1.一種用于熱處理基板的裝置，所述裝置包括：
脈沖電磁能量源，所述脈沖電磁能量源以至少100Hz的頻率發(fā)出脈沖；
可移動(dòng)基板支撐件；
光學(xué)系統(tǒng)，所述光學(xué)系統(tǒng)設(shè)置于所述電磁能量源及所述可移動(dòng)基板支撐件之間，所述光學(xué)系統(tǒng)包含將電磁能量的這些脈沖塑形成矩形分布的部件；及
控制器，所述控制器經(jīng)構(gòu)造以：
命令所述電磁能量源以選定的脈沖頻率產(chǎn)生電磁能量脈沖；及同時(shí)
命令所述可移動(dòng)基板支撐件以選定的速度在平行于所述矩形分布的選定的邊緣的方向上進(jìn)行掃描，使得沿著平行于所述選定的邊緣的直線上的每個(gè)點(diǎn)接收預(yù)定數(shù)量的電磁能量脈沖。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述這些電磁能量脈沖包括532納米的電磁能量。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述這些電磁能量脈沖包括每平方厘米至少250兆焦耳的能量密度。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中每一點(diǎn)接收能量脈沖持續(xù)的累積時(shí)間在750納秒和1000納秒之間。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述脈沖頻率為每秒10000脈沖。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述選定的速度為每秒1米。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述矩形分布界定出第一維度及第二維度，其中所述第一維度與所述基板的截面維度實(shí)質(zhì)相等，其中所述第二維度與所述第一維度垂直，且其中所述第二維度小于所述第一維度。
8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述控制器命令所述可移動(dòng)基板以所述選定的速度在所述電磁能量源產(chǎn)生電磁能量脈沖的周期期間及周期之間進(jìn)行掃描。
9.一種處理基板的方法，所述基板上包含多個(gè)晶片，所述方法包括：
穿過(guò)脈沖激光源的光學(xué)路徑掃描所述基板；及同時(shí)
輸送多個(gè)激光脈沖至所述基板，使得所述多個(gè)激光脈沖的第一脈沖的照明面積與所述多個(gè)激光脈沖的第二脈沖的照明面積重疊，其中所述多個(gè)激光脈沖的每個(gè)脈沖具有小于約100納秒的持續(xù)時(shí)間且所述基板上所述多個(gè)晶片上的每個(gè)位置接收每脈沖至少約250mJ/cm2的照明能量。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中掃描所述基板的步驟包括：以所述基板在所述脈沖激光源的所述光學(xué)路經(jīng)中沒(méi)有任何晶片的部分初始化所述掃描。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中脈沖激光源的所述光學(xué)路徑具有第一維度，所述第一維度與所述基板上分隔相鄰晶片列的切口中線之間的距離實(shí)質(zhì)相等，且其中穿過(guò)所述脈沖激光源的所述光學(xué)路徑掃描所述基板的步驟包括：將所述基板上的晶片列與所述光學(xué)路徑對(duì)齊，且沿著所述基板上的所述晶片列掃描所述基板。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中脈沖激光源的所述光學(xué)路徑具有第一維度，所述第一維度與所述基板上穿過(guò)多個(gè)晶片列的切口中線之間的距離實(shí)質(zhì)相等，且其中穿過(guò)所述脈沖激光源的所述光學(xué)路徑掃描所述基板的步驟包括：將所述基板上的多個(gè)晶片列與所述光學(xué)路徑對(duì)齊，且沿著所述基板上的所述多個(gè)晶片列掃描所述基板。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述多個(gè)激光脈沖的所述持續(xù)時(shí)間在60納秒和80納秒之間。
14.如權(quán)利要求9所述的方法，其中掃描所述基板的步驟：以某速率掃描所述基板，使得所述基板上的所述多個(gè)晶片上的每一位置接收至少10個(gè)激光脈沖。
15.如權(quán)利要求9所述的方法，其中掃描所述基板的步驟：以至少1m/sec的速率掃描所述基板。