1.一種玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，提供玻璃板，在所述玻璃板的至少一側(cè)制作第一重布線層，將所述第一重布線層劃分為第一區(qū)域和第二區(qū)域，并在所述第一區(qū)域上制作第二重布線層，然后分別在所述第一重布線層的第二區(qū)域的焊盤區(qū)和所述第二重布線層的焊盤區(qū)植入芯片，其中，植入所述第一重布線層的第二區(qū)域的焊盤區(qū)的芯片為射頻芯片，植入所述第二重布線層的焊盤區(qū)的芯片為非射頻芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
3.一種玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述第一重布線層、所述第一介電層以及所述第一阻焊層的厚度之和與所述第二重布線層和所述第二介電層的厚度之和相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，步驟s10具體包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求3至5任一項所述的玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，步驟s40具體包括：
7.一種玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)，采用權(quán)利要求1或2所述的玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的制備方法制得，其特征在于，包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
9.一種玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)，采用權(quán)利要求3-6任一項所述的玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)的制備方法制得，其特征在于，包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的玻璃基多芯片異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一重布線層、所述第一介電層以及所述第一阻焊層的厚度之和與所述第二重布線層和所述第二介電層的厚度之和相等。