本發(fā)明涉及光電探測技術(shù)領(lǐng)域，具體的，本發(fā)明涉及光電探測結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板、顯示裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，一般以垂直型pin結(jié)構(gòu)的設(shè)計和制作為主流。其制作工藝中，需對p型半導(dǎo)體、i型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的每層分別進(jìn)行a-si沉積、脫氫及ela晶化工藝，特別是，高溫的脫氫處理很容易對pin結(jié)構(gòu)造成功能上的影響；并且，在i型半導(dǎo)體的上表面制作p型半導(dǎo)體時的摻雜工藝也難以避免對i型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的影響。而且，垂直設(shè)置在i型半導(dǎo)體上的p型半導(dǎo)體還會影響到i型半導(dǎo)體的吸收光效率，從而造成pin結(jié)構(gòu)的光電效率較低、識別能力也較低。

所以，現(xiàn)階段的pin光電探測結(jié)構(gòu)仍有待改進(jìn)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。

本發(fā)明是基于發(fā)明人的下列發(fā)現(xiàn)而完成的：

本發(fā)明人在研究過程中發(fā)現(xiàn)，可將pin結(jié)構(gòu)中的p型半導(dǎo)體、i型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體設(shè)計成水平的并排設(shè)置方式，如此可有效地避免p型半導(dǎo)體對i型半導(dǎo)體的光吸收率的影響，從而可提高該光電探測結(jié)構(gòu)的光電效率和識別能力，并且該水平型pin光電探測結(jié)構(gòu)的制作工藝步驟更簡化、成本更低，具有工業(yè)化批量生產(chǎn)的潛力。

有鑒于此，本發(fā)明的一個目的在于提出一種光電效率更高、識別能力更好、良品率更高或制作成本更低的光電探測結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的第一方面，本發(fā)明提出了一種光電探測結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述光電探測結(jié)構(gòu)包括至少一個pin單元，且所述pin單元包括：p型半導(dǎo)體；i型半導(dǎo)體，所述i型半導(dǎo)體與所述p型半導(dǎo)體并排設(shè)置；以及n型半導(dǎo)體，所述n型半導(dǎo)體與所述i型半導(dǎo)體、所述p型半導(dǎo)體并排同層設(shè)置，且所述i型半導(dǎo)體設(shè)置在所述p型半導(dǎo)體與所述n型半導(dǎo)體之間。

發(fā)明人意外地發(fā)現(xiàn)，采用本發(fā)明實施例的光電探測結(jié)構(gòu)，采用水平型設(shè)計的pin光電探測結(jié)構(gòu)，可有效地避免p型半導(dǎo)體對i型半導(dǎo)體的光吸收率的影響，從而可提高該光電探測結(jié)構(gòu)的光電效率和識別能力，并且該水平型pin光電探測結(jié)構(gòu)的制作工藝步驟更簡化、成本更低，具有工業(yè)化批量生產(chǎn)的潛力。

另外，根據(jù)本發(fā)明上述實施例的光電探測結(jié)構(gòu)，還可以具有如下附加的技術(shù)特征：

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述光電探測結(jié)構(gòu)包括多個所述pin單元，且所述多個pin單元并排同層設(shè)置。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述光電探測結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括：基板，所述多個pin單元并排同層設(shè)置在所述基板的一側(cè)，且所述基板的一側(cè)還設(shè)置有薄膜晶體管和引出電極；第一連接電極，所述第一連接電極與所述p型半導(dǎo)體、所述薄膜晶體管的漏極電相連；第二連接電極，所述第二連接電極與所述n型半導(dǎo)體、所述引出電極電相連。。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第一連接電極包括：第一子連接電極，所述第一子連接電極設(shè)置在所述p亞層p型半導(dǎo)體遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，且與所述p亞層p型半導(dǎo)體電連接；以及第二子連接電極，所述第二子連接電極設(shè)置在所述第一子連接電極遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，且與所述第一子連接電極、所述漏極電連接。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述第二連接電極包括：第三子連接電極，所述第三子連接電極設(shè)置在所述n型半導(dǎo)體遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，其與所述n型半導(dǎo)體電連接；第四子連接電極，所述第四子連接電極設(shè)置在所述第三子連接電極遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，且與所述第三子連接電極電相連；以及第五子連接電極，所述第五子連接電極設(shè)置在所述第四子連接電極和所述引出電極的遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，且與所述第四子連接電極、所述引出電極電連接。

在本發(fā)明的第二方面，本發(fā)明提出了一種制作光電探測結(jié)構(gòu)的方法。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述方法包括：在基板的一側(cè)，形成低溫多晶硅層；通過掩膜對所述低溫多晶硅層進(jìn)行摻雜，以便獲得并排同層設(shè)置的p型半導(dǎo)體、n型半導(dǎo)體和i型半導(dǎo)體，其中，所述i型半導(dǎo)體的與所述p型半導(dǎo)體、i型半導(dǎo)體、n型半導(dǎo)體分布方向平行的面被設(shè)置為光接收面。

發(fā)明人意外地發(fā)現(xiàn)，采用本發(fā)明實施例的制作方法，該制作方法可獲得水平型pin光電探測結(jié)構(gòu)，并且pin三亞層的制作總共只需進(jìn)行一次非晶硅沉積、脫氫和ela晶化工藝，避免了多次高溫會對各亞層功能性的影響，還能避免制作各亞層之間相互干擾，從而使產(chǎn)品的良品率更高。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，前面針對光電探測結(jié)構(gòu)所描述的特征和優(yōu)點，仍適用于該制作光電探測結(jié)構(gòu)的方法，在此不再贅述。

另外，根據(jù)本發(fā)明上述實施例的制作方法，還可以具有如下附加的技術(shù)特征：

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述方法進(jìn)一步包括：在基板的一側(cè)形成柵極和引出電極，且在所述柵極和引出電極的遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)覆蓋柵絕緣層；在所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成源極和漏極，且在所述源極和漏極的遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)覆蓋第一鈍化層。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述方法進(jìn)一步包括：形成第一連接電極；其中，所述形成第一連接電極進(jìn)一步包括：形成第一子連接電極，其中，所述第一子連接電極與所述柵極和引出電極是通過一次構(gòu)圖工藝形成的，且所述第一子連接電極與所述p型半導(dǎo)體電連接；形成第二子連接電極，其中，所述第二子連接電極與所述源極和漏極是通過一次構(gòu)圖工藝形成的，且所述第二子連接電極與所述第一子連接電極、所述漏極電連接。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述方法進(jìn)一步包括：形成第二子連接電極，其中，所述形成第二連接電極進(jìn)一步包括：形成第三子連接電極，其中，所述第三子連接電極與所述柵極和引出電極是通過一次構(gòu)圖工藝形成的，且所述第三子連接電極與所述n型半導(dǎo)體電連接；形成第四子連接電極，其中，所述第二子連接電極與所述源極和漏極是通過一次構(gòu)圖工藝形成的，且所述第四子連接電極與所述第三子連接電極電連接；形成第五子連接電極，且所述第五子連接電極與所述第四子連接電極、所述引出電極電連接。

在本發(fā)明的第三方面，本發(fā)明提出了一種陣列基板。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述陣列基板包括上述的光電探測結(jié)構(gòu)。

發(fā)明人意外地發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明實施例的陣列基板，其光電探測結(jié)構(gòu)的光電效率更高和識別能力更靈敏，并且該顯示裝置的良品率更高、制造成本更低。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，前面針對光電探測結(jié)構(gòu)所描述的特征和優(yōu)點，仍適用于該陣列基板，在此不再贅述。

在本發(fā)明的第四方面，本發(fā)明提出了一種顯示裝置。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述顯示裝置包括上述的陣列基板。

發(fā)明人意外地發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明實施例的顯示裝置，其光光電效率更高和識別能力更靈敏，并且該顯示裝置的良品率更高、制造成本更低，具有工業(yè)化批量生產(chǎn)的潛力。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，前面針對光電探測結(jié)構(gòu)、陣列基板所描述的特征和優(yōu)點，仍適用于該顯示裝置，在此不再贅述。

本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。

附圖說明

本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從結(jié)合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1是本發(fā)明一個實施例的光電探測結(jié)構(gòu)的俯視和主視的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明另一個實施例的光電探測結(jié)構(gòu)的主視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a是本發(fā)明另一個實施例的光電探測結(jié)構(gòu)的主視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3b是本發(fā)明另一個實施例的光電探測結(jié)構(gòu)的后視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4a是本發(fā)明另一個實施例的光電探測結(jié)構(gòu)的主視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4b是本發(fā)明另一個實施例的光電探測結(jié)構(gòu)的后視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明另一個實施例的光電探測結(jié)構(gòu)的主視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明另一個實施例的光電探測結(jié)構(gòu)的主視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明一個實施例的制作光電探測結(jié)構(gòu)的方法流程示意圖；

圖8是本發(fā)明一個實施例的制作方法步驟s100的產(chǎn)品側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9是本發(fā)明一個實施例的制作方法步驟s100的產(chǎn)品俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10是本發(fā)明一個實施例的制作方法步驟s200的產(chǎn)品側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11是本發(fā)明一個實施例的制作方法步驟s310的產(chǎn)品側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12是本發(fā)明一個實施例的制作方法步驟s320的產(chǎn)品側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記

10低溫多晶硅層

100p型半導(dǎo)體

200i型半導(dǎo)體

300n型半導(dǎo)體

400基板

500第一連接電極

5010第一子連接電極

5020第二子連接電極

510柵極

600柵極絕緣層

610金屬氧化物層

620過孔

700第二連接電極

7010第三子連接電極

7020第四子連接電極

7030第五子連接電極

710源極

720漏極

800引出電極

110第一鈍化層

111遮光層

120第二鈍化層

具體實施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例，本技術(shù)領(lǐng)域人員會理解，下面實施例旨在用于解釋本發(fā)明，而不應(yīng)視為對本發(fā)明的限制。除非特別說明，在下面實施例中沒有明確描述具體技術(shù)或條件的，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以按照本領(lǐng)域內(nèi)的常用的技術(shù)或條件或按照產(chǎn)品說明書進(jìn)行。所用試劑或儀器未注明生產(chǎn)廠商者，均為可通過市購到的常規(guī)產(chǎn)品。

在本發(fā)明的一個方面，本發(fā)明提出了一種光電探測結(jié)構(gòu)。參照圖1～6，對本發(fā)明的光電探測結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的描述。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，光電探測結(jié)構(gòu)包括至少一個pin單元。需要說明的是，本文中“至少一個”是指一個或一個以上。在本發(fā)明的一些實施例中，該光電探測結(jié)構(gòu)可包括多個pin單元。需要說明的是，本文中“多個”是指兩個或兩個以上。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，參考圖1的(a)，該pin單元包括：p型半導(dǎo)體100，i型半導(dǎo)體200以及n型半導(dǎo)體300。其中，n型半導(dǎo)體300與i型半導(dǎo)體200、p型半導(dǎo)體100并排同層設(shè)置，且i型半導(dǎo)體200設(shè)置在p型半導(dǎo)體100與n型半導(dǎo)體300之間。其中，需要說明的是，參考圖1的(b)，i型半導(dǎo)體200的與p型半導(dǎo)體100、i型半導(dǎo)體200、n型半導(dǎo)體300分布方向平行的一個面，被設(shè)置為光接收面。

本發(fā)明人在研究過程中發(fā)現(xiàn)，可將pin結(jié)構(gòu)中的p型半導(dǎo)體100、i型半導(dǎo)體200和n型半導(dǎo)體300設(shè)計成水平并排同層設(shè)置的方式，如此可有效地避免p型半導(dǎo)體100對i型半導(dǎo)體200的光吸收率的影響，從而可提高該光電探測結(jié)構(gòu)的光電效率和識別能力。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，p型半導(dǎo)體100、i型半導(dǎo)體200以及n型半導(dǎo)體300的具體尺寸，例如寬度、長度或厚度等，都不受特別的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)該光電探測結(jié)構(gòu)的具體使用要求進(jìn)行設(shè)計。在本發(fā)明的一些實施例中，參考圖2，p型半導(dǎo)體的寬度d1可以為1～2微米，i型半導(dǎo)體的寬度d2可以為2～10微米，而n型半導(dǎo)體的寬度d3可以為1～2微米。如此，采用上述尺寸的各亞層設(shè)計，可進(jìn)一步增加該光電探測結(jié)構(gòu)的吸光效率。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，i型半導(dǎo)體200與p型半導(dǎo)體100、n型半導(dǎo)體300之間的具體位置關(guān)系，也不受特別的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)該光電探測結(jié)構(gòu)的電路設(shè)計進(jìn)行調(diào)整。在本發(fā)明的一些實施例中，參考圖1的(a)，i型半導(dǎo)體200可以與p型半導(dǎo)體100的至少一部分接觸，而i型半導(dǎo)體200可以與n型半導(dǎo)體300的至少一部分接觸；并且，在長度方向上，p型半導(dǎo)體100的第一端a與i型半導(dǎo)體200的第一端b齊平，而n型半導(dǎo)體300的第二端d與i型半導(dǎo)體200的第二端c齊平。如此，可方便將各個pin單元的p型半導(dǎo)體100、n型半導(dǎo)體300分別獨立地在不同位置上進(jìn)行電連接，且p型半導(dǎo)體100和n型半導(dǎo)體300之間的電信號不會相互干擾，從而進(jìn)一步提高該光電探測結(jié)構(gòu)的識別靈敏度。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，p型半導(dǎo)體100、i型半導(dǎo)體200以及n型半導(dǎo)體300的具體材料，不受特別的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)該pin單元的使用要求進(jìn)行選擇。在本發(fā)明的一些實施例中，p型半導(dǎo)體100、i型半導(dǎo)體200和n型半導(dǎo)體300的材料可以都是低溫多晶硅。在本發(fā)明的一些具體示例中，p型半導(dǎo)體100可以是摻雜b³⁺的，而n型半導(dǎo)體300可以是摻雜p³⁺的，如此，采用上述材料的p型半導(dǎo)體100與n型半導(dǎo)體300，能形成光電轉(zhuǎn)化效率的pin單元。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，該光電探測結(jié)構(gòu)包括的pin單元的具體個數(shù)不受特別的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)該光電探測結(jié)構(gòu)的具體尺寸和使用要求進(jìn)行設(shè)計。在本發(fā)明的一些實施例中，多個pin單元之間還可以是并排設(shè)置，如此，周期性地排布pin單元，可進(jìn)一步使該光電探測結(jié)構(gòu)的吸光效率增加。在本發(fā)明一些具體示例中，參考圖2，該光電探測結(jié)構(gòu)可以具體是由3個pin單元并排設(shè)置組成的，如此，該光電探測結(jié)構(gòu)的吸光效率可滿足基本的使用要求。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，參考圖3a和圖3b，該光電探測結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括：基板400，薄膜晶體管，引出電極800，第一連接電極和第二連接電極。其中，多個pin單元并排同層設(shè)置在基板400的一側(cè)，且基板400的一側(cè)還設(shè)置有薄膜晶體管和引出電極800；而薄膜晶體管包括柵極510、柵絕緣層600、源極710、漏極720和第一鈍化層110等；參考圖3b，第一連接電極與p型半導(dǎo)體100、漏極720電相連；參考圖3a，第二連接電極與n型半導(dǎo)體300、引出電極800電相連。如此，第一連接電極將各個pin結(jié)構(gòu)的p亞層與漏電極電連接，第二連接電極將各個pin結(jié)構(gòu)的n亞層與周邊電極電連接，從而可實現(xiàn)該光電探測結(jié)構(gòu)的光電傳導(dǎo)功能。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，參考圖3b，第一連接電極可以包括：第一子連接電極5010以及第二子連接電極5020；其中，第一子連接電極5010設(shè)置在p型半導(dǎo)體100遠(yuǎn)離基板400的一側(cè)，且與p型半導(dǎo)體100電連接；而第二子連接電極5020設(shè)置在第一子連接電極5010遠(yuǎn)離基板400的一側(cè)，且與第一子連接電極5010、漏極720電連接。如此，采用上述結(jié)構(gòu)的第一連接電極，可更有效地將p型半導(dǎo)體100與漏極720電連接。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，參考圖3a，第二連接電極可以包括：第三子連接電極7010，第四子連接電極7020，以及第五子連接電極7030；其中，第三子連接電極7010設(shè)置在n型半導(dǎo)體300遠(yuǎn)離基板400的一側(cè)，其與n型半導(dǎo)體300電連接；第四子連接電極7020設(shè)置在第三子連接電極7010遠(yuǎn)離基板400的一側(cè)，且與第三子連接電極7010電相連；而第五子連接電極7030設(shè)置在第四子連接電極7020和引出電極800的遠(yuǎn)離基板400的一側(cè)，且與第四子連接電極7020、引出電極800電連接。如此，采用上述結(jié)構(gòu)的第二連接電極，可跟有效地將n型半導(dǎo)體300與引出電極800電連接。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，第一子連接電極5010、第三子連接電極7010的具體材料不受特別的限制，只要該材料的子連接電極能將各個半導(dǎo)體電連接起來即可，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)半導(dǎo)體的具體材料進(jìn)行選擇。在本發(fā)明的一些實施例中，第一子連接電極5010、第三子連接電極7010可以是與柵極510通過一次構(gòu)圖法形成的，則第一子連接電極5010、第三子連接電極7010的材料采用與柵極510相同的導(dǎo)電材料。如此，可獲得導(dǎo)電功能良好的第一子連接電極5010、第三子連接電極7010的同時，并不會增加制作該光電探測結(jié)構(gòu)的成本。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，第二子連接電極5020、第四子連接電極7020的具體材料不受特別的限制，只要該材料的子連接電極能與相鄰的子連接電極電相連即可，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)相鄰的子連接電極的材料進(jìn)行選擇。在本發(fā)明的一些實施例中，第二子連接電極5020、第四子連接電極7020可以是與源極710、漏極720通過一次構(gòu)圖法形成的，則第二子連接電極5020、第四子連接電極7020的材料采用與源極710、漏極720相同的導(dǎo)電材料。如此，可獲得導(dǎo)電功能良好的第二子連接電極5020、第四子連接電極7020的同時，也不會增加制作該光電探測結(jié)構(gòu)的成本。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，柵絕緣層600的具體材料可不受特別的限制，本領(lǐng)域內(nèi)常用的柵絕緣層的材料均可，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)柵極、源漏電極的具體材料進(jìn)行選擇。在本發(fā)明的一些實施例中，柵絕緣層600可以是由sinx/sinxox/siox形成的，如此，采用上述材料的柵絕緣層600可更好地起到柵極510與源極710、漏極720之間的絕緣作用。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，源極710和漏極720的具體材料也不受特別的限制，本領(lǐng)域內(nèi)常用的源漏電極材料均可，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)該光電探測結(jié)構(gòu)的具體使用要求進(jìn)行選擇。在本發(fā)明的一些實施例中，源極710和漏極720可各自獨立地選自mo、mond/cu/mond、mo/alnd/mo、ti/al/ti和al的至少一種形成，如此，采用上述材料的源漏電極，對pin單元的p型半導(dǎo)體的電控制效果更好。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，第五子連接電極7030的具體材料不受特別的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)該連接電極具體的設(shè)置位置和使用要求進(jìn)行選擇。在本發(fā)明的一些實施例中，第五子連接電極7030可以是由氧化銦錫(ito)形成的，如此，采用上述材料的第五子連接電極7030具有導(dǎo)電性的同時，其透明特性還不會影響pin單元的i型半導(dǎo)體對光的識別能力，從而使該光電探測結(jié)構(gòu)的識別能力更好。

在本發(fā)明的一些實施例中，參考圖5，該光電探測結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步包括：第二鈍化層120。其中，第二鈍化層120設(shè)置在第一鈍化層110和第五子連接電極7030遠(yuǎn)離基板400的一側(cè)。如此，可獲得結(jié)構(gòu)更完整的光電探測結(jié)構(gòu)，且第二鈍化層120可覆蓋并保護(hù)第五子連接電極7030。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，第一鈍化層110和第二鈍化層120的具體材料，不受特別的限制，本領(lǐng)域內(nèi)常用的鈍化層材料即可，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)該光電探測結(jié)構(gòu)的具體使用要求進(jìn)行選擇。在本發(fā)明的一些實施例中，第一鈍化層110和第二鈍化層120的材料可以是sio/sinxox，如此，采用上述材料的第一鈍化層110和第二鈍化層120，能更好地保護(hù)其他功能層結(jié)構(gòu)，并且第二鈍化層120還不會影響pin單元的i型半導(dǎo)體對光的識別能力，從而使該光電探測結(jié)構(gòu)的識別能力更好。

在本發(fā)明的一些具體示例中，參考圖6，該光電探測結(jié)構(gòu)還可進(jìn)一步包括：金屬氧化物層610和遮光層111。其中，金屬氧化物層610形成在柵絕緣層600靠近第一鈍化層110的一側(cè)；而遮光層111形成在第一鈍化層110遠(yuǎn)離基板400的一側(cè)；如此，可獲得結(jié)構(gòu)更完整的光電探測結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，金屬氧化物層610的具體材料不受特別的限制，本領(lǐng)域內(nèi)常用的金屬氧化物材料即可，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)該光電探測結(jié)構(gòu)的具體使用要求進(jìn)行選擇。在本發(fā)明的一些實施例中，金屬氧化物層610是由銦鎵鋅氧化物(igzo)形成的，如此，采用上述新型半導(dǎo)體材料，其具有比非晶硅更高的電子遷移率，能使晶體尺寸更小，從而可使設(shè)備更輕薄、全透明，還對可見光不敏感，能夠大大增加元件的開口率，提高亮度，降低功耗。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，遮光層111的具體材料不受特別的限制，本領(lǐng)域內(nèi)常用的遮光層材料即可，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)該光電探測結(jié)構(gòu)的具體使用要求進(jìn)行選擇。在本發(fā)明的一些實施例中，遮光層111可以是由mo形成的，如此，采用上述材料的遮光層111，能更好起到遮擋作用。

綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施例，本發(fā)明提出了一種光電探測結(jié)構(gòu)，采用水平型設(shè)計的pin光電探測結(jié)構(gòu)，可有效地避免p型半導(dǎo)體對i型半導(dǎo)體的光吸收率的影響，從而可提高該光電探測結(jié)構(gòu)的光電效率和識別能力，并且該水平型pin光電探測結(jié)構(gòu)的制作工藝步驟更簡化、成本更低，具有工業(yè)化批量生產(chǎn)的潛力。

在本發(fā)明的另一個方面，本發(fā)明提出了一種制作光電探測結(jié)構(gòu)的方法。參照圖7～12，對本發(fā)明的制作方法進(jìn)行詳細(xì)的描述。根據(jù)本發(fā)明的實施例，參照圖7，該制作方法包括：

s100：在基板的一側(cè)，形成低溫多晶硅層。

在該步驟中，在基板400的一側(cè)形成低溫多晶硅層10，該步驟獲得的產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)示意圖請參考圖8。如此，可一次性獲得低溫多晶硅層10，并作為本體用于后續(xù)分別形成并排設(shè)置的p型半導(dǎo)體、n型半導(dǎo)體和i型半導(dǎo)體，而無需分三次逐層形成p型半導(dǎo)體、n型半導(dǎo)體和i型半導(dǎo)體。其中，低溫多晶硅層10的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，請參考圖9。其中，所述i型半導(dǎo)體的與所述p型半導(dǎo)體、i型半導(dǎo)體、n型半導(dǎo)體分布方向平行的面被設(shè)置為光接收面。

本發(fā)明人在研究過程中發(fā)現(xiàn)，水平型pin光電探測結(jié)構(gòu)的p、i、n三亞層的制作，總共只需進(jìn)行一次非晶硅沉積、脫氫和ela晶化工藝，從而避免了多次高溫脫氫處理可能會對各亞層功能性造成的影響，從而使該光電探測結(jié)構(gòu)的制作良品率更高。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，形成低溫多晶硅層10的具體方法不受特別的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)該低溫多晶硅層10具體的形狀和厚度進(jìn)行選擇。在本發(fā)明的一些實施例中，形成低溫多晶硅層10可包括：在基板400的一側(cè)先沉積非晶硅層，再依次對非晶硅層進(jìn)行脫氫處理、準(zhǔn)分子激光退火(ela)晶化處理。如此，可通過一次構(gòu)圖工藝形成具有低溫多晶硅層10，該特定形狀包括了后續(xù)的p型半導(dǎo)體、n型半導(dǎo)體和i型半導(dǎo)體的部分，并且該方法只進(jìn)行一次沉積、脫氫和晶化處理，從而避免了多次高溫脫氫處理容易對pin單元產(chǎn)生功能性影響。

s200：通過掩膜對低溫多晶硅層進(jìn)行摻雜，以便獲得并排設(shè)置的p型半導(dǎo)體、n型半導(dǎo)體和i型半導(dǎo)體。

在該步驟中，再通過掩膜對低溫多晶硅層10進(jìn)行摻雜，從而獲得并排設(shè)置的p型半導(dǎo)體100、n型半導(dǎo)體300和i型半導(dǎo)體200。其中，該步驟獲得產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)示意圖請參考圖10。如此，在低溫多晶硅層10的不同區(qū)域進(jìn)行不同離子的摻雜，可獲得水平型pin單元，并且該pin單元中p型半導(dǎo)體100和n型半導(dǎo)體300各自的摻雜處理都不會相互影響、且還不會干擾到i型半導(dǎo)體200。

本發(fā)明人在研究過程中還發(fā)現(xiàn)，在一次性獲得低溫多晶硅層10的基礎(chǔ)上，分別通過不同的掩膜進(jìn)行不同離子的摻雜，如此不僅能獲得水平方向上周期性分布的多個pin單元，并且還能避免各個亞層制作過程中在垂直方向上的相互干擾，從而使pin單元各亞層的尺寸精度更高，進(jìn)而使產(chǎn)品的良品率進(jìn)一步提高。

在本發(fā)明的一些實施例中，通過掩膜對低溫多晶硅層進(jìn)行摻雜可以進(jìn)一步包括：通過第一掩膜對低溫多晶硅層的一部分進(jìn)行p型摻雜，以便獲得p型半導(dǎo)體100；然后，通過第二掩膜對低溫多晶硅層的一部分進(jìn)行n型摻雜，以便獲得n型半導(dǎo)體300。如此，通過兩道不同掩膜的摻雜處理后，不摻雜的低溫多晶硅層的部分形成了i型半導(dǎo)體200，并且在垂直方向上這兩次摻雜不會相互干擾，從而可獲得形狀尺寸精度更高的多個pin單元。其中，獲得的多個pin單元的俯視結(jié)構(gòu)示意圖請參考圖2。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，p型摻雜處理和n型摻雜處理的具體離子類型，都不受特別的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)該pin結(jié)構(gòu)的實際應(yīng)用要求進(jìn)行選擇。在本發(fā)明的一些實施例中，p型摻雜的離子可以選擇b³⁺，而n型摻雜的離子可以選擇p³⁺。如此，可獲得光電效果更靈敏的pin結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，第一掩膜和第二掩膜各自的圖案不受特別的限制，只要第一掩膜的圖案與p型半導(dǎo)體的形狀和位置相對應(yīng)、第二掩膜的圖案與n型半導(dǎo)體的形狀和位置對應(yīng)即可，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)實際摻雜處理情況進(jìn)行設(shè)計和微調(diào)，在此不再贅述。

在本發(fā)明的一些實施例中，該制作方法還可進(jìn)一步包括：

s310：在基板的一側(cè)形成柵極和引出電極，且在柵極和引出電極的遠(yuǎn)離基板的一側(cè)覆蓋柵絕緣層

在該步驟中，可在基板400的一側(cè)，形成柵極510和引出電極800，并在柵極510和引出電極800遠(yuǎn)離基板400的一側(cè)覆蓋柵絕緣層600。在本發(fā)明的一些具體示例中，引出電極800還可以是與柵極510通過一次構(gòu)圖工藝獲得的。如此，無需單獨增加掩膜來形成引出電極800，可降低該光電探測結(jié)構(gòu)的制作成本。

在本發(fā)明的一些實施例中，可在制作好的pin單元的p型半導(dǎo)體100遠(yuǎn)離基板400的一側(cè)，形成第一子連接電極5010和第三子連接電極7010，該第一子連接電極5010和第三子連接電極7010可以是通過沉積工藝并圖案化而獲得的，且與柵極510通過一次構(gòu)圖法獲得的。如此，可獲得第一子連接電極500和第三子連接電極7010，該第一連接電極500可與各個pin單元的p型半導(dǎo)體100連接，而第三子連接電極7010可與各個pin單元的n型半導(dǎo)體300連接，且各子連接電極的厚度均勻，而該方法技術(shù)成熟、制造成本低且尺寸精度高。

在本發(fā)明的一些實施例中，在形成第一子連接電極5010和第三子連接電極7010的步驟之后，可進(jìn)一步在第一子連接電極5010、第三子連接電極7010、引出電極800和柵極510的遠(yuǎn)離基板400的一側(cè)和該基板400的同側(cè)沉積形成柵絕緣層600；且在柵絕緣層600遠(yuǎn)離柵極510的至少一部分，通過沉積處理、圖形化并退火處理形成金屬氧化物層610；并且在多個pin單元遠(yuǎn)離基板400的一側(cè)刻蝕出過孔620，而該過孔620貫穿柵絕緣層600。其中，該步驟獲得產(chǎn)品的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖請參考圖11。如此，通過該過孔620，后續(xù)形成的漏極720可與p型半導(dǎo)體100電連接，且后續(xù)形成在該過孔620中的第五子連接電極7030可將n型半導(dǎo)體300與引出電極800相連。

s320：在柵絕緣層遠(yuǎn)離基板的一側(cè)形成源極和漏極，且在源極和漏極的遠(yuǎn)離基板的一側(cè)覆蓋柵絕緣層。

在該步驟中，在柵絕緣層600遠(yuǎn)離基板400的一側(cè)形成源極710和漏極720，且在源極710和漏極720的遠(yuǎn)離基板400的一側(cè)覆蓋第一鈍化層110。

在本發(fā)明的一些實施例中，可在過孔620中的第一子連接電極5010的遠(yuǎn)離基板400的一側(cè)，形成第二子連接電極5020，同時，還可在過孔620中的第三子連接電極7010的遠(yuǎn)離基板400的一側(cè)，形成第四子連接電極7020。其中，該步驟獲得產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)示意圖請參考圖4a和圖4b。如此，通過過孔620，第二子連接電極5020與第一子連接電極5010、漏極720電連接，而第四子連接電極7020與第三子連接電極7010電相連。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，形成第二子連接電極5020和第四子連接電極7020的具體方法不受特別的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)子連接電極的具體材料進(jìn)行選擇。在本發(fā)明的一些實施例中，該第二子連接電極5020和第四子連接電極7020可通過沉積并圖像化處理獲得的。在本發(fā)明的一些具體示例中，第二子連接電極5020和第四子連接電極7020與源極710、漏極720可以是通過一次構(gòu)圖工藝形成的。如此，該方法可降低該光電探測結(jié)構(gòu)的制作成本。

在本發(fā)明的一些實施例中，形成第二子連接電極5020和第四子連接電極7020的步驟之后，可進(jìn)一步在源極710、漏極720、第二子連接電極5020、第四子連接電極7020和柵絕緣層600遠(yuǎn)離基板400的一側(cè)形成第一鈍化層110；且在第一鈍化層110遠(yuǎn)離金屬氧化物層610的一側(cè)，通過沉積并圖像化處理形成遮光層111。其中，該步驟獲得產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)示意圖請參考圖12。如此，形成的第一鈍化層110可有效地覆蓋并保護(hù)源極710和漏極720，而形成的遮光層111能起到遮擋作用。

s330：在第一鈍化層和柵絕緣層的至少一部分，形成第五子連接電極。

在該步驟中，在第一鈍化層110和柵絕緣層600的至少一部分，通過沉積并圖案化處理形成第五子連接電極7030，且該第五子連接電極7030可將n型半導(dǎo)體300與引出電極800電連接。其中，該步驟獲得產(chǎn)品的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖請參考圖3a和圖3b。如此，該透光半導(dǎo)體ito材料形成的第五子連接電極7030，可將多個pin單元的n型半導(dǎo)體300均與引出電極800電連接，還不會影響pin單元的i型半導(dǎo)體對光的識別能力。

在本發(fā)明的一些實施例中，形成第五子連接電極7030的步驟之后，可進(jìn)一步在第一鈍化層110和第五子連接電極7030的遠(yuǎn)離基板400的一側(cè)形成第二鈍化層120。其中，該步驟獲得產(chǎn)品的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖請參考圖6。

綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施例，本發(fā)明提出了一種制作方法，該制作方法可獲得水平型pin光電探測結(jié)構(gòu)，并且pin三亞層的制作總共只需進(jìn)行一次非晶硅沉積、脫氫和ela晶化工藝，避免了多次高溫會對各亞層功能性的影響，還能避免制作各亞層之間相互干擾，從而使產(chǎn)品的良品率更高。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，前面針對光電探測結(jié)構(gòu)所描述的特征和優(yōu)點，仍適用于該制作光電探測結(jié)構(gòu)的方法，在此不再贅述。

在本發(fā)明的另一個方面，本發(fā)明提出了一種陣列基板。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，該陣列基板包括上述的光電探測結(jié)構(gòu)。

需要說明的是，該陣列基板除了包括上述光電探測結(jié)構(gòu)意外，還包括其他必要的結(jié)構(gòu)和組成，具體例如數(shù)據(jù)線、柵線、薄膜晶體管，等等，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)該陣列基板的具體使用要求進(jìn)行設(shè)計和補(bǔ)充，在此不再贅述。

綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施例，本發(fā)明提出了一種陣列基板，其光電探測結(jié)構(gòu)的光電效率更高和識別能力更靈敏，并且該顯示裝置的良品率更高、制造成本更低。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，前面針對光電探測結(jié)構(gòu)所描述的特征和優(yōu)點，仍適用于該陣列基板，在此不再贅述。

在本發(fā)明的另一個方面，本發(fā)明提出了一種顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的實施例，該顯示裝置包括上述的陣列基板。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，該顯示裝置的具體類型不受特別的限制，本領(lǐng)域內(nèi)常見的顯示裝置的類型即可，具體例如觸屏手機(jī)屏幕、平板電腦或可穿戴設(shè)備等生活、家用電器，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)該顯示裝置的實際使用用途進(jìn)行選擇，在此不再贅述。

需要說明的是，該顯示裝置除了陣列基板以外，還包括其他必要的部件和組成，以觸屏手機(jī)屏幕為例，具體例如彩膜基板、發(fā)光功能層、電路控制系統(tǒng)和邊框，等等，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)該顯示裝置的具體類型進(jìn)行設(shè)計和補(bǔ)充，在此不再贅述。

綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施例，本發(fā)明提出了一種顯示裝置，其光電探測結(jié)構(gòu)的光電效率更高和識別能力更靈敏，并且該顯示裝置的良品率更高、制造成本更低，具有工業(yè)化批量生產(chǎn)的潛力。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，前面針對光電探測結(jié)構(gòu)、陣列基板所描述的特征和優(yōu)點，仍適用于該顯示裝置，在此不再贅述。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”、“順時針”、“逆時針”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的描述中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通或兩個元件的相互作用關(guān)系。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個該特征。在本發(fā)明的描述中，“多個”的含義是至少兩個，例如兩個，三個等，除非另有明確具體的限定。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不必須針對的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實施例或示例以及不同實施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，可以理解的是，上述實施例是示例性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述實施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。