本發(fā)明涉及晶硅太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，尤其涉及一種p型面低反射率晶硅電池的制備方法。

背景技術(shù)：

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，人們對(duì)生活環(huán)境的要求也越來(lái)越高，光伏發(fā)電技術(shù)也越來(lái)越受到人們的關(guān)注；其中，晶硅太陽(yáng)能電池作為性能穩(wěn)定以及市場(chǎng)占有率最高的光伏電池，其技術(shù)的更新以及發(fā)展受到研發(fā)人員的廣泛關(guān)注。

但是，現(xiàn)有的晶硅電池由于p型面反射率高，降低了晶硅電池對(duì)光的吸收率，進(jìn)而降低晶硅太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種p型面低反射率晶硅電池的制備方法，該制備方法實(shí)現(xiàn)了p型面低反射率的晶硅電池，增強(qiáng)了電池對(duì)光的吸收率，進(jìn)而提高了晶硅太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種p型面低反射率晶硅電池的制備方法，所述制備方法包括：

提供一n型襯底；

在所述n型襯底的第一表面形成p型層；

在所述p型層背離所述n型襯底的一側(cè)生長(zhǎng)sio鈍化層；

在所述sio鈍化層背離所述p型層的一側(cè)生長(zhǎng)第一預(yù)設(shè)厚度的al2o3層；

在所述al2o3層背離所述sio鈍化層的一側(cè)生長(zhǎng)第二預(yù)設(shè)厚度的sin層；

在所述n型襯底的第二表面形成n型層；

在所述n型層背離所述n型襯底的一側(cè)生長(zhǎng)第三預(yù)設(shè)厚度的sin層；

其中，所述第一表面與所述第二表面相對(duì)設(shè)置。

優(yōu)選的，在上述制備方法中，所述第一預(yù)設(shè)厚度的al2o3層為6nm厚度的al2o3層。

優(yōu)選的，在上述制備方法中，所述第二預(yù)設(shè)厚度的sin層為60nm-100nm厚度之間的sin層。

優(yōu)選的，在上述制備方法中，所述第二預(yù)設(shè)厚度的sin層為69.9nm厚度的sin層。

優(yōu)選的，在上述制備方法中，所述第三預(yù)設(shè)厚度的sin層為79nm-80nm厚度之間的sin層。

優(yōu)選的，在上述制備方法中，所述在所述n型襯底的第一表面形成p型層包括：

在所述n型襯底的第一表面進(jìn)行b擴(kuò)散，進(jìn)而形成p型層。

優(yōu)選的，在上述制備方法中，所述第二預(yù)設(shè)厚度的sin層為含有h薄膜的sin層。

通過上述描述可知，本發(fā)明提供的一種p型面低反射率晶硅電池的制備方法包括：提供一n型襯底；在所述n型襯底的第一表面形成p型層；在所述p型層背離所述n型襯底的一側(cè)生長(zhǎng)sio鈍化層；在所述sio鈍化層背離所述p型層的一側(cè)生長(zhǎng)第一預(yù)設(shè)厚度的al2o3層；在所述al2o3層背離所述sio鈍化層的一側(cè)生長(zhǎng)第二預(yù)設(shè)厚度的sin層；在所述n型襯底的第二表面形成n型層；在所述n型層背離所述n型襯底的一側(cè)生長(zhǎng)第三預(yù)設(shè)厚度的sin層；其中，所述第一表面與所述第二表面相對(duì)設(shè)置。

通過優(yōu)化第一預(yù)設(shè)厚度的al2o3層以及第二預(yù)設(shè)厚度的sin層的厚度，降低p型層的反射率，增強(qiáng)晶硅電池對(duì)光的吸收率，進(jìn)而提高晶硅太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種p型面低反射率晶硅電池的制備方法的流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種晶硅電池的基本結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

參考圖1，圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種p型面低反射率晶硅電池的制備方法的流程示意圖；參考圖2，圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種晶硅電池的基本結(jié)構(gòu)示意圖。

所述制備方法包括：

s101：提供一n型襯底11；

具體的，n型晶硅電池具有少子壽命高，弱光響應(yīng)強(qiáng)，光衰低，抗pid能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。

s102：在所述n型襯底11的第一表面形成p型層12；

具體的，在所述n型襯底11的第一表面通過b擴(kuò)散形成p型層12，也就是說(shuō)，n型晶硅電池的發(fā)射極為b擴(kuò)散的p型層12。

s103：在所述p型層12背離所述n型襯底11的一側(cè)生長(zhǎng)sio鈍化層；

具體的，通過生長(zhǎng)sio鈍化層對(duì)n型晶硅電池起較好的保護(hù)作用。

s104：在所述sio鈍化層背離所述p型層12的一側(cè)生長(zhǎng)第一預(yù)設(shè)厚度的al2o3層；

具體的，由于p型層12少子為電子，因此還需要通過ald制備具有固定負(fù)電荷的al2o3層。

s105：在所述al2o3層背離所述sio鈍化層的一側(cè)生長(zhǎng)第二預(yù)設(shè)厚度的sin層；

具體的，由于al2o3層的折射率比較低，單獨(dú)的al2o3層并不能在晶硅電池的發(fā)射極表面形成較好的減反射效果，因此還需要生長(zhǎng)高折射率的sin層，通過優(yōu)化發(fā)射極表面形成較好的減反射層，進(jìn)而增強(qiáng)晶硅電池對(duì)光的吸收。

s106：在所述n型襯底11的第二表面形成n型層13；

s107：在所述n型層13背離所述n型襯底11的一側(cè)生長(zhǎng)第三預(yù)設(shè)厚度的sin層；

具體的，該第三預(yù)設(shè)厚度的sin層用于保護(hù)n型層13，起鈍化效果。

其中，所述第一表面與所述第二表面相對(duì)設(shè)置。

并且，在該n型晶硅電池上設(shè)置相對(duì)應(yīng)的電極結(jié)構(gòu)14。

在本發(fā)明實(shí)施例中，通過優(yōu)化第一預(yù)設(shè)厚度的al2o3層以及第二預(yù)設(shè)厚度的sin層的厚度，降低p型層的反射率，增強(qiáng)晶硅電池對(duì)光的吸收率，進(jìn)而提高晶硅太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。

基于本發(fā)明上述實(shí)施例，在本發(fā)明另一實(shí)施例中，所述第一預(yù)設(shè)厚度的al2o3層為6nm厚度的al2o3層。

具體的，首先確定al2o3層的折射率，改變al2o3層的折射率會(huì)改變al2o3層內(nèi)負(fù)電荷密度，降低了鈍化效果。在本發(fā)明實(shí)施例中確認(rèn)al2o3層的厚度為6nm，由于al2o3層太薄時(shí)，不能達(dá)到良好的鈍化效果；al2o3層太厚時(shí)，在后續(xù)的網(wǎng)印刷工藝中漿料很難燒穿al2o3層，導(dǎo)致金屬電極與硅片難以形成良好的歐姆接觸。

基于本發(fā)明上述實(shí)施例，在本發(fā)明另一實(shí)施例中，所述第二預(yù)設(shè)厚度的sin層為60nm-100nm厚度之間的sin層。

具體的，首先確定sin層的折射率，雖然更高折射率的sin層可以增強(qiáng)減反射效果，但是間接的也增加了成本；因此通過優(yōu)化sin層的厚度，使之在60nm-100nm厚度之間；由于sin層太薄時(shí)，不能達(dá)到良好的鈍化效果；sin層太厚時(shí)，在后續(xù)的網(wǎng)印刷工藝中漿料很難燒穿sin層，導(dǎo)致金屬電極與硅片難以形成良好的歐姆接觸。

基于本發(fā)明上述實(shí)施例，在本發(fā)明另一實(shí)施例中，所述第二預(yù)設(shè)厚度的sin層為69.9nm厚度的sin層。

具體的，通過實(shí)際情況實(shí)驗(yàn)測(cè)試得到，sin層的最佳厚度為69.9nm，通過與6nm的al2o3層組合獲得在350nm-1000nm光譜范圍內(nèi)的平均反射率為11.63％，與現(xiàn)有技術(shù)中采用83nm厚度的sin層在350nm-1000nm光譜范圍內(nèi)的平均反射率相比較降低了1.13％；具體數(shù)據(jù)請(qǐng)參考表1；

表1原si片與不同膜系的平均反射率

基于本發(fā)明上述實(shí)施例，在本發(fā)明另一實(shí)施例中，所述第二預(yù)設(shè)厚度的sin層為含有h薄膜的sin層。

具體的，含有h薄膜的sin層，由于h⁺在sin層與硅片內(nèi)的擴(kuò)散可以降低體缺陷和表面態(tài)密度，進(jìn)一步提高晶硅電池發(fā)射極的鈍化水平，降低晶硅電池發(fā)電過程中的少子復(fù)合。

基于本發(fā)明上述實(shí)施例，在本發(fā)明另一實(shí)施例中，所述第三預(yù)設(shè)厚度的sin層為79nm-80nm厚度之間的sin層。

具體的，該第三預(yù)設(shè)厚度的sin層用于保護(hù)n型層，起鈍化效果。

基于本發(fā)明上述全部實(shí)施例，通過該制備方法制備的晶硅電池，降低了p型面的反射率，增強(qiáng)了電池對(duì)光的吸收率，進(jìn)而提高了晶硅太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。

對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。