本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，特別是涉及一種人臉識(shí)別芯片的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。

背景技術(shù)：

隨著集成電路的功能越來(lái)越強(qiáng)、性能和集成度越來(lái)越高，以及新型的集成電路出現(xiàn)，封裝技術(shù)在集成電路產(chǎn)品中扮演著越來(lái)越重要的角色，在整個(gè)電子系統(tǒng)的價(jià)值中所占的比例越來(lái)越大。同時(shí)，隨著集成電路特征尺寸達(dá)到納米級(jí)，晶體管向更高密度、更高的時(shí)鐘頻率發(fā)展，封裝也向更高密度的方向發(fā)展。

由于扇出晶圓級(jí)封裝(fowlp)技術(shù)由于具有小型化、低成本和高集成度等優(yōu)點(diǎn)，以及具有更好的性能和更高的能源效率，扇出晶圓級(jí)封裝(fowlp)技術(shù)已成為高要求的移動(dòng)/無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)等電子設(shè)備的重要的封裝方法，是目前最具發(fā)展前景的封裝技術(shù)之一。

人臉識(shí)別，特指利用分析比較人臉視覺(jué)特征信息進(jìn)行身份鑒別的計(jì)算機(jī)技術(shù)。人臉識(shí)別是用攝像機(jī)或攝像頭采集含有人臉的圖像或視頻流，并自動(dòng)在圖像中檢測(cè)和跟蹤人臉，進(jìn)而對(duì)檢測(cè)到的人臉進(jìn)行臉部的一系列相關(guān)技術(shù)。人臉識(shí)別的優(yōu)勢(shì)在于其自然性和不被被測(cè)個(gè)體察覺(jué)的特點(diǎn)。所謂自然性，是指該識(shí)別方式同人類(lèi)(甚至其他生物)進(jìn)行個(gè)體識(shí)別時(shí)所利用的生物特征相同。例如人臉識(shí)別，人類(lèi)也是通過(guò)觀(guān)察比較人臉區(qū)分和確認(rèn)身份的，另外具有自然性的識(shí)別還有語(yǔ)音識(shí)別、體形識(shí)別等，而指紋識(shí)別、虹膜識(shí)別等都不具有自然性，因?yàn)槿祟?lèi)或者其他生物并不通過(guò)此類(lèi)生物特征區(qū)別個(gè)體。不被察覺(jué)的特點(diǎn)對(duì)于一種識(shí)別方法也很重要，這會(huì)使該識(shí)別方法不令人反感，并且因?yàn)椴蝗菀滓鹑说淖⒁舛蝗菀妆黄垓_。人臉識(shí)別具有這方面的特點(diǎn)，它完全利用可見(jiàn)光獲取人臉圖像信息，而不同于指紋識(shí)別或者虹膜識(shí)別，需要利用電子壓力傳感器采集指紋，或者利用紅外線(xiàn)采集虹膜圖像，這些特殊的采集方式很容易被人察覺(jué)，從而更有可能被偽裝欺騙。

人臉識(shí)別主要用于身份識(shí)別。由于視頻監(jiān)控正在快速普及，眾多的視頻監(jiān)控應(yīng)用迫切需要一種遠(yuǎn)距離、用戶(hù)非配合狀態(tài)下的快速身份識(shí)別技術(shù)，以求遠(yuǎn)距離快速確認(rèn)人員身份，實(shí)現(xiàn)智能預(yù)警。人臉識(shí)別技術(shù)無(wú)疑是最佳的選擇，采用快速人臉檢測(cè)技術(shù)可以從監(jiān)控視頻圖像中實(shí)時(shí)查找人臉，并與人臉數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行實(shí)時(shí)比對(duì)，從而實(shí)現(xiàn)快速身份識(shí)別。

現(xiàn)有的一種人臉識(shí)別芯片的封裝結(jié)構(gòu)如圖1所示，其主要包括第一玻璃板101、具有識(shí)別區(qū)域110的人臉識(shí)別芯片104，所述人臉識(shí)別芯片104通過(guò)鍵合層102封裝形成封裝腔103，所述人臉識(shí)別芯片104上封裝有第二玻璃板109，所述人臉識(shí)別側(cè)壁依次形成有聚合物105、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)106以及絕緣結(jié)構(gòu)107，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)將所述人臉識(shí)別芯片104進(jìn)行電性引出至第二玻璃板109的表面，所述第二玻璃板上形成有與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接的焊球結(jié)構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)所述人臉識(shí)別芯片104的引出。

上述的人臉識(shí)別芯片封裝結(jié)構(gòu)具有以下缺點(diǎn)：

第一，采用上下兩層玻璃蓋板進(jìn)行封裝，封裝結(jié)構(gòu)的機(jī)械性能較差，芯片的耐用性能不佳；

第二，封裝結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，封裝的成本較高；

第三，在制程過(guò)程中，需要多次對(duì)玻璃進(jìn)行加工，如第二玻璃蓋板109的腐蝕，以及后續(xù)切割工藝中，需要同時(shí)對(duì)所述第一玻璃蓋板101以及第二玻璃蓋板進(jìn)行切割，玻璃加工難度高，導(dǎo)致工藝成本非常高。

第四，對(duì)人臉識(shí)別芯片側(cè)面的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的保護(hù)較為薄弱，容易造成芯片失效。

基于以上所述，提供一種工藝簡(jiǎn)單，低成本以及高機(jī)械強(qiáng)度的人臉識(shí)別芯片的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法實(shí)屬必要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種人臉識(shí)別芯片的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中人臉識(shí)別芯片封裝工藝復(fù)雜、成本高及機(jī)械強(qiáng)度較差的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種人臉識(shí)別芯片的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：重新布線(xiàn)層，包括第一面以及與所述第一面相對(duì)的第二面，所述重新布線(xiàn)層的第一面制作有凸點(diǎn)下金屬及金屬凸塊；人臉識(shí)別芯片，裝設(shè)于所述重新布線(xiàn)層的第二面上，其中，所述人臉識(shí)別芯片的背面朝向于所述重新布線(xiàn)層；玻璃蓋板，封裝于所述人臉識(shí)別芯片上，形成封裝腔，其中，所述人臉識(shí)別芯片的焊盤(pán)位于所述封裝腔之外；導(dǎo)線(xiàn)，連接于所述人臉識(shí)別芯片的焊盤(pán)及所述重新布線(xiàn)層，以實(shí)現(xiàn)所述人臉識(shí)別芯片與所述重新布線(xiàn)層的電性連接；封裝材料，包圍于所述人臉識(shí)別芯片、所述導(dǎo)線(xiàn)以及所述玻璃蓋板四周，且所述玻璃蓋板露出于所述封裝材料。

優(yōu)選地，所述重新布線(xiàn)層包括圖形化的介質(zhì)層以及圖形化的金屬布線(xiàn)層。

進(jìn)一步地，所述介質(zhì)層的材料包括環(huán)氧樹(shù)脂、硅膠、pi、pbo、bcb、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一種或兩種以上組合，所述金屬布線(xiàn)層的材料包括銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種或兩種以上組合。

優(yōu)選地，所述金屬凸塊包括銅柱、位于所述銅柱上表面的鎳層、以及位于所述鎳層上的焊料凸點(diǎn)。

進(jìn)一步地，所述金屬阻擋層包括鎳層，所述焊料凸點(diǎn)的材料包括鉛、錫及銀中的一種或包含上述任意一種焊料金屬的合金。

優(yōu)選地，所述人臉識(shí)別芯片包括基底，形成于所述基底上的人臉識(shí)別區(qū)域以及形成于所述基底邊緣區(qū)域的焊盤(pán)，所述焊盤(pán)與所述人臉識(shí)別區(qū)域電性連接，所述玻璃蓋板封裝于所述人臉識(shí)別芯片的基底，形成封裝腔，其中，所述人臉識(shí)別芯片的焊盤(pán)位于所述封裝腔之外。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)線(xiàn)的材料包括au、ag、cu、al中的一種。

優(yōu)選地，所述封裝材料的頂面與所述玻璃蓋板的頂面持平。

優(yōu)選地，所述玻璃蓋板基于金錫鍵合層封裝于所述人臉識(shí)別芯片上，形成封裝腔。

優(yōu)選地，所述封裝材料包括聚酰亞胺、硅膠以及環(huán)氧樹(shù)脂中的一種。

本發(fā)明還提供一種人臉識(shí)別芯片的封裝方法，包括：1)提供一支撐襯底，于所述襯底表面形成分離層；2)于所述分離層上形成重新布線(xiàn)層，所述重新布線(xiàn)層包括朝向所述分離層的第一面以及與所述第一面相對(duì)的第二面；3)提供一人臉識(shí)別芯片，將所述人臉識(shí)別芯片裝設(shè)于所述重新布線(xiàn)層上，其中，所述人臉識(shí)別芯片的背面朝向于所述重新布線(xiàn)層；4)于所述人臉識(shí)別芯片上封裝玻璃蓋板，形成封裝腔，其中，所述人臉識(shí)別芯片的焊盤(pán)位于所述封裝腔之外；5)通過(guò)焊線(xiàn)工藝制作導(dǎo)線(xiàn)，以實(shí)現(xiàn)所述人臉識(shí)別芯片的焊盤(pán)與所述重新布線(xiàn)層的電性連接；6)采用封裝材料進(jìn)行封裝，所述玻璃蓋板露出于所述封裝材料；7)基于所述分離層分離所述支撐襯底與所述重新布線(xiàn)層，露出所述重新布線(xiàn)層的第一面；8)于所述重新布線(xiàn)層的第一面制作凸點(diǎn)下金屬及金屬凸塊。

優(yōu)選地，所述支撐襯底包括玻璃襯底、金屬襯底、半導(dǎo)體襯底、聚合物襯底及陶瓷襯底中的一種；所述分離層包括膠帶及聚合物層中的一種，所述聚合物層首先采用旋涂工藝涂覆于所述支撐襯底表面，然后采用紫外固化或熱固化工藝使其固化成型。

優(yōu)選地，步驟2)制作所述重新布線(xiàn)層包括步驟：2-1)采用化學(xué)氣相沉積工藝或物理氣相沉積工藝于所述分離層表面形成介質(zhì)層，并對(duì)所述介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕形成圖形化的介質(zhì)層；2-2)采用化學(xué)氣相沉積工藝、蒸鍍工藝、濺射工藝、電鍍工藝或化學(xué)鍍工藝于所述圖形化介質(zhì)層表面形成金屬層，并對(duì)所述金屬層進(jìn)行刻蝕形成圖形化的金屬布線(xiàn)層。

優(yōu)選地，所述介質(zhì)層的材料包括環(huán)氧樹(shù)脂、硅膠、pi、pbo、bcb、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一種或兩種以上組合，所述金屬布線(xiàn)層的材料包括銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種或兩種以上組合。

優(yōu)選地，所述人臉識(shí)別芯片包括基底，形成于所述基底上的人臉識(shí)別區(qū)域以及形成于所述基底邊緣區(qū)域的焊盤(pán)，所述焊盤(pán)與所述人臉識(shí)別區(qū)域電性連接，所述玻璃蓋板封裝于所述人臉識(shí)別芯片的基底，形成封裝腔，其中，所述人臉識(shí)別芯片的焊盤(pán)位于所述封裝腔之外。

優(yōu)選地，步驟4)中，基于金錫鍵合層于所述人臉識(shí)別芯片上封裝玻璃蓋板，形成封裝腔。

優(yōu)選地，步驟5)中，所述焊線(xiàn)工藝包括熱壓焊線(xiàn)工藝、超聲波焊線(xiàn)工藝及熱壓超聲波焊線(xiàn)工藝中的一種；所述導(dǎo)線(xiàn)的材料包括au、ag、cu、al中的一種。

優(yōu)選地，步驟8)包括：8-1)于所述重新布線(xiàn)層的第一面制作凸點(diǎn)下金屬；8-2)采用電鍍法于所述凸點(diǎn)下金屬表面形成銅柱；8-3)采用電鍍法于所述銅柱表面形成金屬阻擋層；8-4)采用電鍍法于所述金屬阻擋層表面形成焊料金屬，并采用高溫回流工藝于所述金屬阻擋層表面形成焊料凸點(diǎn)；其中，所述金屬阻擋層包括鎳層，所述焊料凸點(diǎn)的材料包括鉛、錫及銀中的一種或包含上述任意一種焊料金屬的合金。

優(yōu)選地，采用封裝材料封裝所述人臉識(shí)別芯片的方法包括壓縮成型、傳遞模塑成型、液封成型、真空層壓及旋涂中的一種，所述封裝材料包括聚酰亞胺、硅膠以及環(huán)氧樹(shù)脂中的一種。

優(yōu)選地，所述封裝材料包圍于所述人臉識(shí)別芯片、所述導(dǎo)線(xiàn)以及所述玻璃蓋板四周，且所述封裝材料的頂面與所述玻璃蓋板的頂面持平。

如上所述，本發(fā)明的人臉識(shí)別芯片的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，具有以下有益效果：

第一，本發(fā)明采用封裝材料包圍式的封裝人臉識(shí)別芯片、導(dǎo)線(xiàn)及玻璃蓋板，封裝結(jié)構(gòu)的機(jī)械性能較強(qiáng)，大大提高了芯片的耐用性能及壽命；

第二，本發(fā)明的封裝方法及結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，可有效降低封裝的成本；

第三，本發(fā)明僅采用一個(gè)玻璃蓋板封裝人臉識(shí)別芯片，大大降低了玻璃的加工難度及加工成本；

第四，本發(fā)明的人臉識(shí)別芯片創(chuàng)新的采用扇出型封裝結(jié)構(gòu)，封裝密度高，可有效降低封裝體積，在半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

附圖說(shuō)明

圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的人臉識(shí)別芯片的封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2～圖11顯示為本發(fā)明的人臉識(shí)別芯片的封裝方法各步驟所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，圖11顯示為本發(fā)明的人臉識(shí)別芯片的封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明

201支撐襯底

202分離層

203重新布線(xiàn)層

30人臉識(shí)別芯片

301基底

302人臉識(shí)別區(qū)域

303焊盤(pán)

204dfa聚酯材料

205導(dǎo)線(xiàn)

206玻璃蓋板

207金錫鍵合層

208封裝材料

209凸點(diǎn)下金屬

210金屬凸塊

具體實(shí)施方式

以下通過(guò)特定的具體實(shí)例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過(guò)另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書(shū)中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀(guān)點(diǎn)與應(yīng)用，在沒(méi)有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。

請(qǐng)參閱圖2～圖11。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說(shuō)明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖示中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。

如圖2～圖11所示，本實(shí)施例提供一種人臉識(shí)別芯片30的封裝方法，包括：

如圖2～圖3所示，首先進(jìn)行步驟1)，提供一支撐襯底201，于所述襯底表面形成分離層202。

作為示例，所述支撐襯底201包括玻璃襯底、金屬襯底、半導(dǎo)體襯底、聚合物襯底及陶瓷襯底中的一種。在本實(shí)施例中，所述支撐襯底201選用為玻璃襯底，所述玻璃襯底成本較低，容易在其表面形成分離層202，且能降低后續(xù)的剝離工藝的難度。

作為示例，所述分離層202包括膠帶及聚合物層中的一種，所述聚合物層首先采用旋涂工藝涂覆于所述支撐襯底201表面，然后采用紫外固化或熱固化工藝使其固化成型。

在本實(shí)施例中，所述分離層202選用為熱固化膠，通過(guò)旋涂工藝形成于所述支撐襯底201上后，通過(guò)熱固化工藝使其固化成型。熱固化膠性能穩(wěn)定，表面較光滑，有利于后續(xù)的重新布線(xiàn)層203的制作，并且，在后續(xù)的剝離工藝中，剝離的難度較低，剝離后可以獲得完整且性能良好的重新布線(xiàn)層203。

如圖4所示，然后進(jìn)行步驟2)，于所述分離層202上形成重新布線(xiàn)層203，所述重新布線(xiàn)層203包括朝向所述分離層202的第一面以及與所述第一面相對(duì)的第二面。

作為示例，步驟2)制作所述重新布線(xiàn)層203包括步驟：

步驟2-1)，采用化學(xué)氣相沉積工藝或物理氣相沉積工藝于所述分離層202表面形成介質(zhì)層，并對(duì)所述介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕形成圖形化的介質(zhì)層。

作為示例，所述介質(zhì)層的材料包括環(huán)氧樹(shù)脂、硅膠、pi、pbo、bcb、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一種或兩種以上組合。在本實(shí)施例中，所述介質(zhì)層選用為氧化硅。

步驟2-2)，采用化學(xué)氣相沉積工藝、蒸鍍工藝、濺射工藝、電鍍工藝或化學(xué)鍍工藝于所述圖形化介質(zhì)層表面形成金屬層，并對(duì)所述金屬層進(jìn)行刻蝕形成圖形化的金屬布線(xiàn)層。

作為示例，所述金屬布線(xiàn)層的材料包括銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種或兩種以上組合。在本實(shí)施例中，所述金屬布線(xiàn)層的材料選用為銅。

需要說(shuō)明的是，所述重新布線(xiàn)層203可以包括依次層疊的多個(gè)介質(zhì)層以及多個(gè)金屬布線(xiàn)層，依據(jù)連線(xiàn)需求，通過(guò)對(duì)各介質(zhì)層進(jìn)行圖形化或者制作通孔實(shí)現(xiàn)各層金屬布線(xiàn)層之間的互連，以實(shí)現(xiàn)不同功能的連線(xiàn)需求。

如圖5所示，然后進(jìn)行步驟3)，提供一人臉識(shí)別芯片30，將所述人臉識(shí)別芯片30裝設(shè)于所述重新布線(xiàn)層203上，其中，所述人臉識(shí)別芯片30的背面朝向于所述重新布線(xiàn)層203。

作為示例，如圖5所示，所述人臉識(shí)別芯片30包括基底301，形成于所述基底301上的人臉識(shí)別區(qū)域302以及形成于所述基底301邊緣區(qū)域的焊盤(pán)303，所述焊盤(pán)303與所述人臉識(shí)別區(qū)域302電性連接。

作為示例，采用dfa聚酯材料204將所述人臉識(shí)別芯片粘附于所述重新布線(xiàn)層203上。

如圖6所示，接著進(jìn)行步驟4)，于所述人臉識(shí)別芯片30上封裝玻璃蓋板206，形成封裝腔，其中，所述人臉識(shí)別芯片30的焊盤(pán)303位于所述封裝腔之外。

作為示例，基于金錫鍵合層207于所述人臉識(shí)別芯片30上封裝玻璃蓋板206，形成封裝腔，，所述玻璃蓋板206封裝于所述人臉識(shí)別芯片30的基底301，形成封裝腔，其中，所述人臉識(shí)別芯片30的焊盤(pán)303位于所述封裝腔之外。

如圖7所示，接著進(jìn)行步驟5)，通過(guò)焊線(xiàn)工藝制作導(dǎo)線(xiàn)205，以實(shí)現(xiàn)所述人臉識(shí)別芯片30的焊盤(pán)303與所述重新布線(xiàn)層203的電性連接。

作為示例，所述焊線(xiàn)工藝包括熱壓焊線(xiàn)工藝、超聲波焊線(xiàn)工藝及熱壓超聲波焊線(xiàn)工藝中的一種；所述導(dǎo)線(xiàn)的材料包括au、ag、cu、al中的一種。

例如，所述導(dǎo)線(xiàn)205可以選用為al，采用超聲波焊線(xiàn)工藝在較低的溫度下便可完成焊接，可以大大降低了工藝溫度。

又如，所述導(dǎo)線(xiàn)205選用為au，可以獲得優(yōu)異的導(dǎo)電性能。

如圖8所示，然后進(jìn)行步驟6)，采用封裝材料208進(jìn)行封裝，所述玻璃蓋板206露出于所述封裝材料208。

作為示例，采用封裝材料208封裝所述人臉識(shí)別芯片30的方法包括壓縮成型、傳遞模塑成型、液封成型、真空層壓及旋涂中的一種，所述封裝材料208包括聚酰亞胺、硅膠以及環(huán)氧樹(shù)脂中的一種。封裝后，所述玻璃蓋板206露出于所述封裝材料208，作為檢測(cè)窗口，以利于其實(shí)現(xiàn)人臉識(shí)別的功能。

作為示例，所述封裝材料208包圍于所述人臉識(shí)別芯片30、所述導(dǎo)線(xiàn)205以及所述玻璃蓋板206四周，且所述封裝材料208的頂面與所述玻璃蓋板206的頂面持平。所述封裝材料208可以對(duì)所述人臉識(shí)別芯片30、所述導(dǎo)線(xiàn)205以及所述玻璃蓋板206進(jìn)行結(jié)構(gòu)保護(hù)，提高機(jī)械性能，又可以提高導(dǎo)線(xiàn)205的穩(wěn)定性和壽命。

如圖9所示，接著進(jìn)行步驟7)，基于所述分離層202分離所述支撐襯底與所述重新布線(xiàn)層203，露出所述重新布線(xiàn)層203的第一面。

作為示例，依據(jù)所述分離層202的屬性，可以采用如機(jī)械剝離、激光剝離、化學(xué)剝離(如濕法腐蝕等)等方法分離所述支撐襯底201與所述重新布線(xiàn)層203。

如圖10～圖11所示，最后進(jìn)行步驟8)，于所述重新布線(xiàn)層203的第一面制作凸點(diǎn)下金屬209及金屬凸塊210。

作為示例，所述金屬凸塊210可以選用為銅柱、鎳柱、焊料金屬(如錫球等)、銅柱及焊料金屬的組合、鎳柱及焊料金屬的組合，或者銅柱、金屬阻擋層及焊料金屬的組合等。

在本實(shí)施例中，所述金屬凸塊210選用為銅柱、金屬阻擋層及焊料金屬的組合，所述金屬凸塊210的制備方法包括步驟：

步驟8-1)于所述重新布線(xiàn)層203的第一面制作凸點(diǎn)下金屬209；

步驟8-2)采用電鍍法于所述凸點(diǎn)下金屬209表面形成銅柱；

步驟8-3)采用電鍍法于所述銅柱表面形成金屬阻擋層；

步驟8-4)采用電鍍法于所述金屬阻擋層表面形成焊料金屬，并采用高溫回流工藝于所述金屬阻擋層表面形成焊料凸點(diǎn)。

作為示例，所述金屬阻擋層包括鎳層，所述焊料凸點(diǎn)的材料包括鉛、錫及銀中的一種或包含上述任意一種焊料金屬的合金。

采用電鍍法可以制備出高質(zhì)量的銅柱，提高金屬凸塊210的質(zhì)量。所述金屬阻擋層可以阻擋焊料金屬的擴(kuò)散，提高金屬凸塊210的電性能。

如圖11所示，本實(shí)施例還提供一種人臉識(shí)別芯片30的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：重新布線(xiàn)層203，包括第一面以及與所述第一面相對(duì)的第二面，所述重新布線(xiàn)層203的第一面制作有凸點(diǎn)下金屬209及金屬凸塊210；人臉識(shí)別芯片30，裝設(shè)于所述重新布線(xiàn)層203的第二面上，其中，所述人臉識(shí)別芯片30的背面朝向于所述重新布線(xiàn)層203；玻璃蓋板206，封裝于所述人臉識(shí)別芯片30上，形成封裝腔，其中，所述人臉識(shí)別芯片30的焊盤(pán)303位于所述封裝腔之外；導(dǎo)線(xiàn)205，連接于所述人臉識(shí)別芯片30的焊盤(pán)303及所述重新布線(xiàn)層203，以實(shí)現(xiàn)所述人臉識(shí)別芯片30與所述重新布線(xiàn)層203的電性連接；以及封裝材料208，包圍于所述人臉識(shí)別芯片30、所述導(dǎo)線(xiàn)205以及所述玻璃蓋板206四周，且所述玻璃蓋板206露出于所述封裝材料208。

作為示例，所述重新布線(xiàn)層203包括圖形化的介質(zhì)層以及圖形化的金屬布線(xiàn)層；

作為示例，所述介質(zhì)層的材料包括環(huán)氧樹(shù)脂、硅膠、pi、pbo、bcb、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一種或兩種以上組合，所述金屬布線(xiàn)層的材料包括銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種或兩種以上組合。

作為示例，所述金屬凸塊210包括銅柱、位于所述銅柱上表面的鎳層、以及位于所述鎳層上的焊料凸點(diǎn)。

作為示例，所述金屬阻擋層包括鎳層，所述焊料凸點(diǎn)的材料包括鉛、錫及銀中的一種或包含上述任意一種焊料金屬的合金。

作為示例，所述人臉識(shí)別芯片30包括基底301，形成于所述基底301上的人臉識(shí)別區(qū)域302以及形成于所述基底301邊緣區(qū)域的焊盤(pán)303，所述焊盤(pán)303與所述人臉識(shí)別區(qū)域302電性連接，所述玻璃蓋板206封裝于所述人臉識(shí)別芯片30的基底301，形成封裝腔，其中，所述人臉識(shí)別芯片30的焊盤(pán)303位于所述封裝腔之外。

作為示例，所述導(dǎo)線(xiàn)205的材料包括au、ag、cu、al中的一種。

作為示例，所述封裝材料208的頂面與所述玻璃蓋板206的頂面持平。

作為示例，所述玻璃蓋板206基于金錫鍵合層207封裝于所述人臉識(shí)別芯片30上，形成封裝腔。

作為示例，所述封裝材料208包括聚酰亞胺、硅膠以及環(huán)氧樹(shù)脂中的一種。

如上所述，本發(fā)明的人臉識(shí)別芯片30的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，具有以下有益效果：

第一，本發(fā)明采用封裝材料包圍式的封裝人臉識(shí)別芯片、導(dǎo)線(xiàn)及玻璃蓋板，封裝結(jié)構(gòu)的機(jī)械性能較強(qiáng)，大大提高了芯片的耐用性能及壽命；

第二，本發(fā)明的封裝方法及結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，可有效降低封裝的成本；

第三，本發(fā)明僅采用一個(gè)玻璃蓋板封裝人臉識(shí)別芯片，大大降低了玻璃的加工難度及加工成本；

第四，本發(fā)明的人臉識(shí)別芯片創(chuàng)新的采用扇出型封裝結(jié)構(gòu)，封裝密度高，可有效降低封裝體積，在半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。

上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。