專利名稱：多孔石墨烯或石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料及其制備方法
技術領域：
本發(fā)明屬于石墨烯復合材料領域，具體是涉及一種多孔石墨烯或石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料及其制備方法，所述多孔石墨烯或石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料主要用于光伏、導電材料、散熱等領域。
背景技術：
石墨烯自被成功分離，就因其優(yōu)異的物理特性引起科學界的廣泛興趣。作為世界上導電性最好的材料，石墨烯中的電子運動速度達到了光速的1/300，遠遠超過了電子在一般導體中的傳導速度。根據(jù)其優(yōu)異的導電性，使它在微電子領域也具有巨大的應用潛力。另外石墨烯材料還是一種優(yōu)良的改性劑，把石墨烯作為導電材料與各種物質復合，應用到新能源領域如光伏，儲能領域如鋰離子電池和超級電容器，散熱、導電等領域中。由于其高傳導性、高比表面積，可適用于作為電極材料助劑。目前，石墨烯的研究和制備大多集中在低維石墨烯，尤其是二維薄膜石墨烯薄膜方面，對三維石墨烯的研究上需要進一步的探索。而三維多孔石墨烯及其復合材料的制備更是由于受制于多孔基底的限制，孔徑無法調整，制備工藝復雜，孔隙率低。如何制備孔徑可調，工藝簡單高質量的三維多孔石墨烯及三維石墨烯復合材料成為了急需要解決的問題。本發(fā)明得到的產(chǎn)物能應用于儲能，光伏，散熱等諸多領域，具有廣闊的發(fā)展前景。

發(fā)明內容
為了導電陶瓷材料的導電性能，本發(fā)明原創(chuàng)性的提出一種石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料及其制備方法，其中，所述導電材料由石墨烯和多孔復合陶瓷組成。在本發(fā)明一個實施方式中，本發(fā)明提供石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料的制備方法，所述方法包括:(a)將一種或多種陶瓷粉體和一種或多種金屬粉體研磨成為粒徑不均勻的陶瓷粉體和金屬粉體；(b)將一種或多種陶瓷粉體與一種或多種金屬粉體混合均勻；(C)在混合均勻的粉體中加入粘結劑，研磨混合均勻并烘干，形成烘干后的樣品；(d)將所述烘干后的樣品在模具中機械壓片，獲得多孔的基底；(e)將所述多孔的基底高溫退火成型，獲得多孔的陶瓷基底；(f)通過化學氣相沉積方法在所述多孔的陶瓷基底上直接生長石墨烯，獲得石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料。在本發(fā)明實施方式中，所述陶瓷粉末為選自二氧化硅、三氧化二鋁、氮化鋁、碳化娃、氧化錯、碳化硼和其組合的粉末；所述金屬粉體是選自Cu、Ir、Pt、Mo、W、Zn、Nb、Ta、Ru、T1、Zr、Pd、Fe、Co、N1、V 和 Rh 中的一種或多種。在本發(fā)明實施方式中 ，所述粘結劑為丙二醇、聚偏氟乙烯(PVDF)、PVP(聚乙烯吡咯烷酮)、PEG(聚乙二醇)、PVA(聚乙烯醇)以及它們的混合溶劑。其中，所述粘結劑占粉體質量的0.1% -99%。在本發(fā)明實施方式中，所述模具的內徑在7mm-250mm之間；所述機械壓片在IMPa-1OOMPa的壓強范圍下進行I分鐘_60分鐘。在本發(fā)明優(yōu)選實施方式中，所述方法還包括將機械壓片后的多孔基片邊緣的凸起清除。在本發(fā)明的實施方式中，所述高溫退火的溫度在800-1600°C之間，保溫時間在0.5小時-20小時之間。在本發(fā)明的實施方式中，所述化學氣相沉積法所采用的碳源包括:甲烷、乙烯、乙炔、乙醇、乙烷、丙烷以及它們的混合氣；采用的保護氣包括:氮氣、氬氣、氦氣以及它們的混合氣；以及采用的還原氣體為氫氣。在優(yōu)選的實施方式中，所述化學氣相沉積法包括:(a)程序升溫，升溫速率在0.5-200C /分鐘；加熱至反應溫度600-140(TC，恒溫1-240分鐘；(b)然后導入碳源、氫氣和保護氣，氣體流量為1-SOOsccm(標況毫升每分鐘)，反應時間1-480分鐘；(c)反應完畢后，控制降溫速率為10-50°C /分鐘，冷卻至室溫。在本發(fā)明另一實施方式中，本發(fā)明提供一種三維多孔石墨烯材料的制備方法，所述方法包括:(a)將一種或多種陶瓷粉體和一種或多種金屬粉體研磨成為粒徑大小不均的陶瓷粉體和金屬粉體；(b)將一種或多種陶瓷粉體與一種或多種金屬粉體混合均勻；(C)在混合均勻的粉體中加入粘結劑，研磨混合均勻并烘干，形成烘干后的樣品；(d)將所述烘干后的樣品在進行成型，獲得多孔的基底；(e)將所述多孔的基底高溫退火成型，獲得多孔的陶瓷基底；(f)通過化學氣相沉積方法在所述多孔的陶瓷基底上直接生長石墨烯，獲得石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料；和(g)通過骨架刻蝕的方法，去除作為骨架的多孔的陶瓷基底，得到三維多孔石墨烯。在本發(fā)明實施方式中，所述陶瓷粉末為選自二氧化硅、三氧化二鋁、氮化鋁、碳化娃、氧化錯、碳化硼和其組合的粉末；所述金屬粉體是選自Cu、Ir、Pt、Mo、W、Zn、Nb、Ta、Ru、T1、Zr、Pd、Fe、Co、N1、V 和 Rh 中的一種或多種。在本發(fā)明實施方式中，所述粘結劑為丙二醇、聚偏氟乙烯(PVDF)、PVP(聚乙烯吡咯烷酮)、PEG(聚乙二醇)、PVA(聚乙烯醇)以及它們的混合溶劑。在本發(fā)明實施方式中，所述粘結劑占粉體質量的0.1% -99%。在本發(fā)明實施方式中，所述成型通過機械壓片法、旋涂法、刮涂法進行；優(yōu)選機械壓片法，其中，所用的模具的內徑在7mm-250mm之間；所述機械壓片在IMPa-1OOMPa的壓強范圍下進行I分鐘-60分鐘。在本發(fā)明實施方式中， 所述方法還包括將機械壓片后的多孔基片邊緣的凸起清除。在本發(fā)明實施方式中，高溫退火的溫度在800-1600°C之間，保溫時間在0.5小時-20小時之間。在本發(fā)明實施方式中，化學氣相沉積法所采用的碳源包括:甲烷、乙烯、乙炔、乙醇、乙烷、丙烷以及它們的混合氣；采用的保護氣包括:氮氣、氬氣、氦氣以及它們的混合氣；以及采用的還原氣體為氫氣。在本發(fā)明實施方式中，所述化學氣相沉積法包括:(a)程序升溫，升溫速率在0.5-200C /分鐘；加熱至反應溫度600-1400℃，恒溫1-240分鐘；(b)然后導入碳源、氫氣和保護氣，氣體流量為l-800sccm，反應時間1-480分鐘；(c)反應完畢后，控制降溫速率為10-50°C /分鐘，冷卻至室溫。在本發(fā)明實施方式中，將所述石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料在有機物保護下放入刻蝕液中去除作為骨架的多孔的陶瓷基底，得到三維多孔石墨烯。在優(yōu)選的實施方式中，將石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料先用PMMA保護下，放入lmol/L的HCl溶液中去除復合陶瓷骨架；然后在丙酮溶液中溶去PMMA，得到多孔石墨烯。另一方面，本發(fā)明還提供上述制備方法制的多孔石墨烯或石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料，其中所述多孔石墨烯或石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料由石墨烯或石墨烯和多孔復合陶瓷組成。再一方面，本發(fā)明提供上述多孔石墨烯或石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料在光伏、導電材料、散熱器件中的應用。本發(fā)明公開了的多孔石墨烯或石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料的制備方法工藝簡單，過程易控制，導電性能優(yōu)異，不需要在真空條件下實施背接觸層的沉積，設備投資少，可以大規(guī)模生產(chǎn)。此外，多孔石墨烯或石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料用作導電基底獲得了方塊電阻低于0.2 Ω /sq (歐姆/平方)的優(yōu)異導電性能。


圖1:本發(fā)明一個實施方式中的石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料的掃描電鏡照片。圖2:本發(fā)明一個實施方式中石墨烯的拉曼(Raman)光譜。
具體實施例方式在本發(fā)明中，所述多孔石墨烯或石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料的制備方法以高純的二氧化硅、三氧化二鋁、氮化鋁、碳化硅、氧化鋯和碳化硼等材料的粉體作為基材；從金屬粉體 Cu、Ir、Pt、Mo、W、Zn、Nb、Ta、Ru、T1、Zr、Pd、Fe、Co、N1、V、Rh 等中選出一種或多種，以一定的比例與一種或多種陶瓷粉充分混合均勻，通過機械壓片的方法得到多孔基底，經(jīng)過高溫退火得到多孔的陶瓷材料。利用化學氣相沉積(CVD)法宏量制備石墨烯的方法，得到一種石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料。該復合導電材料的制備工藝簡單，導電性能優(yōu)異，環(huán)境友好，取材廣泛。該石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料的制備具有原創(chuàng)性和積極的科學意義，并能應用到光伏、導電、散熱等諸多領域。本發(fā)明所述石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料是由石墨烯沉積在多孔復合陶瓷基底上而得到的復合材料，其制備方法具體如下:(I)以市售高純的二氧化硅、三氧化二鋁、氮化鋁、碳化硅、氧化鋯和碳化硼等材料的陶瓷粉體作為基材，從金屬粉體 Cu、Ir、Pt、Mo、W、Zn、Nb、Ta、Ru、T1、Zr、Pd、Fe、Co、N1、V、Rh等中選出一種或多種，以一定的比例與一種或多種陶瓷粉充分混合均勻；通過加入適量的粘結劑，經(jīng)研磨、烘干后得到壓片材料。稱量適量的粉體材料，放入磨具中，在適當?shù)膲簭娤聣浩⒈哼m量的時間。壓制成型后的基片從模具中取出，通過清理邊緣凸起得到平整的圓片狀基片。將基片在高溫爐中退火成多孔陶瓷。(2)將退火后的陶瓷放入化學氣相沉積反應室，密封并檢查高溫反應室氣密性，在保護氣氛下排出高溫反應室中殘余氣體，然后進行程序升溫，升溫速率在0.5-200C /分鐘。加熱至反應溫度600-1300°C，恒溫1-180分鐘后，導入碳源、氫氣和保護氣，氣體流量為l-800sccm，反應時間1-180分鐘，反應完畢，控制降溫速率為10_50°C /分鐘，冷卻至室溫。為了制得三維石墨烯材料，再進行以下步驟:(3)將石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料先用PMMA保護下，放入0.5mol/L的HF溶液中去除復合陶瓷骨架；然后在丙酮溶液中溶去PMMA，50°C烘干后得到多孔石墨烯。所述步驟(I)中，多孔復合陶瓷的制備需要的材料為二氧化硅、三氧化二鋁、碳化硅、氧化鋯和碳化硼等材料，經(jīng)過球磨適當?shù)臅r間得到顆粒均勻的粉體。所述步驟(I)中，所需要的金屬粉體為Cu、Ir、Pt、Mo、W、Zn、Nb、Ta、Ru、T1、Zr、Pd、Fe、Co、N1、V、Rh等。從中選出一種或多種，以一定的質量比例與一種或多種陶瓷粉體混合，金屬粉體的質量占粉體混合的比例控制在1% -20%之間，經(jīng)球磨一定的時間將其充分混合均勻。所述步驟(1)中，在粉體中加入粘結劑為丙二醇、聚偏氟乙烯(PVDF)、PVP(聚乙烯吡咯烷酮)、PEG(聚乙二醇)、PVA(聚乙烯醇)等或者它們的混合溶劑。其比例占粉體質量的0.1%-99%。充分研磨后真空干燥一定時間。所述粘結劑優(yōu)選PVA溶劑。所述步驟(1)中，稱量適量的混有粘結劑的粉體材料，加入到壓片模具(模具的內徑在7mm-250mm之間)中，在壓片機中壓片。調節(jié)適度的壓強，壓強范圍在IMPa-1OOMPa之間；保壓一定的時間，時間范圍在I分鐘-60分鐘之間。將壓好的基片清除邊緣的凸起后等待后續(xù)反應。所述步驟(1)中，在高溫爐中進行高溫退火的溫度在1000-1600°C之間，保溫溫度在0.1-10小時之間。優(yōu)選溫度為1250°C，1300°C或1350℃。所述步驟⑵中，化學氣相沉積法所采用的碳源包括:甲烷、乙烯、乙炔、乙醇、乙烷、丙烷以及它們的混合氣。采用的保護氣包括:氮氣、氬氣、氦氣以及它們的混合氣。采用的還原氣體(分裂氣體)為氫氣。所述步驟(2)中，程序升溫，升溫速率在0.5-20°C /分鐘。然后進行加熱至反應溫度600-1400°C，恒溫1-240分鐘后，導入碳源、氫氣和保護氣，氣體流量為l-800sccm，反應時間1-480分鐘，反應完畢，控制降溫速率為10-50°C /分鐘，冷卻至室溫。所述步驟(3)中，有機保護劑為3 %的PMMA的苯甲醚溶液；刻蝕液為0.5mol/L的HF溶液。所制備的石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料可應用于光伏、導電材料、散熱器件等領域。
實施例下面結合具體的實施例進一步闡述本發(fā)明。但是，應該明白，這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不構成對本發(fā)明范圍的限制。下列實施例中未注明具體條件的試驗方法，通常按照常規(guī)條件，或按照制造廠商所建議的條件。除非另有說明，所有的百分比和份數(shù)按重量計。實施例1將Al2O3加入質量分數(shù)為10 %的鎳粉進行球磨I小時，并混合均勻。加入5%的粘結劑，通過充分研磨真空干燥，獲得干燥后樣品；稱取干燥后樣品0.3g、0.45g、0.6g放入內徑IOmm的模具中，在5MPa、10MPa、15MPa、20MPa的壓強下保壓10分鐘、20分鐘、30分鐘。取出壓制好的基片，處理掉基片邊緣的凸起。將基片放入到高溫爐中，以10°C /分鐘的速度升溫至1300°C，保溫I小時后，自然冷卻至室溫。將多孔陶瓷裝入化學氣相沉積(CVD)反應爐，通入lOOsccm氫氣和300sCCm氬氣，以I (TC /分鐘的升溫速度加熱至1100°C、1150°C、120(TC、125(rC，恒溫時間分別持續(xù)10分鐘、30分鐘、60分鐘，之后通入10sccm、20sccm、30sccm、40sccm甲燒，調節(jié)氫氣流量到50sccm,反應時間分別30分鐘、60分鐘、150分鐘、180分鐘、210分鐘、240分鐘，300分鐘。反應結束后停止通入甲烷，保持氫氣和氬氣的流量不變，控制降溫速率為10°C /分鐘降到400°C，然后自然冷卻到室溫。樣品的掃描電鏡照片和拉曼光譜如圖1和圖2所示。將樣品通過霍爾儀測試，發(fā)現(xiàn)樣品具有優(yōu)異的導電性能，方塊電阻最低為0.1572 Ω /Sq (歐姆/平方)。將得到的樣品先用PMMA保護，放入0.5mol/L的HF溶液中去除復合陶瓷骨架；然后在丙酮溶液中溶去PMMA，50°C烘干后得到多孔石墨烯。表1:多孔石墨烯或石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料的電學性能。
權利要求
1.一種石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料的制備方法，所述導電材料由石墨烯和多孔復合陶瓷組成，所述方法包括: (a)將一種或多種陶瓷粉體和一種或多種金屬粉體研磨成為粒徑大小不均的陶瓷粉體和金屬粉體； (b)將一種或多種陶瓷粉體與一種或多種金屬粉體混合均勻； (C)在混合均勻的粉體中加入粘結劑，研磨混合均勻并烘干，形成烘干后的樣品； (d)將所述烘干后的樣品在進行成型，獲得多孔的基底； (e)將所述多孔的基底高溫退火成型，獲得多孔的陶瓷基底；和 (f)通過化學氣相沉積方法在所述多孔的陶瓷基底上直接生長石墨烯，獲得石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料。
2.根據(jù)權利要求1所述的石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料的制備方法，其特征在于:所述陶瓷粉末為選自二氧化硅、三氧化二鋁、氮化鋁、碳化硅、氧化鋯、碳化硼和其組合的粉末；所述金屬粉體是選自 Cu、Ir、Pt、Mo、W、Zn、Nb、Ta、Ru、T1、Zr、Pd、Fe、Co、N1、V 和 Rh 中的一種或多種。
3.根據(jù)權利要求1所述的石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料的制備方法，其特征在于:所述粘結劑為丙二醇、聚偏氟乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、聚乙烯醇以及它們的混合溶劑。
4.根據(jù)權利要求1所述的石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料的制備方法，其特征在于:所述粘結劑占粉體 質量的0.1% -99%。
5.根據(jù)權利要求1所述的石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料的制備方法，其特征在于:所述成型通過機械壓片法、旋涂法、刮涂法進行；優(yōu)選機械壓片法，其中，機械壓片法所用的模具的內徑在7mm-250mm之間；所述機械壓片在IMPa-1OOMPa的壓強范圍下進行I分鐘_60分鐘。
6.根據(jù)權利要求5所述的石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料的制備方法，其特征在于:所述方法還包括將機械壓片后的多孔基片邊緣的凸起清除。
7.根據(jù)權利要求1所述的石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料的制備方法，其特征在于:高溫退火的溫度在800-1600°C之間，保溫時間在0.5小時-20小時之間。
8.根據(jù)權利要求1所述的石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料的制備方法，其特征在于:化學氣相沉積法所采用的碳源包括:甲烷、乙烯、乙炔、乙醇、乙烷、丙烷以及它們的混合氣；采用的保護氣包括:氮氣、氬氣、氦氣以及它們的混合氣；以及采用的還原氣體為氫氣。
9.根據(jù)權利要求1所述的石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料的制備方法，其特征在于:所述化學氣相沉積法包括: (a)程序升溫，升溫速率在0.5-200C /分鐘；加熱至反應溫度600-140(TC，恒溫1-240分鐘； (b)然后導入碳源、氫氣和保護氣，氣體流量為l-800SCCm，反應時間1-480分鐘； (c)反應完畢后，控制降溫速率為10-50°C/分鐘，冷卻至室溫。
10.一種三維多孔石墨烯材料的制備方法，所述方法包括: (a)將一種或多種陶瓷粉體和一種或多種金屬粉體研磨成為粒徑大小不均的陶瓷粉體和金屬粉體；(b)將一種或多種陶瓷粉體與一種或多種金屬粉體混合均勻； (C)在混合均勻的粉體中加入粘結劑，研磨混合均勻并烘干，形成烘干后的樣品； (d)將所述烘干后的樣品在進行成型，獲得多孔的基底； (e)將所述多孔的基底高溫退火成型，獲得多孔的陶瓷基底； (f)通過化學氣相沉積方法在所述多孔的陶瓷基底上直接生長石墨烯，獲得石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料；和 (g)通過骨架刻蝕的方法，去除作為骨架的多孔的陶瓷基底，得到三維多孔石墨烯。
11.根據(jù)權利要求10所述的三維多孔石墨烯材料的制備方法，其特征在于:所述陶瓷粉末為選自二氧化硅、三氧化二鋁、氮化鋁、碳化硅、氧化鋯、碳化硼和其組合的粉末；所述金屬粉體是選自 Cu、Ir、Pt、Mo、W、Zn、Nb、Ta、Ru、T1、Zr、Pd、Fe、Co、N1、V 和 Rh 中的一種或多種。
12.根據(jù)權利要求10所述的三維多孔石墨烯材料的制備方法，其特征在于:所述粘結劑為丙二醇、聚偏氟乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、聚乙烯醇以及它們的混合溶劑。
13.根據(jù)權利要求10所述的三維多孔石墨烯材料的制備方法，其特征在于:所述粘結劑占粉體質量的0.1% -99%。
14.根據(jù)權利要求10所述的三維多孔石墨烯材料的制備方法，其特征在于:所述成型通過機械壓片法、旋涂法、刮涂法進行；優(yōu)選機械壓片法，其中，所用的模具的內徑在7mm-250mm之間；所述機械壓片在IMPa-1OOMPa的壓強范圍下進行I分鐘-60分鐘。
15.根據(jù)權利要求14所述的三維多孔石墨烯材料的制備方法，其特征在于:所述方法還包括將機械壓片后的多孔基片邊緣的凸起清除。
16.根據(jù)權利要求10所述的三維多孔石墨烯材料的制備方法，其特征在于:高溫退火的溫度在800-1600°C之間，保溫時間在0.5小時-20小時之間。
17.根據(jù)權利要求10所述的三維多孔石墨烯材料的制備方法，其特征在于:化學氣相沉積法所采用的碳源包括:甲烷、乙烯、乙炔、乙醇、乙烷、丙烷以及它們的混合氣；采用的保護氣包括:氮氣、IS氣、氦氣以及它們的混合氣；以及米用的還原氣體為氫氣。
18.根據(jù)權利要求10所述的三維多孔石墨烯材料的制備方法，其特征在于:所述化學氣相沉積法包括: (a)程序升溫，升溫速率在0.5-200C /分鐘；加熱至反應溫度600-140(TC，恒溫1-240分鐘； (b)然后導入碳源、氫氣和保護氣，氣體流量為l-800SCCm，反應時間1-480分鐘； (c)反應完畢后，控制降溫速率為10-50°C/分鐘，冷卻至室溫。
19.根據(jù)權利要求10所述的三維多孔石墨烯材料的制備方法，其特征在于:將所述石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料在有機物保護下放入刻蝕液中去除作為骨架的多孔的陶瓷基底，得到三維多孔石墨烯。
20.根據(jù)權利要求1-9任一項所述制備方法制的石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料，其中所述石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料由石墨烯和多孔復合陶瓷組成。
21.根據(jù)權利要求10-19任一項所述制備方法制的三維多孔石墨烯材料。
22.權利要求20所述石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料或者權利要求21所述三維多孔石墨烯材料在光伏、導電材料、散熱器件中的應用。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種新型的多孔石墨烯或石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料與制備方法，其特征在于該方法包括將金屬粉體與陶瓷粉體材料混合均勻后用一定方式成型，形成多孔基底；采用化學氣相沉積方法生長石墨烯，得到多孔石墨烯或石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料。本發(fā)明所述材料具有優(yōu)良的導電性能。本發(fā)明所用陶瓷材料為二氧化硅、三氧化二鋁、氮化鋁、碳化硅、氧化鋯和碳化硼等材料；所用的金屬為Cu、lr、Pt、Mo、W、Zn、Nb、Ta、Ru、Ti、Zr、Pd、Fe、Co、Ni、V、Rh或其組合。該石墨烯/多孔復合陶瓷導電材料在現(xiàn)有技術中并未出現(xiàn)，而且，具有積極的技術效果和應用，包括能應用到光伏、導電、散熱等諸多領域。
文檔編號H01B13/00GK103219089SQ20121001593
公開日2013年7月24日 申請日期2012年1月18日 優(yōu)先權日2012年1月18日
發(fā)明者黃富強, 周密, 畢輝 申請人:中國科學院上海硅酸鹽研究所