本公開涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、陣列基板制作方法以及包含該陣列基板的顯示裝置。

背景技術(shù)：

psva(polmerstabilizedvertivallyaligned，聚合物穩(wěn)定垂直排列方式)模式因其暗態(tài)表現(xiàn)好、對(duì)比度高、曲面漏光小等特點(diǎn)，已經(jīng)成為液晶電視的主流技術(shù)。為克服va(vertivallyalignment，垂直排列模式)視角問(wèn)題，人們采用4籌、8籌等設(shè)計(jì)，大大提升了大視角下的表現(xiàn)。目前psva具有較優(yōu)異的暗態(tài)和曲面漏光表現(xiàn)，通過(guò)將像素電極設(shè)計(jì)成梳狀等形狀，可以實(shí)現(xiàn)8籌，可彌補(bǔ)側(cè)視角的漏光和顏色失真問(wèn)題。為達(dá)到psva技術(shù)的極致，像素電極排列必須具有極佳的工藝均勻性，否則對(duì)產(chǎn)品畫質(zhì)有很大影響。而控制工藝均勻性通常需要管控曝光均勻性和刻蝕均勻性，兩者的工藝疊加導(dǎo)致結(jié)果產(chǎn)生偏差和波動(dòng)，特別是刻蝕工序的均勻性較差。

另外，相關(guān)技術(shù)中常將cf(color-filter，彩膜層)設(shè)置于陣列基板內(nèi)，即coa(color-filteronarray，彩膜層制備在陣列基板)技術(shù)。目前在psva模式下，常采用氮化硅sinx作為coa技術(shù)中cf的隔離層，以防止cf中的污染物擴(kuò)散進(jìn)入液晶。但該方案存在兩個(gè)問(wèn)題：一是相關(guān)技術(shù)中若要形成隔離效果較好的隔離層，則需要采用高溫沉積，但由于cf中色阻不耐高溫，因此只能低溫沉積sinx，進(jìn)而導(dǎo)致sinx膜質(zhì)疏松隔離效果差，易產(chǎn)生氣泡；二是形成sinx隔離層需要使形成有上述cf的基板進(jìn)入cvd(chemicalvapordeposition，化學(xué)氣相沉積)腔室進(jìn)行低溫沉積，則cf中的色阻可能會(huì)擴(kuò)散至cvd腔室進(jìn)而造成污染，從而縮短了cvd腔室維護(hù)周期，提高維護(hù)成本，影響產(chǎn)能。因此有必要提出更好的解決方案。

需要說(shuō)明的是，在上述背景技術(shù)部分公開的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的目的在于提供一種陣列基板、陣列基板制作方法以及包含該陣列基板的顯示裝置，進(jìn)而至少在一定程度上克服由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺陷而導(dǎo)致的一個(gè)或者多個(gè)問(wèn)題。

根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供一種陣列基板，包括：

襯底基板；

位于所述襯底基板之上的薄膜晶體管層；

位于所述薄膜晶體管層之上的鈍化層；

位于所述鈍化層之上的色阻層；以及

位于所述色阻層之上、用于隔離所述色阻層的有機(jī)絕緣層。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述陣列基板還包括：

位于所述有機(jī)絕緣層之上的像素電極層，所述像素電極層包括間隔設(shè)置的第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域?yàn)榻?jīng)過(guò)導(dǎo)體化處理的導(dǎo)電區(qū)域，所述第二區(qū)域?yàn)槲唇?jīng)過(guò)導(dǎo)體化處理的非導(dǎo)電區(qū)域。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述像素電極層包括氧化物半導(dǎo)體層。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述氧化物半導(dǎo)體層包括銦鎵鋅氧化物、鋅錫氧化物以及鋅銦氧化物中的一種或多種。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述第一區(qū)域包括所述氧化物半導(dǎo)體層經(jīng)過(guò)氫等離子處理形成的區(qū)域。

根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供一種顯示裝置，包括如上述任意一項(xiàng)所述的陣列基板。

根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供一種陣列基板制造方法，包括在襯底基板上依次形成的薄膜晶體管層以及鈍化層，還包括：

在所述鈍化層上涂覆第一顏色光刻膠，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成第一顏色色阻區(qū)圖案；

在所述鈍化層上涂覆第二顏色光刻膠，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成第二顏色色阻區(qū)圖案；

在所述鈍化層上涂覆第三顏色光刻膠，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成第三顏色色阻區(qū)圖案；

在所述第一顏色色阻區(qū)、第二顏色色阻區(qū)以及第三顏色色阻區(qū)之上涂覆有機(jī)絕緣膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成有機(jī)絕緣層。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，還包括：在所述有機(jī)絕緣層上形成像素電極層；所述形成像素電極層包括：

在所述有機(jī)絕緣層上沉積氧化物半導(dǎo)體層；

對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體層中的第一區(qū)域進(jìn)行導(dǎo)體化處理。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，所述氧化物半導(dǎo)體層包括銦鎵鋅氧化物、鋅錫氧化物以及鋅銦氧化物中的一種或多種。

在本公開的一種示例性實(shí)施例中，對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體層中的第一區(qū)域進(jìn)行導(dǎo)體化處理包括：

在所述氧化物半導(dǎo)體層上涂覆第一光刻膠，并通過(guò)曝光顯影去除所述第一區(qū)域上方的所述第一光刻膠；

對(duì)所述第一區(qū)域進(jìn)行氫等離子處理；

剝離所述氧化物半導(dǎo)體層上剩余的所述第一光刻膠。

由上述技術(shù)方案可知，本公開提供的一種陣列基板，其優(yōu)點(diǎn)和積極效果在于：

本公開提供的一種陣列基板，包括：襯底基板，位于襯底基板之上的薄膜晶體管層，位于薄膜晶體管層之上的鈍化層，位于鈍化層之上的色阻層，以及位于色阻層之上、用于隔離色阻層的有機(jī)絕緣層。

一方面，將色阻層直接制作在陣列基板內(nèi)，能夠有效解決液晶顯示裝置對(duì)盒工藝中因?qū)ξ黄钤斐傻穆┕獾葐?wèn)題，進(jìn)而提升顯示開口率。

另一方面，現(xiàn)有技術(shù)中由于在不耐高溫的色阻層上無(wú)法實(shí)現(xiàn)高溫沉積sinx而只能選擇低溫沉積sinx，進(jìn)而導(dǎo)致低溫形成的sinx膜質(zhì)疏松隔離效果差，易產(chǎn)生氣泡；本公開采用有機(jī)絕緣層替代氮化硅作為色阻層的隔離層，不僅可以提高隔離效果，而且無(wú)需低溫沉積工藝，從而可以避免形成有cf的基板進(jìn)入cvd腔室導(dǎo)致cf中的色阻擴(kuò)散至cvd腔室進(jìn)而造成污染，進(jìn)而可以延長(zhǎng)cvd腔室的維護(hù)周期，降低維護(hù)成本，提高產(chǎn)能。

本公開的其他特性和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)下面的詳細(xì)描述變得顯然，或部分地通過(guò)本公開的實(shí)踐而習(xí)得。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開。

附圖說(shuō)明

此處的附圖被并入說(shuō)明書中并構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分，示出了符合本公開的實(shí)施例，并與說(shuō)明書一起用于解釋本公開的原理。顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本公開的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1示意性示出本公開示例性實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2示意性示出本公開示例性實(shí)施例中陣列基板的制備方法流程圖；

圖3示意性示出本公開示例性實(shí)施例中陣列基板的制備過(guò)程示意圖一；

圖4示意性示出本公開示例性實(shí)施例中陣列基板的制備過(guò)程示意圖二；

圖5示意性示出本公開示例性實(shí)施例中陣列基板的制備過(guò)程示意圖三。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式能夠以多種形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的范例；相反，提供這些實(shí)施方式使得本公開將更加全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個(gè)或更多實(shí)施方式中。在下面的描述中，提供許多具體細(xì)節(jié)從而給出對(duì)本公開的實(shí)施方式的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到，可以實(shí)踐本公開的技術(shù)方案而省略所述特定細(xì)節(jié)中的一個(gè)或更多，或者可以采用其它的方法、組元、裝置、步驟等。在其它情況下，不詳細(xì)示出或描述公知技術(shù)方案以避免喧賓奪主而使得本公開的各方面變得模糊。

雖然本說(shuō)明書中使用相對(duì)性的用語(yǔ)，例如“上”、“下”來(lái)描述圖標(biāo)的一個(gè)組件對(duì)于另一組件的相對(duì)關(guān)系，但是這些術(shù)語(yǔ)用于本說(shuō)明書中僅出于方便，例如根據(jù)附圖中所述的示例的方向。能理解的是，如果將圖標(biāo)的裝置翻轉(zhuǎn)使其上下顛倒，則所敘述在“上”的組件將會(huì)成為在“下”的組件。當(dāng)某結(jié)構(gòu)在其它結(jié)構(gòu)“上”時(shí)，有可能是指某結(jié)構(gòu)一體形成于其它結(jié)構(gòu)上，或指某結(jié)構(gòu)“直接”設(shè)置在其它結(jié)構(gòu)上，或指某結(jié)構(gòu)通過(guò)另一結(jié)構(gòu)“間接”設(shè)置在其它結(jié)構(gòu)上。

用語(yǔ)“一個(gè)”、“一”、“該”和“所述”用以表示存在一個(gè)或多個(gè)要素/組成部分/等；用語(yǔ)“包括”和“具有”用以表示開放式的包括在內(nèi)的意思并且是指除了列出的要素/組成部分/等之外還可存在另外的要素/組成部分/等；用語(yǔ)“第一”和“第二”等僅作為標(biāo)記使用，不是對(duì)其對(duì)象的數(shù)量限制。

本示例實(shí)施方式提出了一種陣列基板，參照?qǐng)D1所示，該陣列基板可以包括：襯底基板10；位于襯底基板10之上的薄膜晶體管層20；位于薄膜晶體管層20之上的鈍化層30；位于鈍化層30之上的色阻層40；以及位于色阻層40之上、用于隔離色阻層40的有機(jī)絕緣層50。當(dāng)然，本公開提供的陣列基板還可以包括如取向?qū)拥绕渌?，本示例?shí)施方式對(duì)此不做特殊限制。

根據(jù)本示例實(shí)施例中的陣列基板，一方面，將色阻層40直接制作在陣列基板內(nèi)，能夠有效解決液晶顯示裝置對(duì)盒工藝中因?qū)ξ黄钤斐傻穆┕獾葐?wèn)題，進(jìn)而提升顯示開口率。另一方面，現(xiàn)有技術(shù)中由于在不耐高溫的色阻層上無(wú)法實(shí)現(xiàn)高溫沉積sinx而只能選擇低溫沉積sinx，進(jìn)而導(dǎo)致低溫形成的sinx膜質(zhì)疏松隔離效果差，易產(chǎn)生氣泡；本公開采用有機(jī)絕緣層替代氮化硅作為色阻層的隔離層，不僅可以提高隔離效果，而且無(wú)需低溫沉積工藝，從而可以避免形成有cf的基板進(jìn)入cvd腔室導(dǎo)致cf中的色阻擴(kuò)散至cvd腔室進(jìn)而造成污染，進(jìn)而可以延長(zhǎng)cvd腔室的維護(hù)周期，降低維護(hù)成本，提高產(chǎn)能。

在本示例實(shí)施方式中，襯底基板10可以為玻璃基板或者柔性基板；其中，柔性基板的材質(zhì)可以包括pen(polyethylenenaphthalate，聚萘二甲酸乙二醇酯)、pet(polyethyleneterephthalate，聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)、以及pi(polyimide，聚酰亞胺)等柔性材料中的任一種。

在本示例實(shí)施方式中，參照?qǐng)D1所示，薄膜晶體管層20可以包括柵極201、柵絕緣層202、半導(dǎo)體有源層203、源極204和漏極205。其中，半導(dǎo)體有源層203的材質(zhì)可以為非晶硅或者多晶硅，也可以為金屬氧化物半導(dǎo)體例如igzo(indiumgalliumzincoxide，銦鎵鋅氧化物)和itzo((indiumtinzincoxide，銦錫鋅氧化物)等中的一種或多種。柵絕緣層202可以為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，其材質(zhì)可以包括氧化硅sio2、氮化硅sinx、以及氮氧化硅sion中的一種或多種，例如sio2單層結(jié)構(gòu)、sinx/sio2雙層結(jié)構(gòu)、sion/sio2雙層結(jié)構(gòu)、以及sinx/sion/sio2三層結(jié)構(gòu)等。

需要說(shuō)明的是：在本示例實(shí)施方式中，薄膜晶體管層20的結(jié)構(gòu)可以為底柵結(jié)構(gòu)，在其他的示例實(shí)施方式中，薄膜晶體管層20的結(jié)構(gòu)也可以為頂柵結(jié)構(gòu)，需保證其漏極205與像素電極之間電連接即可，從而有利于實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管層20的功能。

在本示例實(shí)施方式中，鈍化層30的結(jié)構(gòu)及材質(zhì)可以與柵絕緣層202的結(jié)構(gòu)及材質(zhì)相類似。具體而言，鈍化層30的結(jié)構(gòu)可以為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，其材質(zhì)可以包括氧化硅sio2、氮化硅sinx、以及氮氧化硅sion中的一種或多種，例如sio2單層結(jié)構(gòu)、sinx/sio2雙層結(jié)構(gòu)、sion/sio2雙層結(jié)構(gòu)、以及sinx/sion/sio2三層結(jié)構(gòu)等。

其中，薄膜晶體管層20的漏極205與像素電極之間需要保持電連接，則可能需要在鈍化層30中形成過(guò)孔。

在本示例實(shí)施方式中，所述色阻層40可以包括紅色圖案層、綠色圖案層以及藍(lán)色圖案層，也可以包括白色等其他顏色圖案層，本示例實(shí)施方式對(duì)此不做特殊限制。

為了避免色阻層40中的污染物擴(kuò)散進(jìn)入液晶，相關(guān)技術(shù)中通常在色阻層40上涂覆氮化硅sinx，后經(jīng)固化形成色阻層40的隔離層。但該種方案存在兩個(gè)問(wèn)題：一是現(xiàn)有技術(shù)中常采用高溫沉積sinx形成隔離效果較好的隔離層，但由于cf色阻不耐高溫，只得低溫沉積sinx，進(jìn)而導(dǎo)致sinx膜質(zhì)疏松隔離效果差，易產(chǎn)生氣泡；二是形成sinx隔離層需要使形成有cf的基板進(jìn)入cvd腔室進(jìn)行低溫沉積，則cf中的色阻可能會(huì)擴(kuò)散至cvd腔室進(jìn)而造成污染，從而縮短了cvd腔室維護(hù)周期，提高維護(hù)成本，影響產(chǎn)能。因此有必要提出更好的解決方案。

基于上述問(wèn)題，在本示例實(shí)施方式中，可以采用有機(jī)絕緣層50替代氮化硅作為色阻層40的隔離層。應(yīng)該考慮的是，由于薄膜晶體管層20的漏極205與像素電極之間需要保持電連接，則可能需要在有機(jī)絕緣層50和/或鈍化層30中設(shè)置過(guò)孔，因此有機(jī)絕緣層50和/或鈍化層30需要進(jìn)行圖案化設(shè)計(jì)。為了方便光刻，有機(jī)絕緣層50的材料可以采用可進(jìn)行光刻的材料，具體可以包括聚酰亞胺樹脂，也可以包括聚乙烯以及聚四氟乙烯中的一種或多種，本示例實(shí)施方式對(duì)此不做特殊限制。

在本示例實(shí)施方式中，陣列基板還可以包括位于有機(jī)絕緣層50之上的像素電極層60，像素電極層60可以包括間隔設(shè)置的第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域?yàn)榻?jīng)過(guò)導(dǎo)體化處理的導(dǎo)電區(qū)域即像素電極601，第一區(qū)域的形狀可以為梳狀，梳狀的像素電極601在端部相連，第二區(qū)域?yàn)槲唇?jīng)過(guò)導(dǎo)體化處理的非導(dǎo)電區(qū)域。

進(jìn)一步的，像素電極層60可以包括氧化物半導(dǎo)體層，氧化半導(dǎo)體材料可以包括銦鎵鋅氧化物、鋅錫氧化物以及鋅銦氧化物中的一種或多種，之后在光刻膠掩膜下通過(guò)氫等離子處理將第一區(qū)域形成導(dǎo)電區(qū)域。

在此基礎(chǔ)上，當(dāng)薄膜晶體管層20為圖1所示的底柵結(jié)構(gòu)時(shí)，像素電極601可以通過(guò)貫穿于鈍化層30及有機(jī)絕緣層50的第一過(guò)孔801與薄膜晶體層20的漏極205實(shí)現(xiàn)電連接，以在該薄膜晶體管層20導(dǎo)通時(shí)接收數(shù)據(jù)線傳輸?shù)臄?shù)據(jù)電壓信號(hào)。

在本示例實(shí)施方式中，參照?qǐng)D1所示，陣列基板還可以包括與薄膜晶體管層20的柵極201同層設(shè)置的公共電極線70，且該公共電極線70的材質(zhì)可與薄膜晶體管層20的柵極201材質(zhì)相同。

進(jìn)一步的，公共電極線70可以通過(guò)貫穿于柵絕緣層202、鈍化層30和有機(jī)絕緣層50的第二過(guò)孔802與公共電極701實(shí)現(xiàn)電連接，公共電極701可以接收該公共電極線70傳輸?shù)墓搽妷盒盘?hào)。這樣一來(lái)，像素電極601和公共電極701便可以分別獲取各自所需的電壓信號(hào)，從而產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)液晶偏轉(zhuǎn)的電場(chǎng)。本示例實(shí)施例中，參照?qǐng)D1所示，像素電極601與公共電極701分別設(shè)置在不同的基板上，當(dāng)然在其他的實(shí)施例中像素電極601與公共電極701也可以均設(shè)置在陣列基板；例如在ips(in-planeswitching，平面轉(zhuǎn)換)顯示模式中，像素電極與公共電極為狹縫電極，兩者可以均形成在陣列基板上，且像素電極與公共電極的狹縫交錯(cuò)設(shè)置，則像素電極與公共電極可以進(jìn)行圖案化設(shè)計(jì)。

本示例實(shí)施方式還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。此外，該顯示裝置還可以包括上基板、膠框、背光膜組、偏光片等其他部分。本示例性實(shí)施例中對(duì)此不做特殊限定。其中，所述顯示裝置例如可以包括手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

本示例實(shí)施方式還提供了一種陣列基板制造方法，包括在襯底基板10上依次形成的薄膜晶體管層20以及鈍化層30。參照?qǐng)D2～圖5所示，該陣列基板的制造方法可以包括：

s910、在鈍化層30上涂覆第一顏色光刻膠，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成第一顏色色阻區(qū)圖案；

s920、在鈍化層30上涂覆第二顏色光刻膠，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成第二顏色色阻區(qū)圖案；

s930、在鈍化層30上涂覆第三顏色光刻膠，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成第三顏色色阻區(qū)圖案；

s940、在第一顏色色阻區(qū)、第二顏色色阻區(qū)以及第三顏色色阻區(qū)之上涂覆有機(jī)絕緣膜，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成有機(jī)絕緣層50。

下面結(jié)合附圖對(duì)本示例實(shí)施方式中陣列基板的制備過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)的描述。

在步驟s910中，上述第一顏色光刻膠例如可以是紅色(red)光刻膠，也可以是其他顏色光刻膠，例如可以是藍(lán)色或者黃色等等；本示例實(shí)施方式對(duì)此不做特殊限制。詳細(xì)而言：在鈍化層30上涂覆紅色光刻膠，并利用掩模版對(duì)其曝光顯影，以形成第一顏色色阻區(qū)圖案(紅色圖案層)。

在步驟s920中，在本示例實(shí)施方式中，上述第二顏色光刻膠例如可以是綠色(green)光刻膠，也可以是其他顏色光刻膠，例如可以是紅色或者黃色等等；本示例實(shí)施方式對(duì)此不做特殊限制。詳細(xì)而言：在鈍化層30上涂覆綠色光刻膠，并利用掩模版對(duì)其曝光顯影，以形成第二顏色色阻區(qū)圖案(綠色圖案層)。

在步驟s930中，在本示例實(shí)施方式中，上述第三顏色光刻膠例如可以是藍(lán)色(blue)光刻膠，也可以是其他顏色光刻膠，例如可以是紅色或者黃色等等；本示例實(shí)施方式對(duì)此不做特殊限制。詳細(xì)而言：在鈍化層30上涂覆藍(lán)色光刻膠，并利用掩模版對(duì)其曝光顯影，以形成第三顏色色阻區(qū)圖案(藍(lán)色圖案層)。

在步驟s940中，有機(jī)絕緣層50的材料則可以采用可進(jìn)行光刻的材料，具體可以包括聚酰亞胺樹脂，也可以包括聚乙烯以及聚四氟乙烯中的一種或多種，本示例實(shí)施方式對(duì)此不做特殊限制。詳細(xì)而言：在上述s910～s930步驟中形成的三種顏色色阻區(qū)形成的色阻層40之上涂覆有機(jī)絕緣膜，并通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在所述有機(jī)絕緣膜中形成貫穿于鈍化層30及有機(jī)絕緣層50的第一過(guò)孔801以及貫穿于柵絕緣層202、鈍化層30及有機(jī)絕緣層50的第二過(guò)孔802。

需要說(shuō)明的是：由于薄膜晶體管層20的漏極205與像素電極之間需要保持電連接，則可能需要在有機(jī)絕緣層50和/或鈍化層30中形成過(guò)孔，即如圖3中所示第一過(guò)孔801。因此有機(jī)絕緣層50和/或鈍化層30需要進(jìn)行圖案化設(shè)計(jì)。當(dāng)需要在鈍化層30中形成過(guò)孔時(shí)，可以在本步驟中同時(shí)對(duì)有機(jī)絕緣層50以及鈍化層30進(jìn)行一次構(gòu)圖處理，也可以在形成鈍化層30之后單獨(dú)對(duì)有機(jī)絕緣層50進(jìn)行一次構(gòu)圖處理，本實(shí)施例優(yōu)先前者。

在本示例實(shí)施方式中，陣列基板制造方法還可以包括在有機(jī)絕緣層50上形成像素電極層60。參照?qǐng)D4～圖5所示，形成像素電極層60的材料則可以采用氧化物半導(dǎo)體材料，氧化半導(dǎo)體材料可以包括銦鎵鋅氧化物、鋅錫氧化物以及鋅銦氧化物中的一種或多種，本示例實(shí)施方式對(duì)此不做特殊限制。

像素電極層60可以包括間隔設(shè)置的第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域?yàn)榻?jīng)過(guò)導(dǎo)體化處理的導(dǎo)電區(qū)域即像素電極601，第一區(qū)域的形狀可以為梳狀，梳狀的像素電極601可以在端部相連，余下的第二區(qū)域?yàn)槲唇?jīng)過(guò)導(dǎo)體化處理的非導(dǎo)電區(qū)域。

詳細(xì)而言，在有機(jī)絕緣層50上沉積氧化物半導(dǎo)體層，在其上涂覆第一光刻膠并利用掩模版對(duì)其曝光，再對(duì)曝光后的基板進(jìn)行顯影，以去除第一區(qū)域上方的第一光刻膠，對(duì)暴露出的第一區(qū)域進(jìn)行氫等離子處理；隨后剝離氧化物半導(dǎo)體層上剩余的光刻膠，以在平坦的氧化物半導(dǎo)體層中形成梳狀的像素電極601。需要補(bǔ)充的是，所述掩模版上預(yù)設(shè)與第一區(qū)域相應(yīng)的圖案，圖案可以為梳狀，也可以為其他形狀，本實(shí)施例在此不做具體限定。此種成膜方式使得形成的像素電極無(wú)須刻蝕工序，進(jìn)而提高圖形的均勻性。

在此基礎(chǔ)上，當(dāng)薄膜晶體管層20為圖1所示的底柵結(jié)構(gòu)時(shí)，像素電極601可以通過(guò)貫穿于鈍化層30及有機(jī)絕緣層50的第一過(guò)孔801與薄膜晶體管層20的漏極205實(shí)現(xiàn)電連接，以在該薄膜晶體管層20導(dǎo)通時(shí)接收數(shù)據(jù)線傳輸?shù)臄?shù)據(jù)電壓信號(hào)。

此外，參照?qǐng)D1所示，像素電極層60還可以包括一用于導(dǎo)通公共電極線70及公共電極701的導(dǎo)電區(qū)域602，該導(dǎo)電區(qū)域602可通過(guò)貫穿于柵絕緣層202、鈍化層30和有機(jī)絕緣層50的第二過(guò)孔802導(dǎo)通公共電極線70及公共電極701。這樣一來(lái)，公共電極701可以接收該公共電極線70傳輸?shù)墓搽妷盒盘?hào)。像素電極601和公共電極701便可以分別獲取各自所需的電壓信號(hào)，從而產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)液晶偏轉(zhuǎn)的電場(chǎng)。

需要說(shuō)明的是：上述第二過(guò)孔802依次貫穿于柵絕緣層202、鈍化層30和有機(jī)絕緣層50，因此有機(jī)絕緣層50、鈍化層30和/或柵絕緣層202需要進(jìn)行圖案化設(shè)計(jì)。當(dāng)需要在三者中形成過(guò)孔時(shí)，可以在步驟s940中形成有機(jī)絕緣層50的過(guò)程中同時(shí)對(duì)鈍化層30以及柵絕緣層202進(jìn)行一次構(gòu)圖處理形成第二過(guò)孔802；也可以在形成柵絕緣層202、鈍化層30之后單獨(dú)對(duì)有機(jī)絕緣層50進(jìn)行一次構(gòu)圖處理，本實(shí)施例優(yōu)先前者。

此外，盡管在附圖中以特定順序描述了本公開中方法的各個(gè)步驟，但是，這并非要求或者暗示必須按照該特定順序來(lái)執(zhí)行這些步驟，或是必須執(zhí)行全部所示的步驟才能實(shí)現(xiàn)期望的結(jié)果。附加的或備選的，可以省略某些步驟，將多個(gè)步驟合并為一個(gè)步驟執(zhí)行，以及/或者將一個(gè)步驟分解為多個(gè)步驟執(zhí)行等。

本領(lǐng)域技術(shù)人員在考慮說(shuō)明書及實(shí)踐這里公開的發(fā)明后，將容易想到本公開的其它實(shí)施方案。本申請(qǐng)旨在涵蓋本公開的任何變型、用途或者適應(yīng)性變化，這些變型、用途或者適應(yīng)性變化遵循本公開的一般性原理并包括本公開未公開的本技術(shù)領(lǐng)域中的公知常識(shí)或慣用技術(shù)手段。說(shuō)明書和實(shí)施例僅被視為示例性的，本公開的真正范圍和精神由所附的權(quán)利要求指出。