9實施例的俯視平面圖，其示出了第一互連層，第二互連層和第三互連層中形成的源極電極。
[0053]圖12是圖9實施例的俯視平面圖，其示出了第一互連層，第二互連層和第三互連層中形成的汲極電極。
[0054]圖13顯示每一源極電極以及汲極電極被制造為”條狀”，并彼此交錯。
[0055]【符號說明】
[0056]1、I’?電子封裝
[0057]101、102 ?基板
[0058]110?基板電極
[0059]111?寬邊
[0060]112?窄邊
[0061]120?熱介層孔
[0062]130?走線
[0063]201、202?半導(dǎo)體芯片
[0064]210?芯片電極
[0065]230?主動元件
[0066]G?閘極電極
[0067]D?汲極電極
[0068]S?源極電極
[0069]H?熱量
[0070]300?半導(dǎo)體芯片
[0071]310?源極
[0072]320?汲極
[0073]330?閘極
[0074]332、334 ?分隔件
[0075]340?源極走線
[0076]342?介層孔
[0077]350?汲極走線
[0078]352?介層孔
[0079]360?源極走線
[0080]362?介層孔
[0081]370?汲極走線
[0082]372?介層孔
[0083]380?源極電極
[0084]382?介層孔
[0085]384?焊料凸點
[0086]390?汲極電極
[0087]392?介層孔
[0088]410?源極電極
[0089]420?汲極電極
【具體實施方式】
[0090]圖1是顯示本發(fā)明第一實施例的電子封裝。參照圖1，該電子封裝1，包括一基板101以及一半導(dǎo)體芯片201?；?01具有多個基板電極110。半導(dǎo)體芯片201設(shè)于該基板101之上，其中，該半導(dǎo)體芯片201包括多個芯片電極210，各自電性連接該基板101對應(yīng)的多個所述基板電極110。在一實施例中，該基板101包括一印刷電路板或一中介層。
[0091]圖2為顯示本發(fā)明第一實施例的基板的細(xì)部結(jié)構(gòu)。圖3為顯示本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體芯片的細(xì)部結(jié)構(gòu)。參照第2、3圖，多個所述基板電極110以及多個所述芯片電極210 均為梯形(trapezoidal)。
[0092]圖4為顯示本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體芯片組成示意圖。參照圖4，在一實施例中，該半導(dǎo)體芯片201還包括多個主動元件230，電性連接多個所述芯片電極210。在一實施例中，該主動元件包括多個功率轉(zhuǎn)換器。參照圖3，該芯片電極210包括閘極電極G、源極電極S以及汲極電極D。在一實施例中，多個所述源極電極S以及多個所述汲極電極D彼此交錯排列。在一實施例中，多個所述芯片電極210的厚度大于5 μπι。
[0093]參照圖2，該基板101還包括多個熱介層孔120，連接多個所述基板電極110。在一實施例中，每一個基板電極I1連接至少一個該熱介層孔120。
[0094]參照圖2，每一個該基板電極110包括一寬邊111以及一窄邊112，該窄邊112相對于該寬邊111配置。須說明此所謂”寬”與”窄”是邊長比較的概念。多個所述基板電極110中的至少一者具有一寬邊111，該寬邊111鄰接多個所述基板電極110中的另一者的窄邊112。在一實施例中，該寬邊111的寬度大于150 μπι。在一實施例中，該寬邊111平行于該窄邊112。
[0095]參照圖2，在一實施例中，該熱介層孔120鄰接該基板電極110于一位置，其鄰近該寬邊111。
[0096]參照圖1，應(yīng)用本發(fā)明的第一實施例，該半導(dǎo)體芯片201所產(chǎn)生的熱量H被傳導(dǎo)至該基板101，該熱量H是經(jīng)由該芯片電極210、該基板電極110以及該熱介層孔120，沿一散熱路徑而傳遞，且該散熱的主要路徑為一直線。
[0097]參照第1、2圖，該基板101包括多個走線130，多個所述走線130大致垂直于多個所述熱介層孔120。
[0098]參照第1、2圖，在一實施例中，多個所述基板電極110通過電鍍形成于該基板101。
[0099]參照圖1，在一實施例中，該半導(dǎo)體芯片201包括一底面220，多個所述芯片電極210突出于該底面220。在一實施例中，該底面220包括絕緣材料。在一實施例中，該底面包括二氧化硅(S12)或氮化硅(SiNx)。
[0100]參照第2、3圖，該基板電極110的形狀大致相同于相對應(yīng)的芯片電極210的形狀。在一實施例中，該基板電極I1的尺寸相似于相對應(yīng)的芯片電極210的尺寸。
[0101]圖5為顯示本發(fā)明第二實施例的電子封裝。參照圖5，該電子封裝1’，包括一基板102以及一半導(dǎo)體芯片202?；?02具有多個基板電極110。半導(dǎo)體芯片202設(shè)于該基板102之上，其中，該半導(dǎo)體芯片202包括多個芯片電極210，各自電性連接該基板102對應(yīng)的多個所述基板電極110。在一實施例中，該基板102包括一印刷電路板或一中介層。
[0102]圖6為顯示本發(fā)明第二實施例的基板的細(xì)部結(jié)構(gòu)。圖7為顯示本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體芯片的細(xì)部結(jié)構(gòu)。參照第6、7圖，多個所述基板電極110以及多個所述芯片電極210 均為梯形(trapezoidal)。
[0103]圖8為顯示本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體芯片組成示意圖。參照圖8，在一實施例中，該半導(dǎo)體芯片202還包括多個主動元件230，電性連接多個所述芯片電極210。在一實施例中，該主動元件包括多個功率轉(zhuǎn)換器。參照圖7，該芯片電極210包括閘極電極G、源極電極S以及汲極電極D。在一實施例中，多個所述源極電極S以及多個所述汲極電極D彼此交錯排列。在一實施例中，多個所述芯片電極210的厚度大于5 μπι。
[0104]參照圖6，該基板102還包括多個熱介層孔120，連接多個所述基板電極110。在一實施例中，每一個基板電極I1連接至少一個該熱介層孔120。
[0105]參照圖6，每一個該基板電極110包括一寬邊111以及一窄邊112，該窄邊112相對于該寬邊111配置，須說明此所謂”寬”與”窄”是邊長比較的概念。多個所述基板電極110中的至少一者具有一寬邊111，該寬邊111鄰接多個所述基板電極110中的另一者的窄邊112。在一實施例中，該寬邊111的寬度大于150 μπι。在一實施例中，該寬邊111平行于該窄邊112。
[0106]參照圖6，在一實施例中，該熱介層孔120鄰接該基板電極110于一位置，其鄰近該寬邊111。
[0107]參照圖5，應(yīng)用本發(fā)明的第二實施例，該半導(dǎo)體芯片202所產(chǎn)生的熱量H被傳導(dǎo)至該基板102，該熱量H是經(jīng)由該芯片電極210、該基板電極110以及該熱介層孔120，沿一散熱路徑而傳遞，且該散熱的主要路徑為一直線。
[0108]參照第5、6圖，該基板102包括多個走線130，多個所述走線130大致垂直于多個所述熱介層孔120。
[0109]參照第5、6圖，在一實施例中，多個所述基板電極110通過電鍍形成于該基板102。
[0110]參照圖5，在一實施例中，該半導(dǎo)體芯片201包括一底面220，多個所述芯片電極210突出于該底面220。在一實施例中，該底面220包括絕緣材料。在一實施例中，該底面包括二氧化硅(S12)或氮化硅(SiNx)。
[0111]參照第6、7圖，該基板電極110的形狀大致相同于相對應(yīng)的芯片電極210的形狀。在一實施例中，該基板電極110的尺寸相似于相對應(yīng)的芯片電極的尺寸。其中，具有大尺寸的芯片電極的半導(dǎo)體芯片的細(xì)部結(jié)構(gòu)則詳述如下。
[0112]圖9為顯示半導(dǎo)體芯片的源極走線和汲極走線示意圖。參照圖9，一部份的半導(dǎo)體芯片300具有兩源極310以及一汲極320。在一實施例中，該半導(dǎo)體芯片裝置300則以P基板305顯不。在另一實施例中，P基板305沈積于另一 P基板(未顯不)之上。源極310以及汲極320較佳以η型摻雜植入于P基板305。
[0113]如圖9所顯示的，閘極330包括多個多晶硅閘極于二氧化硅(S12)或氮化硅(Si3N4)的絕緣層(未顯示)，且置于源極310和汲極320之間。鄰近閘極330的是分隔件332以及334，較佳包括二氧化硅或氮化硅，并部分延伸覆蓋源極310以及汲極320。源極走線340和汲極走線350上形成一第一互連層，并且最好由金屬制成。當(dāng)然，也可以使用其它導(dǎo)電材料。特別是，多個源極310通過介層孔342連接源極走線340。在一實施例中，源極走線340較佳大致正交于源極310和汲極320。
[0114]圖9顯示源極走線360和汲極走線370形成于第二互連層，較佳由金屬制成。當(dāng)然，也可以使用其它導(dǎo)電材料。源極走線360通過介層孔362連接源極走線340。在一實施例中，源極走線360較佳大致平行于源極310。
[0115]汲極走線350通過介層孔372連接汲極走線370。較佳的，汲極走線370大致平行于汲極320。
[0116]類似于第一互連層中，只有一個源極走線360和一個汲極走線370分別被標(biāo)示，但在較佳的實施方案中，多個源極走線360和多個汲極走線370將被使用，并且，較佳的，多個所述源極走線360及多個所述汲極走線370彼此交錯。
[0117]圖9顯示源極電極380形成于第三互連層，較佳地，其由金屬制成。當(dāng)然，也可以使用其它導(dǎo)電材料。源極電極380通過介層孔382連接源極走線360。焊料凸點384形成于源極電極380，這些焊料凸點384提供源級310、汲極320以與門極330與外部電路之間的電性連接。
[0118]在一較佳實施例中，介層孔(例如，上述介層孔342、介層孔352、介層孔362、介層孔372、介層孔382)形成導(dǎo)電連接，并較佳包括鎢。當(dāng)然，也可以使用其它導(dǎo)電材料。
[0119]圖10為顯示圖9所示的實施例的俯視平面圖。參照圖10，其顯示了額外的源極310，汲極320和第一層互連源極走線340和汲極走線350。源極310及汲極320具有大致垂直的方位，而源極走線340和汲極走線350具有大致水平的方位。介層孔342和352分別將源極走線340和汲極走線350連接至源極310及汲極320。應(yīng)當(dāng)指出的是，雖然圖10，舉例來說，示出了在一個點連接使用兩個介層孔，然而，單一介層孔也可以被使用，如圖11所示?；蛘?，多于兩個介孔層，如圖9顯示的介層孔382。
[0120]圖11是圖9實施例的俯視平面圖，其示出了第一互連層，第二互連層和第三互連層中形成的源極電極。詳細(xì)言之，第一互連層形成源極走線340和汲極走線350，第二互連層形成源極走線360和汲極走線370，第三互連層中形成源極電極380 (輪廓形式)。
[0121]源極走線340和汲極走線350在基本上是以水平方向布置的。源極走線360覆蓋源極走線340，彼此并使用介層孔362相互連接。汲極走線370覆蓋汲極走線350，彼此并使用介層孔372相互連接。圖11的源極電極380覆蓋源極走線360和汲極走線370，然而，僅通過介層孔382連接至源極走線360。
[0122]圖12是圖9實施例的俯視平面圖，其示出了第一互連層，第二互連層和第三互連層中形成的汲極電極。詳細(xì)言之，第一互連層形成源極走線340和汲極走線350，第二互連層形成源極走線360和汲極走線370，第三互連層中形成汲極電極390 (輪廓形式)。
[0123]源極走線340和汲極走線350在基本上是以水平方向布置的。源極走線360覆蓋源極走線340，彼此并使用介層孔362相互連接。汲極走線370覆蓋汲極走線350，彼此并使用介層孔372相互連接。汲極電極390覆蓋源極走線360和汲極走線370，然而，僅通過介層孔392連接至汲極走線370。
[0124]圖13顯示每一源極電極以及汲極電極被制造為”條狀”，并彼此交錯。在一較佳實施例中，閘極電極430被設(shè)于縮短的源極電極410或縮短的汲極電極420。
[0125]應(yīng)用本發(fā)明實施例的電子封裝，芯片電極充分接觸基板電極。該半導(dǎo)體芯片的熱量被傳導(dǎo)至該基板，該熱量經(jīng)由該芯片電極、該基板電極以及該熱介層孔，沿一散熱路徑而傳導(dǎo)，且該散熱的主要路徑為一直線。因此散熱路徑被簡化，且電子封裝的散熱效率被改口 ο
[0126]雖然本發(fā)明已以具體的較佳實施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，仍可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種電子封裝，包括: 一基板，具有多個基板電極；以及 一半導(dǎo)體芯片，設(shè)于該基板之上，其中，該半導(dǎo)體芯片包括多個芯片電極，各自電性連接該基板的多個所述基板電極。2.如權(quán)利要求1所述的電子封裝，其中，多個所述基板電極以及多個所述芯片電極均為梯形。3.如權(quán)利要求1所述的電子封裝，其中，該半導(dǎo)體芯片還包括多個主動元件，多個所述主動元件電性連接多個所述芯片電極。4.如權(quán)利要求3所述的電子封裝，其中，該主動元件包括多個功率轉(zhuǎn)換器。5.如權(quán)利要求1所述的電子封裝，其中，該基板還包括多個熱介層孔，多個所述熱介層孔連接多個所述基板電極。6.如權(quán)利要求5所述的電子封裝，其中，每一個該基板電極連接有至少一個該熱介層孔。7.如權(quán)利要求5所述的電子封裝，其中，每一個該基板電極包括一寬邊以及一窄邊，該窄邊相對于該寬邊。8.如權(quán)利要求7所述的電子封裝，其中，多個所述基板電極中至少一者具有一寬邊鄰接多個所述基板電極中另一者的窄邊。9.如權(quán)利要求7所述的電子封裝，其中，該熱介層孔鄰接該基板電極于一位置，其鄰近該寬邊。10.如權(quán)利要求5所述的電子封裝，其中，該半導(dǎo)體芯片的熱量經(jīng)由該芯片電極、該基板電極以及該熱介層孔，沿一散熱路徑被傳導(dǎo)至該基板，且主散熱路徑為一直線。11.如權(quán)利要求10所述的電子封裝，其中，該基板包括多個走線，多個所述走線垂直于多個所述熱介層孔。12.如權(quán)利要求1所述的電子封裝，其中，該半導(dǎo)體芯片包括一底面，多個所述芯片電極突出于該底面。13.如權(quán)利要求12所述的電子封裝，其中，該底面包括絕緣材料。14.如權(quán)利要求12所述的電子封裝，其中，該底面包括二氧化硅或氮化硅。15.如權(quán)利要求1所述的電子封裝，其中，該基板電極的形狀相同于相對應(yīng)的芯片電極的形狀。16.如權(quán)利要求15所述的電子封裝，其中，該基板電極的尺寸相似于相對應(yīng)的芯片電極的尺寸。17.如權(quán)利要求1所述的電子封裝，其中，該基板包括一印刷電路板或一中介層。18.如權(quán)利要求1所述的電子封裝，其中，多個所述芯片電極的厚度大于5μm。19.如權(quán)利要求1所述的電子封裝，其中，該半導(dǎo)體芯片于一上側(cè)以及一下側(cè)的多個所述電極的熱量，被傳遞至多個所述基板電極，以由多個熱介層孔進(jìn)行散熱。20.—種電子裝置，包括: 一基板，具有多個基板電極，其中，該基板包括一印刷電路板；以及 一半導(dǎo)體芯片，設(shè)于該基板之上，其中，該半導(dǎo)體芯片包括多個芯片電極，各自電性連接該基板的多個所述基板電極，多個所述基板電極以及多個所述芯片電極均為梯形。21.如權(quán)利要求20所述的電子裝置，其中，該半導(dǎo)體芯片還包括多個主動元件，電性連接多個所述芯片電極。22.如權(quán)利要求21所述的電子裝置，其中，該主動元件包括多個功率轉(zhuǎn)換器。23.如權(quán)利要求20所述的電子裝置，其中，該基板還包括多個熱介層孔，連接多個所述基板電極。24.如權(quán)利要求23所述的電子裝置，其中，每一個該基板電極連接有至少一個該熱介層孔。25.如權(quán)利要求23所述的電子裝置，其中，每一個該基板電極包括一寬邊以及一窄邊，該窄邊相對于該寬邊。26.如權(quán)利要求25所述的電子裝置，其中，多個所述基板電極中至少一者具有一寬邊鄰接多個所述基板電極中另一者的窄邊。27.如權(quán)利要求25所述的電子裝置，其中，該熱介層孔鄰接該基板電極于一位置，其鄰近該寬邊。28.如權(quán)利要求23所述的電子裝置，其中，該半導(dǎo)體芯片的熱量經(jīng)由該芯片電極、該基板電極以及該熱介層孔，沿一散熱路徑被傳導(dǎo)至該基板，且主散熱路徑為一直線。29.如權(quán)利要求28所述的電子裝置，其中，該基板包括多個走線，多個所述走線垂直于多個所述熱介層孔。30.如權(quán)利要求20所述的電子裝置，其中，該半導(dǎo)體芯片包括一底面，多個所述芯片電極突出于該底面。31.如權(quán)利要求30所述的電子裝置，其中，該底面包括絕緣材料。32.如權(quán)利要求30所述的電子裝置，其中，該底面包括二氧化硅或氮化硅。33.如權(quán)利要求20所述的電子裝置，其中，該基板電極的形狀相同于相對應(yīng)的芯片電極的形狀。34.如權(quán)利要求33所述的電子裝置，其中，該基板電極的尺寸相似于相對應(yīng)的芯片電極的尺寸。35.如權(quán)利要求20所述的電子裝置，其中，多個所述芯片電極的厚度大于5μπι。
【文檔編號】H01L23/498GK105938820SQ201510755430
【公開日】2016年9月14日
【申請日】2015年11月9日
【發(fā)明人】林孝義, 李嘉炎, 蔡欣昌
【申請人】臺達(dá)電子工業(yè)股份有限公司