本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED器件與OLED顯示器。

背景技術(shù)：

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發(fā)光二極管)顯示器，也稱為有機電致發(fā)光顯示器，是一種新興的平板顯示裝置，由于其具有制備工藝簡單、成本低、功耗低、發(fā)光亮度高、工作溫度適應范圍廣、體積輕薄、響應速度快，而且易于實現(xiàn)彩色顯示和大屏幕顯示、易于實現(xiàn)和集成電路驅(qū)動器相匹配、易于實現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點，因而具有廣闊的應用前景。

OLED按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

目前大尺寸AMOLED顯示器量產(chǎn)技術(shù)采用的是白光有機發(fā)光二極管(White Organic Light-emitting Diode，WOLED)加彩色濾光片(Color filter，CF)，其原理是將WOLED發(fā)出的白光經(jīng)過彩色濾光片后濾出紅綠藍三原色。其優(yōu)點是不需要精密金屬掩膜版，利于制備大尺寸AMOLED顯示器。但是WOLED制備工藝復雜，且通過彩色濾光片后會有2/3的光被濾掉，造成能量的損耗，再者彩色濾光片濾過的三原色光的色純度較差，不適合制作廣色域(>100％)的顯示器。

另外，現(xiàn)有的OLED器件的發(fā)光強度較低，同樣不利于提高OLED顯示器的顯示效果，圖1為一種現(xiàn)有的普通藍光OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖，該藍光OLED器件包括從下到上依次設(shè)置的透明陽極100、空穴注入層200、空穴傳輸層300、電子阻擋層400、藍光發(fā)光層500、電子傳輸層600、及陰極700； 所述電子阻擋層400、藍光發(fā)光層500、及電子傳輸層600構(gòu)成一藍光發(fā)光單元，由于該藍光OLED器件只具有一個藍光發(fā)光單元，因此發(fā)光強度較低，使得OLED顯示器的顯示效果較差。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種OLED器件，可提高發(fā)光強度，且光色更純，有利于提高OLED顯示器的顯示效果。

本發(fā)明的目的還在于提供一種OLED顯示器，包含上述OLED器件，可提高發(fā)光強度，有利于激發(fā)色轉(zhuǎn)換薄膜發(fā)出紅、綠光，得到高色飽和度的紅綠藍三原色光，提高OLED顯示器的色域，同時有利于提高OLED顯示器的分辨率。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種OLED器件，包括從下到上依次設(shè)置的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、第一發(fā)光單元、電荷產(chǎn)生層、第二發(fā)光單元、及陰極；所述陽極為半透明電極；

所述第一發(fā)光單元包括從下到上依次設(shè)置的第一電子阻擋層、第一發(fā)光層、及第一電子傳輸層，所述第二發(fā)光單元包括從下到上依次設(shè)置的第二電子阻擋層、第二發(fā)光層、及第二電子傳輸層；

所述電荷產(chǎn)生層包括從下到上依次設(shè)置的電子產(chǎn)生層和空穴產(chǎn)生層。

所述第一發(fā)光層與第二發(fā)光層均為藍光發(fā)光層，所述藍光發(fā)光層的材料包括4,4′-二(2,2)-二苯乙烯基-1,1聯(lián)苯；所述第一發(fā)光層的厚度為5nm～40nm；所述第二發(fā)光層的厚度為5nm～40nm。

所述陽極包括兩透明導電金屬氧化物層及位于兩透明導電金屬氧化物層之間的一金屬層；所述透明導電金屬氧化物層的厚度為5nm～50nm；所述金屬層的厚度為5nm～25nm；

所述陰極為反射電極，所述陰極的材料包括鋰、鋰合金、鎂、鎂合金、鈣、鈣合金、鍶、鍶合金、鑭、鑭合金、鈰、鈰合金、銪、銪合金、鐿、鐿合金、鋁、鋁合金、銫、銫合金、銣、及銣合金中的一種或多種的組合；所述陰極的厚度為50nm～1000nm。

所述電子產(chǎn)生層的材料包括六腈六氮雜苯并菲；所述空穴產(chǎn)生層的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺；所述電子產(chǎn)生層的膜厚為 5nm～50nm；所述空穴產(chǎn)生層的膜厚為5nm～50nm。

所述空穴注入層的材料包括六腈六氮雜苯并菲；所述空穴注入層的厚度為5nm～500nm；

所述空穴傳輸層的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺；所述空穴傳輸層的厚度為5nm～500nm；

所述第一電子阻擋層與第二電子阻擋層的材料均包括4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺；所述第一電子阻擋層與第二電子阻擋層的厚度均為5nm～30nm；

所述第一電子傳輸層包括重疊設(shè)置的兩結(jié)構(gòu)層，其中一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉，另一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉與鋰的混合物；所述第一電子傳輸層的厚度為5nm～50nm；

所述第二電子傳輸層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉；所述第二電子傳輸層的厚度為5nm～50nm。

本發(fā)明還提供一種OLED顯示器，包括TFT基板、設(shè)于所述TFT基板上的色轉(zhuǎn)換薄膜、設(shè)于所述色轉(zhuǎn)換薄膜上的平坦層、設(shè)于所述平坦層上的OLED器件、設(shè)于所述OLED器件上方的封裝蓋板、以及設(shè)于所述封裝蓋板與OLED器件之間的封裝膠材；

所述OLED器件包括從下到上依次設(shè)置的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、第一發(fā)光單元、電荷產(chǎn)生層、第二發(fā)光單元、及陰極；所述陽極為半透明電極；

所述第一發(fā)光單元包括從下到上依次設(shè)置的第一電子阻擋層、第一發(fā)光層、及第一電子傳輸層，所述第二發(fā)光單元包括從下到上依次設(shè)置的第二電子阻擋層、第二發(fā)光層、及第二電子傳輸層；所述第一發(fā)光層與第二發(fā)光層均為藍光發(fā)光層；所述電荷產(chǎn)生層包括從下到上依次設(shè)置的電子產(chǎn)生層和空穴產(chǎn)生層；

所述色轉(zhuǎn)換薄膜包括紅色像素單元、綠色像素單元、及藍色像素單元，所述紅色像素單元為紅色轉(zhuǎn)換薄膜，所述綠色像素單元為綠色轉(zhuǎn)換薄膜，所述藍色像素單元為無色透明薄膜或通孔；

施加電壓后，所述OLED器件發(fā)出藍光，該藍光穿過所述OLED器件的陽極進入色轉(zhuǎn)換薄膜，激發(fā)構(gòu)成所述紅色像素單元的紅色轉(zhuǎn)換薄膜發(fā)出紅光，激發(fā)構(gòu)成所述綠色像素單元的綠色轉(zhuǎn)換薄膜發(fā)出綠光，穿過構(gòu)成所述藍色像 素單元的無色透明薄膜或通孔透出藍光，從而實現(xiàn)紅綠藍三原色顯示。

所述藍光發(fā)光層的材料包括4,4′-二(2,2)-二苯乙烯基-1,1聯(lián)苯；所述第一發(fā)光層的厚度為5nm～40nm；所述第二發(fā)光層的厚度為5nm～40nm。

所述陽極包括兩透明導電金屬氧化物層及位于兩透明導電金屬氧化物層之間的一金屬層；所述透明導電金屬氧化物層的厚度為5nm～50nm；所述金屬層的厚度為5nm～25nm；

所述陰極為反射電極，所述陰極的材料包括鋰、鋰合金、鎂、鎂合金、鈣、鈣合金、鍶、鍶合金、鑭、鑭合金、鈰、鈰合金、銪、銪合金、鐿、鐿合金、鋁、鋁合金、銫、銫合金、銣、及銣合金中的一種或多種的組合；所述陰極的厚度為50nm～1000nm。

所述電子產(chǎn)生層的材料包括六腈六氮雜苯并菲；所述空穴產(chǎn)生層的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺；所述電子產(chǎn)生層的膜厚為5nm～50nm；所述空穴產(chǎn)生層的膜厚為5nm～50nm。

所述空穴注入層的材料包括六腈六氮雜苯并菲；所述空穴注入層的厚度為5nm～500nm；

所述空穴傳輸層的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺；所述空穴傳輸層的厚度為5nm～500nm；

所述第一電子阻擋層與第二電子阻擋層的材料均包括4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺；所述第一電子阻擋層與第二電子阻擋層的厚度均為5nm～30nm；

所述第一電子傳輸層包括重疊設(shè)置的兩結(jié)構(gòu)層，其中一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉，另一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉與鋰的混合物；所述第一電子傳輸層的厚度為5nm～50nm；

所述第二電子傳輸層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉；所述第二電子傳輸層的厚度為5nm～50nm；

所述紅色轉(zhuǎn)換薄膜的材料包括紅色量子點，所述綠色轉(zhuǎn)換薄膜的材料包括綠色量子點；所述紅色轉(zhuǎn)換薄膜的厚度為10nm～200nm；所述綠色轉(zhuǎn)換薄膜的厚度為10nm～200nm。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種OLED器件，通過將兩個或者更多的發(fā)光單元串聯(lián)在一起，可以成倍增加OLED器件的發(fā)光強度；同時通過使用半透明陽極，可引入微腔效應，使發(fā)光光譜變窄，光色更純并且進一步提高 發(fā)光強度。本發(fā)明提供的一種OLED顯示器包含上述OLED器件，通過將兩個或者更多的發(fā)光單元串聯(lián)在一起，成倍增加發(fā)光強度；同時通過使用半透明陽極，可引入微腔效應，使發(fā)光光譜變窄，光色更純并且進一步提高發(fā)光強度，從而有利于激發(fā)色轉(zhuǎn)換薄膜發(fā)出紅、綠光，得到高色飽和度的紅綠藍三原色光，提高OLED顯示器的色域；由于OLED顯示器中對應紅、綠、藍像素的發(fā)光層均為藍色發(fā)光層，從而避免使用精密金屬掩膜版，有利于提高OLED顯示器的分辨率。

為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為一種現(xiàn)有的普通藍光OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明的高亮度藍光OLED器件與現(xiàn)有的普通藍光OLED器件的發(fā)光強度的對比示意圖；

圖4為本發(fā)明的OLED顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明的OLED顯示器發(fā)出的紅綠藍三原色光的光譜圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。

請參閱圖2，本發(fā)明首先提供一種OLED器件120，包括從下到上依次設(shè)置的陽極10、空穴注入層20、空穴傳輸層30、第一發(fā)光單元40、電荷產(chǎn)生層50、第二發(fā)光單元60、及陰極70；所述陽極10為半透明電極；

所述第一發(fā)光單元40包括從下到上依次設(shè)置的第一電子阻擋層41、第一發(fā)光層42、及第一電子傳輸層43；所述第二發(fā)光單元60包括從下到上依次設(shè) 置的第二電子阻擋層61、第二發(fā)光層62、及第二電子傳輸層63；所述電荷產(chǎn)生層50包括從下到上依次設(shè)置的電子產(chǎn)生層51和空穴產(chǎn)生層52。

具體的，所述電荷產(chǎn)生層50用于分別向第一發(fā)光單元40和第二發(fā)光單元60提供其發(fā)光所需的電子或空穴，使得第一發(fā)光單元40在電荷產(chǎn)生層50和陽極10的作用下發(fā)光，第二發(fā)光單元60在電荷產(chǎn)生層50和陰極70的作用下發(fā)光。也就是說，電荷產(chǎn)生層50將第一發(fā)光單元40和第二發(fā)光單元60串聯(lián)在陽極10和陰極70之間，實現(xiàn)串聯(lián)式有機發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，可以增大發(fā)光效率。

具體的，所述陽極10用于將空穴注入到空穴注入層20中。

具體的，所述陽極10包括兩透明導電金屬氧化物層及位于兩透明導電金屬氧化物層之間的一金屬層。所述透明導電金屬氧化物層的材料優(yōu)選為氧化銦錫；所述金屬層的材料可以為銀或鋁。所述透明導電金屬氧化物層的厚度為5nm～50nm，所述金屬層的厚度為5nm～25nm。優(yōu)選的，所述透明導電金屬氧化物層的厚度為15nm，所述金屬層的厚度為15nm。

具體的，所述空穴注入層20用于將空穴從陽極10注入到空穴傳輸層30。

優(yōu)選的，所述空穴注入層20的材料包括六腈六氮雜苯并菲(Hexanitrilehexaazatriphenylene,HATCN)，所述六腈六氮雜苯并菲的結(jié)構(gòu)式為

具體的，所述空穴注入層20的厚度為5nm～500nm，優(yōu)選為10nm。

具體的，所述空穴傳輸層30用于將空穴傳輸?shù)降谝话l(fā)光單元40的第一電子阻擋層41中。

優(yōu)選的，所述空穴傳輸層30的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺(N,N’-bis(naphthalen-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)benzidine,NPB)，所述N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺的結(jié)構(gòu)式為

具體的，所述空穴傳輸層30的厚度為5nm～500nm，優(yōu)選為60nm。

具體的，所述第一電子阻擋層41與第二電子阻擋層61分別用于將電子限制在第一發(fā)光層42與第二發(fā)光層62中，并且將空穴傳輸?shù)降谝话l(fā)光層42與第二發(fā)光層62中。

具體的，所述第一電子阻擋層41與第二電子阻擋層61的材料均包括4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(4,4′,4″-tris(N-carbazolyl)triphenylamine,TCTA)，所述4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺的結(jié)構(gòu)式為

具體的，所述第一電子阻擋層41的厚度為5nm～30nm，優(yōu)選為10nm；所述第二電子阻擋層61的厚度為5nm～30nm，優(yōu)選為10nm。

具體的，所述第一發(fā)光層42與第二發(fā)光層62用于使空穴和電子在發(fā)光層中復合發(fā)光。

優(yōu)選的，所述第一發(fā)光層42與第二發(fā)光層62均為藍光發(fā)光層，所述藍光發(fā)光層的材料包括4,4′-二(2,2)-二苯乙烯基-1,1聯(lián)苯(4,4′-Bis(2,2-diphenylvinyl)-1,10-biphenyl,DPVBi)，所述4,4′-二(2,2)-二苯乙烯基-1,1聯(lián)苯的結(jié)構(gòu)式為

具體的，所述第一發(fā)光層42的厚度為5nm～40nm，優(yōu)選為25nm；所述第二發(fā)光層62的厚度為5nm～40nm，優(yōu)選為25nm。

具體的，所述第一電子傳輸層43用于將從電荷產(chǎn)生層50注入的電子傳輸?shù)? 第一發(fā)光層42中，所述第二電子傳輸層63用于將從陰極70注入的電子傳輸?shù)降诙l(fā)光層62中。

具體的，所述第一電子傳輸層43的厚度為5nm～50nm，優(yōu)選為20nm。

優(yōu)選的，所述第一電子傳輸層43包括重疊設(shè)置的兩結(jié)構(gòu)層，其中一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline,Bphen)，另一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen)與鋰(Li)的混合物，該兩結(jié)構(gòu)層的厚度均優(yōu)選為10nm。所述4,7-二苯基-1,10-菲啰啉的結(jié)構(gòu)式為

具體的，所述第二電子傳輸層63的厚度為5nm～50nm，優(yōu)選為20nm。

具體的，所述第二電子傳輸層63的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen)。

具體的，所述電子產(chǎn)生層51用于產(chǎn)生電子，并將電子注入到第一發(fā)光單元40的第一電子傳輸層43中，所述空穴產(chǎn)生層52用于產(chǎn)生空穴，并將空穴注入到第二發(fā)光單元60的第二電子阻擋層61中。

具體的，所述電子產(chǎn)生層51的材料包括六腈六氮雜苯并菲(HATCN)；所述空穴產(chǎn)生層52的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺(NPB)。

具體的，所述電子產(chǎn)生層51的膜厚為5nm～50nm，所述空穴產(chǎn)生層52的膜厚為5nm～50nm；優(yōu)選的，所述電子產(chǎn)生層51的膜厚為10nm，所述空穴產(chǎn)生層52的膜厚為10nm。

具體的，所述陰極70用于將電子注入到第二電子傳輸層63中。

優(yōu)選的，所述陰極70為反射電極。

具體的，所述陰極70的材料通常為低功函金屬材料，如包括鋰(Li)、鋰合金、鎂(Mg)、鎂合金、鈣(Ca)、鈣合金、鍶(Sr)、鍶合金、鑭(La)、鑭合金、鈰(Ce)、鈰合金、銪(Eu)、銪合金、鐿(Yb)、鐿合金、鋁(Al)、鋁合金、銫(Cs)、銫合金、銣(Rb)、及銣合金中的一種或多種的組合。優(yōu)選的，所述陰極70的厚度為50nm～1000nm。

優(yōu)選的，所述陰極70為由1nm的氟化鋰(LiF)層與100nm的鋁層疊加構(gòu)成 的復合薄膜。

優(yōu)選的，所述陰極70采用真空蒸鍍方法成膜。

通過將兩個或者更多的發(fā)光單元串聯(lián)在一起，相對于圖1的僅具有單一發(fā)光單元的普通藍光OLED器件，本發(fā)明的OLED器件具有較高的發(fā)光強度，當所述第一發(fā)光層42與第二發(fā)光層62均為藍光發(fā)光層時，本發(fā)明的OLED器件即構(gòu)成高亮度藍光OLED器件，在相同電流密度下，將本發(fā)明的高亮度藍光OLED器件與圖1所示的普通藍光OLED器件的發(fā)光強度進行對比，得到的結(jié)果如圖3所示，從圖3中可以看出，本發(fā)明的高亮度藍光OLED器件的發(fā)光強度高于現(xiàn)有的普通藍光OLED器件的發(fā)光強度的4倍左右。

上述OLED器件，通過將兩個或者更多的發(fā)光單元串聯(lián)在一起，可以成倍增加OLED器件的發(fā)光強度；另外通過使用半透明陽極，可引入微腔效應，使發(fā)光光譜變窄，光色更純并且進一步提高發(fā)光強度，有利于提高OLED顯示器的顯示效果。

請參閱圖4及圖2，本發(fā)明還提供一種OLED顯示器，包括TFT基板110、設(shè)于所述TFT基板110上的色轉(zhuǎn)換薄膜140、設(shè)于所述色轉(zhuǎn)換薄膜140上的平坦層160、設(shè)于所述平坦層160上的OLED器件120、設(shè)于所述OLED器件120上方的封裝蓋板130、以及設(shè)于所述封裝蓋板130與OLED器件120之間的封裝膠材150；

如圖2所示，所述OLED器件120包括從下到上依次設(shè)置的陽極10、空穴注入層20、空穴傳輸層30、第一發(fā)光單元40、電荷產(chǎn)生層50、第二發(fā)光單元60、及陰極70；所述陽極10為半透明電極；

所述第一發(fā)光單元40包括從下到上依次設(shè)置的第一電子阻擋層41、第一發(fā)光層42、及第一電子傳輸層43，所述第二發(fā)光單元60包括從下到上依次設(shè)置的第二電子阻擋層61、第二發(fā)光層62、及第二電子傳輸層63；所述第一發(fā)光層42與第二發(fā)光層62均為藍光發(fā)光層；所述電荷產(chǎn)生層50包括從下到上依次設(shè)置的電子產(chǎn)生層51和空穴產(chǎn)生層52；

所述色轉(zhuǎn)換薄膜140包括紅色像素單元141、綠色像素單元142、及藍色像素單元143，所述紅色像素單元141為紅色轉(zhuǎn)換薄膜，所述綠色像素單元142為綠色轉(zhuǎn)換薄膜，所述藍色像素單元143為無色透明薄膜或通孔；

施加電壓后，所述OLED器件120發(fā)出藍光，該藍光穿過所述OLED器件120 的陽極10進入色轉(zhuǎn)換薄膜140，激發(fā)構(gòu)成所述紅色像素單元141的紅色轉(zhuǎn)換薄膜發(fā)出紅光，激發(fā)構(gòu)成所述綠色像素單元142的綠色轉(zhuǎn)換薄膜發(fā)出綠光，穿過構(gòu)成所述藍色像素單元143的無色透明薄膜或通孔透出藍光，從而實現(xiàn)紅綠藍三原色顯示。

具體的，所述封裝膠材150用于粘接封裝蓋板130與OLED器件120，使封裝蓋板130對OLED器件120形成密封保護，阻隔水和氧對OLED器件120的侵蝕。

具體的，所述平坦層160的材料為透明有機材料。

具體的，所述紅色轉(zhuǎn)換薄膜的材料包括紅色量子點，所述綠色轉(zhuǎn)換薄膜的材料包括綠色量子點。

具體的，所述紅色量子點包括第一內(nèi)核和第一外殼，所述第一內(nèi)核的材料為硒化鎘(CdSe)，所述第一外殼的材料為硫化鋅(ZnS)；所述綠色量子點包括第二內(nèi)核和第二外殼，所述第二內(nèi)核的材料為CdSe，所述第二外殼的材料為ZnS。

具體的，所述紅色轉(zhuǎn)換薄膜的厚度為10nm～200nm，優(yōu)選為30nm。

具體的，所述綠色轉(zhuǎn)換薄膜的厚度為10nm～200nm，優(yōu)選為30nm。

具體的，所述空穴注入層20的厚度為5nm～500nm，優(yōu)選為10nm。

優(yōu)選的，所述空穴注入層20的材料包括六腈六氮雜苯并菲(HATCN)。

具體的，所述空穴傳輸層30的厚度為5nm～500nm，優(yōu)選為60nm。

優(yōu)選的，所述空穴傳輸層30的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺(NPB)。

具體的，所述第一電子阻擋層41的厚度為5nm～30nm，優(yōu)選為10nm；所述第二電子阻擋層61的厚度為5nm～30nm，優(yōu)選為10nm。

具體的，所述第一電子阻擋層41與第二電子阻擋層61的材料均包括4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。

具體的，所述第一發(fā)光層42的厚度為5nm～40nm，優(yōu)選為25nm；所述第二發(fā)光層62的厚度為5nm～40nm，優(yōu)選為25nm。

具體的，所述藍光發(fā)光層的材料包括4,4′-二(2,2)-二苯乙烯基-1,1聯(lián)苯(DPVBi)。

具體的，所述第一電子傳輸層43的厚度為5nm～50nm，優(yōu)選為20nm。

具體的，所述第一電子傳輸層43包括重疊設(shè)置的兩結(jié)構(gòu)層，其中一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉，另一結(jié)構(gòu)層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen)與鋰(Li)的混合物，該兩結(jié)構(gòu)層的厚度均優(yōu)選為10nm。

具體的，所述第二電子傳輸層63的厚度為5nm～50nm，優(yōu)選為20nm。

具體的，所述第二電子傳輸層63的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen)。

具體的，所述電子產(chǎn)生層51的膜厚為5nm～50nm，所述空穴產(chǎn)生層52的膜厚為5nm～50nm；優(yōu)選的，所述電子產(chǎn)生層51的膜厚為10nm，所述空穴產(chǎn)生層52的膜厚為10nm。

具體的，所述電子產(chǎn)生層51的材料包括六腈六氮雜苯并菲(HATCN)；所述空穴產(chǎn)生層52的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺(NPB)。

具體的，所述陽極10包括兩透明導電金屬氧化物層及位于兩透明導電金屬氧化物層之間的一金屬層。所述透明導電金屬氧化物層的材料優(yōu)選為氧化銦錫；所述金屬層的材料可以為銀或鋁。所述透明導電金屬氧化物層的厚度為5nm～50nm，所述金屬層的厚度為5nm～25nm。優(yōu)選的，所述透明導電金屬氧化物層的厚度為15nm，所述金屬層的厚度為15nm。

優(yōu)選的，所述陰極70為反射電極。

具體的，所述陰極70的材料通常為低功函金屬材料，如包括鋰、鋰合金、鎂、鎂合金、鈣、鈣合金、鍶、鍶合金、鑭、鑭合金、鈰、鈰合金、銪、銪合金、鐿、鐿合金、鋁、鋁合金、銫、銫合金、銣、及銣合金中的一種或多種的組合。優(yōu)選的，所述陰極70的厚度為50nm～1000nm。

優(yōu)選的，所述陰極70為由1nm的氟化鋰(LiF)層與100nm的鋁層疊加構(gòu)成的復合薄膜。

優(yōu)選的，所述陰極70采用真空蒸鍍方法成膜。

如圖5所示，為本發(fā)明的OLED顯示器發(fā)出的紅綠藍三原色光的光譜圖，在色坐標體系中，該紅、綠、藍三原色光的色坐標分別為紅光(0.70，0.30)，綠光(0.15，0.76)，藍光(0.12，0.08)，可以看出，本發(fā)明的OLED顯示器發(fā)出的紅、綠、藍三原色光均具有較高的色飽和度，并使得本發(fā)明的OLED顯示器的色域高達122.6％。

上述OLED顯示器，其中的OLED器件通過將兩個或者更多的發(fā)光單元串聯(lián)在一起，可以成倍增加OLED器件的發(fā)光強度；同時通過使用半透明陽極，可引入微腔效應，使發(fā)光光譜變窄，光色更純并且進一步提高發(fā)光強度；從而有利于激發(fā)色轉(zhuǎn)換薄膜發(fā)出紅、及綠光，得到高色飽和度的紅綠藍三原色光，進而提高了OLED顯示器的色域。

綜上所述，本發(fā)明提供一種OLED器件與OLED顯示器。本發(fā)明的OLED器件，通過將兩個或者更多的發(fā)光單元串聯(lián)在一起，可以成倍增加OLED器件的發(fā)光強度；同時通過使用半透明陽極，可引入微腔效應，使發(fā)光光譜變窄，光色更純并且進一步提高發(fā)光強度。本發(fā)明的OLED顯示器包含上述OLED器件，通過將兩個或者更多的發(fā)光單元串聯(lián)在一起，成倍增加發(fā)光強度；同時通過使用半透明陽極，可引入微腔效應，使發(fā)光光譜變窄，光色更純并且進一步提高發(fā)光強度，從而有利于激發(fā)色轉(zhuǎn)換薄膜發(fā)出紅、綠光，得到高色飽和度的紅綠藍三原色光，提高OLED顯示器的色域；由于OLED顯示器中對應紅、綠、藍像素的發(fā)光層均為藍色發(fā)光層，從而避免使用精密金屬掩膜版，有利于提高OLED顯示器的分辨率。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍。