本發(fā)明的實施方式一般涉及制造半導體器件的方法。更具體地，本發(fā)明的實施方式針對熱處理基板。
背景技術(shù)：
：半導體器件持續(xù)縮小以符合未來性能需求。為了實現(xiàn)持續(xù)的縮小，摻雜源極和漏極接面的工程必須聚焦于非常小的晶格內(nèi)的單原子的放置及移動。例如，一些未來器件的設(shè)計方案考慮包括少于100原子的通道區(qū)域。為了這些嚴格需求，需要在幾個原子半徑內(nèi)控制摻雜原子(dopantatoms)的放置。摻雜原子的放置現(xiàn)通過在硅基板的源極及漏極區(qū)域植入摻雜物，接著退火基板的處理工藝來控制。可使用摻雜物以增強硅基材中的導電性、誘導對晶體結(jié)構(gòu)的損壞、或控制層間的擴散?？墒褂迷尤缗?B)、磷(P)、砷(As)、鈷(Co)、銦(In)、及銻(Sb)以增強傳導性。可使用硅(Si)、鍺(Ge)、及氬(Ar)以誘導晶體損壞。為了控制擴散，通常使用碳(C)、氟(F)、及氮(N)。在退火期間，基板通常地被加熱至高溫，使得多種化學及物理反應可在基板中界定的多個IC器件中發(fā)生。退火在先前為無定形的基板區(qū)域重新產(chǎn)生更好的晶體結(jié)構(gòu)，且通過將其原子并入基板的晶格而“活化”摻雜物。排序晶格及活化摻雜物減低所摻雜區(qū)域的電阻性。熱處理(例如退火)涉及在短時間中引導相對大量的熱量至基板上，且此后快速冷卻基板以終止所述熱處理。在一段時間內(nèi)被廣泛使用的熱處理范例包含快速熱處理(RTP)及脈沖(尖峰)退火。在脈沖列退火處理工藝中，在一系列的順序能量脈沖中輸送能量，以允許摻雜物的受控擴散和在半導體器件的期望區(qū)域內(nèi)在短距離上從基板上去除損壞。在一個范例中，短距離為約一個晶面和十個晶面之間。在這個范例中，單一脈沖期間輸送的能量總量僅足以提供平均擴散深度，所述平均擴散深度僅為單一晶面的一部分，因而退火處理需要多個脈沖以達到所需的摻雜物擴散或晶格損壞修正。因而，各脈沖可被稱作在基板的一部分內(nèi)完成的完整的微退火處理。在另一范例中，順序脈沖的數(shù)量可在約30和約100000脈沖之間變化，每個脈沖具有約1納秒(nsec)至約10毫秒(msec)的持續(xù)時間。在其他范例中，各脈沖的持續(xù)時間可低于10msec，例如為約1msec和約10msec之間，或為約1nsec和約10微秒(μsec)之間。在一些范例中，各脈沖的持續(xù)時間可為約1nsec和約10nsec之間，例如約1nsec。每個微退火處理特征在于加熱基板的一部分至退火溫度并持續(xù)一段時間，接著允許退火能量在基板內(nèi)完全消耗。所給予的能量激發(fā)退火區(qū)域內(nèi)的原子移動，所述退火區(qū)域隨后在能量消耗后凍結(jié)。在退火區(qū)域下方緊接的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)為純有序的晶體。當來自脈沖的能量傳遞穿過基板，最靠近有序區(qū)域的間隙原子(摻雜物或硅)被推進晶格位置。非有序進入相鄰緊接晶格位置的其他原子朝向無序區(qū)域向上擴散且遠離有序區(qū)域以尋找最接近可用晶格位置來占據(jù)。此外，摻雜原子由接近基板表面的高濃度地區(qū)擴散至更深入基板的較低濃度地區(qū)。各連續(xù)的脈沖從退火區(qū)域下方的有序區(qū)域向基板表面向上生長有序區(qū)域，且使摻雜物濃度分布平滑化。這個處理工藝可參考外延晶體生長，因為所述處理工藝使用完成從幾個至十個晶面的退火的各脈沖能量來一層一層的進行。技術(shù)實現(xiàn)要素：在多種實施方式中，用于熱處理基板的裝置可包括：脈沖電磁能量源。所述源能以至少100Hz的頻率發(fā)出脈沖。所述裝置也可包含可移動基板支撐件。所述裝置也可包含設(shè)置在所述電磁能量源及所述可移動基板支撐件之間的光學系統(tǒng)。所述光學系統(tǒng)可包含將這些電磁能量的脈沖塑形成矩形分布的部件。所述裝置可包含控制器，所述控制器可命令所述電磁能量源以選定的脈沖頻率產(chǎn)生電磁能量脈沖。所述控制器也可命令所述可移動基板支撐件以選定的速度在平行于所述矩形分布的選定的邊緣的方向上進行掃描，使得沿著平行于所述選定的邊緣的直線上的每個點接收預定數(shù)量的電磁能量脈沖。根據(jù)多種實施方式，處理基板上具有多個晶片的基板的方法，可包含：穿過脈沖激光源的光學路徑掃描所述基板。所述方法也可包含：輸送多個激光脈沖至所述基板，使得所述多個激光脈沖的第一脈沖的照明面積與所述多個激光脈沖的第二脈沖的照明面積重疊，其中所述多個激光脈沖的每個脈沖具有小于約100nsec的持續(xù)時間，且基板上所述多個晶片上的每個位置接收每脈沖至少約250mJ/cm2的照明能量。根據(jù)多種實施方式，用于熱處理在基板上包含多個晶片的基板的裝置可包含：脈沖電磁能量源，所述脈沖電磁能量源以至少1000Hz的頻率發(fā)出脈沖。所述裝置也可包含可移動基板支撐件。所述裝置也可包含設(shè)置在所述電磁能量源及所述可移動基板支撐件之間的光學系統(tǒng)。所述光學系統(tǒng)包含將這些電磁能量的脈沖塑形成矩形分布的部件。所述裝置也包含控制器，所述控制器經(jīng)構(gòu)造以命令所述電磁能量源以選定的脈沖頻率產(chǎn)生電磁能量脈沖。所述控制器也經(jīng)構(gòu)造以同時命令所述可移動基板支撐件以選定的速度在平行于所述矩形分布的選定的邊緣的方向上進行掃描，使得沿著平行于所述選定的邊緣的直線上的多個晶片上的每個點接收預定數(shù)量的電磁能量脈沖。附圖說明圖1為根據(jù)一個實施方式的熱處理裝置的示意圖。圖2A為說明本發(fā)明的基板被放置于電磁能量脈沖下方的第一位置的一個實施方式的等角視圖。圖2B為說明本發(fā)明的基板被放置于電磁能量脈沖下方的第二位置的一個實施方式的等角視圖。圖2C為說明本發(fā)明的基板被放置于電磁能量脈沖下方的第三位置的一個實施方式的等角視圖。圖2D為說明本發(fā)明的基板被放置于電磁能量脈沖下方的第四位置的一個實施方式的等角視圖。圖3A為在基板上第一位置中安置有電磁能量脈沖的基板的俯視視圖。圖3B為在基板上第二位置中安置有電磁能量脈沖的基板的俯視視圖。圖3C為在基板上第三位置中安置有電磁能量脈沖的基板的俯視視圖。圖3D為在基板上第四位置中安置有電磁能量脈沖的基板的俯視視圖。圖3E為在基板上第五位置中安置有電磁能量脈沖的基板的俯視視圖。圖4為說明用于電磁能量脈沖以達到所需桌面速度的示例配置的表格。圖5為用于熱處理基板的方法的框圖。具體實施方式一般而言，本文使用的用詞“基板”意指可由以下材料形成的物體：具有一些自然導電能力的任何材料、或可經(jīng)修改以提供導電能力的材料。典型的基板材料包含(但不限于)：半導體(例如硅(Si)及鍺(Ge))，以及呈現(xiàn)半導體特性的其他化合物。這些半導體化合物一般包含III-V族和II-VI族化合物。具有代表性的III-V族半導體化合物包含(但不限于)：砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、及氮化鎵(GaN)。一般而言，用詞“半導體基板”包含塊狀半導體基板以及具有設(shè)置在基板上的沉積層的基板。為此目的，在一些半導體基板中的由本發(fā)明的方法處理的沉積層通過同質(zhì)外延(homoepitaxial)(例如，在硅上沉積硅)或異質(zhì)外延(heteroepitaxial)(例如在硅上沉積GaAs)生長而形成。例如，本發(fā)明的方法可使用由異質(zhì)外延方法形成的砷化鎵及氮化鎵基板。相似地，也可應用發(fā)明的方法在相對薄的晶體硅層上形成集成器件，例如薄膜晶體管(TFT)，所述晶體硅層形成在絕緣基板(例如，硅上絕緣體[SOI]基板)上。此外，可使用所述方法以制造光伏器件，例如太陽能電池。這些器件可包括導電層、半導體層、或絕緣材料層，且可使用多種材料移除工藝來圖案化。傳導材料一般包括金屬。絕緣材料一般可包含金屬氧化物或半導體、或摻雜半導體的材料。圖1為用于基板的激光處理的系統(tǒng)100的平面視圖。系統(tǒng)100包括：能量輸入模塊102、脈沖控制模塊104、脈沖塑形模塊106、均化器108、孔構(gòu)件116、及對齊模塊118，能量輸入模塊102具有多個脈沖激光源以產(chǎn)生多個脈沖激光脈沖，脈沖控制模塊104可包含一個或多個脈沖控制器105以將單個脈沖激光脈沖組合成為組合脈沖激光脈沖，且控制這些組合脈沖激光脈沖的強度、頻率特性、和極性特性，脈沖塑形模塊106可包含一個或多個脈沖塑形器107以調(diào)整這些組合脈沖激光脈沖的脈沖的時間分布，均化器108調(diào)整脈沖的空間能量分布，將這些組合脈沖激光脈沖重疊成為單一均勻能量場，孔構(gòu)件116從能量場去除剩余的邊緣不均勻性，對齊模塊118允許帶有設(shè)置在基板支撐件110上的基板的激光能量場的精確對齊?？刂破?12與能量模塊102耦合以控制激光脈沖的產(chǎn)生，并與脈沖控制模塊104耦合以控制脈沖特性，還與基板支撐件110耦合以控制基板相對于能量場的移動。外殼114典型地封閉系統(tǒng)100的操作部件。激光可為能夠形成高能激光輻射的短脈沖(例如，持續(xù)時間小于約100nsec)的任何種類的激光。典型地，使用具有超過500個空間模式的M2(激光束質(zhì)量因子)大于約30的高模態(tài)激光。固態(tài)激光，例如：Nd:釔鋁石榴石、Nd:玻璃、鈦藍寶石、或其他摻雜稀土的晶體激光被頻繁地使用，但也可使用氣體激光，例如：準分子激光，如XeCl2、ArF或KrF激光?？砷_關(guān)激光，例如通過q-開關(guān)(被動或主動)、增益開關(guān)、或模式鎖定。也可使用普克爾盒(Pockelscell)接近激光的輸出以通過中斷激光所發(fā)射的光束而形成脈沖。一般而言，可使用于脈沖激光處理的激光能夠產(chǎn)生在約1nsec和約100μsec之間的持續(xù)時間內(nèi)具有約100兆焦耳(mJ)和約10焦耳(J)之間的能量含量的激光輻射脈沖。這些激光可具有約200nm和約2000nm之間的波長，例如在約400nm和約1000nm之間，例如為約532nm。在一個實施方式中，這些激光為q開關(guān)倍頻Nd:釔鋁石榴石激光。所有這些激光可在相同波長下操作，或這些激光中的一個或多個可在與能量模塊102中的其他激光不同的波長下操作?？煞糯筮@些激光以產(chǎn)生期望的功率水平。在多數(shù)案例中，放大介質(zhì)與激光介質(zhì)相同或相似。每個單獨的激光脈沖通常被自我放大，但在一些實施方式中，可在組合后放大所有激光脈沖。輸送至基板的典型激光脈沖為多個激光脈沖的組合。多個脈沖在受控時間并且以彼此受控的相互關(guān)系而產(chǎn)生，使得在組合時，激光輻射的單一脈沖造成具有受控的時間及空間能量分布，并帶有受控的能量上升、持續(xù)時間、及衰減，及受控的能量非均勻性的空間分布?？刂破?12可具有脈沖產(chǎn)生器，例如耦合至電壓源的電子計時器，所述電壓源耦合至每一個激光，例如每一個激光的每一個開關(guān)，以控制來自每一個激光的脈沖產(chǎn)生。圖2A說明本發(fā)明的一個實施方式的等角視圖，其中能量源220適于將能量總量投射在基板202的界定區(qū)域(或退火區(qū)域222)上，以退火基板202的期望區(qū)域。在一個范例中，通過相對于電磁能量源220的輸出平移臺座240(即基板支撐件)上的基板202(例如，傳統(tǒng)X/Y臺座、精確臺座)，及/或相對于基板202平移輻射源220的輸出，從而在電磁能量(即輻射)源220下方移動基板202。典型地，使用可為分開的精確臺座的一部分(圖未示)的一個或多個傳統(tǒng)電動致動器(例如線性馬達、導螺桿(leadscrew)及伺服馬達(servomotor))以控制基板202的移動及位置?？捎糜谥渭胺胖没?02的傳統(tǒng)精確臺座可由加州RohnertPark的ParkerHannifin公司(ParkerHannifinCorporation,ofRohnertPark,Calif)購得。在一個構(gòu)想中，退火區(qū)域222及被輸送至退火區(qū)域222的輻射被調(diào)整大小以符合晶片204(例如，圖2A～2D中表示了40個晶片204)的第一維度、或形成于基板202表面上的半導體器件(例如存儲器芯片)。在一個構(gòu)想中，退火區(qū)域222的第一維度被對齊且調(diào)整大小以配合界定出基板上每個晶片204的邊界的“切口”線或“劃”線206。例如，切口206之間的維度(箭頭244的方向)可為25mm或33mm，所以退火區(qū)域222的第一維度可分別為25mm或33mm。退火區(qū)域222的第二維度(箭頭242的方向)可比第一維度小。例如，第二維度可大約為250μm。在一個實施方式中，在實施退火處理前，基板202使用典型地在基板202的表面上找到的對齊記號及其他傳統(tǒng)技術(shù)與能量源220的輸出對齊，使得退火區(qū)域222可準確地與基板202上的晶片204對齊。如圖2A～2D所示，可移動臺(table)240，例如為了在箭頭242的方向上掃描而將基板202在退火區(qū)域222下方移動，使得一行(或一列)晶片204通過退火區(qū)域222下方。例如，基板202具有八列210a～210h，且圖2A～2D說明了列210d的一部分通過退火區(qū)域222下方。臺240可在箭頭244方向上移動以在晶片204的列210a～210h之間移動。當電磁能量源220以第一頻率輸送電磁能量脈沖至退火區(qū)域222，臺240能以第二速率移動，使得在一列或一行中的晶片204上的每一點接收預定數(shù)量的電磁脈沖。在多種實施方式中，電磁能量源220及臺240可連接至控制器230，控制器230命令并協(xié)調(diào)來自電磁能量源220的能量脈沖及臺240的移動。在多種實施方式中，可通過一個或多個專用控制器分別控制電磁能量源220及臺240，且控制器230協(xié)調(diào)電磁能量脈沖及臺240的移動。如圖2A所示，能以退火區(qū)域222不會沖擊到基板202的方式放置臺240來開始退火處理。在多種實施方式中，能以退火區(qū)域222沖擊到不包含晶片204的基板202的一部分來開始退火處理。圖2A說明退火區(qū)域222沖擊到臺240且與晶片204的列210d對齊。如上述討論和下述更多的細節(jié)，電磁能量源220可以第一頻率發(fā)出電磁能量脈沖至退火區(qū)域222上，例如每秒10000次(10000Hz)。如圖第2B～2D所示，當電磁能量源220發(fā)出電磁能量脈沖，臺240可在箭頭242方向上移動基板202，使得退火區(qū)域222通過晶片的列210d中的每一點，且列210d中的每一點接收預定數(shù)量的電磁能量脈沖。圖3A～3E說明圖2A～2D所示的基板202的一部分的俯視視圖。所表示的基板202的部分包含六個晶片204的部分及晶片204之間的切口206。切口206可界定出寬度W1(針對沿著第一方向的切口)及寬度W2(針對沿著垂直于第一方向的第二方向的切口)。寬度W1及W2可相同或不同。退火區(qū)域222沖擊到基板202。退火區(qū)域222可具有實質(zhì)為矩形的分布。退火區(qū)域222包含可與切口206之間的距離實質(zhì)相等的第一維度D1。例如，如圖第3A～3E所示的第一維度D1與切口206的中線(由虛線207表示)之間的距離大約相等。例如，對某些基板202而言，晶片204的相對兩側(cè)上的切口206的中線207之間的距離可為25mm。對這些基板而言，維度D1可為大約25mm。作為另一個范例，對某些基板202而言，晶片204的相對兩側(cè)上的切口206的中線207之間的距離可為33mm。對這些基板而言，維度D1可為大約33mm。如下面更多的細節(jié)描述，退火區(qū)域222的第二維度D2可依據(jù)電磁能量源220的脈沖頻率、箭頭242方向上的臺240移動速率、及期望沖擊到基板202的任何點(例如圖3A～3E中的點P)的脈沖數(shù)量。在多種實施方式中，第二維度D2可為大約250納米(nm)。如上述討論，退火區(qū)域222可包含實質(zhì)(接近)矩形的分布。電磁能量源220可包含光學系統(tǒng)，所述光學系統(tǒng)可將電磁能量塑形而具有接近矩形的分布。例如，退火區(qū)域222可具有圓角224而非直角。然而，如果圓角224位于切口206中，這些圓角224不會影響晶片204上退火區(qū)域222中的電磁能量的均勻性。相似地，退火區(qū)域222可不具有尖銳的邊緣。否則，來自電磁能量源220的小量的電磁能量可能在環(huán)繞退火區(qū)域222的小區(qū)域內(nèi)下降。然而，在對基板202加熱中任何的增加相對于基板中的熱所引發(fā)的傳導加熱而言是最小的，引發(fā)傳導加熱的基板中的熱由在退火區(qū)域222中從退火區(qū)域222向外擴散的沖擊電磁能量產(chǎn)生。因此，可忽略退火區(qū)域222的邊緣外側(cè)的這些外來的電磁能量。圖3A～3E所示，可在箭頭242方向上以預定速率掃描(即移動)臺240及基板202，使得任何點(例如點P)接收預定數(shù)量的電磁能量脈沖。如果臺240及基板202以恒定速度移動，則在電磁能量脈沖期間退火區(qū)域222可“抹”過基板202。在脈沖開始時，退火區(qū)域可位于如實線區(qū)域222所示之處。在脈沖結(jié)束時(例如75納秒后)，基板202在箭頭242方向上移動，使得退火區(qū)域可位于如虛線區(qū)域222’所示之處。然而，脈沖一般足夠短使得所述“抹”的動作可以很小，且當基板202通過退火區(qū)域222下方時所述“抹”的動作可平均輸出多個脈沖。在圖3A～3E所示的范例中，晶片上任何點從電磁能量源220接收三個電磁能量脈沖。在多種例子中，每一點可接收十個或更多的電磁能量脈沖。圖3A說明基板202的晶片204上的點P。點P位于線L上，線L平行于基板202的臺240的移動方向(箭頭242所示)。點P及線L的放置是任意的，且僅為了說明的目的而表示。圖3A說明點P位于退火區(qū)域222內(nèi)之前緊接著的第一電磁能量脈沖期間的相對于退火區(qū)域222的基板202的位置。圖3B說明在第二電磁能量脈沖期間(緊接著第一電磁能量脈沖)的相對于退火區(qū)域222的基板202的位置。在第二電磁能量脈沖期間，點P位于退火區(qū)域222的第一或前方部分內(nèi)。圖3C說明在第三電磁能量脈沖期間(緊接著第二電磁能量脈沖)的相對于退火區(qū)域222的基板202的位置。在第三電磁能量脈沖期間，點P位于退火區(qū)域222的第二或中間部分內(nèi)。圖3D說明在第四電磁能量脈沖期間(緊接著第三電磁能量脈沖)的相對于退火區(qū)域222的基板202的位置。在第四電磁能量脈沖期間，點P位于退火區(qū)域222的第三或后方部分內(nèi)。圖3E說明在第五電磁能量脈沖期間(緊接著第四電磁能量脈沖)的相對于退火區(qū)域222的基板202的位置。在第五電磁能量脈沖期間，點P再次位于退火區(qū)域222外部。因此，當基板202上的點P通過退火區(qū)域222時，點P由電磁能量源220接收三個電磁能量脈沖。在多種實施方式中，退火區(qū)域222中的能量密度可實質(zhì)為局部的。例如，能量密度在退火區(qū)域222中的所有點處可為大約相同(例如250mJ/cm2)。在多種其他實施方式中，退火區(qū)域222中的能量密度可是變化的。例如，退火區(qū)域222的前方部分可具有第一能量密度，退火區(qū)域222的中間部分可具有第二能量密度，且退火區(qū)域222的后方部分可具有第三能量密度。圖4為針對一個或多個激光的使用的示范性配置的表格300，以提供用于脈沖退火的電磁能量，如上所述。在每一個示范性配置中，臺座(例如圖2A所示的臺座240)的臺速度為大約每秒1米以維持對基板而言可接受的處理速率。表格的行302說明了第一示范性配置，其中一個或多個激光的脈沖能量為400mJ。例如，經(jīng)由激光模塊耦合在一起的八個400W激光(532納米的波長)可產(chǎn)生持續(xù)75納秒的脈沖，且每個脈沖可輸出400mJ的能量。如果期望的脈沖能量密度為250mJ/cm2，則沖擊到基板(例如基板202)的脈沖面積為1.6cm2。在多種實例中，基板上劃線之間的距離可為25mm。如果沖擊到基板的脈沖寬度為25mm，則脈沖的深度為6400μm以達到1.6cm2的面積。如果需要每個位置(例如，圖3A～3E中的位置P)接收10個脈沖，則可通過使用1565Hz的脈沖頻率達成1m/s的臺速度。參照表格300的行304，如果需要10000Hz的脈沖頻率，則可通過應用每個位置接收64個脈沖來達成1m/s的臺速度。另外，可減低行304中每個位置接收的脈沖數(shù)量，而使得臺速度的增加。表格300的行306說明了示范性配置，其中沖擊到基板的脈沖寬度為100mm。例如，100mm的脈沖可同時沖擊到晶片的四個相鄰列(例如，圖2A～2D圖中的晶片204的列210c、210d、210e及210f)。為了維持1.6cm2的脈沖面積，脈沖深度減低至1600μm。如果脈沖頻率為10000Hz且期望的臺速度為1m/s，則基板上每一位置可接收16個脈沖。表格300的行308及310說明了示范性配置，其中一個或多個激光的脈沖能量為100mJ。為了維持期望的250mJ/cm2的脈沖能量密度，脈沖面積減低至0.4cm2。如果沖擊到基板的脈沖寬度為25mm，則結(jié)果脈沖深度為1600μm。在行308中，脈沖頻率為10000Hz。為了維持1m/s的臺速度，基板上每個位置可接收16個脈沖。參照行310，如果脈沖頻率減低至4000Hz，在達成1m/s的臺速度時基板上每個位置可接收6個脈沖。圖4的表格300中所表示的示范性配置僅為說明。本公開考慮了針對特定應用的多種其他配置(符合生產(chǎn)率速度、期望的脈沖數(shù)量等)。特定地，圖4中所表示的示范性實施方式全部基于1m/sec的臺速度。如果需要其他臺速度，可據(jù)此改變多種特性及參數(shù)。圖5說明了用于熱處理基板的方法400的框圖。在框402中，安置基板以在脈沖激光源的光學路徑下方掃描。例如，基板(例如圖2A～2D圖所示的基板202)可被放置于臺座(例如圖2A～2D所示的臺座240)上，所述臺座相對于光學路徑(例如圖2A～2D圖所示的退火區(qū)域222)是可移動的。在框404中，放置基板使得基板上至少一個晶片列與所述光學路徑對齊，但所述光學路徑中沒有晶片。例如，圖2A說明光學路徑222與基板202上晶片204的列210d對齊。然而，放置臺座240使得基板202遠離光學路徑被放置。在框406中，初始化激光脈沖。光學路徑222被塑形使得激光脈沖具有某個能量密度，例如250mJ/cm2。一旦激光脈沖被初使化，在框408中，沿著至少一個晶片列穿過所述光學路徑掃描基板。例如，圖2A～2D說明臺座240在箭頭242的方向上移動，使得列210d中晶片204的一部分穿過所述光學路徑222被掃描。在多種應用中，每秒至少一米的掃描速率可有利于維持可接受的基板輸出水平。在穿過所述光學路徑整個晶片列被掃描后，在框410中，可停止激光脈沖?？山又鴮R基板使得至少一個不同列與所述光學路徑對齊，且可對新的列重復框406。當前第1頁1 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