2與在數(shù)據(jù)傳輸有源層A2中利用雜質(zhì)摻雜的開關(guān)源區(qū)對(duì)應(yīng)，數(shù)據(jù)傳輸漏電極D2與在數(shù)據(jù)傳輸有源層A2中利用雜質(zhì)摻雜的開關(guān)漏區(qū)對(duì)應(yīng)。數(shù)據(jù)傳輸源電極S2經(jīng)由第四接觸孔Cnt4連接到數(shù)據(jù)線16。數(shù)據(jù)傳輸漏電極D2連接到驅(qū)動(dòng)TFT Tl和第一發(fā)射控制TFT T5。第一掃描線14的一部分變成數(shù)據(jù)傳輸柵電極G2。
[0087]補(bǔ)償TFT T3包括補(bǔ)償有源層A3、補(bǔ)償柵電極G3、補(bǔ)償源電極S3和補(bǔ)償漏電極D3。補(bǔ)償源電極S3與在補(bǔ)償有源層A3中利用雜質(zhì)摻雜的補(bǔ)償源區(qū)對(duì)應(yīng)，補(bǔ)償漏電極D3與在補(bǔ)償有源層A3中利用雜質(zhì)摻雜的補(bǔ)償漏區(qū)對(duì)應(yīng)。通過第一掃描線14的一部分和從第一掃描線14突出的線的一部分形成為雙柵電極的補(bǔ)償柵電極G3防止漏電流。
[0088]第一初始化TFT T4包括第一初始化有源層A4、第一初始化柵電極G4、第一初始化源電極S4和第一初始化漏電極D4。第一初始化源電極S4與在第一初始化有源層A4中利用雜質(zhì)摻雜的第一初始化源區(qū)對(duì)應(yīng)，第一初始化漏電極D4與在第一初始化有源層A4中利用雜質(zhì)摻雜的第一初始化漏區(qū)對(duì)應(yīng)。第一初始化漏電極D4連接到第二初始化TFT T7，第一初始化源電極S4經(jīng)由連接線27連接到驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OG1。第二掃描線24的一部分變成第一初始化柵電極G4。
[0089]連接線27沿第二方向延伸，并經(jīng)由第二接觸孔Cnt2和第三接觸孔Cnt3使第一初始化TFT T4與驅(qū)動(dòng)TFT Tl彼此電連接。連接線27可與數(shù)據(jù)線16和驅(qū)動(dòng)電壓線26位于同一層中并且可由與數(shù)據(jù)線16和驅(qū)動(dòng)電壓線26相同的材料形成。
[0090]第一發(fā)射控制TFT T5包括第一發(fā)射控制有源層A5、第一發(fā)射控制柵電極G5、第一發(fā)射控制源電極S5和第一發(fā)射控制漏電極D5。第一發(fā)射控制源電極S5與在第一發(fā)射控制有源層A5中利用雜質(zhì)摻雜的第一發(fā)射控制源區(qū)對(duì)應(yīng)，第一發(fā)射控制漏電極D5與在第一發(fā)射控制有源層A5中利用雜質(zhì)摻雜的第一發(fā)射控制漏區(qū)對(duì)應(yīng)。第一發(fā)射控制源電極S5經(jīng)由第五接觸孔Cnt5連接到驅(qū)動(dòng)電壓線26。發(fā)射控制線15的一部分變成第一發(fā)射控制柵電極G5o
[0091]第二發(fā)射控制TFT T6包括第二發(fā)射控制有源層A6、第二發(fā)射控制柵電極G6、第二發(fā)射控制源電極S6和第二發(fā)射控制漏電極D6。第二發(fā)射控制源電極S6與在第二發(fā)射控制有源層A6中利用雜質(zhì)摻雜的第二發(fā)射控制源區(qū)對(duì)應(yīng)，第二發(fā)射控制漏電極D6與在第二發(fā)射控制有源層A6中利用雜質(zhì)摻雜的第二發(fā)射控制漏區(qū)對(duì)應(yīng)。第二發(fā)射控制漏電極D6經(jīng)由第六接觸孔Cnt6連接到第一覆蓋金屬CMl，第一覆蓋金屬CMl經(jīng)由第一通路孔Vial連接到OLED的像素電極210。發(fā)射控制線15的一部分變成第二發(fā)射控制柵電極G6。第一覆蓋金屬CMl可與數(shù)據(jù)線16和驅(qū)動(dòng)電壓線26位于同一層上并且由與數(shù)據(jù)線16和驅(qū)動(dòng)電壓線26相同的材料形成。
[0092]第二初始化TFT T7包括第二初始化有源層A7、第二初始化柵電極G7、第二初始化源電極S7和第二初始化漏電極D7。第二初始化源電極S7與在第二初始化有源層A7中利用雜質(zhì)摻雜的第二初始化源區(qū)對(duì)應(yīng)，第二初始化漏電極D7與在第二初始化有源層A7中利用雜質(zhì)摻雜的第二初始化漏區(qū)對(duì)應(yīng)。第二初始化漏電極D7經(jīng)由第七接觸孔Cnt7連接到第二覆蓋金屬CM2，第二覆蓋金屬CM2可經(jīng)由第二通路孔Via2連接到初始化電壓線22。第二掃描線24的一部分變成第二初始化柵電極G7。第二初始化源電極S7經(jīng)由第一覆蓋金屬CMl連接到OLED的像素電極210。第二覆蓋金屬CM2可與數(shù)據(jù)線16和驅(qū)動(dòng)電壓線26位于同一層上并且由與數(shù)據(jù)線16和驅(qū)動(dòng)電壓線26相同的材料形成。
[0093]存儲(chǔ)電容器Cst的第一電極51直接連接到驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OG1，第一電極51可與驅(qū)動(dòng)有源層Al疊置。存儲(chǔ)電容器Cst的第一電極51可同時(shí)起驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OGl的作用。第一電極51通過經(jīng)由第三接觸孔Cnt3而與其接觸的連接線27連接到第一初始化TFT T4。第三接觸孔Cnt3形成在驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OGl上以暴露驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OGl(或存儲(chǔ)電容器Cst的第一電極51)的一部分。
[0094]存儲(chǔ)電容器Cst的第二電極52形成為與第一電極51疊置。第二電極52經(jīng)由第八接觸孔CntS電連接到相應(yīng)的像素I的驅(qū)動(dòng)電壓線26的支線26a和從相鄰的像素(未示出)的驅(qū)動(dòng)電壓線(未示出)延伸的支線26a以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
[0095]像素電極210形成在作為形成在基板100上的平坦化層的第四絕緣層105上，并經(jīng)由第一通路孔Vial電連接到第二發(fā)射控制TFT T6。
[0096]初始化電壓線22可與像素電極210位于同一層上，但描述的技術(shù)的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例不限于此。例如，在另一實(shí)施例中，初始化電壓線22包括類似第一掃描線14和第二掃描線24以及發(fā)射控制線15的多個(gè)金屬圖案層。
[0097]圖4是沿圖3的線A-A’、B_B’和C_C’截取的顯示裝置的剖視圖。
[0098]參照?qǐng)D4，緩沖層101形成在基板100上，有源層Al至A7 (見圖3)形成在緩沖層101上。圖4示出了在驅(qū)動(dòng)TFT Tl中未利用雜質(zhì)摻雜的有源層Al的部分。第二發(fā)射控制源電極S6和第二發(fā)射控制漏電極D6由雜質(zhì)摻雜。
[0099]第一絕緣層102(即，第一柵絕緣層)形成在有源層Al至A7(見圖3)上，包括第一金屬圖案層241和存儲(chǔ)電容器Cst的第一電極51的第一金屬圖案形成在第一絕緣層102上方。作為第二柵絕緣層的第二絕緣層103、包括第二金屬圖案層242和存儲(chǔ)電容器Cst的第二電極52的第二金屬圖案、作為層間絕緣層的第三絕緣層104以及作為平坦化層的第四絕緣層105順序地形成在第一金屬圖案上方。第一絕緣層102至第四絕緣層105包括無機(jī)材料和/或有機(jī)材料。
[0100]第二掃描線24包括形成在第一絕緣層102上的第一金屬圖案層241和形成在第一金屬圖案層241上的第二金屬圖案層242，并且中間絕緣層103a設(shè)置在第一金屬圖案層241與第二金屬圖案層242之間。第一金屬圖案層241和第二金屬圖案層242經(jīng)由第三金屬圖案層243彼此連接。
[0101]第一金屬圖案層241和第二金屬圖案層242沿第一方向延伸以形成如在圖3中所示的第二掃描線24。第一金屬圖案層241和第二金屬圖案層242具有基本上相同的圖案，由第一金屬圖案層241和第二金屬圖案層242形成的第二掃描線24的電阻比形成為包括第一金屬圖案層241的單層的第二掃描線的電阻小。第三金屬圖案層243為島型層并使第一金屬圖案層241與第二金屬圖案層242彼此電連接。
[0102]第一接觸孔Cntl穿透中間絕緣層103a和第二金屬圖案層242以使第一金屬圖案層241的上表面暴露，第三金屬圖案層243經(jīng)由第一接觸孔Cntl而使第一金屬圖案層241和第二金屬圖案層242彼此電連接。例如，第三金屬圖案層243接觸通過第一接觸孔Cntl暴露的第一金屬圖案層241的上表面的一部分以及第二金屬圖案層242的側(cè)表面和上表面以使第一金屬圖案層241和第二金屬圖案層242彼此電連接。
[0103]作為層間絕緣層的第三絕緣層104位于第二金屬圖案層242上，第三絕緣層104包括與第一接觸孔Cntl對(duì)應(yīng)的通孔104h。通孔104h的內(nèi)徑W2可大于第一接觸孔Cntl的外徑Wl以使第二金屬圖案層242的上表面和第一金屬圖案層241的上表面暴露。由于第二金屬圖案層242的上表面被暴露，因此第三金屬圖案層243可接觸第二金屬圖案層242的上表面和第二金屬圖案層242的側(cè)表面以保證它們之間的足夠的接觸面積。
[0104]在圖4中，第三金屬圖案層243位于通孔104h中，但不限于此。如另一實(shí)施例，第三金屬圖案層243的端部具有比通孔104h大的尺寸，以延伸至第三絕緣層104的上表面。
[0105]第一金屬圖案層241與存儲(chǔ)電容器Cst的第一電極51位于同一層上并可包括與包括在第一電極51中的材料相同的材料。第二金屬圖案層242可與存儲(chǔ)電容器Cst的第二電極52位于同一層上并可包括與包括在第二電極52中的材料相同的材料。中間絕緣層103a可通過使用與介電層103b的材料相同的材料而與設(shè)置在存儲(chǔ)電容器Cst的第一電極51和第二電極52之間的介電層103b位于同一層上。第三金屬圖案層243可通過使用與第二線相同的材料而與第二線位于同一層上。例如，第三金屬圖案層243可通過使用與形成數(shù)據(jù)線16和驅(qū)動(dòng)電壓線26的材料相同的材料而與數(shù)據(jù)線16和驅(qū)動(dòng)電壓線26位于同一層上。
[0106]如上所述，形成第二掃描線24的金屬圖案層241、242和243可通過使用與第一電極51和第二電極52以及數(shù)據(jù)線16的材料相同的材料而分別形成在與存儲(chǔ)電容器Cst的第一電極51和第二電極52以及數(shù)據(jù)線16相同的層面上。因此，第二掃描線24的電阻可在不形成附加的金屬圖案層的情況下減小。
[0107]雖然上面描述了第二掃描線24的詳細(xì)結(jié)構(gòu)，但第一掃描線14和發(fā)射控制線15可具有與第二掃描線24的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。
[0108]根據(jù)描述的技術(shù)的實(shí)施例，由于第一掃描線14和第二掃描線24以及發(fā)射控制線15包括金屬圖案層241和242，因此可減小所述線的電阻，于是可防止或減小顯示裝置的RC延時(shí)。
[0109]圖5A至圖5F是示出根據(jù)實(shí)施例的制造顯示裝置的方法的剖視圖。為了便于描述，將參照?qǐng)D5A至圖5F以及圖3來描述每個(gè)制造工藝。
[0110]圖5A是示出第一掩模工藝的剖視圖。
[0111]參照?qǐng)D5A和圖3，在緩沖層101形成在其上的基板100上形成半導(dǎo)體層(未示出)，并將半導(dǎo)體層圖案化以形成TFT的有源層Al至A7。有源層Al至A7可由非晶硅、多晶硅或諸如1-G-Z-O層([(In2O3) a (Ga2O3)MZnO) c層](a、b和c分別是滿足條件a彡0、b彡O以及c > O的實(shí)數(shù)))的氧化物半導(dǎo)體。
[0112]圖5B是示出第二掩模工藝的剖視圖。
[0113]參照?qǐng)D5B和圖3，在基板100的整個(gè)表面上形成第一絕緣層102，形成第一金屬層(未示出)并將第一金屬層圖案化以形成第一金屬圖案層241和存儲(chǔ)電容器Cst的第一電極51。因此，第一金屬圖案層241和存儲(chǔ)電容器Cst的第一電極51可由相同的材料形成在彼此相同的層面上。
[0114]第一絕緣層102是覆蓋有源層Al至A7的第一柵絕緣層。第一絕緣層102可由有機(jī)電絕緣材料和/或無機(jī)電絕緣材料形成。例如，第一絕緣層102可由氮化硅(SiNx)、氧化硅(S12)、氧化鉿或氧化鋁形成。
[0115]第一金屬層可包括一種或更多種下面的材料:鉬(Mo)、鋁(Al)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、絡(luò)(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu) ο
[0116]第一金屬圖案層241在與第二掃描線24、