1.一種高功率發(fā)生器(10)，其配置成能夠向容性負(fù)載，特別是向等離子體過程傳輸具有高電壓值和/或高電流值的脈沖高功率，所述高功率發(fā)生器包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高功率發(fā)生器，其特征在于，所述控制單元(22)還被配置成能夠以實(shí)現(xiàn)以下特征之一或組合的方式選擇所述低功率發(fā)生器(14、16、18)的貢獻(xiàn)：
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的高功率發(fā)生器，其特征在于，其中，所述耦合器(20)包括多于4個(gè)的電連接的低功率發(fā)生器(14、16、18)，其中，特別地至少6個(gè)，10個(gè)或更多，優(yōu)選地15個(gè)或更多的低功率發(fā)生器(14、16、18耦合在一個(gè)耦合器(20)中和/或
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的高功率發(fā)生器，其特征在于，所述低功率發(fā)生器(14,16,18)的充電能量通過變壓器(t1，t2，..tn)提供，所述變壓器具有初級(jí)繞組(p1，p2，..pn)和用于每個(gè)低功率發(fā)生器(14、16、18)的次級(jí)繞組(sw1、sw2、..swn)，
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的高功率發(fā)生器，其特征在于，所述低功率發(fā)生器(14,16,18)的充電能量通過變壓器(t1，t2，..tn)提供，并且其中，若干，特別是對(duì)應(yīng)于低功率發(fā)生器的每個(gè)變壓器能夠包括平衡繞組(bw)，優(yōu)選地兩個(gè)平衡繞組，并且優(yōu)選地一個(gè)變壓器(t1)的一個(gè)平衡繞組(bw)能夠連接到不同的變壓器(t2)的平衡繞組。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的高功率發(fā)生器，其特征在于，平衡電路連接在兩個(gè)低功率發(fā)生器之間，所述平衡電路包括僅允許電流沿一個(gè)方向流動(dòng)的組件，特別是二極管d或像二極管一樣工作的組件。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的高功率發(fā)生器，其特征在于，若干，特別是所有低功率發(fā)生器(14、16、18)之間定位有以開鏈配置的阻尼電路(50)，其中，特別是所述阻尼電路(50)包括電阻器(r)和/或電感器(l)。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的高功率發(fā)生器，其特征在于，所述高功率發(fā)生器(10)至少部分直接液體冷卻，特別是通過浸沒介質(zhì)冷卻液，特別是所述低功率發(fā)生器(14,16,18)通過介質(zhì)冷卻液浸沒。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的高功率發(fā)生器，其特征在于，所述控制單元(22)被配置成能夠通過所述低功率發(fā)生器(14，16，18)以有序的方式選擇低功率發(fā)生器(14，16，18)的貢獻(xiàn)，特別是每個(gè)脈沖序列能夠從不同的低功率發(fā)生器(14，16，18)開始。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的高功率發(fā)生器，其特征在于，所述控制單元(22)包括開關(guān)單元(24、26、28)，所述開關(guān)單元具有至少為10a/μs的電流上升能力，和/或具有承受約0.5kv或更高電壓，以及15kv/μs或更高的電壓上升和下降率的能力。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的高功率發(fā)生器，其特征在于，所述控制單元(22)被配置成能夠以減少在高功率發(fā)生器(10)的輸出端和/或負(fù)載上的專用位置處，特別是在等離子體過程的基板處的電壓過沖的方式來選擇低功率發(fā)生器(14、16、18)的貢獻(xiàn)。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的高功率發(fā)生器，其特征在于，所述控制單元(22)被配置成能夠以電氣隔離的方式，特別是經(jīng)由光纖連接或磁耦合來選擇低功率發(fā)生器(14、16、18)的貢獻(xiàn)。
13.一種向等離子體過程提供高功率脈沖的方法，所述高功率脈沖具有通過高功率發(fā)生器(10)提供的變化幅度，所述方法包括以下步驟：