本發(fā)明涉及晶圓設(shè)備，尤其涉及一種晶圓清洗裝置及晶圓封裝設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、晶圓是指制造半導體晶體管或集成電路的襯底，是一種晶體材料，其形狀為圓形所以稱為晶圓。在半導體行業(yè)自動化晶圓加工設(shè)備中所用到的用于存放晶圓的提籃為卡槽多層式結(jié)構(gòu)。

2、在晶圓封裝工藝中，晶圓清洗是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，現(xiàn)有技術(shù)中使用超聲波對晶圓進行清洗。在清洗之前，在清洗槽中注入清洗液，如果注入流速過大，清洗液容易飛濺出清洗槽，如果注入流速過小，將清洗槽注滿的時間會很長，而要控制清洗液的流速需要額外設(shè)置控制設(shè)備，使裝置的占用空間和設(shè)備成本增大。在清洗過程中，超聲波的震動會使清洗液從清洗槽的上方開口處溢出，造成裝置的污染和清洗槽內(nèi)液體的流失，有可能導致用于清洗晶圓的液體減少，液面無法沒過晶圓影響清洗晶圓的效果。在完成清洗作業(yè)后，清洗槽的底部仍然難以清洗干凈。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的之一是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供一種晶圓清洗裝置及晶圓封裝設(shè)備。

2、為實現(xiàn)以上目的，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：

3、第一方面，本發(fā)明提供了一種晶圓清洗裝置，包括清洗槽和溢流槽，所述溢流槽設(shè)置于所述清洗槽的一側(cè)，所述清洗槽的頂部具有第一開口，所述清洗槽設(shè)置入水口，所述溢流槽的頂部具有第二開口，所述溢流槽設(shè)置出水口，所述第一開口與所述第二開口連通，所述第一開口相對于所述入水口的高度高于所述第二開口，所述入水口用于向所述清洗槽內(nèi)補充液體，所述出水口用于將所述溢流槽從所述清洗槽處收集的液體排出。

4、在本申請的一個優(yōu)選實施例中，所述清洗槽的底面具有坡度引水機構(gòu)，所述坡度引水機構(gòu)的最低處連接所述入水口，所述坡度引水機構(gòu)的最高處連接所述清洗槽的側(cè)壁。

5、在本申請的一個優(yōu)選實施例中，所述坡度引水機構(gòu)包括多個斜坡，所述多個斜坡自所述入水口朝斜向上方向延伸至所述清洗槽的側(cè)壁。

6、在本申請的一個優(yōu)選實施例中，所述斜坡為直線型或圓弧形。

7、在本申請的一個優(yōu)選實施例中，所述入水口位于所述清洗槽的底面中心。

8、在本申請的一個優(yōu)選實施例中，所述清洗槽內(nèi)設(shè)置超聲波清洗機構(gòu)，所述超聲波清洗機構(gòu)固定在所述坡度引水機構(gòu)的最高處。

9、在本申請的一個優(yōu)選實施例中，所述清洗槽具有槽體和外殼，所述外殼包圍在所述槽體外且與所述槽體間隔設(shè)置，所述溢流槽固定設(shè)置于所述槽體和所述外殼之間，所述出水口位于所述外殼之外。

10、在本申請的一個優(yōu)選實施例中，還包括防護罩，所述防護罩圍設(shè)于所述第一開口和所述第二開口的外圍，所述防護罩的頂部具有第三開口，所述第三開口分別與所述第一開口和所述第二開口連通。

11、在本申請的一個優(yōu)選實施例中，所述清洗槽設(shè)置第一傳感器，用于檢測所述清洗槽中液體的第一液面位置，當所述第一液面位置低于預設(shè)第一閾值時，通過所述入水口向所述清洗槽內(nèi)補充液體。

12、在本申請的一個優(yōu)選實施例中，所述溢流槽設(shè)置第二傳感器，用于檢測所述溢流槽中液體的第二液面位置，當所述第二液面位置達到預設(shè)第二閾值時，通過所述出水口將所述溢流槽中的液體排出，通過所述入水口向所述清洗槽內(nèi)補充液體。

13、在本申請的一個優(yōu)選實施例中，所述溢流槽中設(shè)置過濾元件。

14、在本申請的一個優(yōu)選實施例中，所述出水口位于所述溢流槽的底部最低處。

15、第二方面，本發(fā)明提供了一種晶圓封裝設(shè)備，包括循環(huán)裝置和如第一方面所述的晶圓清洗裝置，所述循環(huán)裝置與所述晶圓清洗裝置的入水口和出水口連接，用于通過所述入水口向所述清洗槽內(nèi)補充液體，及通過所述出水口將所述溢流槽中的液體排出。

16、本發(fā)明所公開的晶圓清洗裝置及晶圓封裝設(shè)備，在往清洗槽中注入液體時通過斜坡分散進入液體的流量，使清洗槽內(nèi)局部流量不會過大，在使用超聲波清洗機構(gòu)對晶圓進行清洗時能夠?qū)⒁虺曊饎訌那逑床壑袨R出的液體收集在溢流槽中，避免污染裝置以及對液體再回收利用避免浪費，在完成清洗后對清洗槽進行清洗時，通過斜坡能夠更方便地將清洗槽內(nèi)清洗干凈以及排出廢液。

技術(shù)特征：

1.一種晶圓清洗裝置，其特征在于，包括清洗槽和溢流槽，所述溢流槽設(shè)置于所述清洗槽的一側(cè)，所述清洗槽的頂部具有第一開口，所述清洗槽設(shè)置入水口，所述溢流槽的頂部具有第二開口，所述溢流槽設(shè)置出水口，所述第一開口與所述第二開口連通，所述第一開口相對于所述入水口的高度高于所述第二開口，所述入水口用于向所述清洗槽內(nèi)補充液體，所述出水口用于將所述溢流槽從所述清洗槽處收集的液體排出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述清洗槽的底面具有坡度引水機構(gòu)，所述坡度引水機構(gòu)的最低處連接所述入水口，所述坡度引水機構(gòu)的最高處連接所述清洗槽的側(cè)壁。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述坡度引水機構(gòu)包括多個斜坡，所述多個斜坡自所述入水口朝斜向上方向延伸至所述清洗槽的側(cè)壁。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述斜坡為直線型或圓弧形。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述入水口位于所述清洗槽的底面中心。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述清洗槽內(nèi)設(shè)置超聲波清洗機構(gòu)，所述超聲波清洗機構(gòu)固定在所述坡度引水機構(gòu)的最高處。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述清洗槽具有槽體和外殼，所述外殼包圍在所述槽體外且與所述槽體間隔設(shè)置，所述溢流槽固定設(shè)置于所述槽體和所述外殼之間，所述出水口位于所述外殼之外。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，還包括防護罩，所述防護罩圍設(shè)于所述第一開口和所述第二開口的外圍，所述防護罩的頂部具有第三開口，所述第三開口分別與所述第一開口和所述第二開口連通。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述清洗槽設(shè)置第一傳感器，用于檢測所述清洗槽中液體的第一液面位置，當所述第一液面位置低于預設(shè)第一閾值時，通過所述入水口向所述清洗槽內(nèi)補充液體。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述溢流槽設(shè)置第二傳感器，用于檢測所述溢流槽中液體的第二液面位置，當所述第二液面位置達到預設(shè)第二閾值時，通過所述出水口將所述溢流槽中的液體排出，通過所述入水口向所述清洗槽內(nèi)補充液體。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述溢流槽中設(shè)置過濾元件。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述出水口位于所述溢流槽的底部最低處。

13.一種晶圓封裝設(shè)備，其特征在于，包括循環(huán)裝置和如權(quán)利要求1至12任一項所述的晶圓清洗裝置，所述循環(huán)裝置與所述晶圓清洗裝置的入水口和出水口連接，用于通過所述入水口向所述清洗槽內(nèi)補充液體，及通過所述出水口將所述溢流槽中的液體排出。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種晶圓清洗裝置及晶圓封裝設(shè)備，晶圓封裝設(shè)備包括循環(huán)裝置和晶圓清洗裝置，晶圓清洗裝置包括清洗槽和溢流槽，溢流槽設(shè)置于清洗槽的一側(cè)，清洗槽的頂部具有第一開口，清洗槽設(shè)置入水口，溢流槽的頂部具有第二開口，溢流槽設(shè)置出水口，第一開口與第二開口連通，第一開口相對于入水口的高度高于第二開口，循環(huán)裝置與晶圓清洗裝置的入水口和出水口連接，用于通過入水口向清洗槽內(nèi)補充液體，通過出水口將溢流槽從清洗槽處收集的液體排出。本發(fā)明的技術(shù)方案能夠?qū)⒁虺曊饎訌那逑床壑袨R出的液體收集在溢流槽中，避免污染裝置以及對液體再回收利用避免浪費。

技術(shù)研發(fā)人員：王振榮,劉紅兵
受保護的技術(shù)使用者：上海新陽半導體材料股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21