1.一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，從下至上依次包括：基底、底電極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和頂電極；
或者，從下至上依次包括：基底、底電極、電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和頂電極；
其中，所述電子傳輸層的材料為無定型氧化物半導(dǎo)體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述無定型氧化物半導(dǎo)體為銦鎵鋅氧化物、鋁鎵鋅氧化物或鋁銦鋅氧化物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述無定型氧化物半導(dǎo)體中三種金屬氧化物的化學(xué)計量比為1:1:1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述無定型氧化物半導(dǎo)體采用旋涂法、原子層沉積法、磁共濺射法或溶膠-凝膠法制備而成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述量子點(diǎn)發(fā)光層上與電子傳輸層接觸的一面具有起伏結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述電子傳輸層上與量子點(diǎn)發(fā)光層接觸的一面具有起伏結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述起伏結(jié)構(gòu)由間隔設(shè)置的若干長槽構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述起伏結(jié)構(gòu)由交錯設(shè)置的若干凹槽構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述量子點(diǎn)發(fā)光層的材料為藍(lán)光量子點(diǎn)。
10.一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，包括步驟：
在具有底電極的基底上依次制作電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和頂電極；或者在具有底電極的基底上依次制作空穴注入層、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和頂電極；其中，所述電子傳輸層的材料為無定型氧化物半導(dǎo)體。