技術(shù)編號：11161478
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的實施方式一般涉及制造半導體器件的方法。更具體地，本發(fā)明的實施方式針對熱處理基板。背景技術(shù)半導體器件持續(xù)縮小以符合未來性能需求。為了實現(xiàn)持續(xù)的縮小，摻雜源極和漏極接面的工程必須聚焦于非常小的晶格內(nèi)的單原子的放置及移動。例如，一些未來器件的設計方案考慮包括少于100原子的通道區(qū)域。為了這些嚴格需求，需要在幾個原子半徑內(nèi)控制摻雜原子(dopantatoms)的放置。摻雜原子的放置現(xiàn)通過在硅基板的源極及漏極區(qū)域植入摻雜物，接著退火基板的處理工藝來控制?？墒褂脫诫s物以增強硅基材中的導電性、誘導對晶...
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