一種能譜-dr平板探測裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于醫(yī)療器械領域，尤其涉及一種能譜-DR平板探測裝置。
【背景技術】
[0002]目前的DR平板探測器(Digital Rad1graphy,數(shù)字化X射線攝影探測器)只采用一塊TFT陣列基板，在X射線通過人體后，在TFT陣列基板上變成電信號，該電信號經(jīng)處理后在顯示器上予以顯示，此種成像系統(tǒng)對低能和高能X射線的成像不能進行區(qū)分，同時圖像噪聲高，需要使用大量的圖像處理算法對采集到的信號進行去噪處理?，F(xiàn)有的平板-DR探測器都是采用一塊TFT陣列基板探測X射線的成像，如圖1所示。
[0003]X線和微波、可見光、紫外線等一樣，其本質(zhì)都是電磁波。由X線管產(chǎn)生的X線并非單一能譜，而是包括特征譜和連續(xù)譜兩部分，X線的特征譜可用量子理論作出完美解釋，即當X線管所產(chǎn)生的高能束流電子轟擊靶極時，靶極原子的內(nèi)層電子脫離原軌道，外層電子填充該空位時產(chǎn)生輻射躍迀，輻射光子的能量取決于躍迀前后的能級差，輻射光子的頻率或波長對確定的物質(zhì)有確定的數(shù)值。X線的連續(xù)譜源于軔致輻射(即:高速運動的束流電子與靶材相碰撞獲得很大的負加速度，在其周圍產(chǎn)生急劇變化的電磁場，也就是電磁輻射。因為碰撞過程和條件以及每次碰撞的能量變化都是隨機的，所以產(chǎn)生的是波長不同而且連續(xù)的輻射，即軔致輻射)，即高能電子進入靶原子核附近，受原子核電場作用急劇減速，損失的能量以X光子的形式輻射出去，因高速電子與原子核電場相互作用的情況不同，因而輻射出的X光子具有各種各樣的能量，從而形成連續(xù)譜，其波長范圍在0.0l-1Onm,因波長或頻率的不同，可以分為不同的能譜。
[0004]在曝光期間，X光透過人體后經(jīng)過閃爍體轉(zhuǎn)換成可見光，平板探測器的TFT陣列基板開始對可見光進行積分，之后數(shù)據(jù)讀出電路將TFT陣列基板上各像元的圖像數(shù)據(jù)進行讀出，再把圖像傳給工作站。由于所有X射線能譜的成像都在同一個TFT陣列基板上，該種架構(gòu)的平板探測器不能對低能和高能X射線分別進行探測，從臨床醫(yī)學角度講，采集的圖像軟組織對比不夠好。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型所要解決的技術問題在于提供一種能譜-DR平板探測裝置，旨在分別對低能和高能射線進行探測時，解決現(xiàn)有平板探測裝置的圖像噪聲高、低能和高能射線圖像混合在一起，采集的圖像軟組織對比不夠好的問題。
[0006]本實用新型是這樣實現(xiàn)的，一種能譜-DR平板探測裝置，包括:至少兩層TFT陣列基板、X射線濾波片、與各TFT陣列基板相連接的時序控制及數(shù)據(jù)讀出電路；
[0007]所述X射線濾波片設置于每相鄰兩層TFT陣列基板之間，用于過濾相應能級的X射線；
[0008]所述時序控制及數(shù)據(jù)讀出電路，用于控制所述TFT陣列基板工作及進行數(shù)據(jù)傳輸。
[0009]進一步地，所述時序控制及數(shù)據(jù)讀出電路包括:
[0010]時序控制電路，用于控制TFT各行像元工作的門電路控制芯片；
[0011]數(shù)據(jù)讀出電路，用于控制各層TFT陣列基板的讀數(shù)據(jù)芯片；
[0012]數(shù)據(jù)傳輸電路，用于控制數(shù)據(jù)傳輸。
[0013]進一步地，所述TFT陣列基板包括感光元件和TFT陣列。
[0014]進一步地，所述X射線濾波片為銅濾波片。
[0015]進一步地，所述X射線濾波片為鋁濾波片。
[0016]本實用新型與現(xiàn)有技術相比，有益效果在于:本實用新型在兩層TFT陣列基板中間加入X射線濾波片，使每層TFT陣列基板對不同能量的光子有最大的敏感性及吸收、過濾，進而對低能和高能射線分別進行探測，能夠有效減少圖像噪聲，多層層疊結(jié)構(gòu)可以對高能和低能射線進行探測，精細區(qū)分各種X射線能譜。
【附圖說明】
[0017]圖1是現(xiàn)有技術提供的平板探測器的電路架構(gòu)圖。
[0018]圖2是本實用新型實施例一提供的一種能譜-DR平板探測裝置的TFT陣列基板層萱不意圖。
[0019]圖3是本實用新型實施例二提供的一種能譜-DR平板探測裝置的TFT陣列基板層萱不意圖。
【具體實施方式】
[0020]為了使本實用新型的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0021]如圖2所示，為本實用新型實施例一提供的一種能譜-DR平板探測裝置，包括:兩層TFT陣列基板1、一層X射線濾波片2、與TFT陣列基板相連接的時序控制及數(shù)據(jù)讀出電路3，TFT陣列基板I上包括感光元件(圖中未示出)及TFT陣列(圖中未示出)，時序控制及數(shù)據(jù)讀出電路3包括:用于控制TFT像元各行打開的GATE IC(門電路控制芯片)的時序控制電路(圖中未示出)，用于控制READ IC(讀數(shù)據(jù)芯片)的數(shù)據(jù)讀出電路(圖中未示出)、及用于數(shù)據(jù)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)傳輸電路(圖中未示出)，所述數(shù)據(jù)傳輸電路可通過網(wǎng)絡傳輸或者光傳輸。在本實施例中，X射線濾波片2為Cu濾波片(銅濾波片)，在實際應用中也可以使用鋁濾波片，同樣可以達到相同的效果。
[0022]本實施例通過2層TFT陣列基板加上中間的Cu濾波片，完成低能和高能X射線成像的探測。在頂層TFT上的成像為LKV (低千伏)射線成像，中間層Cu銅塊將LKV (低千伏)射線濾除，使GKV (高千伏)射線透過，在底層TFT上的成像為GKV (高千伏)射線成像，這樣既得到高低能投影數(shù)據(jù)，對數(shù)據(jù)進行雙能CT重建既可完成對高低能射線成像探測的目的。
[0023]由于半導體工藝的進步，TFT陣列基板越來越薄，現(xiàn)今市場上出現(xiàn)的TFT陣列基板薄至0.7_甚至更薄，為了達到精細區(qū)分各種X射線能譜的目的，平板探測器的層疊可以設置成多層層疊結(jié)構(gòu)的方式，同時并不影響整個平板探測器的體積，根據(jù)上述原理，圖3示出了本實用新型實施例二提供的一種能譜-DR平板探測裝置，包括多層TFT陣列基板1、位于每相鄰兩層TFT陣列基板I之間的Cu濾波片2、與各TFT陣列基板相連接的時序控制及數(shù)據(jù)讀出電路3，本實施例提供的多層層疊的結(jié)構(gòu)能夠更好的區(qū)分各X射線能譜的成像。
[0024]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種能譜-DR平板探測裝置，其特征在于，包括:至少兩層TFT陣列基板、X射線濾波片、與各TFT陣列基板相連接的時序控制及數(shù)據(jù)讀出電路； 所述X射線濾波片設置于每相鄰兩層TFT陣列基板之間，用于過濾相應能級的X射線； 所述時序控制及數(shù)據(jù)讀出電路，用于控制所述TFT陣列基板工作及進行數(shù)據(jù)傳輸。
2.如權(quán)利要求1所述的能譜-DR平板探測裝置，其特征在于，所述時序控制及數(shù)據(jù)讀出電路包括: 時序控制電路，用于控制TFT各行像元工作的門電路控制芯片； 數(shù)據(jù)讀出電路，用于控制各層TFT陣列基板的讀數(shù)據(jù)芯片； 數(shù)據(jù)傳輸電路，用于控制數(shù)據(jù)傳輸。
3.如權(quán)利要求1所述的能譜-DR平板探測裝置，其特征在于，所述TFT陣列基板包括感光元件和TFT陣列。
4.如權(quán)利要求1所述的能譜-DR平板探測裝置，其特征在于，所述X射線濾波片為銅濾波片。
5.如權(quán)利要求1所述的能譜-DR平板探測裝置，其特征在于，所述X射線濾波片為鋁濾波片。
【專利摘要】本實用新型適用于醫(yī)療器械領域，提供了一種能譜-DR平板探測裝置，包括：至少兩層TFT陣列基板、X射線濾波片、與各TFT陣列基板相連接的時序控制及數(shù)據(jù)讀出電路；所述X射線濾波片設置于每相鄰兩層TFT陣列基板之間，用于過濾相應能級的X射線；所述時序控制及數(shù)據(jù)讀出電路，用于控制所述TFT陣列基板工作及進行數(shù)據(jù)傳輸。本實用新型在兩層TFT陣列基板中間加入X射線濾波片，使每層TFT陣列基板對不同能量的光子有最大的敏感性及吸收、過濾，進而對低能和高能射線分別進行探測，能夠有效減少圖像噪聲，多層層疊結(jié)構(gòu)可以對高能和低能射線進行探測，精細區(qū)分各種X射線能譜。
【IPC分類】G01T1-36
【公開號】CN204575859
【申請?zhí)枴緾N201520200066
【發(fā)明人】郭子兵, 沈愛祥, 姜維
【申請人】深圳市安健科技有限公司
【公開日】2015年8月19日
【申請日】2015年4月3日