專利名稱：利用電子束誘導(dǎo)化學(xué)刻蝕修復(fù)掩模的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體集成電路的制造。更具體而言，本發(fā)明涉及利用電子束誘導(dǎo)化學(xué)刻蝕來制造和修復(fù)掩模的方法。
背景技術(shù)：
在將光刻膠涂覆到半導(dǎo)體晶片上之后，可以利用掃描曝光機(jī)(scanner)來將光刻膠曝光至諸如標(biāo)稱波長為248納米(nm)、193nm或157nm的深紫外線(DUV)光的輻射。將晶片細(xì)分成若干鄰接的等同區(qū)域，并且利用縮影投影(reduction projection)系統(tǒng)來以光線掃描整個掩模并將光線掃描到每一個區(qū)域之上。在每一個區(qū)域中可以制造一個或多個集成電路(IC)芯片。因為曝光并隨后還進(jìn)行顯影處理，所以掩模確定了轉(zhuǎn)移到光刻膠上的圖案，其中所述掩?？梢允峭干涫窖谀；蚍瓷涫窖谀！?br> 利用DUV光的光學(xué)鄰近校正(OPC)和相移掩模(PSM)，將允許翻印(print)臨界尺寸(CD)為100至180nm的特征(feature)。但是，下一代光刻技術(shù)(NGL)要求翻印具有更小CD的特征。作為NGL最主要的候選者的極遠(yuǎn)紫外線(EUV)光刻技術(shù)利用中心波長在10至15nm范圍內(nèi)的曝光光源。
EUV掃描曝光機(jī)可以具有4個成像鏡和0.10的數(shù)值孔徑(NA)，以獲得50至70nm的CD且景深(DOF)約為1.00微米(μm)。或者，EUV掃描曝光機(jī)可以具有6個成像鏡和0.25的NA，以翻印20至30nm的CD且DOF減小至約0.17μm。
在制造期間，將檢測DUV或EUV掩模的缺陷。利用具有鎵液態(tài)金屬離子源的聚焦離子束(FIB)工具進(jìn)行致命缺陷的修復(fù)。通過沉積碳或金屬并隨后利用氣體輔助刻蝕(GAE)進(jìn)行修整(trimming)，將掩蓋透明缺陷。使用利用離子轟擊的GAE或物理離子濺射可以修復(fù)不透明缺陷。去除不透明缺陷的工藝應(yīng)該對于下層具有足夠的刻蝕選擇性。所述下層在用于DUV的透射式掩模中為石英，或在用于EUV的反射式掩模中是緩沖層。
在搜索缺陷的掃描期間或在修復(fù)缺陷期間，F(xiàn)IB可能損傷掩模。濺射可能使掩模的已修復(fù)部分變得粗糙。在掩模的表面可能沉積有機(jī)污染物。鎵離子可能被注入下層。鎵強(qiáng)烈地吸收157nm和EUV處的波長，因此減小諸如157nm DUV掩模的透射式掩模中的透射，或減小諸如EUV掩模的反射式掩模中的反射。掩模的下層可能被鎵帶來的原子撞擊進(jìn)一步損傷。
隨著掩模上的特征的CD減小，掩模的損傷變得更加難以解決。雖然降低FIB中的加速電壓將減小鎵離子的滲透范圍，但是損害了刻蝕選擇性和空間分辨率。雖然限制成像時間和過掃描面積可以減小損傷，但是也可能對修復(fù)產(chǎn)生不利影響。雖然諸如對157nm DUV掩模中的石英襯底或EUV掩模中的緩沖層的濕法刻蝕的修復(fù)后處理將去除所注入的鎵離子，但是可能使下層材料變得具有凹坑。如果足夠多的材料被去除，則還可能帶來相位誤差差(phase error)。
因此，所需要的是用于制造和無損修復(fù)掩模的裝置和方法。


圖1A至圖1D是根據(jù)本發(fā)明所形成的EUV掩?？掌?blank)的橫截面視圖。
圖2A至圖2D是根據(jù)本發(fā)明所形成的EUV掩模的橫截面視圖。
圖3是本發(fā)明的EUV掩模的橫截面視圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的用于利用電子束誘導(dǎo)化學(xué)刻蝕修復(fù)不透明缺陷的裝置的橫截面視圖。
具體實施例方式
在下面的詳細(xì)描述中闡述了很多諸如具體材料、尺寸和工藝的具體細(xì)節(jié)，以便于充分理解本發(fā)明。但是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解沒有這些具體細(xì)節(jié)也可以實施本發(fā)明。在另外一些例子里，沒有對公知的半導(dǎo)體設(shè)備和工藝進(jìn)行詳細(xì)的描述，以避免喧賓奪主、淡化了本發(fā)明的主要內(nèi)容。
在光刻中使用掩模以在晶片上的光刻膠中翻印所期望的圖案。深紫外線(DUV)光刻技術(shù)使用透射式掩模，以利用具有248nm、193nm或157nm的波長的光進(jìn)行曝光。因為幾乎所有凝聚態(tài)材料對11-15nm的EUV波長范圍都具有高度的吸收性，所以極遠(yuǎn)紫外線(EUV)光刻技術(shù)使用反射式掩模進(jìn)行曝光。
通過選擇性地去除不透明鉻層的某些部分以暴露出透明的石英襯底而在DUV掩模中定義出所期望的圖案。通過選擇性地去除吸收物層的某些部分以暴露出在襯底上的多層鏡而在EUV掩模中定義出所期望的圖案。
作為掩模制造工藝的一部分，檢測DUV掩模和EUV掩模的缺陷。通常利用DUV光進(jìn)行檢測。缺陷可以呈現(xiàn)為透明或不透明。如果缺陷的尺寸、形狀或位置可能顯著地影響其附近的掩模特征的質(zhì)量和翻印重現(xiàn)精度(fidelity)，則此缺陷被認(rèn)為是致命的。致命缺陷必須被修復(fù)，否則對于正在用該掩模制造的結(jié)構(gòu)，成品率將下降。本發(fā)明包括用于修復(fù)DUV掩?；駿UV掩模上的不透明缺陷而不損傷下層的裝置和方法。
根據(jù)本發(fā)明的用于制造和修復(fù)EUV掩模的方法的各種實施例將被描述。第一，襯底1100被用作本發(fā)明的EUV掩模的起始材料，其中所述襯底1100具有低熱膨脹系數(shù)(CTE)、光滑的表面和低缺陷水平。在圖1A中示出了一個實施例。襯底1100可以由具有所期望屬性的玻璃陶瓷材料形成。
第二，因為EUV掩模依據(jù)分布式Bragg反射器(distributed Braggreflector)的原理進(jìn)行工作，所以多層(ML)鏡1200被形成在襯底1100之上。在圖1B中示出了一個實施例。ML鏡1200包括約20至80對高折射率材料1210和低折射率材料1220的交替層。在整個襯底1100中，厚度均勻性應(yīng)優(yōu)于0.8％。
在一個實施例中，ML鏡1200包括40對高折射率材料1210和低折射率材料1220的交替層。高折射率材料1210可以由約2.8nm厚的鉬形成，而低折射率材料1220可以由約4.1nm厚的硅形成。根據(jù)需要，諸如約11.0nm厚的硅的覆蓋層1230可以被形成在ML鏡1200上以防止EUV掩模中的ML鏡1200的上表面處的鉬氧化。ML鏡1200可以在約13.4nm的EUV中心照射波長處獲得約60-75％的最大反射率。
離子束沉積(IBD)或直流(DC)磁控濺射可以被用來在襯底1100之上形成ML鏡1200。因為可以最優(yōu)化沉積條件以消除襯底1100上的缺陷，所以IBD使得ML鏡1200的上表面中的缺陷更少且破壞更小。DC磁控濺射是更適形(conformal)的，因此產(chǎn)生更好的厚度均勻性，但襯底1100上的任何缺陷往往通過交替層傳遞到ML鏡1200的上表面。
第三，在ML鏡1200的上表面之上形成緩沖層1300。在圖1C中示出了一個實施例。緩沖層1300的厚度約為10-55nm。緩沖層1300可以由諸如低溫氧化物(LTO)的二氧化硅形成。通常低于約150℃的低處理溫度對防止ML鏡1200中的交替層的相互擴(kuò)散是理想的。諸如氧氮化硅或碳的其它材料也可以用來形成緩沖層1300?？梢酝ㄟ^射頻(RF)磁控濺射沉積緩沖層1300。
第四，在緩沖層1300之上形成吸收物層1400。在圖1D中示出了一個實施例。吸收物層1400可以由約45-125nm的某種材料形成，其中該材料衰減EUV光，在用EUV光曝光期間保持穩(wěn)定，并且與掩模的制造工藝相兼容。吸收物層1400可以用DC磁控濺射沉積。
可以用各種金屬、合金和陶瓷來形成吸收物層1400。金屬包括鋁、鉻、鎳、鉭、鈦和鎢。合金包括諸如鋁-銅的金屬復(fù)合物。陶瓷包括金屬和非金屬的化合物，諸如金屬的硼化物、碳化物、氮化物、氧化物、磷化物、硅化物和硫化物。實例包括硅化鎳、硼化鉭、鍺化鉭、氮化鉭、硅化鉭、氮化硅鉭和氮化鈦。
吸收物層1400、緩沖層1300、ML鏡1200和襯底1100的結(jié)合得到了EUV掩?？掌?700。在圖1D中示出了一個實施例?？梢赃M(jìn)一步處理在圖1D中示出的EUV掩?？掌?700以制造EUV掩模1800，其中在圖2D中示出了它的一個實施例。
第一，用諸如光刻膠1600的輻射敏感層覆蓋EUV掩模空片1700。光刻膠1600的厚度約為160-640nm。可以使用化學(xué)放大光刻膠(CAR)。通過利用諸如DUV光或電子束的適當(dāng)波長的充分輻射進(jìn)行選擇性曝光，并隨后進(jìn)行濕法或干法顯影處理，在光刻膠1600中形成所期望的圖案。圖2A中示出了一個實施例。在顯影光刻膠1600中的圖案后，利用光學(xué)工具或掃描電鏡(SEM)測量特征的臨界尺寸(CD)。
可以使用反應(yīng)離子刻蝕(RIE)來將圖案從光刻膠1600轉(zhuǎn)移到下面的吸收物層1400之中。例如，可以利用諸如Cl2或BCl3的含氯氣體，或諸如NF3的含氟氣體干法刻蝕吸收物層1400。氬氣可以作為載氣。在某些情況下，可以包含氧氣。通過修改反應(yīng)器室的配置和調(diào)節(jié)諸如功率、壓力、襯底溫度和氣體流速的參數(shù)，可以改變刻蝕速率和刻蝕選擇性。
緩沖層1300起到刻蝕終止層的作用以有助于在上面的吸收物層1400中形成良好的刻蝕形貌。此外，緩沖層1300防止下面的ML鏡1200在上面的吸收物層1400的刻蝕期間受到損傷。緩沖層1300還防止下面的ML鏡1200在用于去除吸收物層1400中的不透明缺陷的任何后續(xù)修復(fù)期間受到損傷。
在完成刻蝕之后，光刻膠1600被去除，并且利用光學(xué)工具或掃描電鏡(SEM)測量在吸收物層1400中形成的特征的CD。在任何適當(dāng)?shù)臅r候，可以利用干涉儀來測量光信號的相位以及振幅。然后，利用顯微鏡或自動檢測工具檢測掩模的缺陷。掩模檢測工具可以將光學(xué)技術(shù)和對掩模進(jìn)行掃描相結(jié)合以獲取圖像。產(chǎn)生UV/DUV光的激光常常被用作照射源。典型的波長包括但不限于488nm、365nm、266nm、257nm、248nm、198nm和193nm。越短的波長提供越高的分辨率，并且對于在掩模上發(fā)現(xiàn)的缺陷的光刻結(jié)果可以是更好的預(yù)測者。
通常通過比較被翻印在掩模的不同部分的兩個應(yīng)當(dāng)相同的圖案(模對模)或比較被翻印在掩模上的圖案與該圖案的對應(yīng)的布局?jǐn)?shù)據(jù)(模對數(shù)據(jù)庫)來進(jìn)行缺陷檢測。在從光刻膠1600的圖案轉(zhuǎn)移后，在吸收物層1400中可以發(fā)現(xiàn)缺陷。缺陷可以呈現(xiàn)為透明缺陷1710或呈現(xiàn)為不透明缺陷1720。圖2B中示出了一個實施例。在透明缺陷1710處，本來應(yīng)該存在吸收物層1400，但它全部或部分地缺失。在不透明缺陷1720處，本來應(yīng)該沒有吸收物層1400，但它全部或部分地存在。
可以使用聚焦離子束(FIB)工具來利用諸如碳的不透明材料1730覆蓋透明缺陷1710。也可以通過從有機(jī)金屬前驅(qū)(precursor)氣體的離子束誘導(dǎo)金屬沉積修復(fù)透明缺陷。舉例來說，可以由六羰基鎢(或W(CO)6)的氣體沉積鎢?？梢赃M(jìn)行利用氣體輔助刻蝕(GAE)的沉積后修整來消除任何過度噴涂(overspray)并獲得不透明材料1730的理想的修復(fù)后尺寸。溴氣或氯氣可以被用于GAE。所沉積的不透明材料1730不需要和透射式掩模上的鉻或反射式掩模上的吸收物層1400具有相同的厚度。所沉積的不透明材料1730應(yīng)該與用來清潔掩模的化學(xué)制品相兼容。
本發(fā)明希望使用電子束誘導(dǎo)化學(xué)刻蝕來修復(fù)在DUV掩?；駿UV掩模上的不透明缺陷1720。因為其基本上是化學(xué)的，所以電子束誘導(dǎo)化學(xué)刻蝕對于下層具有高度選擇性，而不同于由于離子轟擊而總是具有物理成分的FIB或GAE。和在FIB中利用離子束不同，電子束將不會通過離子注入或通過原子撞擊來損傷下層。圖2C中示出了一個實施例。
在EUV掩模中，緩沖層1300覆蓋ML鏡1200，并在上面的吸收物層1400的修復(fù)期間保護(hù)ML鏡1200不受損傷。緩沖層1300所需的厚度取決于通過修復(fù)處理將要去除的材料的量。因此，高度刻蝕選擇性允許在EUV掩模上使用薄緩沖層1300。薄緩沖層1300導(dǎo)致了更低的整體吸收物疊層(stack)，這減小了陰影效應(yīng)并改善了成像。薄緩沖層1300還減小了在完成修復(fù)后去除緩沖層1300期間產(chǎn)生可翻印軟缺陷的可能性。
當(dāng)EUV掩模1800被用來曝光晶片上的光刻膠時，緩沖層1300將增強(qiáng)ML鏡1200之上的光吸收。結(jié)果是使襯度下降，這將輕微地降低被翻印在晶片上的光刻膠中的特征的CD控制。為了防止這種降低，在緩沖層1300的沒有被吸收物層1400覆蓋的任何地方，緩沖層1300都被去除。
當(dāng)去除緩沖層1300的被曝光部分時，一定不能損傷上面的吸收物層1400和下面的ML鏡1200。由二氧化硅形成的緩沖層1300可以利用諸如CF4或C5F8的含氟氣體進(jìn)行干法刻蝕。在某些情況下，可以包含氧氣或諸如氬的載氣?；蛘?，薄緩沖層1300可以進(jìn)行濕法刻蝕，因為對吸收物層1400的任何下切(undercut)因而將較小。例如，由二氧化硅形成的緩沖層1300可以用約3-5％氫氟酸的水溶液進(jìn)行刻蝕。如果需要的話，可以使用干法刻蝕和濕法刻蝕的組合。
上述處理的結(jié)構(gòu)得到了EUV掩模1800，所述EUV掩模1800具有反射區(qū)1750和非反射區(qū)或暗區(qū)1760。圖2D中示出了一個實施例。
本發(fā)明的另一個實施例是如圖3中所示的EUV掩模2700。EUV掩模2700包括吸收物層2400、薄緩沖層2300、ML鏡2200和襯底2100。EUV掩模2700具有第一區(qū)域2750和第二區(qū)域2760。因為ML鏡2200是暴露的，所以第一區(qū)域2750具有反射性。由于吸收物層2400，所以第二區(qū)域2760是非反射性的，或暗的。
第一，本發(fā)明的EUV掩模2700包括諸如玻璃陶瓷材料的襯底2100，其具有低熱膨脹系數(shù)(CTE)、低缺陷水平和光滑的表面。
第二，多層(ML)鏡1200被置于襯底2100之上。ML鏡2200具有約20至80對高折射率材料2210和低折射率材料2220的交替層。
在一個實施例中，ML鏡2200包括40對高折射率材料2210和低折射率材料2220。高折射率材料2210可以由約2.8nm厚的鉬形成，而低折射率材料2220可以由約4.1nm厚的硅形成。ML鏡2200在約13.4nm的EUV中心照射波長處具有約60-75％的最大反射率。
第三，超薄緩沖層2300被置于ML鏡2200之上。超薄緩沖層2300的厚度約為10-55nm。超薄緩沖層2300防止下面的ML鏡2200在上面的吸收物層2400的刻蝕期間受到任何的損傷。超薄緩沖層2300還防止下面的ML鏡2200在用于去除不透明缺陷的修復(fù)期間受到損傷。
超薄緩沖層2300可以是諸如低溫氧化物(LTO)的二氧化硅。諸如氧氮化硅或碳的其它材料也可以用于超薄緩沖層2300。
第四，吸收物層2400被置于超薄緩沖層2300之上。吸收物層2400可以是約45-125nm的某種材料形成，其中該材料衰減EUV光，在用EUV光曝光期間保持穩(wěn)定，并且與掩模的制造工藝相兼容。
吸收物層2400可以包括一種或多種金屬、合金和陶瓷。金屬包括鋁、鉻、鎳、鈮、鉭、鈦和鎢。合金包括諸如鋁-銅的金屬復(fù)合物。陶瓷包括由金屬和非金屬形成的化合物，諸如各種金屬的硼化物、碳化物、氮化物、氧化物和硅化物。實例包括硅化鎳、硼化鉭、鍺化鉭、氮化鉭、硅化鉭、氮化硅鉭和氮化鈦。
本發(fā)明還提供一種裝置400，該裝置400通過使用電子束誘導(dǎo)化學(xué)刻蝕來修復(fù)DUV或EUV掩模410上的不透明缺陷405。圖4中示出了一個在本發(fā)明所要求保護(hù)的裝置400中，待修復(fù)的掩模410被安放在支架420上。通過工作臺430將支架420置于室470中。工作臺430可以在不同方向上諸如沿著x軸、y軸和z軸移動、旋轉(zhuǎn)和傾斜。利用成像系統(tǒng)440來定位掩模410上的不透明缺陷405。成像系統(tǒng)440可以包括電子鏡筒(electron column)。
氣體傳送系統(tǒng)450將來自氣源的一種或多種氣體向室470中的襯底410上的不透明缺陷405配送?？梢酝ㄟ^一個或多個諸如噴嘴的開口將氣體輸入室470中。通過調(diào)節(jié)流量控制閥保持所期望的流速。
關(guān)鍵參數(shù)包括噴嘴尺寸、噴嘴相對于掩模的傾斜角、配送氣體的角度分布和噴嘴的開口到掩模表面的距離。典型值包括但不限于噴嘴直徑100-300微米(μm)、噴嘴傾斜角度45-70度(從垂直方向)、角度分布5-25度以及從噴嘴開口到掩模表面的距離50-150μm。
氣體可以包括反應(yīng)氣體和載氣。反應(yīng)氣體的選擇取決于待刻蝕的材料。在本發(fā)明的一個實施例中，反應(yīng)氣體被不透明缺陷405吸附，并被解離(dissociate)。載氣的一個實例是氬氣。
在DUV透射式掩模410中，不透明缺陷405可以包括諸如鉻、氧化鉻、氮化鉻或氧氮化鉻的材料。下層可以包括石英?？梢岳秒娮觽魉拖到y(tǒng)460來誘導(dǎo)諸如氯氣(Cl2)和氧氣(O2)的反應(yīng)氣體，以對不透明缺陷405進(jìn)行化學(xué)刻蝕，這相對于下層具有2∶1或更大的選擇性。
在EUV反射式掩模410中，不透明缺陷405可以包括諸如氮化鉭的吸收物層材料。下層可以包括諸如二氧化硅的緩沖層材料?？梢岳秒娮觽魉拖到y(tǒng)460來誘導(dǎo)諸如氟化氙(XeF2)或四氟化碳(CF4)或氟氣(F2)的反應(yīng)氣體，以化學(xué)刻蝕不透明缺陷405，這相對于下層具有10∶1或更大的選擇性。可以通過抽氣系統(tǒng)480從室470去除諸如氟化鉭的揮發(fā)性副產(chǎn)物。
當(dāng)不透明缺陷405包括含碳材料時，可以利用電子傳送系統(tǒng)460來誘導(dǎo)諸如水蒸氣(H2O)或氧氣(O2)的反應(yīng)氣體，以化學(xué)刻蝕不透明缺陷405，這相對于下層具有10∶1或更大的選擇性。舉例來說，碳刻蝕可以被用來修復(fù)EUV掩模410上的不透明缺陷405，其中所述EUV掩模410具有含碳的導(dǎo)電緩沖層。碳刻蝕也可以被用來修復(fù)掩模410上的光刻膠圖案中的不透明缺陷405，以增加圖案化成品率并減少重復(fù)工作。此外，對于在掩模410經(jīng)過了附加處理之后要求進(jìn)行的更困難的修復(fù)，碳刻蝕可能是有益的。
用于誘導(dǎo)化學(xué)刻蝕的電子傳送系統(tǒng)460可以類似于在SEM中用來成像樣品的電子鏡筒，除了前者對電子束的聚焦和掃描控制更加復(fù)雜這點(diǎn)不同。具體來說，諸如束流、像素間距、停留時間、掃描速率、刷新時間和回描時間的關(guān)鍵參數(shù)可以由計算機(jī)控制以最優(yōu)化刻蝕速率、刻蝕幾何形狀、刻蝕均勻性和表面粗糙度。
電子傳送系統(tǒng)460將電子導(dǎo)向室470中的掩模410上的不透明缺陷405。電子傳送系統(tǒng)460可以包括聚焦系統(tǒng)以提供高度聚焦的電子束。在一個實施例中，高度聚焦的意思是電子束的尺寸小于二次電子的范圍。在另一個實施例中，高度聚焦的意思是電子束的尺寸小于待修復(fù)的最小致命缺陷的尺寸的約30％。總而言之，電子束具有約5-125nm的典型尾部直徑(tail diameter)。
電子傳送系統(tǒng)460使用諸如0.3-3.0keV范圍內(nèi)的低加速電壓，以限制掩模410的表面上的發(fā)射電子的橫向擴(kuò)展。低電壓也使表面充電最小化。發(fā)射電子包括二次電子和背散射電子。當(dāng)二次電子與在掩模410的表面上被吸附和解離的反應(yīng)氣體相互作用時，誘導(dǎo)了不透明缺陷405的化學(xué)刻蝕。如果需要的話，可以監(jiān)測二次電子的電流以探測刻蝕的終點(diǎn)(endpoint)。
在大多數(shù)情況下，電子束誘導(dǎo)化學(xué)刻蝕是反應(yīng)控制(reaction-limited)的，而不是傳質(zhì)控制(mass transfer-limited)的。反應(yīng)氣體對不透明缺陷405的化學(xué)刻蝕產(chǎn)生從掩模離解并可以被從保存掩模410的室470中去除的揮發(fā)性副產(chǎn)物。抽氣系統(tǒng)480從室470抽空氣體和揮發(fā)性材料，因此在室470的內(nèi)部產(chǎn)生真空。
不透明缺陷405的電子束誘導(dǎo)化學(xué)刻蝕速率取決于反應(yīng)氣體的分壓和電子束的電流密度。室470中的壓力可以全局約為0.001-0.200毫托(mT)，而在所修復(fù)的掩模410上的不透明缺陷405上局部約為0.500-10.000mT。電子束電流可以是約0.050-1.000納安(nA)。電子束誘導(dǎo)化學(xué)刻蝕速率常常取決于二次電子的產(chǎn)率。對于約1.0keV或更小的加速電壓，刻蝕速率常常達(dá)到最大值。
上面闡述了很多實施例和細(xì)節(jié)，以便于充分理解本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，一個實施例中的許多特征對于另外的實施例同樣是適用的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員還應(yīng)該理解，可以對在此所描述的具體材料、工藝、尺寸、濃度等進(jìn)行各種等同替換。應(yīng)該理解對本發(fā)明的詳細(xì)說明應(yīng)該被認(rèn)為是示例性的而不是限制性的，其中本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該由其權(quán)利要求確定。
如此，我們已經(jīng)描述了用于制造和無損修復(fù)掩模的裝置和方法。
權(quán)利要求
1.一種裝置，包括支架，適用于安放襯底；工作臺，適用于在室中定位所述支架；抽氣系統(tǒng)，適用于抽空所述室；成像系統(tǒng)，適用于在所述襯底中定位不透明缺陷；氣體傳送系統(tǒng)，適用于向所述缺陷配送反應(yīng)氣體；以及電子傳送系統(tǒng)，適用于將電子導(dǎo)向所述不透明缺陷。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述成像系統(tǒng)包含電子鏡筒。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述電子傳送系統(tǒng)包含電子鏡筒。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述襯底包含透射式深紫外線掩模。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述不透明缺陷包含鉻，并且所述反應(yīng)氣體包含氯氣和氧氣。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述襯底包含反射式極遠(yuǎn)紫外線掩模。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述不透明缺陷包含吸收物，并且所述反應(yīng)氣體包含氟化氙。
8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述不透明缺陷包含碳，并且所述反應(yīng)氣體包含水蒸氣或氧氣。
9.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括聚焦系統(tǒng)，所述聚焦系統(tǒng)適用于在所述不透明缺陷上高度聚焦所述電子。
10.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括掃描系統(tǒng)，所述掃描系統(tǒng)適用于電子掃描所述不透明缺陷。
11.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括加速系統(tǒng)，所述加速系統(tǒng)適用于為電子提供低加速電壓。
12.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括計算機(jī)，所述計算機(jī)適用于控制所述電子傳送系統(tǒng)。
13.一種方法，包括提供襯底；在所述襯底上形成一個層；將所述層圖案化為第一區(qū)域和第二區(qū)域；去除在所述第一區(qū)域中的所述層；檢測所述第一區(qū)域的不透明缺陷；在所述不透明缺陷上形成反應(yīng)氣體；以及將電子導(dǎo)向所述不透明缺陷，所述電子誘導(dǎo)所述反應(yīng)氣體以刻蝕所述不透明缺陷。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述反應(yīng)氣體刻蝕所述不透明缺陷而不損傷所述襯底。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述不透明缺陷包含鉻，并且所述反應(yīng)氣體包含氯氣和氧氣。
16.一種方法，包括提供襯底；在所述襯底上形成鏡；在所述鏡上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成吸收物層；將所述吸收物層圖案化為第一區(qū)域和第二區(qū)域；去除在所述第一區(qū)域中的所述吸收物層；檢測所述第一區(qū)域的不透明缺陷；在所述不透明缺陷上配送反應(yīng)氣體；電子束掃描所述不透明缺陷，所述電子束誘導(dǎo)所述反應(yīng)氣體，以和所述不透明缺陷反應(yīng)進(jìn)而形成揮發(fā)性副產(chǎn)物；以及去除所述第一區(qū)域中的所述緩沖層。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述不透明缺陷包含吸收物，并且所述反應(yīng)氣體包含氟化氙。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于制造和無損修復(fù)掩模的方法和一種裝置，所述裝置包括支架，用于安放襯底；工作臺，用于在室中定位所述的支架；抽氣系統(tǒng)，用于抽空所述室；成像系統(tǒng)，用于在所述襯底中定位不透明缺陷；氣體傳送系統(tǒng)，用于向所述缺陷配送反應(yīng)氣體；以及電子傳送系統(tǒng)，用于將電子導(dǎo)向所述不透明缺陷。
文檔編號H01L21/027GK1639638SQ02811807
公開日2005年7月13日 申請日期2002年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月29日
發(fā)明者守登·梁, 艾倫·斯蒂弗斯 申請人:英特爾公司