技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種氟注入增強型HEMT器件中離化氟離子位置的測量方法，主要解決目前測量器件離化氟離子位置無法測量的問題。其實現方案是：首先測量器件的閾值電壓；其次對器件施加反向應力，同時監(jiān)測并統(tǒng)計器件的源漏電流和柵極電流；最后測量施加應力后的器件的閾值電壓，根據測量結果計算F注入增強型HEMT器件勢壘層內離化F離子的空間位置。本發(fā)明具有測量方法簡單可靠，測試結果準確的優(yōu)點，有利于提高后續(xù)對器件性能評估的準確性，可用于增強型HEMT器件的工藝優(yōu)化與分析表征。

技術研發(fā)人員：鄭雪峰;王士輝;吉鵬;王穎哲;馬曉華;郝躍
受保護的技術使用者：西安電子科技大學
技術研發(fā)日：2017.05.27
技術公布日：2017.10.10